犐犆犛２９．０４５

犎８２

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１２９６３—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９６

硅多晶

犛狆犲犮犻犳犻犮犪狋犻狅狀犳狅狉狆狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１２９６３—２００９

前言

本標準修改采用ＳＥＭＩＭ１６１１０３：２００３《多晶硅規(guī)范》，主要差異如下：

———增加了技術參數(shù)，如對基磷、基硼電阻率、碳濃度和ｎ型少子壽命的等級要求；

———增加了硅多晶尺寸范圍要求。

本標準代替ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９６《硅多晶》。

本標準與ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９６相比，主要有如下變動：

———基磷電阻率等級由３００Ω·ｃｍ、２００Ω·ｃｍ、１００Ω·ｃｍ修訂為５００Ω·ｃｍ、３００Ω·ｃｍ、２００Ω·ｃｍ；

———增加氧化夾層術語。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：峨眉半導體材料廠。

本標準主要起草人：羅莉萍、張輝堅、王炎。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９１、ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９６。

Ⅰ

書

犌犅／犜１２９６３—２００９

硅多晶

１范圍

本標準規(guī)定了硅多晶的產(chǎn)品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、運輸、貯存。

本標準適用于以三氯氫硅或四氯化硅用氫還原法制得的硅多晶。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ１５５０非本征半導體材料導電類型測試方法

ＧＢ／Ｔ１５５３硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法

ＧＢ／Ｔ１５５８硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

ＧＢ／Ｔ４０５９硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗方法

ＧＢ／Ｔ４０６０硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法

ＧＢ／Ｔ４０６１硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法

ＧＢ／Ｔ１３３８９摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體材料術語

ＡＳＴＭＦ１７２３用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的標準規(guī)程

３術語

ＧＢ／Ｔ１４２６４規(guī)定的及以下術語適用于本標準：

氧化夾層狅狓犻犱犲犾犪犿犲犾犾犪

硅多晶橫斷面上呈同心圓狀的氧化硅夾雜。

４要求

４．１產(chǎn)品分類

４．１．１產(chǎn)品按外形分為塊狀硅多晶和棒狀硅多晶，根據(jù)純度的差別分為３級。

４．１．２牌號

硅多晶的牌號表示為：

Ｐｓｉ——

阿拉伯數(shù)字表示硅多晶等級

英文大寫字母表示硅多晶形狀，Ｉ表示棒狀，Ｎ