ICS77.040.01H17中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T11068-2006代替GB/T11068—1989砷化家外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法Galliumarsenideepitaxiallayer-Determinationofcarrierconcentrationvoltage-capacitancemethod2006-07-18發(fā)布2006-11-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局愛(ài)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T11068-2006本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T11068—1989《砷化家外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法》的修訂。本標(biāo)準(zhǔn)在原標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上.參考DIN50439《電容-電壓法和汞探針測(cè)定半導(dǎo)體單品材料摻雜劑的濃度部面分布》編制的。本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比主要變動(dòng)如下：-原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,在制作高阻襯底樣品的歐姆電極時(shí)，要在氮?dú)獗Ｗo(hù)及400℃下合金化5min,而經(jīng)驗(yàn)表明,在350℃～450℃的溫度下合金化.都可得到好的歐姆接觸電極·故將此項(xiàng)要求改為在350C～400℃及氮?dú)獗Ｗo(hù)下.合金化5min～10min；取消了原標(biāo)準(zhǔn)對(duì)環(huán)境的要求，因?yàn)樵谕ǔ５膶?shí)驗(yàn)室條件下.所用儀器和測(cè)試方法本身對(duì)環(huán)境溫度和濕度并不十分敏感.特別是成套儀器。但由于載流子濃度與溫度有關(guān).故應(yīng)在測(cè)量報(bào)告中標(biāo)明測(cè)量時(shí)的環(huán)境溫度；簡(jiǎn)化了原標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于電容儀校準(zhǔn)的文字表述本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起代替GB/T11068—1989.本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：北京有色金屬研究總院。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王彤涵。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)解釋。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：-GB/T11068-1989。

GB/T11068-2006砷化家外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了砷化鏢外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法.適用于砷化家外延層基體材料中載流子濃度的測(cè)量。測(cè)量范圍：1×10.cm-a～5×10！cm-a2術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)2擊穿電壓breakdownvoltage當(dāng)反向偏壓增加到某一值時(shí),肖特基結(jié)就失去阻擋作用,反向電流迅速增大時(shí)的電壓值22接觸面積Contactarca汞探針與試樣表面的有效接觸面積。23剪壘電容barriercapacitance半導(dǎo)體內(nèi)垂直于接觸面的空間電荷區(qū)的電容。勢(shì)壘寬度barrierwvidth起勢(shì)全作用的空間電荷區(qū)的線性寬度。2.5載流子濃度縱向分布o(jì)ngitudinaldistributionofcarrierconcentration自半導(dǎo)體表面向體內(nèi)垂直方向上載流子濃度與深度的對(duì)應(yīng)關(guān)系。3原理汞探針與砷化鏢表面接觸形成肖特基勢(shì)壘.當(dāng)反向偏壓增大時(shí),勢(shì)壘區(qū)向砷化家內(nèi)部擴(kuò)展。用高頻小訊號(hào)測(cè)量某一反向偏壓下的勢(shì)全電容C(F)及由反向偏壓增量V(V)引起的勢(shì)壘電容增量C（F).根據(jù)公式(1)和公式(2)可計(jì)算出勢(shì)壘擴(kuò)展深度（X)和其相應(yīng)的載流子濃度N（X）N（X）=ceoeA式中：