2023年電子行業(yè)年度策略報(bào)告堅(jiān)決走自主可控之路_確定性創(chuàng)新趨勢一、“安全”——時(shí)代的主題（一）放棄幻想，堅(jiān)決走自主可控之路當(dāng)前我國發(fā)展進(jìn)入了戰(zhàn)略機(jī)遇和風(fēng)險(xiǎn)挑戰(zhàn)并存、不確定難預(yù)料因素增多的時(shí)期，各種“黑天鵝”“灰犀?！笔录S時(shí)可能發(fā)生。二十大以來，推進(jìn)國家安全體系和能力現(xiàn)代化，維護(hù)國家安全和社會穩(wěn)定成為新時(shí)代的主題。我國電子制造業(yè)大多處于產(chǎn)業(yè)鏈中下游，上游半導(dǎo)體整體國產(chǎn)化率依然偏低，部分核心領(lǐng)域依然存在卡脖子的風(fēng)險(xiǎn)。中游制造業(yè)面臨著成本上升，需求不足，反復(fù)擾動(dòng)的風(fēng)險(xiǎn)。下游加工組裝業(yè)則面臨產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，成本提高，勞動(dòng)力不足的風(fēng)險(xiǎn)，嚴(yán)重影響產(chǎn)業(yè)鏈安全。整個(gè)電子板塊經(jīng)歷一年多下跌，行業(yè)下行周期已經(jīng)接近尾聲，我們認(rèn)為站在當(dāng)前時(shí)點(diǎn)配置電子股的機(jī)會大于風(fēng)險(xiǎn)。我們認(rèn)為過去的2-3年半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷大起大落，波動(dòng)性顯著增強(qiáng)，當(dāng)前申萬電子指數(shù)PE（TTM）為30倍，位于歷史12.7%分位數(shù)，已經(jīng)迎來底部配置區(qū)間，未來上中下游電子產(chǎn)業(yè)鏈均有結(jié)構(gòu)性機(jī)會。上游來自解決卡脖子問題或者進(jìn)一步提升滲透率的細(xì)分領(lǐng)域如半導(dǎo)體設(shè)備零部件、半導(dǎo)體材料、新型封裝、汽車半導(dǎo)體等。中游制造業(yè)機(jī)會在于宏觀經(jīng)濟(jì)周期回暖需求企穩(wěn)回升，疊加競爭格局優(yōu)化以及所帶來的周期回暖的機(jī)會。下游加工組裝行業(yè)則受益于第二成長曲線以及創(chuàng)新產(chǎn)品滲透率的提升帶動(dòng)的新一輪成長。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近年來取得了長足發(fā)展，完整的產(chǎn)業(yè)鏈與產(chǎn)業(yè)生態(tài)初步形成。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起步較晚，但近年來增長很快。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的數(shù)據(jù)，中國集成電路銷售額從2006年的1006億元增長到2021年的10450億元，過去十五年復(fù)合年均增速達(dá)到17%，遠(yuǎn)超同期全球半導(dǎo)體市場整體增速。尤其是2018年華為事件以來，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得到了空前發(fā)展。國家在2020年出臺了《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》，從稅收優(yōu)惠、投融資支持、核心技術(shù)研發(fā)、推動(dòng)進(jìn)出口、加強(qiáng)人才培養(yǎng)等多方面，對集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展給予政策支持。國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從0到1的突破，已基本形成了完整的產(chǎn)業(yè)鏈。目前中國已擁有全球最大的半導(dǎo)體市場，半導(dǎo)體總需求規(guī)模約占全球的1/3，雖然半導(dǎo)體國產(chǎn)化率仍然較低，但發(fā)展?jié)摿薮?。我國半?dǎo)體企業(yè)多而不強(qiáng)，尤其是缺少具備全球競爭力能打破科技封鎖的領(lǐng)軍企業(yè)是行業(yè)面臨的主要問題。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有技術(shù)壁壘高、投資規(guī)模大、投資周期長的特點(diǎn)，從全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來看，總體上屬于市場集中度比較高的行業(yè)。比如存儲芯片（DRAM）全球CR3超過90%，計(jì)算芯片諸如CPU、GPU、FPGA基本被高通、英特爾、英偉達(dá)、賽靈思等少數(shù)企業(yè)壟斷，半導(dǎo)體制造方面僅臺積電就占據(jù)全球晶圓代工超過一半的市場份額，半導(dǎo)體設(shè)備市場像光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、涂膠顯影設(shè)備等全球CR3均超過90%。從國內(nèi)行業(yè)發(fā)展看，在近年來國家政策與資本市場支持下，半導(dǎo)體企業(yè)數(shù)量大幅增長。但是國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)以中小企業(yè)為主，即便是國內(nèi)龍頭企業(yè)與海外領(lǐng)先企業(yè)相比差距依然巨大，部分細(xì)分領(lǐng)域更是還沒有實(shí)現(xiàn)零的突破。雖然短期受地緣政治影響半導(dǎo)體供應(yīng)鏈有一些波動(dòng)，但本質(zhì)上半導(dǎo)體行業(yè)是全球化的行業(yè)，面對海外巨頭的競爭和地緣政治導(dǎo)致的科技封鎖，無論是國內(nèi)市場的，還是更長期的參與全球市場的競爭，乃至大國間科技實(shí)力的比拼，都需要有具備相當(dāng)實(shí)力與規(guī)模的半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)。最近五年，國內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)行業(yè)通用芯片的自主化率水平顯著提升，帶動(dòng)一批芯片設(shè)計(jì)公司快速成長。一方面是以信創(chuàng)市場為核心向泛信創(chuàng)市場擴(kuò)散推動(dòng)的國產(chǎn)化浪潮，另一方面則是供應(yīng)鏈聯(lián)動(dòng)、政府投資力度加大，部分產(chǎn)業(yè)和人才轉(zhuǎn)移帶動(dòng)了國內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)能力大幅提升，大幅提升我國產(chǎn)業(yè)鏈安全。我們認(rèn)為在“安全”這個(gè)時(shí)代的主題之下，能夠解決卡脖子問題或進(jìn)一步提升國產(chǎn)化率的上游材料、設(shè)備、零部件是電子行業(yè)未來的主要機(jī)會。如果按照被斷供的風(fēng)險(xiǎn)、時(shí)間維度以及投資機(jī)會的大小作為參考指標(biāo)，來表示投資的機(jī)會，根據(jù)北京半導(dǎo)體協(xié)會提供的數(shù)據(jù)呈現(xiàn)下圖所示。短期來看存儲芯片、半導(dǎo)體設(shè)備零部件、28nm及以上設(shè)備材料、化合物半導(dǎo)體等具備較大的投資機(jī)會；中期來看14nm及以下關(guān)鍵設(shè)備和材料、戰(zhàn)略性通用芯片、光刻機(jī)零部件及材料等具有較大投資機(jī)會。；長期來看，新工藝、新材料、新封裝等領(lǐng)域具備很大的投資機(jī)會，成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打破科技制裁的關(guān)鍵。（二）全球半導(dǎo)體處于下行周期尾聲，汽車半導(dǎo)體增速亮眼世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）發(fā)布數(shù)據(jù)，繼2021年26.2%的強(qiáng)勁增長之后，2022年全球半導(dǎo)體市場增速將放緩至4.4%，2023年半導(dǎo)體市場規(guī)模將同比減少4.1％至5565億美元。時(shí)隔4年出現(xiàn)負(fù)增長預(yù)期。根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體行業(yè)下行周期將在2023年第二季度觸底，并可能在下半年開始全面復(fù)蘇。以汽車為主導(dǎo)的半導(dǎo)體的復(fù)蘇將推動(dòng)該行業(yè)進(jìn)入下一個(gè)上升周期。2023年，Omdia預(yù)計(jì)同比增長率將相對持平。從全球前十大半導(dǎo)體公司22年三季度營收情況可以看到，大部分公司三季度營收環(huán)比二季度下滑，而本輪半導(dǎo)體周期下行的核心因素主要是，地緣政治、通脹、宅經(jīng)濟(jì)需求衰退、中國反復(fù)等因素導(dǎo)致的需求低迷。存儲芯片廠商大幅削減資本開支，晶圓廠雖然部分消費(fèi)終端市場需求疲軟，但22/28nm制程營收保持增長，產(chǎn)能利用率也較高。從模擬芯片龍頭TI的披露來看，部分工業(yè)制造商客戶也放慢了訂單的速度，汽車領(lǐng)域是目前少有的需求強(qiáng)勁的市場。根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)，到2030年汽車半導(dǎo)體市場將達(dá)到1166億美元，而2020年汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模為387億美元。ADAS應(yīng)用對于半導(dǎo)體的拉動(dòng)最為顯著，到2030年相關(guān)收入預(yù)計(jì)將比2020年增長310億美元。汽車電動(dòng)化的部分是半導(dǎo)體的第二大增長動(dòng)力，到2030年相關(guān)收入預(yù)計(jì)將比2020年增長261億美元。而從國內(nèi)半導(dǎo)體上市公司情況來看，22年前三季度，SW半導(dǎo)體板塊營收2977億元，同比+10.7%，歸母凈利潤366億元，同比-1.2%。單三季度營收同比+1.87%，歸母凈利潤同比31.67%，單三季度整體毛利率29%，環(huán)比減少3pct，凈利潤率10%，環(huán)比減少7pct。從細(xì)分板塊來看，半導(dǎo)體設(shè)備、分立器件、半導(dǎo)體材料、集成電路制造、電子化學(xué)品、消費(fèi)電子零部件組裝等業(yè)績逆勢增長，其他板塊均呈現(xiàn)不同程度的下降。從基本面來看，整個(gè)電子行業(yè)去庫存已經(jīng)迎來尾聲，下游部分終端部件價(jià)格企穩(wěn)回升，基本面觸底信號初現(xiàn)。（三）半導(dǎo)體材料——受益晶圓產(chǎn)能擴(kuò)張+半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體可被分為上、中、下游三個(gè)板塊，其中上游為半導(dǎo)體的支撐產(chǎn)業(yè)，由半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體設(shè)備構(gòu)成；中游為半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈包含IC的設(shè)計(jì)、制造和封測三個(gè)環(huán)節(jié)，其生產(chǎn)的產(chǎn)品主要包括集成電路、分立器件、光電子器件和傳感器；下游則為半導(dǎo)體的具體應(yīng)用領(lǐng)域，涉及消費(fèi)電子、移動(dòng)通信、新能源、人工智能和航空航天等領(lǐng)域。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，半導(dǎo)體材料位于上游發(fā)揮著其特有的產(chǎn)業(yè)支撐作用，是整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的底層基礎(chǔ)。全球晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)趨勢明顯，半導(dǎo)體材料需求迎來爆發(fā)。2017-2020年全球新增半導(dǎo)體產(chǎn)線共62條，其中中國大陸新增26條，占比達(dá)40%。全球半導(dǎo)體制造商將于2021年底前開始建設(shè)19座新的高產(chǎn)能晶圓廠，并在2022年再開工建設(shè)10座，按照晶圓廠1-2年擴(kuò)產(chǎn)周期，2022-2023年新增產(chǎn)能將迎來集中釋放，拉動(dòng)半導(dǎo)體材料需求增長，屬于后周期的半導(dǎo)體材料市場將迎來爆發(fā)。制程的進(jìn)步推動(dòng)半導(dǎo)體材料價(jià)值量增加，需求相應(yīng)進(jìn)一步提升。摩爾定律是指集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會增加一倍，性能也將提升一倍。在摩爾定律下，芯片工藝制程的技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷向前邁進(jìn)，半導(dǎo)體制造材料的成本也不斷上升，從而推動(dòng)半導(dǎo)體材料的需求提升。根據(jù)IBS數(shù)據(jù)顯示，每當(dāng)向前推進(jìn)一個(gè)節(jié)點(diǎn)時(shí)，流片成本將提升50%，其中很大部分是由于半導(dǎo)體制造材料價(jià)值提升所致。以光掩模為例，在16/14nm制程中，所用掩模成本在500萬美元左右，到7nm制程時(shí)，掩膜成本迅速升至1500萬美元。全球晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)趨勢明顯，大陸新增產(chǎn)能尤為可觀，拉動(dòng)半導(dǎo)體材料需求。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，2017-2020年全球新增半導(dǎo)體產(chǎn)線共計(jì)62條，其中中國大陸有26條產(chǎn)線，占比超40%。此外，全球半導(dǎo)體制造商將于2021年底前開始建設(shè)19座新的高產(chǎn)能晶圓廠，并在2022年再開工建設(shè)10座，以滿足市場對芯片的加速需求。其中，中國和中國臺灣地區(qū)將各建有8座，處于全球新建晶圓廠數(shù)量領(lǐng)先地位，其次是美洲緊隨其后，共建有6座。在8英寸晶圓方面，SEMI預(yù)計(jì)2021年全球8英寸晶圓廠設(shè)備支出將進(jìn)一步擴(kuò)大，逼近40億美元，而中國大陸將以200mm的產(chǎn)能居全球領(lǐng)先地位，其市場份額將達(dá)到18％，其次是日本和中國臺灣地區(qū)，分別達(dá)到16％。全球晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)背景下，中國大陸作為晶圓制造產(chǎn)能的新興領(lǐng)域，將進(jìn)一步拉動(dòng)上游半導(dǎo)體材料需求。2022-2023年新增產(chǎn)能將迎來集中釋放，屬于后周期的半導(dǎo)體材料將迎來爆發(fā)。在半導(dǎo)體整個(gè)生產(chǎn)周期中，半導(dǎo)體材料雖處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，但從晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)角度看，半導(dǎo)體材料采購是在晶圓廠建設(shè)完工并下達(dá)訂單后開始進(jìn)行，因此半導(dǎo)體材料屬于半導(dǎo)體周期偏后的環(huán)節(jié)。本輪半導(dǎo)體缺貨爆發(fā)于2020年下半年，考慮到導(dǎo)致的建設(shè)施工延誤，實(shí)際晶圓廠大幅擴(kuò)產(chǎn)主要從2020年底開始，晶圓廠的建設(shè)周期大約需耗時(shí)1-2年，我們認(rèn)為2022-2023年新增產(chǎn)能將迎來集中釋放，相應(yīng)有望拉動(dòng)半導(dǎo)體材料需求爆發(fā)增長。全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模整體呈增長趨勢，中國大陸成為全球第二大半導(dǎo)體材料市場。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2015年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模433億美元，2020年達(dá)到553億美元，年復(fù)合增速達(dá)5.01%，其中晶圓制造材料復(fù)合增速達(dá)7.78%。2021年全球半導(dǎo)體材料市場預(yù)計(jì)可達(dá)到565億美元，同比增長4.82%，繼續(xù)保持增長趨勢。分地域看，2020年中國臺灣地區(qū)半導(dǎo)體材料市場規(guī)模為123.8億美元，繼續(xù)位居全球第一，中國大陸市場規(guī)模超過韓國達(dá)97.63億美元，躍居全球第二，其次是韓國市場，規(guī)模為92.31億美元，前三占比合計(jì)超總市場規(guī)模的一半。晶圓制造材料占比逐步提高，硅片是最大的半導(dǎo)體材料單一市場。從半導(dǎo)體材料結(jié)構(gòu)分布來看，2020年晶圓制造材料規(guī)模達(dá)349億美元，占總材料比重從2015年的55%增長到2020年的63%。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年硅片市場規(guī)模達(dá)122億美元，占據(jù)晶圓制造材料總規(guī)模的35%，遠(yuǎn)超其他制造材料穩(wěn)居第一，是最大的半導(dǎo)體材料單一市場，電子特氣和光掩模市場規(guī)模位列第二、三位，分別為45和42億美元，而其他制造材料占比均不足10%。半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化率較低，空間廣闊。半導(dǎo)體芯片制造工藝的發(fā)展整體遵循摩爾定律，意味著技術(shù)節(jié)點(diǎn)將不斷向更小的線寬靠攏，而半導(dǎo)體材料能否配合先進(jìn)制程進(jìn)行相應(yīng)的技術(shù)迭代，決定了摩爾定律能否繼續(xù)推進(jìn)。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，國內(nèi)不同半導(dǎo)體制造材料技術(shù)進(jìn)度不一，其中硅材料和光刻膠技術(shù)節(jié)點(diǎn)分別只達(dá)到0.25um和0.13um，光掩膜、拋光材料和靶材則已達(dá)到28nm的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，并有望向14nm進(jìn)一步發(fā)展，而工藝化學(xué)品還未實(shí)現(xiàn)0.25um的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。就整體來看，國內(nèi)與國外在半導(dǎo)體制造材料方面技術(shù)差距較大，存在廣闊的空間。國內(nèi)廠商加速布局，諸多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從0到1突破，半導(dǎo)體材料有望迎來國產(chǎn)化突破。由于高端產(chǎn)品的技術(shù)壁壘，我國半導(dǎo)體材料多集中于中低端領(lǐng)域。而自中美貿(mào)易摩擦以來，半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化的訴求愈發(fā)強(qiáng)烈。迎合國內(nèi)對高端半導(dǎo)體材料日益增長的需求，國內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)加速布局產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)張。雅克科技、滬硅產(chǎn)業(yè)、南大光電等均募資投入研發(fā)制造。（1）雅克科技非公開發(fā)行不超過12億元加速半導(dǎo)體關(guān)鍵材料光刻膠及光刻膠配套試劑的研發(fā)，投資2.88億元擴(kuò)大集成電路新型材料球形硅微粉的產(chǎn)能。（2）滬硅產(chǎn)業(yè)定向募集50億元用于300mm高端硅片研發(fā)、300mm高端硅基材料研發(fā)，加快高端半導(dǎo)體材料研發(fā)進(jìn)度。（3）南大光電研發(fā)ArF光刻膠產(chǎn)品并于2021年底建成投產(chǎn)，可實(shí)現(xiàn)年化25噸產(chǎn)能，保證集成電路制造材料的有效供應(yīng)。（四）半導(dǎo)體設(shè)備及零部件——加速導(dǎo)入，方興未艾根據(jù)艾瑞咨詢的數(shù)據(jù)，以產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的市場規(guī)模、近三年CAGR、國產(chǎn)自主比例為基礎(chǔ)維度，繪制出中國半導(dǎo)體IC產(chǎn)業(yè)運(yùn)營全景，從市場規(guī)模來說，由于IC設(shè)計(jì)企業(yè)數(shù)量迅速增長，國內(nèi)IC設(shè)計(jì)市場規(guī)模在2021年達(dá)到4519億元。從增長率來看，設(shè)備市場一枝獨(dú)秀，近三年CAGR超過30%。根據(jù)艾瑞咨詢的數(shù)據(jù)，繼2020年之后，中國在2021年第二次成為半導(dǎo)體設(shè)備的最大市場，銷售額增長58%，達(dá)到296億美元，占據(jù)全球規(guī)模比例高達(dá)28.9%。半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)整體市場集中度較高，話語權(quán)主要掌握在美國、日本和歐洲企業(yè)手中，2021全球前六大企業(yè)占據(jù)近7成市場份額。如今，中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售規(guī)模不斷增長，但國內(nèi)自主研發(fā)制造半導(dǎo)體設(shè)備仍處于行業(yè)初期，部分核心設(shè)備國產(chǎn)率依然偏低，大有可為。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，自從2008年啟動(dòng)國家科技重大專向以來，中國半導(dǎo)體設(shè)備快速發(fā)展，2008年-2021年的年均符合增速為26.5%。半導(dǎo)體設(shè)備包含8大關(guān)鍵子系統(tǒng)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)調(diào)查公司VLSI的統(tǒng)計(jì)顯示，半導(dǎo)體設(shè)備包括8類核心子系統(tǒng)：氣液流量控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、制程診斷系統(tǒng)、光學(xué)系統(tǒng)、電源及氣體反應(yīng)系統(tǒng)、熱管理系統(tǒng)、晶圓傳送系統(tǒng)、其他集成系統(tǒng)及關(guān)鍵組件，每個(gè)子系統(tǒng)都包含了較大數(shù)量的零部件。全球半導(dǎo)體零部件市場規(guī)模預(yù)計(jì)在2022年達(dá)300億美元。根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備有關(guān)公司的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)，半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)營業(yè)成本的80%-90%用于采購半導(dǎo)體設(shè)備零部件及原材料。此外，半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的毛利率基本處于40%-60%之間，營業(yè)成本大約占營業(yè)收入的一半左右。由此推斷，半導(dǎo)體設(shè)備零部件及其他原材料的市場規(guī)模大約占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模的25%-35%，且半導(dǎo)體設(shè)備零部件占主要部分。根據(jù)SEMI預(yù)計(jì)，2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)到1013億美元，因此，全球半導(dǎo)體零部件的市場規(guī)模約在300億美元。美國、日本公司在半導(dǎo)體設(shè)備零部件方面處于壟斷地位。在ICWorld2020公開了20類半導(dǎo)體核心零部件產(chǎn)品的44家主要供應(yīng)商，其中，美國供應(yīng)商有20家，約占45%，日本供應(yīng)商16家，約占36%，兩國處于明顯優(yōu)勢地位。此外，還有2家德國供應(yīng)商、2家瑞士供應(yīng)商、2家韓國供應(yīng)商、1家英國供應(yīng)商，全部為境外供應(yīng)商。半導(dǎo)體晶圓制造進(jìn)口依賴度高。在半導(dǎo)體晶圓制造流程中，閥類、密封圈、靜電吸盤、陶瓷類真空壓力計(jì)等零部件進(jìn)口份額較大。其中，閥類費(fèi)用約占耗材成本支出的10.6%，有較大的市場需求，但國內(nèi)在該領(lǐng)域仍處于空白。芯謀研究數(shù)據(jù)顯示，我國半導(dǎo)體零部件國產(chǎn)化水平較低，僅Quartz成品、Showerhead、Edgering等少數(shù)幾類半導(dǎo)體零部件國產(chǎn)化率超過10%，Valve、Gauge、O-ring等基本依賴進(jìn)口。半導(dǎo)體零部件進(jìn)行時(shí)。目前國內(nèi)有多家企業(yè)致力于半導(dǎo)體零部件國產(chǎn)化，包括英杰電氣、萬業(yè)企業(yè)、新萊應(yīng)材、靖江先鋒、晶盛機(jī)電、江豐電子等。以江豐電子為例，其半導(dǎo)體零部件主要布局PVD機(jī)臺用ClampRing、Collimator、CVD、etching機(jī)臺用faceplate、showerhead等，化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺用金剛石研磨片、RetainingRing等。二、“創(chuàng)新”——不滅的火炬（一）SiC——確定性創(chuàng)新趨勢，功率器件新機(jī)遇功率半導(dǎo)體核心作用：控制電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制。功率半導(dǎo)體發(fā)展始于20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)，之后晶閘管、平面型功率MOSFET、溝槽型MOSFET和IGBT面世，隨著20世紀(jì)90年代超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)，打破傳統(tǒng)“硅限”以滿足大功率和高頻化的應(yīng)用需求，功率半導(dǎo)體性能進(jìn)一步提升。從用途來看，功率半導(dǎo)體主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換，隨著國民經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費(fèi)電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場。第三代半導(dǎo)體材料是繼以硅（Si）和砷化鎵（GaAs）為代表的第一代和第二代半導(dǎo)體材料之后，迅速發(fā)展起來的寬禁帶半導(dǎo)體材料。具體是指帶隙寬度達(dá)到2.0-6.0eV的寬禁帶半導(dǎo)體材料，包括了碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）,從現(xiàn)階段發(fā)展來看，GaN材料更適合1000V以下電壓等級，高開關(guān)頻率的器件，相比之下，SiC材料及器件能用在10kV以下應(yīng)用場景，更適合制作高壓大功率電力電子裝置，且目前SiC功率器件商業(yè)化落地速度極快。從SiC材料適用范圍來看，碳化硅器件可廣泛應(yīng)用于高壓、高頻和大電流場景，因此十分適合光伏、新能源車和5G通信領(lǐng)域。從電化學(xué)性質(zhì)差異來看，SiC襯底材料可以分為導(dǎo)電型襯底（電阻率區(qū)間15~30mΩ·cm）和半絕緣型襯底（電阻率高于105Ω·cm），在不同襯底片上生長GaN外延制成HEMT等微波射頻器件，應(yīng)用于5G通信、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域。在導(dǎo)電型襯底片上生長SiC外延層，通過進(jìn)一步加工制成SiCSBD，SiCMOSFET等功率器件，應(yīng)用于新能源車電驅(qū)電控、OBD和DC/DC，光伏逆變電站、軌交、電網(wǎng)和航空領(lǐng)域。相比硅基材料，SiC材料特性優(yōu)勢。更高的額定電壓，無論是單極性還是雙極型器件，SiC基器件的額定電壓遠(yuǎn)高于Si基同類型器件；更低的導(dǎo)通電阻，在1kV電壓等級下，SiC基單極性器件的導(dǎo)通電阻是Si基器件的1/60；更高開關(guān)頻率，設(shè)定最大結(jié)溫在175℃、10kV條件下，SiC基器件仍能達(dá)到33kHZ的最大開關(guān)頻率；更低熱阻，SiC基熱導(dǎo)率是Si的3倍，期間內(nèi)部更易散熱，減小器件過溫失效風(fēng)險(xiǎn)，提高可靠性；理論上,SiC基器件極限工作結(jié)溫能達(dá)到600℃，遠(yuǎn)高于Si基器件，但是受限于封裝材料；具備極強(qiáng)抗輻射性，過量輻射不會導(dǎo)致SiC器件出現(xiàn)性能衰退，在航空領(lǐng)域應(yīng)用較廣。全球多廠商布局，SiC產(chǎn)業(yè)鏈日趨完善，競爭格局日漸清晰。從產(chǎn)業(yè)鏈層面初步劃分，整個(gè)SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要分為設(shè)備、襯底、外延、設(shè)計(jì)、器件和封裝模塊，從商業(yè)模式上看，海外市場多數(shù)廠商采用縱向產(chǎn)業(yè)鏈的IDM模式，覆蓋完整產(chǎn)業(yè)鏈為多個(gè)環(huán)節(jié)，例如具備先發(fā)優(yōu)勢的Wolfspeed和Rohm；國內(nèi)這邊多數(shù)廠家僅從事產(chǎn)業(yè)鏈部分環(huán)節(jié)，例如天岳先進(jìn)專注襯底材料的演進(jìn)，東莞天域和瀚天天成對外延部分研究比較深入，國內(nèi)多家功率器件企業(yè)已入局SiC賽道。產(chǎn)業(yè)鏈以襯底為價(jià)值鏈核心，呈現(xiàn)供不應(yīng)求局面。在成品SICSBD器件占比中，襯底、外延和前段開發(fā)價(jià)值量占比47%、23%和19%，主要原因系長晶緩慢且良率偏低，同時(shí)鑒于材質(zhì)等物理特性原因，切割破損率高進(jìn)一步推高器件整體成本。目前導(dǎo)電型SiC襯底以n型襯底為主，外延GaN基LED等光電子器件、SiC基電力電子器件等，半絕緣SiC襯底主要用于外延制造GaN高功率射頻器件。我們認(rèn)為未來SiC襯底價(jià)格下降是推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的核心環(huán)節(jié)，襯底行業(yè)的發(fā)展也是未來SiC產(chǎn)業(yè)降本增效和商業(yè)化落地的核心驅(qū)動(dòng)因素。在實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)化條線下，產(chǎn)線向大尺寸轉(zhuǎn)移。全球SiC市場6英寸量產(chǎn)線正走向成熟，領(lǐng)先公司已進(jìn)軍8英寸市場。目前包括羅姆、Ⅱ-Ⅵ、Wolfspeed已具備成熟6英寸SiC襯底產(chǎn)線，正在向8英寸市場進(jìn)行開拓，例如，Wolfspeed的第一條8英寸SiC產(chǎn)線已在2022年Q2開始生產(chǎn)，標(biāo)志著全球第一條8英寸SiC產(chǎn)線的投產(chǎn)。國內(nèi)正在開發(fā)的項(xiàng)目以6英寸為主。目前雖然國內(nèi)大部分公司還是以4寸產(chǎn)線為主，但是產(chǎn)業(yè)逐步向6英寸擴(kuò)展，隨著6英寸配套設(shè)備技術(shù)成熟后，大尺，國產(chǎn)SiC襯底技術(shù)也在逐步提升寸產(chǎn)線的規(guī)模經(jīng)濟(jì)將會體現(xiàn)，目前國內(nèi)6英寸的量產(chǎn)時(shí)間差距縮小至7年。預(yù)計(jì)27年市場空間將超過60億美元。根據(jù)Yole測算，僅碳化硅器件中的功率器件的市場規(guī)模將從2021年的10.90億美金增長至2027年的62.97億美金，復(fù)合年增長率約34%。從細(xì)分行業(yè)來看，新能源產(chǎn)業(yè)鏈和充電基礎(chǔ)設(shè)施將為增長最快領(lǐng)域。IGBT是新能源汽車中核心功率半導(dǎo)體部件。目前車用功率半導(dǎo)體中主要用到的是IGBT和MOSFET。MOSFET又稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，具有開關(guān)速度高、開關(guān)損耗小優(yōu)點(diǎn)，但傳導(dǎo)損耗很高。IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）是由BJT（雙極型三極管）和MOSFET（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合式半導(dǎo)體，兼具M(jìn)OSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，擁有輸入阻抗高、導(dǎo)通電壓低、高壓環(huán)境下?lián)p耗小等特點(diǎn)，在新能源車中是電驅(qū)系統(tǒng)主逆變器的核心器件，并被廣泛用于輔助功率逆變器、DC/DC直流斬波電路、OBC等。IGBT在新能源汽車功率半導(dǎo)體中占比約8成，是汽車電動(dòng)化最受益的細(xì)分領(lǐng)域。據(jù)Yole及EVSalesBlog統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2019年全球插電式混合動(dòng)力汽車及純電池電動(dòng)車共銷售約220萬輛，而全球新能源汽車IGBT市場規(guī)模約為6億美元，由此可推算目前新能源汽車中IGBT單車平均價(jià)值量約為270美元，占單車功率半導(dǎo)體價(jià)值量超過80%。作為電動(dòng)化下核心受益品種，我們預(yù)計(jì)全球新能源汽車IGBT將在未來幾年實(shí)現(xiàn)快速增長，2025年市場規(guī)模達(dá)到約50億美元。SiC基功率器件適用于高壓領(lǐng)域，具有更好的性能，可部分替代IGBT。第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為四大代表。其中，碳化硅的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的兩倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用碳化硅材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。使用碳化硅材料替代原本硅基材料，可實(shí)現(xiàn)器件體積更小同時(shí)能量密度更大。根據(jù)英飛凌數(shù)據(jù)，相比于Si基材料逆變器，SiC材料逆變器擁有更低的體積及重量，分別是其1/3、1/4；同時(shí)，Rohm數(shù)據(jù)顯示，SiCMOSFET在實(shí)際應(yīng)用中，開關(guān)頻率可達(dá)50KHz以上，是主流IGBT開關(guān)頻率（最高20KHz）的兩倍以上，能量損耗則是其27%。SiC基MOSFET憑借其優(yōu)良的性能和體積優(yōu)勢有望替代部分IGBT。SiCMOSFET成功打入高端車型，實(shí)現(xiàn)從0到1的突破，有望繼續(xù)發(fā)展。第三代半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)Cree、英飛凌以及特斯拉、福特、豐田等汽車巨頭都在推動(dòng)SiC器件在汽車上的應(yīng)用，并且部分高端車型已經(jīng)實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。特斯拉推出第一款集成全SiC功率模塊車型——Model3，由特斯拉及意法半導(dǎo)體共同設(shè)計(jì)，此車型SiC功率模塊由英飛凌供應(yīng)。豐田汽車在普銳斯和凱美瑞混動(dòng)車的PCU中安裝了共同開發(fā)的SiC功率半導(dǎo)體，并進(jìn)行重復(fù)駕駛測試和公路測試。比亞迪推出首款批量搭載SiCMOSFET組件的車型——比亞迪漢EV四驅(qū)版，SiC電控綜合效率高達(dá)97%以上。SiC應(yīng)用實(shí)現(xiàn)大規(guī)模替代還需一定時(shí)間，成本、良率問題有待改善。一方面，目前SiC技術(shù)主要使用4、6英寸襯底，所生產(chǎn)的芯片生產(chǎn)效率、晶圓利用率相比大尺寸襯底更低；另一方面，SiC應(yīng)用對制造、封裝技術(shù)提出了新的要求，良率有待提升，兩方面因素共同造成SiC應(yīng)用成本居高不下。同時(shí)，車規(guī)級電控器件需要在極端溫度、強(qiáng)烈震動(dòng)等惡劣環(huán)境下保證可靠工作，直接關(guān)系到人的生命安全。因此，在真正實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用前，SiCMOSFET還需要經(jīng)過長時(shí)間的客戶認(rèn)證，以確保極高的安全性與可靠性，時(shí)間一般長達(dá)2年以上。供需缺口較大，功率半導(dǎo)體空間廣闊。中國功率半導(dǎo)體市場存在明顯的供需錯(cuò)配情況。從需求端來看，據(jù)IDC統(tǒng)計(jì)，中國擁有全世界最大的功率器件市場，全球占比高達(dá)39%；從供給端來看，歐美日廠商占據(jù)全球70%的市場份額，且在IGBT和中高壓MOSFET細(xì)分領(lǐng)域占比超80%，而大陸廠商僅占約10%的市場份額，產(chǎn)品以二極管、低壓MOSFET、晶閘管等低端功率半導(dǎo)體為主。在新能源汽車IGBT模塊方面，整個(gè)市場呈現(xiàn)頭部集中態(tài)勢，CR4為83%，國內(nèi)廠商僅比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)及中車時(shí)代電氣三家企業(yè)入圍前十大廠商，合計(jì)占比約20%，國產(chǎn)化率有待進(jìn)一步提升。全球功率半導(dǎo)體供不應(yīng)求，加快國內(nèi)產(chǎn)品導(dǎo)入進(jìn)程。全球半導(dǎo)體市場需求強(qiáng)勁，新能源汽車、手機(jī)快充、光伏風(fēng)電等下游領(lǐng)域快速增長，帶動(dòng)以MOSFET和IGBT為代表的功率半導(dǎo)體需求持續(xù)提升。上游原材料持續(xù)不斷上漲，產(chǎn)能持續(xù)緊缺，供貨周期加長，出現(xiàn)了嚴(yán)重的供需失調(diào)現(xiàn)象。英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美等主流廠商均出現(xiàn)了功率半導(dǎo)體產(chǎn)品漲價(jià)和交貨周期延長的現(xiàn)象，2022Q1功率半導(dǎo)體、電源管理IC需求仍處于高位，部分功率半導(dǎo)體交貨周期超過1年，英飛凌、意法半導(dǎo)體、恩智浦等海外功率半導(dǎo)體大廠均表達(dá)了對今年功率半導(dǎo)體高景氣的預(yù)期，2022年全年產(chǎn)能已經(jīng)全部排滿。中美貿(mào)易摩擦使得國內(nèi)企業(yè)建立自主可控供應(yīng)鏈意愿更加強(qiáng)烈，近期功率半導(dǎo)體缺貨的情況也會迫使車企加速國內(nèi)產(chǎn)品導(dǎo)入，我們認(rèn)為國內(nèi)功率半導(dǎo)體有望迎來加速。第三代半導(dǎo)體國內(nèi)外差距相對縮小，為提供機(jī)遇。第三代半導(dǎo)體目前處于發(fā)展初期，國內(nèi)企業(yè)和國際巨頭差距相對較小。中國擁有廣闊的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用市場，可以根據(jù)市場研發(fā)產(chǎn)品，改變以往集中于的道路。同時(shí)第三代半導(dǎo)體的難點(diǎn)在于工藝，而工藝的開發(fā)具有偶然性，相比邏輯芯片難度降低。由于生產(chǎn)過程對設(shè)備要求較低，投資額較小，準(zhǔn)入門檻低，對后來追趕者相對較為有利。國內(nèi)企業(yè)加速布局，SiC產(chǎn)業(yè)鏈初具雛形。碳化硅的產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底、外延和器件環(huán)節(jié)。襯底常用Lely法制造，國際主流采用6英寸晶圓，正向8英寸晶圓過渡；國內(nèi)襯底以4英寸為主，主要用于10A以下小電流產(chǎn)品。外延常用PECVD法制造，國內(nèi)部分公司可提供4/6英寸外延片。器件領(lǐng)域國際上600-1700V碳化硅SBD、MOSFET都已量產(chǎn)，Cree已開始布局8英寸產(chǎn)線，國內(nèi)企業(yè)碳化硅MOSFET還有待突破，產(chǎn)線在向6英寸過渡。碳化硅器件領(lǐng)域代表性的企業(yè)中，目前來看在國際上技術(shù)比較領(lǐng)先的是美國的CREE，其覆蓋了整個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的上下游（襯底-外延-器件），具有核心的技術(shù)。在SiC生產(chǎn)應(yīng)用方面，國內(nèi)實(shí)力也在不斷強(qiáng)化，華潤微于2020年7月實(shí)現(xiàn)國內(nèi)首條商用6寸SiC生產(chǎn)線量產(chǎn)，規(guī)劃產(chǎn)能達(dá)1000片/月；新潔能亦在第三代半導(dǎo)體投入巨大，目前已掌握多項(xiàng)相關(guān)專利，并將重點(diǎn)布局新能源汽車應(yīng)用領(lǐng)域，計(jì)劃推出SiC二極管系列產(chǎn)品。（二）模擬芯片——國產(chǎn)化率進(jìn)一步提升，汽車芯片增速亮眼模擬芯片是一種處理連續(xù)性模擬信號的集成電路芯片，約占半導(dǎo)體市場規(guī)模的12%。根據(jù)功能，集成電路可以分為模擬集成電路和數(shù)字集成電路兩大類，模擬集成電路主要是指由電阻、電容、晶體管等組成的模擬電路集成在一起用來處理連續(xù)函數(shù)形式模擬信號的集成電路，對連續(xù)性的聲、光、電、電磁波、速度和溫度等自然模擬信號進(jìn)行處理，而數(shù)字集成電路是對離散的數(shù)字信號進(jìn)行算術(shù)和邏輯運(yùn)算。根據(jù)SIA數(shù)據(jù)，2020年全球半導(dǎo)體產(chǎn)品細(xì)分市場中，模擬集成電路約占到12.76%，市場規(guī)模接近741億美元，是半導(dǎo)體集成電路的重要細(xì)分賽道。信號鏈管理芯片和電源管理芯片為模擬芯片兩大應(yīng)用市場。信號鏈管理芯片是指對模擬信號進(jìn)行收發(fā)、轉(zhuǎn)換、放大、過濾等處理功能的集成電路，電源管理芯片是指對電池輸出的固定電壓進(jìn)行升降壓、穩(wěn)壓處理，使其達(dá)到期望的工作電壓，滿足各個(gè)模塊的供電需要的集成電路。模擬芯片在電路中主要承擔(dān)傳輸和能源供給的任務(wù)，被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、通訊設(shè)備、工業(yè)控制、醫(yī)療儀器、汽車電子等領(lǐng)域，以及物聯(lián)網(wǎng)、新能源、智能穿戴、人工智能、智能家居、智能制造、5G通訊等各類新興電子產(chǎn)品領(lǐng)域。模擬芯片行業(yè)增長迅速，市場集中度偏低主要系下游應(yīng)用分散。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，2021年全球模擬芯片市場規(guī)模741.05億美元，2020-2022年間CAGR為23.2%，2021年行業(yè)實(shí)現(xiàn)了大幅增長，同比增速超過30%，預(yù)期2022年市場規(guī)模將達(dá)到845億美元，維持高速增長態(tài)勢。從下游需求來看，預(yù)計(jì)2022年車載模擬芯片市場規(guī)模將達(dá)到137.75億美元，占總體模擬芯片規(guī)模的16.6%，同比增速達(dá)到17%，受益于新能源汽車的快速發(fā)展，車規(guī)級模擬芯片將成為模擬芯片所有下游應(yīng)用領(lǐng)域中增速最快的方向。模擬芯片市場集中度偏低，從市場份額來看，TI、ADI、Skyworks、英飛凌、意法半導(dǎo)體為市場份額占比靠前企業(yè)，市場份額保持穩(wěn)定增長。模擬芯片是高成長、弱周期行業(yè)。對比全球半導(dǎo)體芯片的市場增速，模擬芯片行業(yè)的增速波動(dòng)率普遍低于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)，主要系使用壽命較長且應(yīng)用場景豐富，使得整個(gè)全球模擬芯片行業(yè)的供需的波動(dòng)處于較為穩(wěn)定狀態(tài)，因此模擬芯片的周期性通常弱于數(shù)字芯片及整個(gè)半導(dǎo)體寒夜。以ADI為例，其約50%左右收入是來自于10年及以上產(chǎn)品貢獻(xiàn)的。國內(nèi)是模擬芯片消費(fèi)最主要市場，國產(chǎn)模擬芯片自給率不足15%。中國模擬芯片行業(yè)市場規(guī)?？焖僭鲩L，2021年達(dá)到了2731.4億元的市場空間，占全球模擬芯片市場規(guī)模50%以上，同比增長8.2%，隨著技術(shù)和國內(nèi)產(chǎn)業(yè)不斷升級，模擬芯片行業(yè)供需仍有望持續(xù)，預(yù)計(jì)2022年模擬芯片市場規(guī)模將達(dá)2956.1億元，增速高于全球模擬芯片市場整體增速。據(jù)IBS估計(jì)，到2027年中國將消費(fèi)全球62.85%的半導(dǎo)體元器件。國內(nèi)模擬芯片自給率極低，正加速進(jìn)行。據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會數(shù)據(jù)，國內(nèi)模擬芯片自給率僅為12%。，2018年前，國內(nèi)模擬芯片廠家在海外巨頭的籠罩下發(fā)展十分緩慢，2018年的中美貿(mào)易摩擦加速了的進(jìn)程，在政府的資金、政策的大力支持下，本土廠商開始快速發(fā)展，2020年爆發(fā)以及隨之而來的全球缺芯，進(jìn)一步加速了國產(chǎn)芯片的替代。同時(shí)受2021年模擬芯片市場漲價(jià)嚴(yán)重和供應(yīng)鏈安全等因素，國產(chǎn)終端企業(yè)紛紛選擇國內(nèi)模擬芯片進(jìn)入供應(yīng)鏈，模擬芯片正在以勢不可擋的態(tài)勢加速進(jìn)行。隨著新能源汽車的加速滲透，以及美國制裁的影響，國產(chǎn)模擬芯片正迎來快速發(fā)展的新機(jī)遇，國內(nèi)模擬芯片廠商紛紛從消費(fèi)電子級產(chǎn)品向汽車和工業(yè)領(lǐng)域拓展，同時(shí)國內(nèi)新能源車銷量持續(xù)增長帶動(dòng)汽車座艙、動(dòng)力、車身域等芯片需求放量。根據(jù)ICinsights數(shù)據(jù)，2021年全球汽車芯片的出貨量達(dá)到524億顆。與2020年相比，2021年全球汽車行業(yè)的芯片出貨量增長了30%，遠(yuǎn)高于2020年全球芯片出貨總量22%的增幅。近年來全球模擬芯片應(yīng)用市場中，預(yù)計(jì)汽車電子市場應(yīng)用占比逐年提升，占比從2018年的23%增長至2022年的24.7%。2021年國內(nèi)汽車模擬芯片市場規(guī)模約為458.3億元，汽車模擬芯片占比模擬芯片市場份額達(dá)到16.7%。從國內(nèi)模擬IC廠商的發(fā)展來看，隨著的推進(jìn)，國內(nèi)一批廠商的快速崛起，過去國產(chǎn)模擬IC以中低端產(chǎn)品為主的情況正在逐步改變。國內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品豐富程度、服務(wù)、供應(yīng)鏈安全上都具備非常顯著的優(yōu)勢。（三）激光雷達(dá)——行業(yè)發(fā)展駛?cè)肟燔嚨兰す饫走_(dá)是一種用于獲取精確位置信息的傳感器，通過向目標(biāo)探測物發(fā)送探測信號（激光束），再將目標(biāo)發(fā)射回來的信號（目標(biāo)回波）與發(fā)射信號進(jìn)行比較，經(jīng)過計(jì)算便可獲取目標(biāo)的相關(guān)信息，例如目標(biāo)的距離、方位、速度等參數(shù)，從而對目標(biāo)進(jìn)行探測、跟蹤和識別。相比于普通雷達(dá)，激光雷達(dá)具有分辨率高、隱蔽性好、抗干擾能力更強(qiáng)的優(yōu)勢。目前地形測繪是激光雷達(dá)應(yīng)用最大領(lǐng)域。根據(jù)YoleIntelligence發(fā)布的《2022年汽車與工業(yè)領(lǐng)域激光雷達(dá)應(yīng)用報(bào)告》統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2021年全球用于汽車與工業(yè)領(lǐng)域的激光雷達(dá)出貨量預(yù)計(jì)30萬臺，市場規(guī)模高達(dá)21億美元，同比增長18%。其中，地形測繪是激光雷達(dá)最大的應(yīng)用領(lǐng)域，占比60%；其次是工業(yè)領(lǐng)域，占比27%；無人駕駛出租車、ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）、風(fēng)能和國防占比13%。汽車市場有望成為激光雷達(dá)行業(yè)發(fā)展的主要?jiǎng)恿?。隨著汽車智能化推進(jìn)，以及高級別自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展，汽車市場對激光雷達(dá)的需求有望快速提升。自2021年以來，國外車企Lucid、雷克薩斯和梅賽德斯奔馳陸續(xù)發(fā)布搭載激光雷達(dá)技術(shù)的車型，國內(nèi)造車新勢力小鵬、蔚來和理想也將激光雷達(dá)應(yīng)用在乘用車上。Yole預(yù)測，到2027年，ADAS市場將成為激光雷達(dá)最大的應(yīng)用市場。目前大部分車輛搭載的自動(dòng)駕駛是L2級別。美國汽車工程師學(xué)會（SAE）將汽車的自動(dòng)駕駛分為6個(gè)等級，分別從L0到L5，L2及以下稱為高級輔助駕駛，L3及以上稱為自動(dòng)駕駛。目前，大部分車輛搭載的自動(dòng)駕駛技術(shù)是L2級別。以中國市場為例，2022年上半年L2級輔助駕駛乘用車新車市場滲透率達(dá)到32.4%，L2級乘用車上險(xiǎn)數(shù)量為288.09萬輛，同比增長46.2%。激光雷達(dá)是實(shí)現(xiàn)L3及以上的必備傳感器。L2級自動(dòng)駕駛車輛傳感器以攝像頭+毫米波雷達(dá)+超聲波雷達(dá)組成。要實(shí)現(xiàn)更高層級的自動(dòng)駕駛，目前市場上存在兩種技術(shù)路線，一種是通過攝像頭+深度學(xué)習(xí)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)+計(jì)算機(jī)硬件的“視覺感知派”，一種是認(rèn)為激光雷達(dá)才是高級別自動(dòng)駕駛的未來。激光雷達(dá)兼具測距遠(yuǎn)、角度分辨率優(yōu)、受環(huán)境光照影響小的特點(diǎn)，且無需深度學(xué)習(xí)算法，可直接獲得物體的距離和方位信息。相對于其他傳感器，激光雷達(dá)可以顯著提升自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的可靠性，被大多數(shù)整車廠、Tier1供應(yīng)商認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)L3級及以上的必備傳感器。搭載激光雷達(dá)的車型陸續(xù)上市。2021年11月廣州車展上，多家車企發(fā)布了搭載激光雷達(dá)的車型。其中，小鵬G9搭載2顆；長城機(jī)甲龍搭載4顆；極狐阿爾法S華為版搭載3顆。今年，部分車型已經(jīng)正式交付，越來越多的新車型也開始搭載激光雷達(dá)。國內(nèi)激光雷達(dá)公司積極融資。2021年全球激光雷達(dá)領(lǐng)域融資數(shù)量為25起，融資金額超過138億元。其中，2021年我國激光雷達(dá)投資數(shù)量為21起，同比增加90.91%；投資金額為50.89億元，同比增加155.15%。光學(xué)器件是激光雷達(dá)重要組成部分。激光雷達(dá)的關(guān)鍵部件按信號處理的信號鏈包括控制硬件DSP（數(shù)字信號處理器）、激光驅(qū)動(dòng)、激光發(fā)射發(fā)光二極管、發(fā)射光學(xué)鏡頭、接受光學(xué)鏡頭、APD（雪崩光學(xué)二極管）、TIA（可變跨導(dǎo)放大器）和探測器。其中，光學(xué)器件在激光雷達(dá)成本占比在10-20%之間。光學(xué)部件方面，激光雷達(dá)公司一般為自主研發(fā)設(shè)計(jì)，然后選擇行業(yè)內(nèi)的加工公司完成生產(chǎn)和加工工序。光學(xué)部件國內(nèi)供應(yīng)鏈的技術(shù)水平已經(jīng)完全達(dá)到或超越國外供應(yīng)鏈的水準(zhǔn)，且有明顯的成本優(yōu)勢，已經(jīng)科技完全替代國外供應(yīng)鏈和滿足產(chǎn)品加工的需求。隨著自動(dòng)駕駛逐漸向L3升級，激光雷達(dá)作為大多數(shù)汽車廠商實(shí)現(xiàn)L3及以上的必備傳感器，其需求有望增加。截至目前，各大汽車廠商紛紛發(fā)布搭載激光雷達(dá)的車型，激光雷達(dá)公司也獲得資本支持，整個(gè)激光雷達(dá)行業(yè)發(fā)展進(jìn)入快車道。（四）消費(fèi)電子——蘋果MR將引領(lǐng)行業(yè)崛起，手機(jī)端關(guān)注光學(xué)創(chuàng)新?lián)R陀螺統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2022年上半年全球VR頭顯出貨量約684萬臺，其中Quest2上半年累計(jì)銷量約為590萬臺，呈現(xiàn)一家獨(dú)大的局面。國內(nèi)VR頭顯出貨量約60.58萬臺，其中Pico銷量約為37萬臺。2022年上半年全球AR頭顯出貨量約29.6萬臺，主要出貨在海外，占總出貨量的75%以上。國內(nèi)AR頭顯上半年出貨量約4.8萬臺。商用VR設(shè)備密集發(fā)布，消費(fèi)類VR加速滲透。根據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，VR教育為商用VR的第一大應(yīng)用：VR教育可以通過VR技術(shù)來構(gòu)建虛擬的學(xué)習(xí)環(huán)境，如模擬宇宙中的天體運(yùn)動(dòng)、化學(xué)反應(yīng)等現(xiàn)實(shí)中較難實(shí)現(xiàn)或存在風(fēng)險(xiǎn)的場景；VR職業(yè)教育則主要應(yīng)用于駕校、汽修等領(lǐng)域，據(jù)東方時(shí)尚數(shù)據(jù)顯示，使用VR駕駛模擬器可以幫助駕校節(jié)省30%-40%的運(yùn)營成本。此外，VR技術(shù)已逐漸在我國的安防、房地產(chǎn)、教育、醫(yī)療等領(lǐng)域普及。全球多家科技巨頭如Facebook、三星、華為、小米等均已推出VR頭戴設(shè)備；同時(shí)頭部廠商積極拓展軟件生態(tài)，擴(kuò)展VR設(shè)備的用戶圈，據(jù)Omdia預(yù)測，到2025年，VR活躍用戶將突破4,500萬，消費(fèi)類VR設(shè)備數(shù)量有望增加至4,500萬臺。商用AR應(yīng)用持續(xù)拓展，消費(fèi)級AR處于起步階段。商用AR主要用于企業(yè)解決方案和跨部門的內(nèi)容創(chuàng)建工具，主要集中在汽車、只要以及醫(yī)療保健等領(lǐng)域。商用AR仍處于探索階段，目前大部分應(yīng)用主要集中在目標(biāo)識別等基礎(chǔ)領(lǐng)域。消費(fèi)級AR進(jìn)入短暫低谷期，未來仍是科技巨頭重點(diǎn)布局方向。底層共性關(guān)鍵技術(shù)不斷突破，提升AR/VR體驗(yàn)。在光學(xué)顯示領(lǐng)域，4000PPI的微小屏幕已經(jīng)可以量產(chǎn)，將大大提升顯示效果，AR/VR屏幕顯示基本無網(wǎng)格；在端側(cè)渲染計(jì)算上，當(dāng)前芯片已經(jīng)可以支持8K60fps，將來可以支持12K90fps；在網(wǎng)絡(luò)速率上，5.5G和F5.5G將給移動(dòng)終端和家庭網(wǎng)絡(luò)帶來Gbps體驗(yàn)，足以滿足高清VR體驗(yàn)；在佩戴重量上，VR眼鏡已經(jīng)可以做到小于170g，AR眼鏡則小于80g，佩戴舒適性離普通眼鏡越來越近；在空間交互技術(shù)上，Inside-out成為主流，結(jié)合Videoseethrough（影像透視）的MR虛實(shí)融合技術(shù)已趨于成熟。硬件層面，VR/AR/MR關(guān)鍵核心技術(shù)是微顯示和光學(xué)系統(tǒng)。在VR微顯示方面，快速液晶屏（Fast-LCD）憑借其圖像分辨率可達(dá)4K，響應(yīng)速度為4～20毫秒以及優(yōu)秀的性價(jià)比等，成為目前消費(fèi)級VR頭顯的主流屏幕。硅基OLED的刷新速度很快，可以提供更高的圖像分辨率、對比度和更短的響應(yīng)時(shí)間，有望成為未來VR顯示屏的主流方案。在光學(xué)系統(tǒng)方面，菲涅爾透鏡方案已經(jīng)非常成熟，普遍能達(dá)到100°以上的視場角，供貨穩(wěn)定，當(dāng)前VR頭顯普遍采用菲涅爾透鏡方案、自由曲面或者Birdbath方案，但該方案的缺點(diǎn)是體積大、笨重、圖像邊緣畸變等。未來Pancake方案將成為新趨勢，Pancake多鏡片折疊光路設(shè)計(jì)，體積僅為傳統(tǒng)菲涅爾鏡片的1/4，厚度減少50％以上，在性能上，Pancake光學(xué)模組效果也更加優(yōu)異。傳統(tǒng)AR微顯示主要有硅基液晶（LCOS）和數(shù)字投影（DLP），兩種技術(shù)帶來的顯示亮度和對比度不夠理想，目前微顯示屏的主流方案是硅基OLED和激光掃描顯示（LBS），MicroLED顯示技術(shù)具有超高的圖像分辨率、亮度、對比度、刷新率、色彩還原度、色彩飽和度和大視場角，兼具超小的體積和功耗，未來有望成為AR眼鏡微顯示屏首選方案。在光學(xué)方案方面，自由曲面、BB方案以及光波導(dǎo)方案共同存在，未來光波導(dǎo)方案有望成為主流。蘋果公司有望在明年發(fā)布MR。截至目前，蘋果公司在虛擬現(xiàn)實(shí)領(lǐng)域的布局主要集中在專利、軟件層面。2015年蘋果公司就已經(jīng)在VR/AR相關(guān)專利方面進(jìn)行布局；內(nèi)容制作上，蘋果在2017年推出ARKit，使得開發(fā)人員可以使用這套工具為iPhone和iPad創(chuàng)建增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)應(yīng)用程序；2010年至2020年期間，蘋果在虛擬現(xiàn)實(shí)領(lǐng)域收購多家公司。據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研，蘋果公司有望在明年發(fā)布首款虛擬現(xiàn)實(shí)產(chǎn)品MR。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，蘋果推出的iPhone、TWS耳機(jī)都曾引領(lǐng)市場風(fēng)向，成為各自領(lǐng)域標(biāo)志性產(chǎn)品，此次蘋果即將推出的MR設(shè)備有望虛擬現(xiàn)實(shí)產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。VR/AR設(shè)備有望成為新一代的主流移動(dòng)終端，蘋果公司發(fā)布新產(chǎn)品有望加速產(chǎn)業(yè)發(fā)展，前瞻布局VR/AR新興領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)有望率先受益，建議關(guān)注全球VR組裝龍頭企業(yè)歌爾股份以及綁定核心大客戶，布局MR結(jié)構(gòu)件等業(yè)務(wù)的長盈精密等。光學(xué)顯示為VR/AR設(shè)備的核心器件，成本占比超30%，建議關(guān)注光學(xué)元器件領(lǐng)先企業(yè)水晶光電、藍(lán)特光學(xué)等。智能手機(jī)行業(yè)發(fā)展進(jìn)入成熟期。全球智能手機(jī)出貨量在2017年達(dá)到峰值，此后行業(yè)發(fā)展步入成熟期。今年受宏觀經(jīng)濟(jì)不景氣影響，2022H1全球智能手機(jī)出貨量同比減少8.9%。IDC預(yù)計(jì)，2022年全球智能手機(jī)出貨量為12.7億部，同比下降6.5%，智能手機(jī)在明年下半年有望恢復(fù)正常。高端智能手機(jī)份額占比提升。智能手機(jī)整體銷量下滑，其中，高端智能手機(jī)銷售額同比下降8%，表現(xiàn)整體優(yōu)于整體智能手機(jī)市場。隨著4GiOS用戶對手機(jī)的持續(xù)升級，蘋果繼續(xù)以57%的份額引領(lǐng)高端市場。光學(xué)升級仍在進(jìn)行中。盡管智能手機(jī)進(jìn)入存量時(shí)代，手機(jī)廠商開始積極尋找新的手機(jī)性能以謀求差異化競爭優(yōu)勢，由于攝像功能升級和成像品質(zhì)優(yōu)化能給用戶帶來直觀及明顯的體驗(yàn)提升，攝像頭技術(shù)創(chuàng)新已成為各大手機(jī)廠商進(jìn)行差異化競爭的焦點(diǎn)。潛望式鏡頭的出現(xiàn)節(jié)省轉(zhuǎn)換了手機(jī)內(nèi)部空間，使得在達(dá)到極高的光學(xué)變焦倍數(shù)水平下，仍然可以保持較薄的機(jī)身，目前多家安卓廠商均已配置。根據(jù)群智咨詢數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2022年全球潛望式攝像頭出貨量為2.47億顆，預(yù)計(jì)到2025年全球潛望式攝像頭出貨量將增至3.56億顆。目前多家主流安卓廠商的高端機(jī)型已經(jīng)配置潛望式鏡頭，在2017年的世界移動(dòng)大會MWC上OPPO首次展示了潛望式攝像頭結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)5倍無損變焦，此后很多手機(jī)品牌均推出搭載潛望式攝像頭的機(jī)型，例如華為Mate40Pro+手機(jī)也搭載了潛望式攝像頭，最大可實(shí)現(xiàn)10倍光學(xué)變焦；小米10青春版搭載了4個(gè)后置攝像頭，可實(shí)現(xiàn)5倍光學(xué)變焦。三、“周期”——底部的曙光（一）面板——供需雙弱，新一輪產(chǎn)能整合來臨上輪面板上行周期始于20年Q1，止于21年Q2，自高點(diǎn)以來面板價(jià)格下跌超過12個(gè)月，不同于上一輪由供給端大量釋放引發(fā)的下行周期，本輪下行周期的主導(dǎo)因素是需求端的超預(yù)期下降。并因此引發(fā)了近十幾年內(nèi)從未有過的大規(guī)模減產(chǎn)。隨著7月開始面板廠的大規(guī)模減產(chǎn)，并且顯示出了進(jìn)一步減產(chǎn)企穩(wěn)價(jià)格的信心，疊加終端去庫存效果較好，部分抄底需求帶動(dòng)面板價(jià)格在9月底全面止跌，并隨著促銷旺季的帶動(dòng)，面板價(jià)格企穩(wěn)回升。根據(jù)群智咨詢的面板價(jià)格數(shù)據(jù)顯示，22年12月，大部分品牌對未來需求保持謹(jǐn)慎悲觀的預(yù)期，且為控制年末庫存，電視面板備貨需求呈現(xiàn)向下調(diào)整態(tài)勢。而供應(yīng)端產(chǎn)能則呈環(huán)比微幅恢復(fù)，供需雙方趨勢分化，因供需基本面并未實(shí)現(xiàn)真正的反轉(zhuǎn)，導(dǎo)致LCDTV面板價(jià)格上漲恐難以為繼。根據(jù)洛圖科技（RUNTO）數(shù)據(jù)，今年第一季度，全球8．5／8．6代線的稼動(dòng)率穩(wěn)定在91％左右，尤其在產(chǎn)能集中的大陸，除HKC在86％左右，廠商均在92％以上的高位。全球10／10．5代線的稼動(dòng)率在92％左右，最高達(dá)到95％。中國大陸面板廠商京東方（BOE），華星光電（CSOT），惠科（HKC）已經(jīng)從6月開始大幅度減少母玻璃投片量。其中，BOE減少約25％，CSOT減少約20％，HKC減少約20％。根據(jù)omdia數(shù)據(jù)，面板廠商調(diào)整其產(chǎn)能利用率計(jì)劃。2022年6月的產(chǎn)能整體利用率為70%，月環(huán)比下降8%，跌到了近10年新低。7月的產(chǎn)能整體利用率為66%，月環(huán)比下降4%。面板廠商原預(yù)計(jì)將從8月開始稍微上調(diào)其利用率，但提升十分有限。預(yù)計(jì)整個(gè)22Q4將會維持較低的產(chǎn)能稼動(dòng)率。需求端來看，根據(jù)AVC的數(shù)據(jù)。2022年三季度全球TV出貨下降2.7%，環(huán)比增長21.7%；前三季