QrQr大

學(xué)

物

理

下

歸

納

總

結(jié)電基本要求：．會(huì)求解描述靜電場(chǎng)的兩個(gè)重要物理量：場(chǎng)度E電勢(shì)V．掌握描述靜電場(chǎng)的重要定理：高定理和安培路理（公式內(nèi)容及物理義．掌握導(dǎo)體的靜電平衡及應(yīng)用；介質(zhì)的極化機(jī)理及介質(zhì)中的高斯定理。主要公式：一、場(chǎng)強(qiáng)度1．點(diǎn)電荷場(chǎng)強(qiáng)：E

q0

r

2

r計(jì)算場(chǎng)強(qiáng)的方法（3種）1、點(diǎn)電荷場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)及疊加原理點(diǎn)電荷系場(chǎng)強(qiáng)：Eii0i連續(xù)帶電體場(chǎng)強(qiáng)：

rdQ40

3（五步走積分法）(建立標(biāo)、取電荷元、寫dE、分解、分2靜電場(chǎng)高斯定理表達(dá)式：

q物理意義：明靜電場(chǎng)中，通過任意閉合曲面的電通量（電場(chǎng)強(qiáng)度沿任意閉合曲面的面積分于該曲面內(nèi)包圍的電代和除以。PP對(duì)稱性帶電體場(chǎng)強(qiáng)高斯定理求解）3利用電場(chǎng)和電勢(shì)關(guān)系：二、電勢(shì)電勢(shì)及定義：

q1．電場(chǎng)力做功：q0

0

ll

靜場(chǎng)安培環(huán)路定理：靜電場(chǎng)的保守性質(zhì)表達(dá)式：

l物理意義：明靜電場(chǎng)中，場(chǎng)強(qiáng)度沿任閉合路徑的線積分為0。3．電勢(shì)：

E(

0)

；電勢(shì)差：

AB

BA

電勢(shì)的計(jì)算：1．點(diǎn)電荷場(chǎng)的電勢(shì)及疊加原理點(diǎn)電荷電勢(shì)：

V

q4

0

r點(diǎn)電荷系電勢(shì)：U

i

Qi40i連續(xù)帶電體電勢(shì)：

dq

r（四步走積分法）(建立標(biāo)、取電荷元、寫dV

、積分)2．已知場(chǎng)強(qiáng)分布求電勢(shì)：定義法三、靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體及電介質(zhì)弄清靜電平衡條件及靜電平衡下導(dǎo)體的性質(zhì)了解電介質(zhì)極化機(jī)理描述化的物理量—電極化強(qiáng)度,會(huì)用介質(zhì)中的高斯定理，求對(duì)稱或分區(qū)均勻問題中的

DE

及界面處的束縛電荷面密度

。3.按電容的定義式計(jì)算電容。典型帶電體系的場(chǎng)強(qiáng)均勻帶電球面

典型帶電體系的電勢(shì)均勻帶電球面E

球面內(nèi)E

qr0

r

3

球面外均勻帶電直線

均勻帶電無限長(zhǎng)直線E

0

(cos

1

)2無限長(zhǎng)：E

0均勻帶電無限大平面

均勻帶電無限大面磁學(xué)恒定磁場(chǎng)（保守力場(chǎng)）基本要求：1．熟悉畢奧薩伐爾定律的應(yīng)用，會(huì)用右手螺旋法則求磁感應(yīng)強(qiáng)度方向；3．掌握描述磁場(chǎng)的兩個(gè)重要定理高定理和培環(huán)路定理（公式內(nèi)容及物理意義會(huì)用環(huán)路定理計(jì)算規(guī)則電流的磁感應(yīng)強(qiáng)度；．會(huì)求解載流導(dǎo)線在磁場(chǎng)中所受安培力．理解介質(zhì)的磁化機(jī)理，會(huì)用介質(zhì)中的環(huán)路定律計(jì)算B.主要公式：Idl0r1．畢奧薩伐爾定表式：dB4r21）有限長(zhǎng)載流直導(dǎo)線，垂直距離磁應(yīng)強(qiáng)度：

I04

)12（其中分別是起點(diǎn)及終點(diǎn)的流方向到場(chǎng)點(diǎn)線方向之間的夾角無限長(zhǎng)載流直導(dǎo)線，垂直距離處磁感應(yīng)強(qiáng)度：

I02半無限長(zhǎng)載流直導(dǎo)線，過端點(diǎn)垂線上且垂直距離r處磁應(yīng)強(qiáng)度：B

I02）圓形載流線圈，半徑為，在心O處：0

I0半圓形載流線圈，半徑為R，在圓心處：03）螺線管及螺繞環(huán)內(nèi)部磁場(chǎng)自己看書，把公式記住2．磁場(chǎng)高斯定理：

I0表達(dá)式：m

（無場(chǎng)）因?yàn)榇艌?chǎng)線是閉合曲線,從閉合曲面一側(cè)穿入必從另一側(cè)穿出)物理意義：明穩(wěn)恒磁場(chǎng)中，通過任意閉合曲面的磁通量（磁場(chǎng)強(qiáng)度沿任意合曲面的面積分）等于03．磁場(chǎng)安培環(huán)路定理l表達(dá)式：Il

B

I

（有場(chǎng)）物理意義：明穩(wěn)恒磁場(chǎng)中，磁感應(yīng)度任意閉合路徑的線積分，等于該路徑內(nèi)包圍的電流數(shù)的倍稱真磁導(dǎo)率00洛茲及安培力1）洛倫茲力：B

（磁場(chǎng)對(duì)運(yùn)動(dòng)電荷的作用力）2）安培力：F

Idl

（方向沿Idl

方向，或用左手定則定）l積分法五步走:1.建坐標(biāo)系;取電流元Idl;3.IdlBsin;4.分解;積分3）載流閉合線圈所受磁力矩：M

（要理解磁矩的定義及意義）介質(zhì)的場(chǎng)1）介的磁化機(jī)理及三磁介質(zhì)2）有磁質(zhì)安培環(huán)路定理l

HI電磁感應(yīng)基本要求：．理解法拉第電磁感應(yīng)定律和楞次定律的內(nèi)容及物理意義；．會(huì)求感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)及動(dòng)生電勢(shì)的小和方向；了解自感及互感；．握麥克斯韋方程組及意義，了解電磁波。主要公式：1．法拉第電磁感應(yīng)定律：

ddt

，會(huì)用楞次定律判斷感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)方向。2．動(dòng)生電動(dòng)勢(shì)sincos

l注：感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的方向沿v

l的方向，從電勢(shì)指向高勢(shì)。3．感電動(dòng)勢(shì)及感生電

感Ls

4．麥斯韋方程組及電波：L

變化的磁場(chǎng)產(chǎn)生電場(chǎng)L

變化的電場(chǎng)產(chǎn)生場(chǎng)波動(dòng)光學(xué)基本要求：掌握楊雙縫干涉單衍射、劈尖干涉、光柵衍射公式理解光程差的含義與半波損失發(fā)生條件及透、增反膜原；主要公式：1．光差與半波損失光程差：幾何光程乘以折射率之差：

rr2半波損失入射光從折率小的光疏介質(zhì)投射到折射較大的光疏密介質(zhì)表面時(shí)，反射光比入射光有

位突變即光程發(fā)生的躍變2

兩束相干光中一束發(fā)生半波損失，而另一束沒有，則附加

的光程差；若兩有或兩無，則無附加光程差2．楊雙縫干涉縫距d-雙縫距k-級(jí)數(shù)）條紋特征：明暗相間均勻等間距直條，中央為零級(jí)明紋。條紋間距

與縫屏距正比，與入射光波長(zhǎng)正，與雙縫間距d成反。3．會(huì)析薄膜干涉例如增透膜增反膜，劈尖牛頓環(huán)等4．單衍射（f-透鏡焦；a-縫寬度；級(jí)數(shù)）條紋特征明暗間直條紋，中為零級(jí)明紋寬是其它條紋寬度的兩倍條紋間距與透鏡焦距f

成正比，與入射光波長(zhǎng)成正比，與單縫寬度

成反比。5．衍光柵：（a

為光柵常數(shù)，為衍射角）柵方程：()sin

0,1,200柵明紋公式：dsin

明

k

fd第K級(jí)光譜張角：21第K級(jí)光譜線寬度：xf()21（kdsin，400紫光，nm光112條紋特征：條紋既有干涉又有衍射。6．光偏振（I

0

為入射光強(qiáng)度，為兩振化方向夾角）

馬呂斯定律：

通過偏振:III偏振光通過偏振:I

2

布儒特角：（i為入射角，為折射角）0當(dāng)入射角滿足上述條件時(shí)，反射光為完全偏振光，且偏化向與入射面垂直折射光為部分偏振光，且射線與折射光線垂直，即：i量子物理基

90

主要內(nèi)容：1.黑體輻射的實(shí)驗(yàn)規(guī)律不能從經(jīng)典物理獲得解釋。朗提出了能量量子假設(shè)，從而成功地解釋了黑體輻射的實(shí)驗(yàn)規(guī)律，并導(dǎo)致了量力學(xué)的誕生和許多近代技術(shù)。量子概念：h2.光電效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)規(guī)律無法用光的波動(dòng)理論解釋。愛因斯坦提出了子假設(shè)。用愛因斯坦方程h+w解釋了實(shí)驗(yàn)規(guī)律。康普頓散射也證明了光的量子性。3.德布羅意波物質(zhì)假設(shè)：任何實(shí)物粒子和光子一樣都具有波粒二性。德布羅意關(guān)系式：mc光子：m