1、精選優(yōu)質文檔-傾情為你奉上 專升本CMOS模擬集成電路分析與設計一、 （共75題,共150分）1. Gordon Moore在1965年預言:每個芯片上晶體管的數(shù)目將每（）個月翻一番 （2分）A.12 B.18 C.20 D.24 .標準答案：B2. MOS管的小信號輸出電阻是由MOS管的（）效應產生的。 （2分）A.體 B.襯偏 C.溝長調制 D.亞閾值導通 .標準答案：C3. 在CMOS模擬集成電路設計中，我們一般讓MOS管工作在（）區(qū)。 （2分）A.亞閾值區(qū) B.深三極管區(qū) C.三極管區(qū) D.飽和區(qū) .標準答案：D4. MOS管一旦出現(xiàn)（）現(xiàn)象，此時的MOS管將進入飽和區(qū)。 （2分）A.

2、夾斷 B.反型 C.導電 D.耗盡 .標準答案：A5. （）表征了MOS器件的靈敏度。 （2分）A.B.C.D.標準答案：C6. Cascode放大器中兩個相同的NMOS管具有不相同的（）。 （2分）A.B.C.D.標準答案：B7. 基本差分對電路中對共模增益影響最顯著的因素是（）。 （2分）A.尾電流源的小信號輸出阻抗為有限值B.負載不匹配C.輸入MOS不匹配D.電路制造中的誤差.標準答案：C8. 下列電路不能能使用半邊電路法計算差模增益（）。 （2分）A.二極管負載差分放大器B.電流源負載差分放大器C.有源電流鏡差分放大器D.Cascode負載Casocde差分放大器.標準答案：C9. 鏡

3、像電流源一般要求相同的（）。 （2分）A.制造工藝 B.器件寬長比 C.器件寬度W D.器件長度L .標準答案：D10. 某一恒流源電流鏡如圖所示。忽略M3的體效應。要使和嚴格相等，應取為（）。 （2分）A.B.C.D.標準答案：A11. 選擇題:下列結構中密勒效應最大的是（）。 （2分）A.共源級放大器 B.源級跟隨器 C.共柵級放大器 D.共源共柵級放大器 .標準答案：A12. 下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計算該電路的等效輸入電阻為（）。 （2分）A.B.C.D.標準答案：A13. 對電路進行直流工作點分析的Hspice命令是（）。 （2分）A.DC B

4、.AC C.OP D.IC .標準答案：C14. 模擬集成電路設計中的第一步是（）。 （2分）A.電路設計 B.版圖設計 C.規(guī)格定義 D.電路結構選擇 .標準答案：C15. （）可提高圖中放大器的增益。 （2分）A.減小，減小B.增大，增大C.增大，減小D.減小，增大.標準答案：A16. 模擬集成電路設計中可使用大信號分析方法的是（）。 （2分）A.增益 B.輸出電阻 C.輸出擺幅 D.輸入電阻 .標準答案：C17. 模擬集成電路設計中可使用小信號分析方法的是（）。 （2分）A.增益 B.電壓凈空 C.輸出擺幅 D.輸入偏置 .標準答案：A18. 在NMOS中，若會使閾值電壓（） （2分）A

5、.增大 B.不變 C.減小 D.可大可小 .標準答案：A19. NMOS管中，如果VB變得更負，則耗盡層（）。 （2分）A.不變 B.變得更窄 C.變得更寬 D.幾乎不變 .標準答案：C20. 隨著微電子工藝水平提高,特征尺寸不斷減小,這時電路的工作電壓會（） （2分）A.不斷提高 B.不變 C.可大可小 D.不斷降低 .標準答案：D21. MOS管漏電流的變化量除以柵源電壓的變化量是（）。 （2分）A.電導 B.電阻 C.跨導 D.跨阻 .標準答案：C22. 工作在飽和區(qū)的MOS管，可以被看作是一個（）。 （2分）A.恒壓源 B.電壓控制電流源 C.恒流源 D.電流控制電壓源 .標準答案：B

6、23. 密勒效應最明顯的放大器是（）。 （2分）A.共源極放大器 B.源極跟隨器 C.共柵極放大器 D.共基極放大器 .標準答案：A24. 不能直接工作的共源極放大器是（）共源極放大器。 （2分）A.電阻負載 B.二極管連接負載 C.電流源負載 D.二極管和電流源并聯(lián)負載 .標準答案：C25. 模擬集成電路設計中的最后一步是（）。 （2分）A.電路設計 B.版圖設計 C.規(guī)格定義 D.電路結構選擇 .標準答案：B26. 在當今的集成電路制造工藝中，（）工藝制造的IC在功耗方面具有最大的優(yōu)勢。 （2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS .標準答案：B27. MOS器

7、件小信號模型中的是由MOS管的（）效應引起。 （2分）A.二級 B.襯偏 C.溝長調制 D.亞閾值導通 .標準答案：B28. PMOS管的導電溝道中依靠（）導電。 （2分）A.電子 B.空穴 C.正電荷 D.負電荷 .標準答案：B29. 當MOS管的寬長比是定值時，其跨導與漏源電流的關系曲線是（）。 A B C D （2分）A.見圖 B.見圖 C.見圖 D.見圖 .標準答案：D30. 如果MOS管的柵源過驅動電壓給定，L越（），輸出電流越理想。 （2分）A.大 B.小 C.近似于W D.精確 .標準答案：A31. MOS電容中對電容值貢獻最大的是（）。 （2分）A.B.C.D.標準答案：A32

8、. 下面幾種電路中增益線性度最好的是（）。 （2分）A.電阻負載共源級放大器 B.電流源負載共源級放大器 C.二極管負載共源級放大器 D.源極負反饋共源級放大器 .標準答案：C33. 電阻負載共源級放大器中，下列措施不能提高放大器小信號增益的是（）。 （2分）A.增大器件寬長比 B.增大負載電阻 C.降低輸入信號直流電平 D.增大器件的溝道長度L .標準答案：D34. 電阻負載共源級放大器中，讓輸入信號從VDD下降，NMOS管首先進入（）區(qū)。 （2分）A.亞閾值區(qū) B.深三極管區(qū) C.三極管區(qū) D.飽和區(qū) .標準答案：B35. 下圖的共源共柵放大器中，選擇合適的偏置電壓VB，讓輸入電壓Vin從

9、0逐漸增加，則先從飽和區(qū)進入線性區(qū)的MOS管是（）。 （2分）A.M1 B.M2 C.兩個同時進入 D.都有可能 .標準答案：D36. 下面放大器的小信號增益為（）。 （2分）A. B. C.1D.理論上無窮大.標準答案：A37. 下列不是基本差分對電路中尾電流的作用的是（）。 （2分）A.為放大器管提供固定偏置 B.為放大管提供電流通路 C.減小放大器的共模增益 D.提高放大器的增益 .標準答案：D38. 下圖電流鏡的輸出電壓最小值為（）。 （2分）A.B.C.D.標準答案：C39. 下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計算該電路的等效輸出電阻為（）。 （2分）A

10、.B.C.D.標準答案：B40. （）可提高圖中放大器的增益。 （2分）A.減小B.僅增大C.增大D.僅減小.標準答案：C41. MOS管的端電壓變化時，源極和漏極（）互換。 （2分）A.能 B.不能 C.不知道能不能 D.在特殊的極限情況下能 .標準答案：A42. CMOS工藝里不容易加工的器件為（）。 （2分）A.電阻 B.電容 C.電感 D.MOS管 .標準答案：C43. MOS管的特征尺寸通常是指（）。 （2分）A.W B.L C.W/L D.tox .標準答案：B44. MOS管從不導通到導通過程中，最先出現(xiàn)的是（）。 （2分）A.反型 B.夾斷 C.耗盡 D.導通 .標準答案：C4

11、5. 源極跟隨器通常不能用作（）。 （2分）A.緩沖器 B.放大器 C.電平移動 D.驅動器 .標準答案：B46. 能較大范圍提高閾值電壓的方法是（）。 （2分）A.增大MOS管尺寸 B.提高過驅動電壓 C.制造時向溝道區(qū)域注入雜質 D.增大襯底偏置效應 .標準答案：C47. PMOS管導電，依靠的是溝道中的（）。 （2分）A.電子 B.空穴 C.電荷 D.電子空穴對 .標準答案：B48. 為了讓MOS管對外表現(xiàn)出受控電流源的特性，我們通常讓其工作在（）區(qū)。 （2分）A.截止 B.三極管 C.線性 D.飽和 .標準答案：D49. MOS管中最大的電容是（）。 （2分）A.氧化層電容 B.耗盡層

12、電容 C.交疊電容 D.結電容 .標準答案：A50. MOS器件小信號模型中的是由MOS管的（）效應引起。 （2分）A.體 B.襯偏 C.溝長調制 D.亞閾值導通 .標準答案：C51. 在當今的集成電路制造工藝中，（）工藝制造的IC最容易實現(xiàn)尺寸的按比例縮小。 （2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS .標準答案：B52. （）在1965年預言:每個芯片上晶體管的數(shù)目將每18個月翻一番 （2分）A.比爾蓋茨 B.摩爾 C.喬布斯 D.貝爾 .標準答案：B53. 最常見的集成電路通常采用（）工藝制造。 （2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiC

13、MOS .標準答案：B54. 工作在（）區(qū)的MOS管，可以被看作為電流源。 （2分）A.截止 B.三極管 C.深三極管 D.飽和 .標準答案：D55. 工作在（）區(qū)的MOS管，其跨導是恒定值。 （2分）A.截止 B.三極管 C.深三極管 D.飽和 .標準答案：D56. 載流子溝道就在柵氧層下形成（），源和漏之間“導通”。 （2分）A.夾斷層 B.反型層 C.導電層 D.耗盡層 .標準答案：B57. 形成（）的柵源電壓叫閾值電壓（）。 （2分）A.夾斷層 B.反型層 C.導電層 D.耗盡層 .標準答案：B58. NMOS管中，如果VBS變得更小，則耗盡層（）。 （2分）A.不變 B.變得更窄 C

14、.變得更寬 D.幾乎不變 .標準答案：C59. NMOS管的導電溝道中依靠（）導電。 （2分）A.電子 B.空穴 C.正電荷 D.負電荷 .標準答案：A60. 當MOS管的寬長比是定值時，其跨導與過驅動電源的關系曲線是（）。 A B C D （2分）A.見圖 B.見圖 C.見圖 D.見圖 .標準答案：C61. MOS管的漏源電流受柵源過驅動電壓控制，我們定義（）來表示電壓轉換電流的能力。 （2分）A.跨導 B.受控電流源 C.跨阻 D.小信號增益 .標準答案：A62. 為溝長調制效應系數(shù)，對于較長的溝道，值（） （2分）A.較大 B.較小 C.不變 D.不定 .標準答案：B63. 共源共柵放大

15、器結構的一個重要特性就是輸出阻抗（）。 （2分）A.低 B.一般 C.高 D.很高 .標準答案：D64. NMOS管中，對閾值電壓影響最大的是（）。 （2分）A.VBS B.VGS C.VDS D.W/L .標準答案：A65. Cascode放大器中兩個尺寸相同的NMOS具有相同的（）效應。 （2分）A.溝長調制 B.體 C.背柵 D.襯底偏置 .標準答案：A66. 小信號輸出電阻相對最小的放大器是（）。 （2分）A.共源級放大器 B.源級跟隨器 C.共柵級放大器 D.共源共柵級放大器 .標準答案：B67. 差分放大器中，共模輸入電平的變化不會引起差動輸出的改變的因素是（）。 （2分）A.尾電

16、流源輸出阻抗為有限值 B.輸入MOS管不完全對稱 C.負載不完全對稱 D.輸入對管工作在飽和區(qū) .標準答案：D68. 下列不是基本差分對電路中尾電流的作用的是（）。 （2分）A.為放大器管提供固定偏置 B.為放大管提供電流通路 C.減小放大器的共模增益 D.提高放大器的增益 .標準答案：D69. 下面電路的差模小信號增益為（）。 （2分）A.B.C.D.標準答案：D70. 某一恒流源電流鏡如圖所示。忽略M3的體效應。若讓M2管工作在飽和區(qū)邊緣，應取為（）。 （2分）A.B.C.D.標準答案：B71. 下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計算該電路的等效輸出電阻為（）。 （2分）A.B.C.D.標準答案：B72. Hspice仿真中，