標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 12636-1990 微波介質(zhì)基片復(fù)介電常數(shù)帶狀線測(cè)試方法》作為一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了使用帶狀線結(jié)構(gòu)測(cè)量微波介質(zhì)基片復(fù)介電常數(shù)的具體操作流程和要求。然而，您提供的對(duì)比信息不完整，沒有明確指出要與哪個(gè)具體的標(biāo)準(zhǔn)或版本進(jìn)行比較。因此，直接對(duì)比其與某個(gè)特定標(biāo)準(zhǔn)的變更點(diǎn)無法實(shí)現(xiàn)。但可以一般性地說明此類標(biāo)準(zhǔn)更新時(shí)可能包含的變動(dòng)方向：

  1. 測(cè)量技術(shù)的更新：新版本的標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)引入更先進(jìn)的測(cè)量技術(shù)和設(shè)備要求，以提高測(cè)試精度和效率，如采用更精密的網(wǎng)絡(luò)分析儀或改進(jìn)的校準(zhǔn)方法。

  2. 參數(shù)定義和計(jì)算方法的修訂：隨著理論研究的深入，對(duì)復(fù)介電常數(shù)的物理理解可能會(huì)有所發(fā)展，導(dǎo)致參數(shù)定義更加準(zhǔn)確或計(jì)算模型的優(yōu)化，以更好地反映實(shí)際材料特性。

  3. 樣品制備和處理流程的調(diào)整：為了確保測(cè)試結(jié)果的可重復(fù)性和可靠性，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)樣品的尺寸、邊緣處理、表面光潔度等方面提出更嚴(yán)格的要求，或者引入新的樣品制備技術(shù)。

  4. 測(cè)試環(huán)境和條件的規(guī)范：考慮到環(huán)境因素（如溫度、濕度）對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)細(xì)化測(cè)試環(huán)境的控制要求，確保測(cè)試條件的一致性。

  5. 數(shù)據(jù)處理和誤差分析的改進(jìn)：更新的標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)引入更先進(jìn)的數(shù)據(jù)分析方法和統(tǒng)計(jì)處理手段，以及更詳細(xì)的誤差來源分析和修正策略，幫助用戶更準(zhǔn)確地評(píng)估測(cè)試結(jié)果的不確定性。

  6. 適用范圍的擴(kuò)展或限定：根據(jù)技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用需求的變化，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)擴(kuò)大測(cè)試頻率范圍、增加不同類型介質(zhì)基片的適用性，或是對(duì)特定材料或應(yīng)用場(chǎng)合做出更具體的限定。


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  • 1990-12-28 頒布
  • 1991-10-01 實(shí)施
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UDC621.315.2621.37L04中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T12636一90微波介質(zhì)基片復(fù)介電常數(shù)帶狀線測(cè)試方法Striplinetestmethodforcomplexpermittivityofmicrowavedielectricsubstrates1990-12-28發(fā)布1991-10-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)微波介質(zhì)基片復(fù)介電常數(shù)帶狀線剝?cè)嚪椒℅B/T12636-90中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵郵政編碼：100045電話：63787337、637874471991年7月第一版2004年12月電子版制作書號(hào)：155066·1-8162版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：（010）68533533

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)微波介質(zhì)基片復(fù)介電常數(shù)帶狀線GB/T1.2636—90試方法Striplinetestmethodforcomplexpermittivitgofmicrowavedielectricsubstrates主題內(nèi)容與適用范圍1.1本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了微波介質(zhì)基片復(fù)介電常數(shù)的帶狀線測(cè)試方法。1.2本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)試各種基片(如塑料、復(fù)合材料、陶瓷、硅酸鹽和其他單品體材料等)在微波頻率下的復(fù)介電常數(shù)，試頻率范圍：1=1～20GHz測(cè)試介電常數(shù)范圍：-2~25測(cè)試損耗角正切范圍：tand.=5×10-1～1×10-2引用標(biāo)準(zhǔn)GB8170數(shù)值修約規(guī)則3測(cè)試原理以被測(cè)介質(zhì)基片與良導(dǎo)金屬片和薄帶可構(gòu)成典型的帶狀傳輸線。一段兩端開路的帶狀傳輸線具有譜振電路的特性，如圖1和圖2所示,它的諧振頻率子。與基片材料的介電常數(shù)。相關(guān)，其固有品質(zhì)因數(shù)Q.與基片材料的介質(zhì)損耗角正切tand,相聯(lián)系。因此，應(yīng)用帶狀線諧振器法測(cè)試介質(zhì)基片的復(fù)介電常數(shù)可歸結(jié)為對(duì)帶狀線諧振器諧振頻率和固有品質(zhì)因數(shù)的測(cè)量。圖1所示的帶狀線諧振電路的中間寬的金屬導(dǎo)帶為諧振段，兩邊窄的金屬導(dǎo)帶為500的傳輸線。圖2所示的帶狀線譜振電路是由一對(duì)被測(cè)介質(zhì)基片，在其正中放置一根厚度為不大于0.018mm的良導(dǎo)金屬帶、在兩介質(zhì)基片外側(cè)各置一接地板而組成。4樣品尺寸及要求4.1若被測(cè)樣品為柔性介質(zhì)基片、介電常數(shù)。在2～3的范圍內(nèi)時(shí)，可采用如圖1所示的帶狀線諧振電路進(jìn)行測(cè)試，其測(cè)試頻率在9.5GHz附近，基片總厚度為3.0～3.2mm，諧振段長(zhǎng)度如表1所示，

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