ICS77040

H21.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30859—2014

太陽能電池用硅片翹曲度和

波紋度測(cè)試方法

Testmethodforwarpandwavinessofsiliconwafersforsolarcells

2014-07-24發(fā)布2015-04-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T30859—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)及材料分技術(shù)委員會(huì)

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司瑟米萊伯貿(mào)易上海有限公司有研半導(dǎo)體

:、()、

材料股份有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人薛抗美夏根平孫燕林清香徐自亮黃黎

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T30859—2014

太陽能電池用硅片翹曲度和

波紋度測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用硅片以下簡稱硅片翹曲度和波紋度的測(cè)試方法

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅片翹曲度和波紋度的測(cè)試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法術(shù)語定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)

GB/T3505—2009(GPS)、

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法表面波紋度詞匯

GB/T16747—2009(GPS)

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法相位修正濾波器的計(jì)量特性

GB/T18777(GPS)

所有部分產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范濾波

GB/Z26958()(GPS)

3術(shù)語和定義

和界定的術(shù)語和

GB/T3505—2009、GB/T14264、GB/T16747—2009、GB/T18777GB/Z26958

定義適用于本文件為了便于使用以下重復(fù)列出了和中的某

。,GB/T3505—2009GB/T16747—2009

些術(shù)語和定義

。

31

.

輪廓濾波器profilefilter

把輪廓分成長波和短波成分的濾波器在測(cè)量粗糙度波紋度和原始輪廓的儀器中使用三種濾波

。、

器見圖它們都具有規(guī)定的相同的傳輸特性但截止波長不同

,1。GB/T18777,。

定義

[GB/T3505—2009,3.1.1]

32

.

λs輪廓濾波器λsprofilefilter

確定存在于表面上的粗糙度與比它更短的波的成分之間相交界限的濾波器見圖

,1。

定義

[GB/T3505—2009,3.1.1.1]

33

.

λc輪廓濾波器λcprofilefilter

確定粗糙度與波紋度成分之間相交界限的濾波器見圖

,1。

定義

[GB/T3505—2009,3.1.1.2]

34

.

λf輪廓濾波器λfprofilefilter

確定存在于表面上的波紋度與比它更長的波的成分之間相交界限的濾波器