ICS29.045H82中華人民共和國國家標準GB/T12962-2005代替GB/T12962—1996硅單晶Monoccrystallinesilicon2005-09-19發(fā)布2006-04-01實施中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標準化管理委員會

GB/T12962-2005本標準的指標參照了國外有關標準（見參考文獻）結合我國硅材料的實際生產和使用情況，并考慮國際上硅材料的生產及微電子產業(yè)的發(fā)展和現(xiàn)狀進行修訂而成的。本標準代替GB/T12962-1996.本標準與GB/T12962—1996相比，有如下變動：-刪去了原標準直拉單品的直徑為63.5mm規(guī)格，增加了直徑200mm直拉硅單品及摻As單晶的內容。刪去了原標準區(qū)熔單品的直徑為30mm規(guī)格，增加了直徑125mm區(qū)熔硅單品的內容根據(jù)國內外對直拉硅單品要求的變化,對150mm以下的硅單品參數(shù)進行了修訂。增加了硅單品的金屬含量要求。對重摻單晶的氧含量，基硼、基磷含量的要求及檢測方法由供需雙方協(xié)商的內容本標準應與GB/T12964、GB/T12965配套使用。本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口本標準由北京有色金屬研究總院、中國有色金屬工業(yè)標準計量質量研究所負責起草本標準主要起草人：孫燕、王敬、盧立延、賀東江、翟富義。本標準由全國有色金屬標準化技術委員會負責解釋。本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T12962-1991-GB/T12962-1996

GB/T12962-2005硅范圍TT本標準規(guī)定了硅單品的產品分類、術語、技術要求、試驗方法、檢測規(guī)則以及標志、包裝、運輸廣存1.2本標準適用于直拉、懸浮區(qū)熔和中子嬉變摻雜制備的硅單品。。產品主要用于制作半導體元器件2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注明年代的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內容)或修訂版均不適用于本標準.然而.鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文件，其最新版本適用于本標準。GB/T1550非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1551硅錯單品電阻率測定直流二探針法GB/T1552硅錯單品電阻率測定直排四探針法GB/T1553硅和錯體內少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法GB/T1554硅品體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法GB/T1555半導體單品品向測定方法GB/T1557，硅品體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測量方法GB/T12964硅單品拋光片GB/T13387電子材料品片參考面長度測量方法GB/T14140(所有部分）硅片直徑測量方法GB/T14143300m～900m硅片間隙氧含量紅外吸收測量方法GB/T14844半導體材料牌號表示方法3術語和定義下列術語和定義適用于本標準徑向電阻率變化Cradialresistivityvariation晶片中心點與偏離中心的某一點或若干對稱分布的設定點（典型設定點是品片半徑的1/2處或靠近晶片邊緣處)的電阻率之間的差值。這種電阻率的差值可以表示為中心值的百分數(shù)。又稱徑向電阻率梯度。3.2雜質條紋impurityslriation品體生長時，在旋轉的固液交界面處發(fā)生周期性的溫度起伏.引起品體內雜質分布的周期性變化。在