ICS29.045H21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1555-1997半導(dǎo)體單晶晶向測定方法Testmethodsfordeterminingtheorientationofasemiconductorsinglecrystal1997-12-22發(fā)布1998-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T1555-1997本標(biāo)準(zhǔn)等效采用ASTMF26—87a《半導(dǎo)體單晶晶向測定方法》,對GB1555—79《硅單晶晶向光圖測量方法》、GB1556—79《硅單晶晶向X光衍射測量方法》GB5254—85《錯單品晶向X光衍射測定方法》GB5255—85《錯單晶晶向光反射圖像測定方法》及GB8759—88《化合物半導(dǎo)體單晶晶向X光反射測量方法》行修訂，將上述5個標(biāo)準(zhǔn)合并為本標(biāo)準(zhǔn)，本標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)內(nèi)容與ASTMF26等效，分為方法AX射線衍射方法和方法B光圖定向法兩種方法。等效采用ASTMF26時,刪去"安全措施”的內(nèi)容，使用X射線的安全措施按我國有關(guān)規(guī)定執(zhí)行。本標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容比原5個標(biāo)準(zhǔn)都詳細(xì)、完整，結(jié)構(gòu)上科學(xué)、合理。本標(biāo)準(zhǔn)實施之日起，代替GB1555—79、GB1556-79、GB5254-85、GB5255-85、GB8759-88。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計量研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由峨嵋半導(dǎo)體材料廠負(fù)責(zé)起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：康自衛(wèi)、劉文魁、王鴻高。本標(biāo)準(zhǔn)于1979年6月首次發(fā)布,1997年第一次修訂。

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1555-1997代背GB1555-半導(dǎo)體單晶晶向測定方法7GB1556-79GB5254-15CB8759Testmethodsfordeterminingtheorientation-88ofasemiconductorsinglecrystal1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體單晶晶向X射線衍射定向和光圖定向的方法，本標(biāo)準(zhǔn)適用于測定半導(dǎo)體單品材料大致平行于低指數(shù)原子面的晶體的表面取向。1.2本標(biāo)準(zhǔn)包括兩種試驗方法：1.2.1方法AX射線衍射定向法。該方法可用于所有半導(dǎo)體單品的定向。1.2.2方法B光圖定向法。該方法目前主要用于單一元素半導(dǎo)體單品的定向。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成本標(biāo)準(zhǔn)的條文。在標(biāo)準(zhǔn)出版時，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。GB2477—83磨料粒度及其組成3意義3.1測定半導(dǎo)體單品和晶片的取向是材料驗收的一項重要要求，因為材料的晶向決定著制造半導(dǎo)體器件的各種參數(shù)。3.2X射線衍射法是一種非破壞性的高精度定向方法，但使用設(shè)備時應(yīng)嚴(yán)格遵守其安全操作規(guī)程3.3光圖定向法需腐蝕試樣，因此要破壞拋光片表面。該方法的精度低于X射線衍射法，但設(shè)備要求不那么復(fù)雜。方法AX射線衍射定向法方法提要4.1以三維周期性品體結(jié)構(gòu)排列的單品的原子，其品體可以看作原子排列于空間垂直距離為的系列平行平面所形成，當(dāng)一束平行的單色X射線射入該平面上,且X射線照在相鄰平面之間的光程差為其波長的整數(shù)倍即倍時，就會產(chǎn)生衍射(反射)。利用計數(shù)器探測衍射線，根據(jù)其出現(xiàn)的位置即可確定單品的品向，如圖1所示。當(dāng)入射光束與反射平面之間夾角6、X射線波長入、品面間距及衍射級數(shù)機(jī)同時滿足下面布喇格定律取值時,X射線衍射光束強(qiáng)度將達(dá)到最大值：n一2dsin0······