ICS2920029240

;

K46..

中華人民共和國國家標準

GB/T357022—2017/IEC62751-22014

.:

高壓直流系統(tǒng)用電壓源換流器閥損耗

第2部分模塊化多電平換流器

:

PowerlossesinvoltaesourcedconverterVSCvalvesforhih-voltaedirect

g()gg

currentHVDCsstems—Part2Modularmultilevelconverters

()y:

(IEC62751-2:2014,IDT)

2017-12-29發(fā)布2018-07-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T357022—2017/IEC62751-22014

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義符號和縮略語

3、………………1

術語和定義

3.1…………………………1

符號和縮略語

3.2………………………3

通用條件

4…………………5

概況

4.1…………………5

損耗確定原則

4.2………………………5

閥損耗分類

4.3…………………………5

損耗的計算方法

4.4……………………6

輸入參數(shù)

4.5……………6

通態(tài)損耗

5…………………7

概述

5.1…………………7

通態(tài)損耗

5.2IGBT………………………9

二極管通態(tài)損耗

5.3……………………9

其他通態(tài)損耗

5.4………………………10

與直流電壓相關的損耗

6…………………10

閥的直流電容器損耗

7……………………11

開關損耗

8…………………11

概述

8.1…………………11

開關損耗

8.2IGBT……………………11

二極管開關損耗

8.3……………………12

其他損耗

9…………………12

阻尼電路損耗

9.1………………………12

閥電子電路功率損耗

9.2………………13

換流站的閥總損耗

10HVDC……………14

附錄資料性附錄閥損耗原理描述

A()MMC…………16

參考文獻

……………………40

Ⅰ

GB/T357022—2017/IEC62751-22014

.:

前言

高壓直流系統(tǒng)用電壓源換流器閥損耗分為以下兩部分

GB/T35702《》:

第部分一般要求

———1:;

第部分模塊化多電平換流器

———2:。

本部分為的第部分

GB/T357022。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用高壓直流系統(tǒng)用電壓源換流器閥損耗第部分

IEC62751-2:2014《2:

模塊化多電平換流器

》。

與本部分中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應關系的我國文件如下

:

高壓直流輸電術語

———GB/T13498—2017(IEC60633:2015,MOD)

高壓直流系統(tǒng)用電壓源換流器術語

———GB/T34118—2017(IEC62747:2014,IDT)

本部分做了下列編輯性修改

:

按我國習慣將文中的R改為r見和

———“0”“0”(3.2.2、4.5.4、5.2、5.3、A.3.2.1A.3.2.2)。

本標準由中國電器工業(yè)協(xié)會提出

。

本標準由全國電力電子系統(tǒng)和設備標準化技術委員會歸口

(SAC/TC60)。

本標準起草單位西安西電電力系統(tǒng)有限公司南方電網科學研究院有限責任公司國網北京經濟

:、、

技術研究院西安高壓電器研究院有限責任公司全球能源互聯(lián)網研究院中國南方電網有限責任公司

、、、

超高壓輸電公司檢修試驗中心夢網榮信科技集團股份有限公司

、。

本標準主要起草人孫小平饒宏馬為民楊曉平楊曉輝李強楊一鳴周會高彭程張晉波

:、、、、、、、、、、

唐金昆余瓊侯婷張顏珠寧大龍雷穎彭楊涵樂波馬玉龍高沖吳方劼高一鳴

、、、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T357022—2017/IEC62751-22014

.:

高壓直流系統(tǒng)用電壓源換流器閥損耗

第2部分模塊化多電平換流器

:

1范圍

的本部分給出了基于模塊化多電平換流器的高壓直流系統(tǒng)換流閥

GB/T35702(MMC)(HVDC)

功率損耗的詳細計算方法該換流器中的每個閥由若干個獨立的雙端可控電壓源串聯(lián)而成本部分不

,、。

僅適用于子模塊在每個開關單元處僅使用一個可關斷半導體器件的情況而且適用于子模塊在每個開

,

關單元處由多個可關斷半導體器件串聯(lián)而成此拓撲結構也稱為級聯(lián)兩電平換流器的情況本部分給

()。

出了兩電平半橋式結構的主要公式同時也在附錄中給出如何將結果推廣以確定其他類型

“”,AMMC

標準組件的導則

。

本部分主要是針對由絕緣柵雙極晶體管所構成的換流器也可作為由其他類型可關斷半導

(IGBT),

體器件所構成的換流器的使用導則

。

除換流閥外高壓直流換流站中其他設備的功率損耗不屬于本部分的范圍

,。

本部分不適用于采用電網換相換流器的系統(tǒng)中的換流閥

HVDC。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

高壓直流系統(tǒng)用電壓源換流器閥損耗第部分一般要求

GB/T35702.1—20171:(IEC62751-1:

2014,IDT)

高壓直流輸電術語

IEC60633[Terminologyforhigh-voltagedirectcurrent(HVDC)transmis-

sion]

高壓直流系統(tǒng)用電壓源換流器術語

IEC62747[Terminologyforvoltage-sourcedconverters

(VSC)forhigh-voltagedirectcurrent(HVDC)systems]

測量不確定度