暑期實習(xí)報告極端條件實驗室，納米薄膜生長工藝暑期實習(xí)報告目錄1.實習(xí)地點介紹2.計劃工作安排3.實際工作進度4.實習(xí)工作總結(jié)暑期實習(xí)報告實習(xí)地點介紹東六C半導(dǎo)體工藝實驗室東九B極端條件實驗室主要設(shè)備：高純水凈水器磁力攪拌器等離子刻蝕機大功率烘干機超聲波清洗機主要設(shè)備：高溫硼擴散爐高溫磷擴散爐高溫氧化爐化學(xué)實驗操作平臺RCA清洗平臺大功率烘干機高真空磁控濺射儀暑期實習(xí)報告實習(xí)地點介紹東六C半導(dǎo)體工藝實驗室主要工作：硅片的清洗，切割磁控濺射薄膜生長樣品退火工藝暑期實習(xí)報告實習(xí)地點介紹東九B極端條件實驗室主要工作：ITO導(dǎo)電玻璃測試，標記超聲波清洗ITO水熱法制備納米棒狀整列樣品烘干暑期實習(xí)報告計劃工作安排計劃工作安排：預(yù)計時間探究Ag濺射的最佳功率和時間08.1-08.02探究WO3濺射的最佳功率和時間08.03-08.04探究ZnO濺射的最佳功率和時間08.05-08.06探究TiO2濺射的最佳功率和時間08.07-08.08制備核殼結(jié)構(gòu)光陽極08.09-08.12核殼結(jié)構(gòu)光陽極退火08.13制備Ag薄膜對電極08.13-08.14制備TiO2@ZnO核殼結(jié)構(gòu)的染料敏化電池08.15-08.20暑期實習(xí)報告實際工作進度探究Ag濺射的最佳功率和時間（08.01-08.02）主要實驗步驟：1.將硅片切割成1*2cm規(guī)格5片2.RCA清洗法清洗硅片暑期實習(xí)報告實際工作進度探究Ag濺射的最佳功率和時間（08.01-08.02）主要實驗步驟：3.設(shè)置薄膜生長參數(shù)編號功率時間反射功率氣壓1201500.52301000.53301500.54401000.5560500.54.進行薄膜生長（40W濺射輝光）暑期實習(xí)報告實際工作進度探究Ag濺射的最佳功率和時間（08.01-08.02）主要實驗步驟：5.薄膜數(shù)據(jù)檢測30w15min參數(shù)下SEM掃描圖像aba、厚度掃描成像b、平面掃描成像暑期實習(xí)報告實際工作進度探究WO3濺射的最佳功率和時間（08.03-08.04）主要實驗步驟：1.將硅片切割成1*2cm規(guī)格6片2.RCA清洗法清洗硅片3.高純氮氣吹干硅片4.設(shè)置濺射參數(shù)5.安裝WO3靶材6.進行薄膜生長7.薄膜數(shù)據(jù)檢測暑期實習(xí)報告實際工作進度探究WO3濺射的最佳功率和時間（08.03-08.04）主要實驗步驟：3.設(shè)置濺射參數(shù)編號功率（W）時間(min)反射功率(W)氣壓(Pa)1503001.02603000.93653001.04703000.95803000.961003000.94.進行薄膜生長暑期實習(xí)報告實際工作進度探究WO3濺射的最佳功率和時間（08.03-08.04）主要實驗步驟：5.薄膜數(shù)據(jù)檢測（利用臺階儀測試掃描厚度和粗糙度）編號功率（W）時間(min)厚度（nm）速率（nm/min）RaRq1503065.672.192.983.922603065.502.182.883.923653084.672.822.112.6947030113.003.772.293.3458030108.673.622.183.06610030150.255.012.483.17最佳功率65W，速率較快但是表面平整暑期實習(xí)報告實際工作進度探究ZnO濺射的最佳功率和時間（08.05-08.06）主要實驗步驟：1.將硅片切割成1*2cm規(guī)格6片2.RCA清洗法清洗硅片暑期實習(xí)報告實際工作進度探究ZnO濺射的最佳功率和時間（08.05-08.06）主要實驗步驟：3.設(shè)置濺射參數(shù)4.進行薄膜生長編號功率（W）時間(min)反射功率(W)氣壓(Pa)1606000.52806000.931006000.541206020.951406030.561606040.5暑期實習(xí)報告實際工作進度探究ZnO濺射的最佳功率和時間（08.05-08.06）主要實驗步驟：5.薄膜數(shù)據(jù)檢測（利用SEM掃描測試厚度和表面）編號功率（W）時間(min)平均厚度（nm）平均速率（nm/min）16060296.694.94528060334.325.572310060381.706.362412060509.538.492514060568.089.468616060642.4210.70760w60min參數(shù)下SEM掃描圖像a、厚度掃描成像b、平面掃描成像ab暑期實習(xí)報告實際工作進度探究TiO2濺射的最佳功率和時間（08.07-08.08）主要實驗步驟：1.將硅片切割成1*2cm規(guī)格6片2.RCA清洗法清洗硅片暑期實習(xí)報告實際工作進度探究TiO2濺射的最佳功率和時間（08.07-08.08）主要實驗步驟：4.進行薄膜生長3.設(shè)置濺射參數(shù)編號功率（W）時間(min)反射功率(W)氣壓(Pa)145300125530013653001475300158530016953001暑期實習(xí)報告實際工作進度探究TiO2濺射的最佳功率和時間（08.07-08.08）主要實驗步驟：5.薄膜數(shù)據(jù)檢測(臺階儀測試掃描厚度)編號功率（W）時間(min)平均厚度（nm）平均速率（nm/min）14530213.157.1225530241.268.0436530273.129.1147530299.689.9858530342.5411.4269530375.1112.50在65W的功率下表面粗糙度最小，故采用65W的功率暑期實習(xí)報告實際工作進度制備核殼結(jié)構(gòu)光陽極（08.09-08.12）主要實驗步驟：1.測試ITO導(dǎo)電面，并作上標記2.超聲清洗ITO暑期實習(xí)報告實際工作進度制備核殼結(jié)構(gòu)光陽極（08.09-08.12）主要實驗步驟：3.制備ZnO晶種層（100nm）在ITO導(dǎo)電面進行氧化鋅納米薄膜生長，做為后期水熱法制備氧化鋅棒狀陣列的晶種層濺射參數(shù)為:功率時間氣壓60W20min13s0.5Pa暑期實習(xí)報告實際工作進度制備核殼結(jié)構(gòu)光陽極（08.09-08.12）主要實驗步驟：4.水熱法制備ZnO可控棒狀陣列結(jié)構(gòu)反應(yīng)主要方程式：NH3·H2O→NH4++OH-

(1)Zn2++NH3·H2O→[Zn(NH3)4]2++H2O(2)[Zn(NH3)4]2+→[Zn(OH)n](n-2)-→ZnO

(3)實驗條件：（1）配置0.03mol/l的ZnCl2溶液60ml*6（2）利用氨水將溶液PH值調(diào)制9（3）恒溫烘箱調(diào)制90度（4）晶種層置于反應(yīng)釜內(nèi)膽，接觸溶液（5）恒溫生長6h采用晶籽輔助水熱法，即在前面實驗中生長的氧化鋅晶種層作為晶籽層，在水熱試驗中生長可控納米棒狀陣列a、水熱法反應(yīng)釜b、恒溫反應(yīng)箱暑期實習(xí)報告實際工作進度制備核殼結(jié)構(gòu)光陽極（08.09-08.12）主要實驗步驟：4.水熱法制備ZnO可控棒狀陣列結(jié)構(gòu)上述條件下制備的氧化鋅納米棒狀陣列SEM圖像abc

(a)正面圖(b)正面局部放大圖(c)截面圖暑期實習(xí)報告實際工作進度制備核殼結(jié)構(gòu)光陽極（08.09-08.12）主要實驗步驟：5.制備TiO2殼層組成TiO2@ZnO核殼結(jié)構(gòu)在生長完好的氧化鋅棒狀陣列結(jié)構(gòu)中制備TiO2@ZnO核殼結(jié)構(gòu)，其主要目的是提高電荷的存儲量，提高開路電壓濺射參數(shù)為:功率時間氣壓85W43min18s1.0Pa暑期實習(xí)報告實際工作進度核殼結(jié)構(gòu)光陽極退火（08.13）主要實驗步驟：1.將核殼結(jié)構(gòu)樣品取出，將退火爐的溫控程序設(shè)置在成三步，分別為上升（450度、30min），恒溫(450度、70min)，下降（50度、30min）3.將光陽極放置在石英皿中退火退火參數(shù)為（450度，45min），退火三片，與未退火進行比較暑期實習(xí)報告實際工作進度制備Ag薄膜對電極（08.13-08.14）主要實驗步驟：1.取出ITO導(dǎo)電玻璃測試標記2.超聲洗凈暑期實習(xí)報告實際工作進度制備Ag薄膜對電極（08.13-08.14）主要實驗步驟：3.Ag薄膜生長在潔凈的ITO表面生長一層Ag薄膜，增加對電極的電導(dǎo)，同時增加電池中電解液氧化還原反應(yīng)速率濺射參數(shù)為:功率時間氣壓60W12min1s1.0Pa暑期實習(xí)報告實際工作進度制備TiO2@ZnO核殼結(jié)構(gòu)的染料敏化電池（08.15-08.20）主要實驗步驟：1.對光陽極進行染料敏化將N719染料與酒精1：10的體積比進行混合，在暗室中將制作好的光陽極放置在配置好的敏化液中敏化12h，敏化的主要作用是拓寬光陽極的光譜吸收寬度，提高光的吸收a、N719敏化液樣品b、N719敏化液化學(xué)式暑期實習(xí)報告實際工作進度制備TiO2@ZnO核殼結(jié)構(gòu)的染料敏化電池（08.15-08.20）主要實驗步驟：2.光陽極對電極封裝組成電池，并注入電解液在實驗室中利用酒精燈對光陽極進行加熱，然后將熱塑性塑料在加熱后的光陽極邊緣涂覆一周，同時將對電極蓋在光陽極的四周，冷卻后即可形成簡單的封裝

冷卻后，將電解液利用細針孔注入但電池中，直到電解液注滿為止暑期實習(xí)報告實際工作進度制備TiO2@ZnO核殼結(jié)