ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T12962—2015

代替

GB/T12962—2005

硅單晶

Monocrystallinesilicon

2015-12-10發(fā)布2017-01-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

硅單晶

GB/T12962—2015

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20163

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-53125

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

GB/T12962—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅單晶本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要變化如下

GB/T12962—2005《》。GB/T12962—2005,:

增加了直徑小于或等于直拉硅單晶及要求見(jiàn)

———50.8mm(5.1.1);

增加了直徑區(qū)熔硅單晶及要求見(jiàn)

———200mm(5.1.1);

增加了對(duì)直拉硅單晶的載流子壽命要求見(jiàn)

———(5.2.1);

修訂了型區(qū)熔高阻硅單晶電阻率范圍的要求見(jiàn)

———n(5.2.1);

增加了摻雜比為的中子嬗變摻雜硅單晶的要求見(jiàn)

———F5(5.2.1);

修訂了摻雜比為的中子嬗變摻雜硅單晶的徑向電阻率變化及少數(shù)載流子壽命要求

———F10

見(jiàn)

(5.2.1);

修訂了氣相摻雜區(qū)熔硅單晶的直徑電阻率及少數(shù)載流子壽命等要求見(jiàn)

———、(5.2.1);

金屬含量要求中刪除了重?fù)诫s直拉硅單晶的基硼基磷含量由供需雙方商定提供內(nèi)容見(jiàn)

———“”“、”(

5.8);

取樣由文字描述改為表

———6;

增加了訂貨單內(nèi)容見(jiàn)第章

———(9)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研新材料股份有限公司天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司浙江中晶科技

:、、

股份有限公司浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心杭州海納半導(dǎo)體有限公司萬(wàn)向硅峰電子股份有限公司浙

、、、、

江金瑞泓科技股份有限公司上海合晶硅材料有限公司中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所廣東

、、、

泰卓光電科技股份有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫燕張果虎張雪囡黃笑容樓春蘭王飛堯朱興萍何良恩徐新華

:、、、、、、、、、

楊素心由佰玲李麗妍

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T12962—1991、GB/T12962—1996、GB/T12962—2005。

Ⅰ

GB/T12962—2015

硅單晶

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶的牌號(hào)及分類(lèi)要求檢驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書(shū)

、、、、、、、、

和訂貨單或合同內(nèi)容等

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直拉法懸浮區(qū)熔法包括中子嬗變摻雜和氣相摻雜制備的直徑不大于的

、()200mm

硅單晶產(chǎn)品主要用于制作半導(dǎo)體元器件

。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1553

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1558

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法

GB/T4058

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻率測(cè)試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法

GB/T11073—2007

硅單晶拋光片

GB/T12964