1、MSP430F2 系列 16低功耗單片機(jī)模塊原理第 5 章 Flash 塊控制器版本:日期:原文:翻譯:編輯:1.32007.6.TIMSP430 x2xxfamily.pdfDC 微控技術(shù)版主注：以下文章是翻譯 TI MSP430 x2xxfamily.pdf 文件中的部分內(nèi)容。由于翻譯水平有限，有整理過(guò)程中難免有所或錯(cuò)誤；所以以下內(nèi)容只供參考.一切以原文為準(zhǔn)。密切留意微控技術(shù)。第五章 Flash控制器本章介紹了 MSP430 x2xx 系列單片機(jī) Flash控制器的操作。5.1Flash器的介紹Page 1 of 185.25.35.4Flash Flash Flash器的分段結(jié)構(gòu)器的操作

2、器的控制寄存器5.1 FlashMSP430器的介紹的 Flash器是可位/字節(jié)/字尋址和編程的器。該模塊由一個(gè)集成控制器來(lái)控制編程和擦除的操作?？刂破靼ㄈ齻€(gè)寄存器，一個(gè)時(shí)序發(fā)生器及一個(gè)提供編程/擦除電壓的電壓發(fā)生器。MSP430 的 Flash器的特點(diǎn)有：產(chǎn)生編程電壓可位/字節(jié)/字編程超低功耗操作支持段擦除和多段模塊擦除Flash器和控制器的結(jié)構(gòu)框圖如圖 51 所示。注意：Flash 寫入和擦除操作期間的最小電壓值 VCC 應(yīng)為 2.2V。如果在操作期間 VCC 低于 2.2V，寫入或擦除的結(jié)果將是不確定的。圖 51Flash器框圖Page 2 of 185.2FlashMSP430位是段

3、。Flash和數(shù)據(jù)可以節(jié)的段，主空間圖。器的分段結(jié)構(gòu)Flash器分成多個(gè)段?？蓪?duì)其進(jìn)行單個(gè)位/字節(jié)/字的寫入，但是最小的擦除單器分為主器和信息器兩部分，在操作上兩者沒(méi)區(qū)別，程序代碼器有四個(gè) 64 字的整體于任意部分。兩部分的區(qū)別在于段的大小和物理地址。信息器有兩個(gè)或的 512 字節(jié)的段。不同的可參見(jiàn)各自每一段又進(jìn)一步劃分為64字節(jié)的塊，起始地址分別為0 xx00h，0 xx40h，0 xx80h，0 xxC0h，結(jié)束地址分別為0 xx3Fh，0 xx7Fh，0 xxBFh，0 xxFFh。圖52Flash器分段（以4KB為例）5.2.1 Segment A信息器中的Segment A可以通過(guò)L

4、OCKA位的設(shè)置進(jìn)行鎖定，從而與其他段的操作區(qū)分開(kāi)。當(dāng)LOCKA1時(shí)，Segment A不能寫入或擦除，其他的信息器在整個(gè)模塊擦除時(shí)被保護(hù)起來(lái)。當(dāng)LOCKA0時(shí)，Segment A可以像其他Flash器一樣進(jìn)行擦除和寫入的操作，同時(shí)其他的信息器在整個(gè)模塊擦除時(shí)擦除。Segment B,C,D在段擦除狀態(tài)無(wú)關(guān)。能被擦除，與LOCKA位的當(dāng) LOCKA 寫入為 1 時(shí)，LOCKA 的狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)（即如果 LOCKA 原來(lái)為 1，對(duì)它寫入 1則變?yōu)?0；如果 LOCKA 原來(lái)為 0，對(duì)它寫 1 則它變?yōu)?1）；當(dāng) LOCKA 寫入為 0 時(shí)，LOCKA 的狀態(tài)不受影響。這樣就能實(shí)現(xiàn)當(dāng)前 flash

5、編程程序的固定。Page 3 of 18；SegmentA子程序BIT #LOCKA,&FCTL3 JZ SEGA_UNLOCKEDMOV #FWKEY+LOCKA,&FCTL3 SEGA_UNLOCKED；鎖定SegmentA子程序BIT #LOCKA,&FCTL3 JNZ SEGALOCKEDMOV #FWKEY+LOCKA,&FCTL3 SEGA_LOCKED；測(cè)試LOCKA位，判斷是否鎖定Segment A；了嗎？；沒(méi)有，；是的，已經(jīng)了，繼續(xù)；測(cè)試LOCKA位，鎖定Segment A 了嗎；鎖定Segment A 了嗎；沒(méi)有，鎖定Segment A；鎖定了，繼續(xù)執(zhí)行5.3 Flash器

6、的操作Flash器的默認(rèn)工作模式是讀模式，在該模式下，器無(wú)法進(jìn)行擦除和寫入操作，同時(shí)時(shí)序發(fā)生器和電壓發(fā)生器關(guān)閉。此時(shí)的操作與 ROM 的操作類似。MSP430 Flash器能在沒(méi)有外加電壓的條件下實(shí)現(xiàn)在系統(tǒng)編程（ISP），CPU能對(duì)它自帶的Flash進(jìn)行編程。Flash能完成：?jiǎn)巫止?jié)/單字寫入塊寫入段擦除多段擦除（針對(duì)所有主器的段）整體擦除（針對(duì)所有段）器的寫入/擦除模式通過(guò)BLKWRT，WRT，MERAS和 ERASE位選擇，在編程或擦除期間對(duì)Flash器進(jìn)行讀或?qū)懖僮?。在寫入或擦除是需要用到的CPU程序應(yīng)該在RAM中運(yùn)行。對(duì)Flash的任何更新都開(kāi)始于Flash器或RAM中。5.3.1Fl

7、ash器的時(shí)序發(fā)生器時(shí)序發(fā)生器用于控制Flash器的編程和擦除操作，如圖53所示。時(shí)序發(fā)生器的輸入頻率fFTG必須在257 kHz 到 476 kHz內(nèi)。（請(qǐng)參看詳細(xì)的）圖53時(shí)序發(fā)生器框圖Flash時(shí)序發(fā)生器時(shí)鐘源的選擇：時(shí)序發(fā)生器可以選擇3個(gè)時(shí)鐘源之一：ACLK，SMCLK或 MCLK。選擇的時(shí)鐘信號(hào)可通過(guò)FNx位的進(jìn)行分頻以適應(yīng)時(shí)序發(fā)生器輸入頻率fFTG 的要求。如果在寫入或擦除操作過(guò)程中，fFTG不符合要求，寫入或擦除的結(jié)果將不確定，或者Flash被迫工作于正常工作狀態(tài)的邊緣（即只要再超過(guò)一點(diǎn)就是操作狀態(tài)了，也可以翻譯為：被迫工作于臨界狀態(tài)）。如果在寫入或擦除操作過(guò)程中檢測(cè)到時(shí)鐘信號(hào)失

8、效，操作將終止，置位FAIL標(biāo)志位，操作Page 4 of 18的結(jié)果將不確定。當(dāng)寫入或擦除操作啟動(dòng)了時(shí)鐘源的選擇，不會(huì)在MSP430進(jìn)入低功耗模式時(shí)無(wú)效，將一直保持到寫入或擦除操作完成。5.3.2Flash器的擦除器各位的缺省值為“1”，每一位都可以單獨(dú)的編程為“0”，但只有擦除操作才能Flash將它恢復(fù)成“1”。擦除操作的最小式，如表5-1所示。是段。通過(guò)ERASE和 MERAS位的設(shè)置可選擇3種擦除模表5-1擦除模式任何擦除操作開(kāi)始于對(duì)擦除的地址范圍內(nèi)任意位置作一次空寫入。空寫入的目的是啟動(dòng)時(shí)序發(fā)生器和擦除操作，如圖5-4所示為擦除周期。在空寫入操作之后，BUSY位立即置位，并保持到擦除

9、周期結(jié)束。BUSY，MERAS和ERASE位在擦除周期結(jié)束后自動(dòng)復(fù)位。MSP430Fx2xx系列 的擦除周期均相等，與片內(nèi)Flash 器的數(shù)量無(wú)關(guān)。圖 5-4Flash器擦除周期如果空寫入操作的地址在不能執(zhí)行擦除操作的段地址范圍內(nèi)，則寫入操作不起作用，對(duì)Flash器無(wú)影響，也不會(huì)有任何標(biāo)志指示這一狀態(tài)，錯(cuò)誤的空寫入將被忽略。從 Flash器啟動(dòng)的擦除操作：任何擦除周期可以從片內(nèi) Flash器或 RAM器開(kāi)始，如果段擦除操作開(kāi)始內(nèi)Flash器內(nèi)，所有的定時(shí)都由 Flash 控制器控制，CPU 在擦除周期結(jié)束前將停止運(yùn)行，狀態(tài)保持不變。在擦除周期結(jié)束后，CPU 將重新按照空寫入之后的規(guī)定執(zhí)行程序代

10、碼。開(kāi)始于 Flash器內(nèi)的段擦除操作，同樣可以把擦除之后要執(zhí)行的程序代碼清除掉，一旦發(fā)生這樣的情況，CPU 在擦除周期之后的操作將不確定。由 Flash器啟動(dòng)擦除操作流程如圖 5-5 所示。Page 5 of 18MERASERASE擦除模式01段擦除10多段擦除（所有主器的段）11整體擦除（LOCKA0時(shí)，擦除所有主器和信息器的段；主器的段只當(dāng)LOCKA0時(shí)可以擦除）圖 5-5Flash器啟動(dòng)擦除操作流程；從Flash器啟動(dòng)擦除操作，514 kHz SMCLK 952 kHz；假設(shè) MOV MOV MOV MOV CLR MOVACCVIE = NMIIE = OFIE = 0 #WDTP

11、W+WDTHOLD，&WDTCTL；停止看門狗WDT；SMCLK/2；清除LOCK位；使能段操作；空寫入，清除S1；空寫入完成后，置位LOCK；重新使能看門狗WDT#FWKEY+F1+FN0，&FCTL2#FWKEY,&FCTL3 #FWKEY+ERASE,&FCTL1 &0FC10h #FWKEY+LOCK,&FCTL3從 RAM器初始化的擦除操作：任何擦除周期可以從RAM器開(kāi)始，在這種情況下，CPU不會(huì)停止運(yùn)行，能繼續(xù)的執(zhí)行RAM器中的程序代碼。在CPU可以重新任何Flash地址前，必須查詢BUSY位位以判斷擦除周期的結(jié)束。如果進(jìn)入Flash地址發(fā)生在BUSY=1時(shí)，這個(gè)進(jìn)入操作是法中斷標(biāo)

12、志）置位，擦除結(jié)果將不確定。的，ACCVIFG（非由 RAM器啟動(dòng)擦除操作流程如圖 5-6 所示。Page 6 of 18圖 5-6RAM器啟動(dòng)擦除操作流程；從RAM器啟動(dòng)擦除操作，514 kHz SMCLK 952 kHz；假設(shè) ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0MOV BIT JNZ MOV MOV MOV CLR BIT JNZ#WDTPW+WDTHOLD,&WDTCTL #BUSY,&FCTL3L1；停止看門狗WDT；測(cè)試BUSY位；BUSY1，即忙，則循環(huán)執(zhí)行L1；SMCLK/2；清除LOCK位；使能擦除功能；空寫入，清除S1；測(cè)試BUSY位；BUSY1，即忙，則循環(huán)

13、執(zhí)行L2；空寫入完成后，置位LOCK；重新使能看門狗WDTL1#FWKEY+F1+FN0,&FCTL2#FWKEY,&FCTL3 #FWKEY+ERASE,&FCTL1 &0FC10h#BUSY,&FCTL3 L2L2MOV#FWKEY+LOCK,&FCTL35.3.3Flash器的寫入寫入模式由WRT和BLKWRT位進(jìn)行設(shè)置，如表5-2所示。表5-2寫入模式Page 7 of 18BLKWRTWRT寫入模式01單字節(jié)/單字寫入11塊寫入所有的寫入模式使用一系列特有的寫入命令，采用塊寫入的速度大約是單字節(jié)/單字寫入的 2倍，因?yàn)殡妷喊l(fā)生器在塊寫入完成期間均能保持。對(duì)于這兩種寫入模式，任何能修改

14、目的操作數(shù)的指令均能用于修改地址。一個(gè)Flash字（低高字節(jié)）不能在擦除期間進(jìn)行兩次以上的寫入。否則，F(xiàn)LASH可能被損壞。當(dāng)啟動(dòng)寫入操作時(shí)BUSY位置位，寫入結(jié)束時(shí)復(fù)位。如果寫入操作由RAM器啟動(dòng)，當(dāng)BUSY1時(shí)CPU無(wú)法進(jìn)入Flash。否則，位，寫入結(jié)果將不確定。進(jìn)入將產(chǎn)生，ACCVIFG（中斷標(biāo)志）置單字節(jié)/單字寫入單字節(jié)/單字寫入可以在片內(nèi)Flash器或RAM器執(zhí)行，如果段擦除操作開(kāi)始于Flash器內(nèi)，所有的定時(shí)都由Flash控制器控制，CPU在寫入結(jié)束前將停止運(yùn)行，狀態(tài)保持不變。在寫入結(jié)束后，CPU將重新按照寫入之后的規(guī)定執(zhí)行程序代碼。節(jié)/單字寫入時(shí)間周期如圖5-7所示。圖5-7單字

15、節(jié)/單字寫入周期當(dāng)是從RAM器啟動(dòng)時(shí)， CPU能繼續(xù)的執(zhí)行RAM器中的程序代碼。在CPU可以重新進(jìn)入任何Flash地址前，BUSY位必須復(fù)位。否則這個(gè)進(jìn)入操作是問(wèn)中斷標(biāo)志）置位，寫入結(jié)果將不確定。的，ACCVIFG（訪在單字節(jié)/單字寫入模式下，產(chǎn)生的編程電壓在整個(gè)64-byte的塊編程時(shí)間段內(nèi)都供電，每次寫一個(gè)字節(jié)或字，每次需要寫27個(gè)fFTG周期（見(jiàn)圖5-7，即寫一個(gè)字或字節(jié)需要30個(gè)周期，其中只有中間27個(gè)是編程周期，頭尾3個(gè)是電壓產(chǎn)生和消除周期；一個(gè)段（segment）有256個(gè)字節(jié)，分為4個(gè)塊，每塊64字節(jié)，所以它說(shuō)加電加在“64byte的塊”）。在每個(gè)字或字節(jié)寫入時(shí)，編程電壓所加載那

16、一塊（block）的時(shí)間一直在累加。累加時(shí)間tCPT，過(guò)任何一塊所允許的編程總時(shí)間。如果累加編程時(shí)間到了，塊必須在對(duì)該塊的寫操作之前執(zhí)行擦除操作。（請(qǐng)參看詳細(xì)的）從Flash器啟動(dòng)單字節(jié)/單字寫入：從 Flash器啟動(dòng)單字節(jié)/單字寫入的操作流程如圖 5-8 所示。Page 8 of 18圖5-8Flash器啟動(dòng)單字節(jié)/單字寫入流程；由Flash啟動(dòng)單字節(jié)/單字寫入，514 kHz SMCLK 0FF1Eh；完成后清除WRT位；置位LOCK位；重新使能看門狗WDT#FWKEY+F1+FN0，&FCTL2#FWKEY，&FCTL3 #FWKEY+WRT，&FCTL1 #0123h，&0FF1Eh

17、#FWKEY，&FCTL1 #FWKEY+LOCK，&FCTL3.從RAM器啟動(dòng)單字節(jié)/單字寫入：從 RAM器啟動(dòng)單字節(jié)/單字寫入的操作流程如圖 5-9 所示。Page 9 of 18圖5-9RAM器啟動(dòng)單字節(jié)/單字寫入流程； 從RAM器啟動(dòng)單字節(jié)/單字寫入的操作，514 kHz SMCLK 0FF1Eh；測(cè)試BUSY位# FWKEY，&FCTL3# FWKEY+WRT,&FCTL1 # 0123h，&0FF1Eh# BUSY，&FCTL3L2# FWKEY，&FCTL1# FWKEY+LOCK，&FCTL3L2；BUSY1，即忙，則循環(huán)執(zhí)行L2；清除WRT位；置位LOCK；重新使能看門狗WD

18、T塊寫入當(dāng)有連續(xù)的字節(jié)或字需要進(jìn)行編程時(shí)，塊寫入的方式能提高Flash寫入的速度。在對(duì)64字節(jié)的塊進(jìn)行寫入操作的過(guò)程中，F(xiàn)lash編程電壓將會(huì)一直保持。累加時(shí)間tCPT，的編程總時(shí)間。過(guò)該塊所允許塊寫入周期不能在片內(nèi)Flash中開(kāi)始，必須從RAM器開(kāi)始。在塊寫入期間，BUSY位保Page 10 of 18持置位，在寫入每個(gè)字節(jié)或字之間需要檢測(cè)WAIT位的值，如果WAIT位置位表明下一個(gè)字節(jié)或字可以寫入了。對(duì)連續(xù)的塊進(jìn)行寫操作時(shí)，在當(dāng)前塊寫入完成時(shí)，BLKWRT位必須復(fù)位。在 FLAHS的恢復(fù)時(shí)間tend 之后，BLKWRT必須置位以初始化下塊的寫操作 。BUSY位在每個(gè)塊寫入操作完成時(shí)清零，以

19、指示下一個(gè)塊可以寫入了。塊寫入時(shí)間周期如圖5-10所示。.圖5-10Flash器塊寫入周期塊寫入流程及舉例塊寫入流程如圖5-11所示，下面為應(yīng)用舉例。Page 11 of 18Page 12 of 18圖5-11Flash器塊寫入流程； 寫入一個(gè)其實(shí)地址為0F000h的塊.；必須由RAM器啟動(dòng)執(zhí)行，假設(shè)Flash器已經(jīng)擦除；514 kHz SMCLK 952 kHz；假設(shè)ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0MOV MOV MOV BIT JNZ MOV MOV MOV MOV BIT JZ INCD DEC JNZ MOV BIT JNZ#32，R5 #0F000h，R6#WDT

20、PW+WDTHOLD，&WDTCTL #BUSY，&FCTL3L1；作為寫入計(jì)數(shù)器；寫操作數(shù)指針；停止看門狗WDT；測(cè)試BUSY位；BUSY1，即忙，則循環(huán)執(zhí)行L1；SMCLK/2；清除LOCK位L1#FWKEY+F1+FN0，&FCTL2#FWKEY，&FCTL3#FWKEY+BLKWRT+WRT，&FCTL1Write_Value,0(R6) #WAIT，&FCTL3 L3R6 R5 L2#FWKEY，&FCTL1#BUSY，&FCTL3 L4；使能塊寫入功能；寫入地址；測(cè)試WAIT位；當(dāng)WAIT=0時(shí)，循環(huán)執(zhí)行L3；指向下一個(gè)字；計(jì)數(shù)器減1；寫入是否完成？沒(méi)有則循環(huán)執(zhí)行L2；清除WRT和

21、BLKWRT位；測(cè)持BUSY位；BUSY1，即忙，則循環(huán)執(zhí)行L4 MOVL2 L3L4#FWKEY+LOCK，&FCTL3；LOCK置位；需要的話，重新使能看門狗WDT5.3.4寫入/擦除期間的Flash器在由RAM器啟動(dòng)的任意寫入/除操或BUSY1時(shí)，CPU不能讀/寫Flash。否則，將產(chǎn)生一個(gè)進(jìn)入，ACCVIFG（時(shí)對(duì)Flash進(jìn)行寫入，ACCVIFG（中斷標(biāo)志）置位，寫入結(jié)果將不確定。當(dāng)然，如果在WRT=0中斷標(biāo)志）同樣產(chǎn)生置位。Flash器不受影響。在由Flash器啟動(dòng)的任意寫入/除操或BUSY1時(shí)，F(xiàn)lash控制器將在取出下一個(gè)指令時(shí)給CPU返回操作代碼03h，相當(dāng)于指令JMPPC，

22、這就會(huì)使CPU循環(huán)執(zhí)行，直到Flash寫入操作完成。在操作完成且BUSY0時(shí)，F(xiàn)lash控制器允許CPU取出正確的操作代碼并重新運(yùn)行程序。在BUSY1時(shí)，對(duì)Flash的條件如表5-3所示。表5-3Flash的條件（BUSY1）當(dāng)EEI=0，EEIEX=0時(shí)，F(xiàn)lash操作期間中斷功能自動(dòng)無(wú)效；在MSP430 x20 xx系列沒(méi)有EEI和Page 13 of 18Flash的操作FlashWAIT位取值結(jié)果擦除或單字節(jié)/單字寫入讀0ACCVIFG=0，讀出結(jié)果為03h寫0ACCVIFG=1，寫操作被忽略取指令0ACCVIFG=0，CPU03h，相當(dāng)于指令JMPPC塊寫入任意操作0ACCVIFG=

23、1，LOCK=1讀1ACCVIFG=0，讀出結(jié)果為03h寫1ACCVIFG=0，F(xiàn)lash執(zhí)行寫操作取指令1ACCVIFG=1，LOCK=1EEIEX位的也同樣適用。Flash操作結(jié)束后，中斷功能自動(dòng)重新使能。在操作期間發(fā)生的中斷將相應(yīng)標(biāo)志位置位，在重新使能后產(chǎn)生中斷請(qǐng)求。當(dāng)EEIEX = 1，GIE = 1時(shí)，中斷將立即停止Flash的操作，并置位FAIL位。當(dāng)EEI=1，GIE=1，EEIEX=0時(shí)，每32個(gè)fFTG周期段擦除將產(chǎn)生一個(gè)中斷，在中斷服務(wù)之后，段擦除將繼續(xù)執(zhí)行32個(gè)fFTG周期，直至擦除結(jié)束。在中斷服務(wù)程序執(zhí)行時(shí)，BUSY保持置位，但是CPU可Flash器而不發(fā)生進(jìn)入。不支持

24、嵌套中斷。在擦除周期之前，看門狗（工作于看門狗模式）要停止工作。復(fù)位將停止擦除操作，使擦除結(jié)果不確定。在擦除周期結(jié)束之后，要重新使能看門狗。5.3.5停止寫入/擦除周期置位EMEX（緊急退出位）位，任意的寫入/擦除操作均可以在正常結(jié)束前被停止。設(shè)置EMEX位能立即停止當(dāng)前操作和Flash控制器。所有Flash操作停止，恢復(fù)到默認(rèn)狀態(tài)讀模式，F(xiàn)CTL1寄存器將全部復(fù)位。預(yù)計(jì)操作的結(jié)果將不可靠。5.3.6Flash控制寄存器設(shè)置和FCTLx是一個(gè)16位，有安全鍵值保護(hù)，可讀/寫的寄存器。必須用字指令，寫操作還需在高字節(jié)加入安全鍵值0A5h。鍵值出錯(cuò)將使KEYV置位并產(chǎn)生PUC（上電清除信號(hào)）系統(tǒng)復(fù)

25、位。對(duì)FCTLx的讀出需在高字節(jié)加入安全鍵值096h。在擦除或單字節(jié)/單字寫入操作期間對(duì)FCTL1進(jìn)行寫操作是的，將使ACCVIFG置位。在塊寫入模式下，當(dāng)WAIT=1時(shí)，允許寫FCTL1；但如果WAIT=0將置位ACCVIFG。當(dāng)BUSY=1時(shí)，對(duì)FCTL2的寫入是的。對(duì)FCTLx的讀操作要在BUSY=1是進(jìn)行，否則將產(chǎn)生操作。5.3.7Flash控制寄存器中斷Flash控制器有兩個(gè)中斷源：KEYV和ACCVIFG。發(fā)生操作時(shí)ACCVIFG位置位，在寫入或擦除操作之后重新置位ACCVIE位，此時(shí)ACCVIFG位的置位將產(chǎn)生一個(gè)中斷請(qǐng)求。ACCVIFG是NMI（非中斷），所以不受GIE是否置位

26、的影響。需進(jìn)行檢測(cè)ACCVIFG，確認(rèn)是否有操作發(fā)生。ACCVIFG得由復(fù)位。當(dāng)寫入錯(cuò)誤鍵值時(shí)，KEYV位（安全鍵值錯(cuò)位）置位，同時(shí)立即產(chǎn)生PUC（上電清除信號(hào)）使系統(tǒng)復(fù)位。5.3.8Flash器的編程對(duì)MSP430 Flash型單片機(jī)有三種編程方式的選擇。所有方式都支持通過(guò)JTAG接口編程通過(guò)引導(dǎo)加載程序編程通過(guò)自定義方式編程編程。通過(guò)JTAG接口編程MSP430單片機(jī)可以通過(guò)JTAG接口進(jìn)行編程。JTAG接口需要四根信號(hào)線（在20或28引腳芯片上需要5根信號(hào)線），地線，VCC和RST/NMI。JTAG接口由熔絲進(jìn)行保護(hù)，熔絲的激活是不可逆的，一旦激活就不能再片內(nèi)系統(tǒng)。詳細(xì)情況請(qǐng)參看上的使用

27、中的amming a Flash-Based MSP430 Using theJTAGerface一文。通過(guò)引導(dǎo)加載程序（Bootstrap Loader，BSL）編程MSP430 Flash型單片機(jī)均包含一個(gè)引導(dǎo)裝入程序，BSL使用戶能通過(guò)UART串行接口對(duì)Flash器和RAM器進(jìn)行編程。通過(guò)BSLFlash器由256位，用戶自定義的口令進(jìn)行保中的 atures of the MSP430 Bootstrap護(hù)。詳細(xì)情況請(qǐng)參看Loader一文。上的使用Page 14 of 18通過(guò)自定義方式編程MSP430 CPU對(duì)Flash器的和外部用戶自定義寫入方式如圖5-12所示，用戶可以選擇通過(guò)UA

28、RT, SPI等方式進(jìn)行編程。用戶自行開(kāi)發(fā)的也可以接收數(shù)據(jù)或?qū)lash器編程，從而能方便的進(jìn)行編程，擦除，更新Flash器的應(yīng)用。圖5-12用戶自定義編程方式5.4Flash器控制寄存器Flash器控制寄存器如所示。表5-4Flash器控制寄存器一覽表Flash器控制寄存器FCTL115870096h (讀)0A5h (寫)rw-0rw-0r0rw-0rw-0rw-0rw-0r0注：在MSP430 x20 xx系列中無(wú)b15-8： FRKEY/FWKEY，F(xiàn)CTLx安全鍵值讀操作為096h，寫操作為0A5h，寫入錯(cuò)誤將產(chǎn)生PUC。b7：BLKWRT，塊寫入模式選擇位在寫模式下WRT也必須置位

29、，EMEX置位時(shí)，WRT將自動(dòng)復(fù)位。0：塊寫入模式關(guān)閉1：塊寫入模式開(kāi)啟Page 15 of 18BLKWRTWRT保留EEIEXEEI+MERASERASE保留寄存器簡(jiǎn) 稱寄存器類型地址初始值(PUC后)Flash memory control register 1FCTL1可讀/寫0128h09600hFlash memory control register 2FCTL2可讀/寫012Ah09642hFlash memory control register 3FCTL3可讀/寫012Ch09658herrupt Enable 1IE1可讀/寫0000hResetb6/b0WRT ，寫模

30、式選擇位此位是用于選擇寫模式的。EMEX置位時(shí)，WRT將自動(dòng)復(fù)位。0：寫入模式關(guān)閉1：寫入模式開(kāi)啟，保留位值為0。EEIEX，緊急中斷退出使能通過(guò)設(shè)置此位，能在GIE = 1時(shí)，產(chǎn)生緊急中斷，從而跳出Flash的操作。EMEX置位后， EEIEX自動(dòng)復(fù)位。0：無(wú)作用1：中斷使能EEI，擦除中斷使能設(shè)置此位則允許段擦除產(chǎn)生中斷請(qǐng)求，中斷服務(wù)結(jié)束之后擦除周期繼續(xù)進(jìn)行。EMEX置位后，EEI自動(dòng)復(fù)位。0：無(wú)作用1：使能段擦除中斷 MERAS，集中擦除 ERASE，擦除這兩位同時(shí)用于選擇擦除模式。EMEX置位后，MERAS和ERASE將自動(dòng)復(fù)位。b5b4b3b2 b1Flash器控制寄存器FCTL21587650096h (讀)0A5h (寫)rw-0rw-1rw-0rw-0rw-0rw-0rw-1rw-0b15-8：FWKEYx，F(xiàn)CTLx安全鍵值讀操作為096h，寫操作為0A5h，寫入錯(cuò)誤將產(chǎn)生PUC。b7-6：Fx，時(shí)鐘源選擇位 ACLK MCLK SMCLK000110/11B5-0：FNx，定義時(shí)鐘源信號(hào)的分頻因子為FNx值加1。例如：FNx=00h，分