犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１３３８８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１３３８８—１９９２

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向犡射線測試方法

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標準

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向犡射線測試方法

ＧＢ／Ｔ１３３８８—２００９

中國標準出版社出版發(fā)行

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郵政編碼：１０００４５

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２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３９８６４

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書

犌犅／犜１３３８８—２００９

前言

本標準修改采用ＳＥＭＩＭＦ８４７０７０５《硅片參考面晶向Ｘ射線測試方法》。

本標準與ＳＥＭＩＭＦ８４７０７０５相比，有以下不同：

———將ＳＥＭＩ標準中引用的部分國際標準，采用直接引用對應(yīng)的我國標準；

———主要格式內(nèi)容按ＧＢ／Ｔ１．１的要求編排。

本標準代替ＧＢ／Ｔ１３３８８—１９９２《硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向Ｘ射線測試方法》。

本標準與ＧＢ／Ｔ１３３８８—１９９２相比，主要有如下變化：

———增加了方法２———勞厄背反射Ｘ射線法；

———取消了硅片的直徑和參考面長度的具體規(guī)定；

———修訂前的國標中規(guī)定“該方法不適用于硅片規(guī)定取向在與參考面和硅片表面相垂直的平面內(nèi)

的投影與硅片表面法線之間夾角不小于３°的硅片的測量”；而ＳＥＭＩＭＦ８４７０７０５，僅適用于角

度偏離從－５°到＋５°的硅片；

———規(guī)范性引用文件有所增加；

———修改了精密度采用了ＳＥＭＩＭＦ８４７０７０５中通過對一個硅片進行５０次（每面２５次）的測量，得

到對這一測試方面的單個儀器、單個操作者的再現(xiàn)性評價：α計算值的１－α分布為１．９４′；

———增加了相關(guān)安全條款。

本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出。

本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標準起草單位：有研半導(dǎo)體材料股份有限公司。

本標準主要起草人：孫燕、盧立延、杜娟、翟富義、高玉銹。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１３３８８—１９９２。

Ⅰ

書

犌犅／犜１３３８８—２００９

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向犡射線測試方法

１目的

１．１硅片的參考面結(jié)晶學(xué)取向（晶向）是一個重要的材料驗收參數(shù)。在半導(dǎo)體器件工藝中，一般利用參

考面來校準半導(dǎo)體器件的幾何圖形陣列與結(jié)晶學(xué)晶面及晶向的一致性。

１．２硅片的參考面（位于片子邊緣）晶向是參考面表面的結(jié)晶學(xué)取向，參考面通常用規(guī)定為一個相關(guān)的

低指數(shù)晶面，如（１１０）晶面，在這種情況下，參考面的晶向可以用其偏離低指數(shù)晶面的角度來描述。

１．３本標準包括兩個測定方法。

１．４兩個測試方法都能用于工藝開發(fā)和質(zhì)量保證方面。但在該方法的多個實驗室間精度（再現(xiàn)性限）

確定之前，如雙方未圓滿完成兩個方法的相關(guān)性研究，不推薦在供需雙方使用該方法。

２范圍

２．１本標準規(guī)定了α角的測量方法，α角為垂直于圓型硅片基準參考平面的晶向與硅片表面參考面

間角。

２．２本標準適用于硅片的參考面長度范圍應(yīng)符合ＧＢ／Ｔ１２９６４和ＧＢ／Ｔ１２９６５中的規(guī)定，且硅片角度

偏離應(yīng)在－５°到＋５°范圍之內(nèi)。

２．３由本標準測定的晶向精度直接依賴于參考表面與基準擋板的匹配精度和擋板與相對于的Ｘ射線

的取向精度。

２．４本標準包含如下兩種測試方法：

測試方法１———Ｘ射線邊緣衍射法

測試方法２———勞厄背反射Ｘ射線法

２．４．１測試方法１是非破壞性的，為了使硅片唯一的相對于Ｘ射線測角器定位，除了使用特殊的硅片

夾具外，與ＧＢ／Ｔ１５５５測試方法１類似。與勞厄背反射法相比，該技術(shù)測量參考面的晶向能得到更高

的精度。

２．４．２方法２也是非破壞性的，為了使參考面相對于Ｘ射線束定位，除了使用“瞬時”底片