1、行業(yè)深度研究?jī)?nèi)容目錄 HYPERLINK l _TOC_250026 投資邏輯：行業(yè)自身成長(zhǎng)+中國(guó)廠商進(jìn)口替代4 HYPERLINK l _TOC_250025 投資邏輯之一：行業(yè)自身成長(zhǎng)4 HYPERLINK l _TOC_250024 集成電路設(shè)備成長(zhǎng)動(dòng)力：先進(jìn)制程+新晶圓廠投產(chǎn)4 HYPERLINK l _TOC_250023 LED 芯片行業(yè)設(shè)備成長(zhǎng)動(dòng)力：LED 芯片應(yīng)用擴(kuò)大+行業(yè)生產(chǎn)效率提升6 HYPERLINK l _TOC_250022 投資邏輯之二：中國(guó)廠商進(jìn)口替代空間廣闊8 HYPERLINK l _TOC_250021 投資邏輯之三：科創(chuàng)板主打硬核科技，半導(dǎo)體設(shè)備公司直接受

2、益10 HYPERLINK l _TOC_250020 半導(dǎo)體主流設(shè)備分析10 HYPERLINK l _TOC_250019 半導(dǎo)體制造相關(guān)設(shè)備10 HYPERLINK l _TOC_250018 晶圓清洗（wafer Cleaning）10 HYPERLINK l _TOC_250017 氧化（Oxidation）11 HYPERLINK l _TOC_250016 薄膜沉積（Film Deposition）占晶圓制造 20%11 HYPERLINK l _TOC_250015 曝光（Exposure）占晶圓制造 20%12 HYPERLINK l _TOC_250014 顯影（Devel

3、opment）12 HYPERLINK l _TOC_250013 刻蝕（Etch）占晶圓制造環(huán)節(jié) 25%13 HYPERLINK l _TOC_250012 離子注入（Ion Implantation）13化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polisher）13 HYPERLINK l _TOC_250011 工藝檢測(cè)與封測(cè)相關(guān)設(shè)備14 HYPERLINK l _TOC_250010 探針檢測(cè)（wafer Probe）14 HYPERLINK l _TOC_250009 切割機(jī)（Dicing）14 HYPERLINK l _TOC_250008 鍵合（ Bonding）1

4、4 HYPERLINK l _TOC_250007 測(cè)試機(jī)14 HYPERLINK l _TOC_250006 行業(yè)內(nèi)重點(diǎn)公司簡(jiǎn)析15 HYPERLINK l _TOC_250005 中微半導(dǎo)體硬核科技的代表15 HYPERLINK l _TOC_250004 北方華創(chuàng)A 股半導(dǎo)體設(shè)備公司稀缺標(biāo)的16 HYPERLINK l _TOC_250003 長(zhǎng)川科技17 HYPERLINK l _TOC_250002 上海微電子19 HYPERLINK l _TOC_250001 推薦標(biāo)的21 HYPERLINK l _TOC_250000 風(fēng)險(xiǎn)提示21圖表目錄圖表 1：半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈4圖表 2：半

5、導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)值4圖表 3：近十年半導(dǎo)體先進(jìn)制程4圖表 4：光刻機(jī)發(fā)展路徑5圖表 5：2017-2020 新建晶圓廠分布5圖表 6：半導(dǎo)體設(shè)備銷售額區(qū)域分拆6圖表 7：LED 芯片的產(chǎn)值（億）7- 2 -行業(yè)深度研究圖表 8：MOCVD 保有量和新增數(shù)量7圖表 9：LED 芯片成本7圖表 10：LED 燈泡價(jià)格7圖表 11：MoCVD 設(shè)備生產(chǎn)效率對(duì)比7圖表 12：MiniLED 與 MicroLED 區(qū)別8圖表 13：Micro LED 工藝流程8圖表 14：世界主流廠商與中國(guó)廠商財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)對(duì)比8圖表 15：晶圓廠市占率9圖表 16：世界前五大設(shè)備廠研發(fā)費(fèi)用（億美金）9圖表 17：中國(guó)半導(dǎo)體市占率

6、10圖表 18：中國(guó)半導(dǎo)體自給率10圖表 19：集成電路制造流程與設(shè)備占比10圖表 20：半導(dǎo)體制程對(duì)于清洗設(shè)備的需求11圖表 21：光刻機(jī)市場(chǎng)份額12圖表 22：刻蝕設(shè)備市占率 201613圖表 23：原子層刻蝕市場(chǎng)趨勢(shì)13圖表 24：集成電路封測(cè)主要流程14圖表 25：2017 主營(yíng)業(yè)務(wù)分拆16圖表 26：公司財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)16圖表 27：2017 年北方華創(chuàng)主營(yíng)業(yè)務(wù)情況表17圖表 28：2017 主營(yíng)業(yè)務(wù)分拆18圖表 29：公司財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)18圖表 30：2017 年長(zhǎng)川科技主營(yíng)業(yè)務(wù)情況表18圖表 31：測(cè)試機(jī)19圖表 32：分選機(jī)19圖表 33：公司發(fā)展歷程19圖表 34：公司主要產(chǎn)品20圖表

7、35：盈利預(yù)測(cè)（股價(jià)截止到 2019 年 3 月 5 日）21- 3 -行業(yè)深度研究投資邏輯：行業(yè)自身成長(zhǎng)+中國(guó)廠商進(jìn)口替代半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)處于半導(dǎo)體行業(yè)中上游，屬于芯片制造廠和封測(cè)廠的供應(yīng)商。整體行業(yè)景氣度伴隨著半導(dǎo)體周期而波動(dòng)，雖然周期性比較明顯，但如果從拉長(zhǎng)時(shí)間軸看，半導(dǎo)體設(shè)備整體產(chǎn)值是向上的。全球 2018 市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 620 億美金，同比增長(zhǎng) 28.57%，預(yù)計(jì)未來(lái)七年復(fù)合成長(zhǎng) 8%-10%圖表 1：半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈圖表 2：半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)值 來(lái)源：國(guó)金證券研究所來(lái)源： SEMI 國(guó)金證券研究所投資邏輯之一：行業(yè)自身成長(zhǎng)半導(dǎo)體設(shè)備整體需求來(lái)源于泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，即集成電路、LED 芯片等子

8、方向均對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備有不同方面的需求。集成電路設(shè)備成長(zhǎng)動(dòng)力：先進(jìn)制程+新晶圓廠投產(chǎn)圖表 3：近十年半導(dǎo)體先進(jìn)制程集成電路設(shè)備的需求 1：先進(jìn)制程的推進(jìn)。集成電路行業(yè)的發(fā)展史就是芯片先進(jìn)制程的發(fā)展歷史。從 1960s 開(kāi)始集成電路商用化以來(lái)，制程從 10um 到最新的 7nm，大約基本每 5 年左右半導(dǎo)體制程提升一代，每一代的性能與功耗都會(huì)大幅度提升。制程提升的動(dòng)力就是下游電子行業(yè)的對(duì)于算力的需求的不斷提高。上海華虹三星200620102014201820082012201665納米中芯國(guó)際聯(lián)華電子英特爾臺(tái)積電臺(tái)積電7納米14/16納米28納米45納米10納米22納米- 4 -行業(yè)深度研究來(lái)源：國(guó)

9、金證券研究所集成電路新的制程工藝需求更新的半導(dǎo)體設(shè)備。但需要注意的是即便制程更新 換代，并不是所有步驟的機(jī)器都需要更換，只有最關(guān)鍵的步驟才需要更新。以最貴的設(shè)備極紫外光刻機(jī)（EUV）為例說(shuō)明先進(jìn)制程對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備的拉動(dòng)：晶片在從空白硅片到填滿上億個(gè)晶體管的過(guò)程中，需要經(jīng)過(guò)很多個(gè)步驟，而其中很多步驟都需要經(jīng)過(guò)光刻工藝。而光刻機(jī)就是實(shí)施光刻的關(guān)鍵。在 14nm 工藝及以上制程，193nm 沉浸式光刻機(jī)可以滿足需求。但到了 14nm 制程以后， 傳統(tǒng)的光刻機(jī)遇到技術(shù)瓶頸，需要采用極紫外光刻機(jī)。極紫外光刻機(jī)（EUV） 以波長(zhǎng)為 13.5 納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)，目標(biāo)市場(chǎng)是先進(jìn)制程7nm 工藝

10、。而機(jī)器單價(jià)也升到 1 億歐元。圖表 4：光刻機(jī)發(fā)展路徑來(lái)源：ASML 國(guó)金證券研究所結(jié)論：如果摩爾定律沒(méi)有終結(jié)，那么半導(dǎo)體設(shè)備的需求仍會(huì)增長(zhǎng)，從目前發(fā)展來(lái)看，到 2025 年內(nèi)摩爾定律仍會(huì)延續(xù)，半導(dǎo)體設(shè)備還有很大的發(fā)展空間。集成電路設(shè)備的需求 2：晶圓廠新廠建設(shè)速度加快，大部分在中國(guó)半導(dǎo)體晶圓廠新開(kāi)工數(shù)量也直接影響設(shè)備的需求。從 2017 年開(kāi)始，亞洲國(guó)家開(kāi)始大面積投入晶圓廠建設(shè)，主要中國(guó) 30 家、韓國(guó) 30 家、臺(tái)灣地區(qū) 20 家左右，一個(gè)廠建設(shè)周期約為 2-3 年，對(duì)應(yīng)整體對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備需求約為 200 億美金，對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備需求明顯。圖表 5：2017-2020 新建晶圓廠分布- 5

11、 -行業(yè)深度研究圖表 6：半導(dǎo)體設(shè)備銷售額區(qū)域分拆來(lái)源：Semi, 國(guó)金證券研究所從下圖可以看出，半導(dǎo)體銷售額中中國(guó)占比逐步提高，從 2013 年的 15%提升到 2018 年的 27%，由于晶圓廠占比的原因，預(yù)計(jì)未來(lái)中國(guó)市場(chǎng)占設(shè)備領(lǐng)域市場(chǎng)份額仍會(huì)穩(wěn)步增加。來(lái)源：Wind 國(guó)金證券研究所LED 芯片行業(yè)設(shè)備成長(zhǎng)動(dòng)力：LED 芯片應(yīng)用擴(kuò)大+行業(yè)生產(chǎn)效率提升泛半導(dǎo)體領(lǐng)域第二個(gè)對(duì)設(shè)備需求較大的是 LED 芯片行業(yè)。LED 產(chǎn)業(yè)鏈包括襯底制作、外延生長(zhǎng)、芯片制造、封裝和應(yīng)用五個(gè)主要環(huán)節(jié)，其中 LED 外延生長(zhǎng)和制造環(huán)節(jié)是 LED 行業(yè)關(guān)鍵步驟。目前外延片制造主流設(shè)備為 MOCVD（金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積

12、法）。以下以 MOCVD 為例分析 LED 對(duì)于設(shè)備的拉動(dòng)：LED 行業(yè)對(duì)于設(shè)備的需求由兩方面拉動(dòng)：1）擴(kuò)產(chǎn) 2）技術(shù)更新首先，下游 LED 芯片廠商擴(kuò)產(chǎn)直接拉動(dòng)設(shè)備商需求。生產(chǎn) LED 芯片主要設(shè)備為 MOCVD。由下圖可看出，全球 LED 芯片產(chǎn)值在 2010 年、2014 年、2017 年左右同比增速達(dá)到波峰，MOCVD 出貨量相對(duì)提前一些，但也符合 LED 芯片產(chǎn)值波動(dòng)，在以上三個(gè)年份亦為周期頂點(diǎn)。- 6 -行業(yè)深度研究圖表 7：LED 芯片的產(chǎn)值（億）圖表 8：MOCVD 保有量和新增數(shù)量 來(lái)源：wind 國(guó)金證券研究所來(lái)源：wind 國(guó)金證券研究所其次，技術(shù)更新對(duì)于生產(chǎn)成本的優(yōu)化至

13、關(guān)重要。LED 芯片材料帶動(dòng)成本下降的空間較少，主要靠技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)成本下降，故此各大 LED 廠商均大力投入技術(shù)研發(fā)。LED 行業(yè)是重資產(chǎn)行業(yè)，設(shè)備折舊約占芯片成本的 30%，從歷史來(lái)看，LED 芯片單位價(jià)格持續(xù)降低，這與設(shè)備更新是分不開(kāi)的。圖表 9：LED 芯片成本圖表 10：LED 燈泡價(jià)格來(lái)源：國(guó)金證券研究所來(lái)源：wind 國(guó)金證券研究所圖表 11：MoCVD 設(shè)備生產(chǎn)效率對(duì)比對(duì)比 MOCVD 設(shè)備技術(shù)參數(shù)也可以看出，上市時(shí)間相隔 8 年的設(shè)備生產(chǎn)效率提升了 140%。LED 芯片廠商如果要保持自己的成本競(jìng)爭(zhēng)力，必須不斷投資新設(shè)備。來(lái)源：國(guó)金證券研究所第三，下一代顯示技術(shù)的推動(dòng)對(duì)于新設(shè)備

14、有需求。市場(chǎng)上對(duì)室內(nèi)顯示產(chǎn)品顯示效果的不斷追求，LED 產(chǎn)品不斷往更小的間距發(fā)展。追求高解析度已經(jīng)成為行業(yè)發(fā)展和進(jìn)步的一個(gè)重要方向。在繼普通 LED 顯示屏以后，小間距顯示屏（間距 250um），M iniLED(間距 100um)，MicroLED(間距小于 100um)將逐步走上商業(yè)舞臺(tái)。- 7 -行業(yè)深度研究圖表 12：MiniLED 與 MicroLED 區(qū)別mini-LEDmicro-LED尺寸（微米）100-200100用途LCD 背光自發(fā)光顯示特點(diǎn)高動(dòng)態(tài)范圍，節(jié)約電能，輕薄高對(duì)比度，高效率，高分辨率，快速反應(yīng)時(shí)間應(yīng)用LCD 背光-從小到大的LCD 板顯微投影顯示，顯示尺寸由小到大

15、來(lái)源：國(guó)金證券研究所從先后順序來(lái)看，2019 年消費(fèi)者有望最先看到搭載 Mini LED 背光的終端產(chǎn)品。Mini LED 背光應(yīng)用所采用的 LED 顆數(shù)用量要比傳統(tǒng) LED 背光多 50 倍以上， 從筆記本電腦約 8,000 顆，到 65 英寸電視用量約 10 萬(wàn)到 30 萬(wàn)顆。下游應(yīng)用主要以智能手機(jī)、電視等消費(fèi)電子顯示設(shè)備為主。與 MiniLED 競(jìng)爭(zhēng)的主要對(duì)手是 OLED。若 MiniLED（預(yù)計(jì) 2019 底）與 MicroLED 開(kāi)始普及，對(duì)于 LED 芯片的絕對(duì)產(chǎn)量需求將大大提高。同時(shí)也必將提高相關(guān)工藝設(shè)備需求，如薄膜工藝設(shè)備MOCVD。圖表 13：Micro LED 工藝流程來(lái)源

16、：LEDInside 國(guó)金證券研究所投資邏輯之二：中國(guó)廠商進(jìn)口替代空間廣闊半導(dǎo)體設(shè)備整體市場(chǎng)呈現(xiàn)兩個(gè)特點(diǎn)：1）規(guī)模增長(zhǎng)穩(wěn)定。2）集中度進(jìn)一步提高。目前全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)巨大，2018 年半導(dǎo)體整體設(shè)備市場(chǎng)約為 620 億美金。主要廠商由 Applied Materials（美）、 ASML（荷蘭）、東京電子、KLA（美）等國(guó)外廠商占據(jù)。圖表 14：世界主流廠商與中國(guó)廠商財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)對(duì)比- 8 -行業(yè)深度研究來(lái)源：wind 國(guó)金證券研究所半導(dǎo)體設(shè)備廠商集中度進(jìn)一步提高。集中度提高的原因在于：下游 foundry 廠集中度提高。從下表可以看出，前八名晶圓廠 2017 年市占率為 88%， 比 2015

17、 年提高了一個(gè)百分點(diǎn)。下游客戶的集中提提高勢(shì)必造成供應(yīng)鏈壓縮。圖表 15：晶圓廠市占率來(lái)源：IC insights, Eenewsanalog, 國(guó)金證券研究所集成電路設(shè)備研發(fā)投入高，非頭部企業(yè)難以承受。半導(dǎo)體制程進(jìn)入 28nm 以后，需要的設(shè)備復(fù)雜度呈指數(shù)提升。主流半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的研發(fā)費(fèi)用以億美金來(lái)計(jì)。圖表 16：世界前五大設(shè)備廠研發(fā)費(fèi)用（億美金）來(lái)源：wind 國(guó)金證券研究所中國(guó)設(shè)備廠商發(fā)展空間大。由于中國(guó)半導(dǎo)體公司起步時(shí)間較晚，晶圓制造環(huán)節(jié)薄弱（中芯國(guó)際僅僅占全球制造不到 5%市場(chǎng)份額），導(dǎo)致晶圓廠相關(guān)設(shè)備配套公司發(fā)展較慢，目前在設(shè)備領(lǐng)域市占率極低（小于 3%）。但這也正是中國(guó)設(shè)備公司的

18、發(fā)展機(jī)會(huì)。- 9 -行業(yè)深度研究圖表 17：中國(guó)半導(dǎo)體市占率圖表 18：中國(guó)半導(dǎo)體自給率來(lái)源：semi 國(guó)金證券研究所來(lái)源：semi 國(guó)金證券研究所投資邏輯之三：科創(chuàng)板主打硬核科技，半導(dǎo)體設(shè)備公司直接受益科創(chuàng)板是落實(shí)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)和科技強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略、推動(dòng)高質(zhì)量發(fā)展的重大改革舉措，重點(diǎn)支持半導(dǎo)體、新一代信息技術(shù)、高端裝備、新能源、節(jié)能環(huán)保以及生物醫(yī)藥等高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，推動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能和制造業(yè)深度融合。半導(dǎo)體設(shè)備作為硬核科技的代表，長(zhǎng)期來(lái)看公司的發(fā)展離不開(kāi)資本市場(chǎng)的支持， 短期也對(duì)板塊的估值有提升效應(yīng)。半導(dǎo)體主流設(shè)備分析下面我們將選擇制造環(huán)節(jié)主流設(shè)備中我國(guó)公司部分實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替

19、代或有望實(shí)現(xiàn)進(jìn) 口替代加以分析。半導(dǎo)體制造相關(guān)設(shè)備半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)的設(shè)備種類繁多，綜合了物理、化學(xué)、工程、材料等一系列學(xué)科，難度很高。下圖為半導(dǎo)體制造主要流程：圖表 19：集成電路制造流程與設(shè)備占比來(lái)源：國(guó)金證券研究所晶圓清洗（wafer Cleaning）作用：晶圓上極小的灰塵也會(huì)影響集成電路的功能。故此在正式制造芯片之前與芯片制造過(guò)程中，需要去除的污染主要包括顆粒、化學(xué)殘留物等。涉及到的有物理清洗（超聲震動(dòng)、刷洗等）與化學(xué)清洗（清洗液）法。未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)：制造芯片過(guò)程中清洗晶圓是重要的步驟，一般來(lái)說(shuō)清洗步驟占全部工藝的 30%。隨著先進(jìn)制程的推進(jìn)，需要清洗的步驟越來(lái)越多，比如20nm 的 DR

20、AM 工藝需要多達(dá) 200 個(gè)清洗步驟。3D 芯片也會(huì)帶動(dòng)清洗設(shè)備需求。隨著 3D 芯片越來(lái)越多，比如 3D NAND 存儲(chǔ)器，新的芯片架構(gòu)會(huì)對(duì)清洗設(shè)備有更高的要求。并且隨著 12 寸硅片的普及，硅片清洗要求越來(lái)越高，工藝復(fù)雜度也越大。清洗直接影響良率，良率對(duì)于晶圓廠利潤(rùn)影響很大。為了提高良率，清洗步驟數(shù)量需要提高。例如對(duì)于 10 萬(wàn)片月產(chǎn)能的 DRAM 廠，每一- 10 -行業(yè)深度研究個(gè)百分點(diǎn)的良率會(huì)影響每年 3000 萬(wàn)5000 萬(wàn)美金的凈利潤(rùn)。圖表 20：半導(dǎo)體制程對(duì)于清洗設(shè)備的需求來(lái)源：盛美半導(dǎo)體，國(guó)金證券研究所設(shè)備：槽式清洗機(jī)（比例逐步減少）、單圓片清洗機(jī)（逐步代替槽式清洗機(jī)）國(guó)外廠

21、商：迪恩士(日)、東京電子（日）、Lam Research（美）。以上三家市占率超過(guò) 70%。中國(guó)廠商：盛美半導(dǎo)體。氧化（Oxidation）作用：在晶圓上生成一層薄二氧化物層（二氧化硅），用于絕緣或者后續(xù)離子注入。硅材料在形成二氧化硅的過(guò)程中有天生的優(yōu)勢(shì)，這也是硅能大面積用于芯片材料的一個(gè)原因。目前我國(guó)設(shè)備主要用于小于 150mm 的低端制造領(lǐng)域，300mm 的產(chǎn)線主要依賴進(jìn)口。國(guó)外廠商：東京電子、日立國(guó)際中國(guó)廠商：北方華創(chuàng)、中電科 48 所。薄膜沉積（Film Deposition）占晶圓制造 20%作用：使某些特定材料以一層薄膜的形式附著于襯底的過(guò)程叫做薄膜沉積?？煞譃槲锢須庀喑练e（PV

22、D，利用蒸發(fā)或者離子轟擊濺射形成薄膜）與 化學(xué)氣相沉積(CVD，通過(guò)各種反應(yīng)氣體進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)形成薄膜)。MOCVD 系統(tǒng)最關(guān)鍵的問(wèn)題就是保證材料生長(zhǎng)的均勻性和重復(fù)性。薄膜沉積是半導(dǎo)體制造的重點(diǎn)設(shè)備，設(shè)備復(fù)雜度高，使用率高。一臺(tái)先進(jìn)的薄 膜沉積設(shè)備售價(jià)可達(dá)千萬(wàn)人民幣以上。行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)：薄膜沉積設(shè)備的創(chuàng)新伴隨著半導(dǎo)體制程的發(fā)展。由于不同線寬工藝的改進(jìn)，薄膜沉積設(shè)備也在不斷更新。例如，在亞微米時(shí)代，主要采用低壓化學(xué)氣相沉積；到了 90nm 時(shí)代， 等離子氣相沉積逐步得到應(yīng)用；28nm 及以下時(shí)代，HKMG（High K Metal Gate）工藝逐步普及，線寬變小，薄膜變的更薄，原子層沉積（Atom

23、ic Layer Dpostion）開(kāi)始普及。2018 年全球薄膜沉積市場(chǎng)規(guī)模約為 120 億美金，未來(lái) 5 年有望以 CAGR=10% 的速度增長(zhǎng)。 PVD 領(lǐng)域，應(yīng)用材料市占率超過(guò) 70%，優(yōu)勢(shì)明顯；CVD 領(lǐng)域， 東京電子占據(jù)月 38%的市場(chǎng)份額，后面依次是應(yīng)用材料與拉姆。中國(guó)廠商在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（MOCVD，Metal Organic Chemical Vapor Deposition）領(lǐng)域有所突破。MOCVD 主要用于-V 族（GaAs、GaN） 化合物半導(dǎo)體材料，故此在光電子領(lǐng)域有較多應(yīng)用。作為生產(chǎn) LED 芯片的關(guān)鍵設(shè)備，MOCVD 設(shè)備市場(chǎng)一直為歐美企業(yè)所壟斷，我國(guó)廠

24、商中微半導(dǎo)體在MOCVD 上自主研發(fā)，突破國(guó)外技術(shù)封鎖，估計(jì)中微半導(dǎo)體 2018 年藍(lán)綠光MOCVD 出貨量占比超過(guò) 60%。- 11 -行業(yè)深度研究應(yīng)用：邏輯電路、存儲(chǔ)器、先進(jìn)封裝、LED、微機(jī)電系統(tǒng) MEMS、功率半導(dǎo)體、平板顯示等。國(guó)外廠商：應(yīng)用材料（美）、LAM research （美）、ASML（荷）、東京電子（日）、Aixtron（德）、Veeco（美）中國(guó)廠商：中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)、沈陽(yáng)拓荊、中晟光電曝光（Exposure）占晶圓制造 20%作用：使用特定波長(zhǎng)的光（例如極紫外光）對(duì)覆蓋襯底的光刻膠進(jìn)行選擇性地照射。光刻膠中的感光劑會(huì)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，從而使被照射區(qū)域（感光區(qū)域） 化

25、學(xué)成分發(fā)生變化。這些化學(xué)成分發(fā)生變化的區(qū)域，在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。設(shè)備：光刻機(jī)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì):光刻 IC 制造環(huán)節(jié)核心工藝，也是技術(shù)難度最高的一步。衡量光刻機(jī)的參數(shù)主要有分辨率和產(chǎn)出率。光刻機(jī)的發(fā)展歷史也就是就集成電路制程的發(fā)展史。整體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì) 120 億美金，在最新光刻機(jī)市場(chǎng)中，ASML 一家獨(dú)大，其他廠商逐步掉隊(duì)，中國(guó)廠商在這方面技術(shù)儲(chǔ)備較弱，暫時(shí)沒(méi)法進(jìn)入先進(jìn)制程領(lǐng)域。接觸式光刻機(jī)：20 世紀(jì) 60 年代開(kāi)始應(yīng)用，用于微米級(jí)制程投影光刻機(jī)：20 世紀(jì) 60 年代開(kāi)始逐步代替接觸式光刻機(jī)。步進(jìn)掃描光刻機(jī)：20 世紀(jì) 90 年代開(kāi)始應(yīng)用，一直沿用至今。其中浸沒(méi)式光刻機(jī)以及極

26、紫外光刻機(jī)（EUV）也是步進(jìn)式光刻機(jī)的一種。浸沒(méi)式光刻機(jī)：應(yīng)用于 45nm 以主要下工藝，即在鏡頭與晶圓中間充滿液體，提升成像系統(tǒng)有效數(shù)值孔徑。極紫外光刻機(jī)：主要應(yīng)用于 7nm 以下制程，采用 10-14nm 極紫外光作為曝光光源。是最先進(jìn)的光刻機(jī)，單價(jià)超過(guò) 1 億歐元，目前只有 ASML 公司提供，年出貨量約 20 臺(tái)左右。圖表 21：光刻機(jī)市場(chǎng)份額來(lái)源：Gartner 國(guó)金證券研究所國(guó)外廠商：ASML（荷）、尼康（日） 中國(guó)廠商：上海微電子顯影（Development）作用：在曝光過(guò)程結(jié)束后加入顯影液，上一步被紫外光照射的區(qū)域會(huì)溶解于顯- 12 -行業(yè)深度研究影液中。這一步完成后，光刻膠層

27、中的圖形就可以顯現(xiàn)出來(lái)。主要需要顯影液?？涛g（Etch）占晶圓制造環(huán)節(jié) 25%作用：用物理或者化學(xué)方法腐蝕處理掉上一步中暴露的區(qū)域。主要分為干法刻蝕與是濕法刻蝕兩種。干法刻蝕：一般指用等離子體轟擊介質(zhì)表面進(jìn)行刻蝕,故又稱為等離子 體刻蝕。按照被刻蝕材料的種類分為硅刻蝕、金屬刻蝕、和電解質(zhì)刻蝕。濕法刻蝕：指用化學(xué)液體進(jìn)行刻蝕，例如氫氟酸。設(shè)備：刻蝕機(jī)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)：由于集成電路架構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜，對(duì)于刻蝕工藝的需求越來(lái)越高。故此刻蝕是各種設(shè)備中用途極為廣泛，并且復(fù)雜度較高的設(shè)備。主要以美國(guó)、 日本廠商設(shè)備為主。主要應(yīng)用為邏輯電路、3D nand、先進(jìn)封裝(硅通孔 TSV)。由于精度的關(guān)系，干法刻蝕逐步

28、代替濕法刻蝕。干法刻蝕目前占設(shè)備總銷售額 的比重約為 20%。2018 年目前刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模行業(yè)現(xiàn)在約為 155 億美金，集成電路復(fù)雜度逐步提高，預(yù)計(jì)未來(lái) 5 年刻蝕的市場(chǎng)增速將超過(guò)半導(dǎo)體設(shè)備平均增速，或?qū)⑦_(dá)到15%?？涛g領(lǐng)域最新設(shè)備為原子層刻蝕（ALE, Atomic Level Etch），即用于去除超薄層的刻蝕技術(shù)，主要拉動(dòng)力來(lái)源于芯片小型化以及 3D 芯片結(jié)構(gòu)的需求。圖表 22：刻蝕設(shè)備市占率 2016圖表 23：原子層刻蝕市場(chǎng)趨勢(shì)來(lái)源：Gartner VLSI Research 國(guó)金證券研究所來(lái)源：東京電子 國(guó)金證券研究所國(guó)外廠商：Lam Research（美）、東京電子（日）、H

29、itachi(日)中國(guó)廠商：中微半導(dǎo)體（介質(zhì)刻蝕機(jī)、硅通孔刻蝕機(jī)）、北方華創(chuàng)（硅刻蝕機(jī)）離子注入（Ion Implantation）作用：用具有一定能量的離子高速轟擊硅襯底并注入，使得襯底具有半導(dǎo)體特性。行業(yè)概況：目前主要依賴進(jìn)口設(shè)備：離子注入機(jī)國(guó)外廠商：SPIRE（美）、AEA（英）等中國(guó)廠商：中電科 48 所、中信科電子裝備集團(tuán)化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polisher） 作用：利用研磨液與研磨墊來(lái)拋光晶圓表面。- 13 -行業(yè)深度研究行業(yè)概況：國(guó)外廠商處于壟斷地位，美國(guó) ASML 公司約占 60%市場(chǎng)份額。設(shè)備較為復(fù)雜，一般來(lái)說(shuō)一臺(tái) CMP 售價(jià)約 300 萬(wàn)

30、-400 萬(wàn)美金。國(guó)外廠商：應(yīng)用材料（美）、Ebara（日）等中國(guó)廠商：天津華海清科、中電 45 所工藝檢測(cè)與封測(cè)相關(guān)設(shè)備晶圓制造完工后，將進(jìn)入工藝檢測(cè)設(shè)與封裝測(cè)試環(huán)節(jié)。工藝檢測(cè)行業(yè)趨勢(shì)：工藝檢測(cè)設(shè)備是保證芯片良率的關(guān)鍵。芯片架構(gòu)的復(fù)雜度提升以及 3D 芯片結(jié)構(gòu)的根本性變化，對(duì)工藝檢測(cè)設(shè)備提出了更高的要求。估計(jì)工藝檢測(cè)設(shè)備占前端設(shè)備的 10%左右，絕大部分市場(chǎng)被國(guó)外公司壟斷。涉及到的主要設(shè)備有：電子顯微鏡、薄膜檢測(cè)、晶圓缺陷檢測(cè)、X射線檢測(cè)、應(yīng)力監(jiān)測(cè)后端封測(cè)行業(yè)趨勢(shì)：相對(duì)于前端制造環(huán)節(jié)，后端封測(cè)設(shè)備復(fù)雜度略低，下圖為半導(dǎo)體封測(cè)主要流程，主要分為探針檢測(cè)、切割、芯片鍵合、引線鍵合、塑封、測(cè)試等主

31、要步驟。圖表 24：集成電路封測(cè)主要流程來(lái)源：國(guó)金證券研究所探針檢測(cè)（wafer Probe）作用：利用探針測(cè)試臺(tái)與探針測(cè)試卡來(lái)測(cè)試晶圓上每一個(gè)芯片，以測(cè)試芯片的電氣特性。一般包括探針測(cè)試臺(tái)，探針測(cè)試機(jī)，探針測(cè)試卡三部分。切割機(jī)（Dicing）作用：把晶圓切割成一粒粒的芯片。行業(yè)概況：切割機(jī)主要分為兩種，金剛石砂輪切割機(jī)與激光切割機(jī)。除了集成電路行業(yè)，切割機(jī)還廣泛應(yīng)用于 LED、面板、光伏電池等行業(yè)。在這個(gè)領(lǐng)域國(guó)外廠商占領(lǐng)了絕大部分市場(chǎng)份額。國(guó)外廠商：Disco（日）、東京精密（日）中國(guó)廠商：金剛石切割機(jī)(中電科裝備集團(tuán)、中電 45 所)、激光切割機(jī)（大族激光、華工激光）鍵合（ Bonding

32、）作用：鍵合主要有芯片鍵合和引線鍵合兩種。這兩種設(shè)備在封裝廠屬于比較常用的設(shè)備，大多數(shù)封裝工藝均會(huì)采用這兩種設(shè)備。在這個(gè)領(lǐng)域國(guó)外廠商幾乎占領(lǐng)了全部市場(chǎng)份額。芯片鍵合（Die Bonding）：把裸片鍵合在基板（substrate）上，做后續(xù)封裝。引線鍵合（Wire Bonding）：用導(dǎo)線連接芯片與封裝引腳。芯片鍵合國(guó)外廠商：ASM（美）、BESI（荷蘭）。引線鍵合國(guó)外廠商：ASM、K&S。中國(guó)廠商：暫無(wú)測(cè)試機(jī)作用：對(duì)芯片施加輸入信號(hào)，測(cè)試芯片功能和性能的有效性。行業(yè)概況：隨著集成電路參數(shù)項(xiàng)目越來(lái)越多，對(duì)測(cè)試成本的要求越來(lái)越高，因此， 市場(chǎng)對(duì)測(cè)試機(jī)功能模塊的需求、測(cè)試速度與測(cè)試精度要求越來(lái)越高

33、（微伏、微安 級(jí)精度）。一般來(lái)說(shuō)，在設(shè)計(jì)驗(yàn)證和成品測(cè)試環(huán)節(jié)，測(cè)試機(jī)需要和分選機(jī)配合使 用；在晶圓檢測(cè)環(huán)節(jié)，測(cè)試機(jī)需要和探針臺(tái)配合使用。在我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)- 14 -行業(yè)深度研究構(gòu)中，封裝測(cè)試環(huán)節(jié)占比最高，對(duì)測(cè)試機(jī)和分選機(jī)的需求量較大，但設(shè)備主要依賴進(jìn)口。國(guó)外廠商： 泰瑞達(dá)（Teradyne ）（美）、愛(ài)德萬(wàn)（Advantest ）（日）、科利登（Xcerra）（美）中國(guó)廠商：長(zhǎng)川科技行業(yè)內(nèi)重點(diǎn)公司簡(jiǎn)析中微半導(dǎo)體硬核科技的代表中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司成立于 2004 年 8 月，主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體制造設(shè)備，預(yù)計(jì)將于 2019 年在科創(chuàng)板上市。我們認(rèn)為中微半導(dǎo)體是為數(shù)不多的可以在集成電路設(shè)

34、備細(xì)分領(lǐng)域和國(guó)外一流公司同臺(tái)競(jìng)爭(zhēng)的公司，全球超過(guò) 1100個(gè)專利，是國(guó)產(chǎn)硬核科技公司的代表。核心競(jìng)爭(zhēng)力：優(yōu)秀的管理團(tuán)隊(duì)+核心技術(shù)自主可控優(yōu)秀的管理團(tuán)隊(duì)。公司的董事長(zhǎng)兼總裁、創(chuàng)始人尹志堯博士在硅谷有 20 多年的行業(yè)及經(jīng)驗(yàn)積累，尹志堯博士曾在應(yīng)用材料公司任職 13 年，曾擔(dān)任公司副總裁、等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理、亞洲區(qū)采購(gòu)副總裁、應(yīng)用材料亞洲首席技術(shù)官等。公司核心創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)也有硅谷海外工作經(jīng)驗(yàn)。中微半導(dǎo)體憑借技術(shù)研發(fā)實(shí)力，不斷研發(fā)新的產(chǎn)品，并逐步占領(lǐng)市場(chǎng)。在這背后，優(yōu)秀的管理團(tuán)隊(duì)是公司能夠持：續(xù)不斷推出新產(chǎn)品的原因。核心團(tuán)隊(duì)成員還包括：杜志游博士：現(xiàn)任中微資深副總裁，主導(dǎo)制定了所有項(xiàng)目運(yùn)營(yíng)

35、流程，包括公司生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)策略、全球物料運(yùn)營(yíng)基礎(chǔ)設(shè)施、信息技術(shù)系統(tǒng)和 ERP（企業(yè)資源計(jì)劃）項(xiàng)目執(zhí)行等。加入中微之前，杜志游博士曾擔(dān)任梅特勒-托利多儀器（上海）有限公司總經(jīng)理、寶鋼普萊克斯實(shí)用氣體有限公司總經(jīng)理。朱新萍：副總裁暨大中華事業(yè)群總經(jīng)理。加入中微之前，他曾擔(dān)任臺(tái)灣應(yīng)用材料公司（Applied Materials）高級(jí)經(jīng)理一職。之前他曾在華邦電子（Winbond）和臺(tái)灣世大集成電路（WSMC）工作，主要負(fù)責(zé)程序開(kāi)發(fā)和產(chǎn)量提高。陳偉文：中微首席財(cái)務(wù)官。在加入中微公司之前，陳偉文先生在一家納斯達(dá)克上市公司、同時(shí)也是世界上最大的太陽(yáng)能公司之一阿特斯太陽(yáng)能有限公司任首席財(cái)務(wù)官。倪圖強(qiáng)博士：倪圖強(qiáng)博

36、士在中微擔(dān)任副總裁暨刻蝕設(shè)備產(chǎn)品事業(yè)群副總經(jīng)理。他主要領(lǐng)導(dǎo)用于高端電介質(zhì)刻蝕的 Primo D-RIE 和 Primo AD-RIE 設(shè)備的研發(fā)和項(xiàng)目管理。加入中微之前，他曾在 Lam Research 公司新產(chǎn)品部門擔(dān)任主要技術(shù)專家，并是 Lam2300 系列刻蝕產(chǎn)品的發(fā)明者之一。核心技術(shù)自主可控。公司成立之初就有合作的律師事務(wù)所專注 IP 信息收集與保護(hù)。與美國(guó)應(yīng)用材料官司和解、與 Lam 公司在臺(tái)灣官司勝訴、與 Veeco 官司 和解等，這些有關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)際訴訟無(wú)一失敗的前提是扎實(shí)的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。美國(guó)政府于 2015 年將刻蝕設(shè)備從出口管制清單里刪除就是因?yàn)?AMEC 能夠生產(chǎn)出具有自

37、主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的刻蝕設(shè)備，并進(jìn)入國(guó)際一流晶圓廠。2017 年美國(guó)PCAST（美國(guó)總統(tǒng)科學(xué)技術(shù)咨詢委員會(huì)）給總統(tǒng)的報(bào)告里面提到的唯一一家中國(guó)公司是中微半導(dǎo)體。公司主打產(chǎn)品有：刻蝕機(jī)：中微的刻蝕設(shè)備是半導(dǎo)體制造前端多用的介質(zhì)等離子體刻蝕與硅刻蝕。等離子體刻蝕機(jī)已經(jīng)全面進(jìn)入亞洲先進(jìn)主流生產(chǎn)線，用以加工65 納米，40 納米以及 28 納米以下制程的半導(dǎo)體器件。MOCVD：公司已經(jīng)成功研發(fā) MOCVD 并進(jìn)入上游 LED 核心廠商，- 15 -行業(yè)深度研究2018 年一季度累計(jì)出貨量已經(jīng)達(dá)到 100 腔。我們預(yù)計(jì)公司 2018 年在藍(lán)綠光 MOCVD 的出貨量超過(guò) 60%。下游客戶：臺(tái)積電、中芯國(guó)際等一流

38、晶圓廠投資邏輯：半導(dǎo)體設(shè)備投資期限需長(zhǎng)久：半導(dǎo)體制造設(shè)備是技術(shù)難度最高的技術(shù)設(shè)備?？v觀國(guó)外一流設(shè)備大廠，很多是伴隨半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展而成長(zhǎng)起來(lái)，自身歷史超過(guò) 50 年以上，例如應(yīng)用材料成立于 1967 年，ASML 成立于 1984 年。中微半導(dǎo)體作為后起之秀能批量進(jìn)入臺(tái)積電一流產(chǎn)線，實(shí)屬不易。半導(dǎo)體行業(yè)本身周期性明顯期有波動(dòng)，作為產(chǎn)業(yè)鏈一環(huán)的設(shè)備廠也必然遵循周期屬性。但半導(dǎo)體制造設(shè)備行業(yè)門檻較高，公司護(hù)城河較寬，我們?nèi)哉J(rèn)為中微半導(dǎo)體憑借優(yōu)秀的管理團(tuán)隊(duì)+自主核心技術(shù)，具有成長(zhǎng)為世界巨頭級(jí)公司的潛力，長(zhǎng)期看好。北方華創(chuàng)A 股半導(dǎo)體設(shè)備公司稀缺標(biāo)的公司成立于 2001 年，總部位于北京，是一家以電子工

39、藝裝備和電子元器件為主營(yíng)業(yè)務(wù)的高科技企業(yè)，由七星電子和北方微電子戰(zhàn)略重組而成，是目前國(guó)內(nèi)集成電路高端工藝裝備的領(lǐng)先企業(yè)。股權(quán)結(jié)構(gòu)：公司目前最大股東為北京七星華電科技集團(tuán)有限公司，持股占比為38.90%，北京國(guó)資委為實(shí)際控制人。圖表 25：2017 主營(yíng)業(yè)務(wù)分拆圖表 26：公司財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)真空設(shè)備18%半導(dǎo)體設(shè)備57%鋰電設(shè)備1%電子元件24%凈利率毛利率營(yíng)業(yè)總收入(百萬(wàn)元)201620172018H30.000.0010.00500.0020.001,000.0030.001,500.0040.002,000.0050.002,500.00來(lái)源：同花順 國(guó)金證券研究所來(lái)源:同花順、國(guó)金證券研究所公

40、司目前已形成半導(dǎo)體裝備、真空裝備、新能源鋰電裝備和高精密電子元器件四大業(yè)務(wù)板塊，其中半導(dǎo)體設(shè)備已經(jīng)占據(jù)了一半以上的收入達(dá)到 57%，毛利潤(rùn)占比也接近 50%。- 16 -行業(yè)深度研究圖表 27：2017 年北方華創(chuàng)主營(yíng)業(yè)務(wù)情況表營(yíng)業(yè)總收入(百萬(wàn)元)營(yíng)業(yè)收入占比毛利率毛利潤(rùn)（百萬(wàn)元）毛利潤(rùn)占比半導(dǎo)體設(shè)備1,133.8551.5935.37401.0249.51電子元件762.9034.7143.72333.5141.17真空設(shè)備200.849.1427.9756.176.93鋰電設(shè)備100.424.5719.2319.312.38來(lái)源：同花順、國(guó)金證券研究所核心看點(diǎn)：受益于半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇中

41、國(guó)本土晶圓廠的興建對(duì)公司提供了發(fā)展機(jī)遇。公司 IC 設(shè)備主要客戶為中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi) IC 制造公司，新興晶圓廠如合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等亦能增加公司成長(zhǎng)動(dòng)能，公司未來(lái)直接受益半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化浪潮。公司目前主要設(shè)備有：刻蝕機(jī)、物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、氧化爐、擴(kuò)散爐、清洗機(jī)及氣體流量計(jì)（MFC）等 7 大類半導(dǎo)體設(shè)備及零部件，在集成電路領(lǐng)域，由公司自主研發(fā)的 14nm 等離子硅刻蝕機(jī)、單片退火系統(tǒng)、LPCVD 已成功進(jìn)入集成電路主流代工廠；28nm HardmaskPVD、Al-Pad PVD 設(shè)備已率先進(jìn)入國(guó)際供應(yīng)鏈體系；12 英寸清洗機(jī)累計(jì)流片量已突破 60 萬(wàn)片大關(guān)

42、。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，刻蝕機(jī)和 PVD 設(shè)備、TSV 刻蝕設(shè)備已在全球主要先進(jìn)封裝企業(yè)中得到了廣泛應(yīng)用。在 LED 領(lǐng)域，ELEDE 系列刻蝕機(jī)自 2010 年面市以來(lái)銷售量已經(jīng)超過(guò)兩百余臺(tái)，其中氮化鎵刻蝕機(jī)在 20142016 連續(xù)三年新增市場(chǎng)占有率達(dá)到 80%以上，出貨量遙遙領(lǐng)先；PSS 刻蝕機(jī)一直是全球主流 PSS 廠家的主要機(jī)臺(tái)，目前為止國(guó)內(nèi)規(guī)模超卓的中圖半導(dǎo)體公司已累計(jì)采購(gòu)該機(jī)型近百臺(tái)，對(duì)市場(chǎng)起到了有力的表率作用；在技術(shù)上一舉打破了多年來(lái)本土設(shè)備商只能處于追隨狀態(tài)的堅(jiān)冰局面！而同樣面向 LED 芯片制造的 EPEE550 系列 PECVD 自推向市場(chǎng)以來(lái)，一直保持著新增市場(chǎng)占有率 80%

43、以上的市場(chǎng)業(yè)績(jī)，穩(wěn)居市場(chǎng)前沿。MEMS 及新興市場(chǎng)，深硅刻蝕設(shè)備客戶安裝量超過(guò)百臺(tái)以上。在光伏制造領(lǐng)域，負(fù)壓擴(kuò)散爐目前已成為市場(chǎng)主流產(chǎn)品；晶硅電池線的 大部分關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備如在線濕法刻蝕機(jī)、槽式單晶制絨機(jī)、臥式擴(kuò)散爐、PECVD 等設(shè)備均已實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代。在平板顯示領(lǐng)域，公司是國(guó)內(nèi) TFT-LCD 生產(chǎn)線的骨干設(shè)備供應(yīng)商，多種產(chǎn)品在客戶 G5 至 G10.5 各個(gè)世代TFT-LCD 生產(chǎn)線及 OLED 生產(chǎn)線上批量應(yīng)用；CELL 段的 ODF 工藝紫外固化爐 UV Cure 以及 Cutting 工藝的 Grind Cleaner 等設(shè)備均在各世代生產(chǎn)線占據(jù)重要份額。長(zhǎng)川科技公司成立于 2008

44、 年，總部位于杭州。主要從事集成電路專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要包括集成電路測(cè)試機(jī)和分選機(jī)。股權(quán)結(jié)構(gòu)：公司目前最大股東為趙軼，持股占比為 28.26%，為實(shí)際控制人。- 17 -行業(yè)深度研究圖表 28：2017 主營(yíng)業(yè)務(wù)分拆圖表 29：公司財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)測(cè)試機(jī)58%分選機(jī)42%凈利率毛利率營(yíng)業(yè)總收入(百萬(wàn)元)201620172018H370.0060.0050.0040.0030.0020.0010.000.00200.00150.00100.0050.000.00來(lái)源：同花順 國(guó)金證券研究所來(lái)源：同花順、國(guó)金證券研究所公司以自主研發(fā)為主，目前的產(chǎn)品主要有兩種，測(cè)試機(jī)和分選機(jī)，其中測(cè)試機(jī)占據(jù)一半

45、以上的收入達(dá)到 57.96%。圖表 30：2017 年長(zhǎng)川科技主營(yíng)業(yè)務(wù)情況表營(yíng)業(yè)收入(百萬(wàn)元)營(yíng)業(yè)收入占比毛利率毛利潤(rùn)（百萬(wàn)元）毛利潤(rùn)占比測(cè)試機(jī)77.6644.8576.6659.5460.36分選機(jī)95.4855.1540.9539.1039.64來(lái)源：同花順、國(guó)金證券研究所核心看點(diǎn)：受益于中國(guó)廠商在封測(cè)領(lǐng)域市場(chǎng)份額的提升公司主營(yíng)在后端封測(cè)領(lǐng)域，受益于全球封測(cè)向亞洲轉(zhuǎn)移趨勢(shì)。目前公司下游客 戶主要為三大封測(cè)廠，雖然在測(cè)試機(jī)方面以國(guó)外廠商主導(dǎo)，公司有逐步提高市占率的趨勢(shì)。中國(guó)廠商在封測(cè)領(lǐng)域較為成熟。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，設(shè)計(jì)制造封測(cè)，中國(guó)公司在封測(cè)領(lǐng)域的市占率最高，按營(yíng)收排列，前十家封測(cè)公司中國(guó)占三家，分別為長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技。中國(guó)本土封測(cè)領(lǐng)域成長(zhǎng)