1、1.HITACHI 日立。1日立內(nèi)存質(zhì)量不錯(cuò)，許多PC100的皆可穩(wěn)上教你看懂內(nèi)存編碼!內(nèi)存大小識(shí)別方法（詳）內(nèi)存芯片如按廠家所屬地域來(lái)分主要有日，韓廠家，歐美及中國(guó)（含臺(tái)灣省）廠 家等等?？淳幪?hào)識(shí)內(nèi)存芯片是了解內(nèi)存的一個(gè)好方法，下面就是內(nèi)存識(shí)別資料, 供大家參考:主要的內(nèi)存芯片廠商的名稱(chēng)既芯片代號(hào)如下:現(xiàn)代電子HYUNDAI : HY 注：代號(hào)三星 SAMSUNG : KM 或 MNBM : AAA 西門(mén)子 SIEMENS : HYB富士通 FUJITSU :高士達(dá) LG-SEMICON : GM HITSUBISHI : M5MMB摩托羅拉MOTOROLA : MCMMATSUSHITA

2、:MNOKI: MSM美凱龍MICRON : MT德州儀器TMS : TI東芝 TOSHIBA : TD或TC日立 HITACHI : HMSTI : TM 日電 NEC : uPDIBM : BMNPNX :NN日本產(chǎn)系列:主要廠家有 Hitachi 日立Toshiba 東芝,NEC 日電Mitsubishi三菱等等，日產(chǎn)晶圓的特點(diǎn)是品質(zhì)不錯(cuò)，價(jià)格稍高。133MHz。它的穩(wěn)定性好，做工精細(xì)，日立內(nèi)存芯片的編號(hào)有HITACHIHM521XXXXXCTTA60 或 B60,區(qū)別是 A60 的 CL 是 2 , B60 的 CL 是 3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外頻,HITACHI

3、的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)為以下格式:HM 52 XX XX 5 X X TT-XXHM 代表是日立的產(chǎn)品，52是SDRAM，如為51則為EDO DRAM。第1、2個(gè)X代表容量。第3、4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬，40、80、16分別代表4位、8位、16位。第5個(gè)X表示是第幾個(gè)版本的內(nèi)核，現(xiàn)在至少已經(jīng)排到 "F" 了。第6個(gè)X如果是字母"L"就是低功耗?？瞻讋t為普通。TT為T(mén)SOII封裝。最后XX代表速度:75 : 7.5ns 133MHz :80 : 8ns 125MHz :A60 : 10ns PC-100 CL2B60 : 10ns PC-100 CL3例如：

4、HM5264805F-B60,是 64Mbit , 8 位輸出，100MHZ 時(shí) CL 是 3。2.NEC。NEC的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)通常為以下格式:疔 D45 XX X X XG5-AXX X-XXXuPD4代表是NEC的產(chǎn)品。"5"代表是SDRAM。第1、2個(gè)X代表容量。第3或4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬，4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位。當(dāng)數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時(shí)，使用兩位，即占用第4個(gè)X。由于NEC的標(biāo)識(shí)的長(zhǎng)度固定，這會(huì)對(duì)下面的數(shù)字造成影響。第4或5個(gè)X代表Bank。"3"或"4"代表4個(gè)Bank，在16位和3

5、2位時(shí)代 表2個(gè)Bank ； "2"代表2個(gè)Bank。第5個(gè)X，如為"1"代表LVTTL。如為16位和32位的芯片，第5個(gè)X已被 占用，則第5個(gè)X有雙重含義，如"1"代表2個(gè)Bank和LVTTL，"3"代表4個(gè)Bank 和 LVTTL。G5為T(mén)SOPII封裝。-A后的XX是代表速度:80 : 8ns 125MHz :10 : 10ns PC100 CL 3 :10B : 10ns較10慢，Tac為7 ,不完全符合PC100規(guī)范。12 : 12ns70 : PC133 :75 : PC133 :速度后的X如果是字母&

6、quot;L"就是低功耗，空白則為普通。-XXX :第一人X通常為數(shù)字，如64Mbit芯片上常為準(zhǔn)，16Mbit芯片上常對(duì)應(yīng)：44-pin TSO P-ll ; "JF"對(duì)應(yīng) 54-pin TSOPII ; "JH"對(duì)應(yīng) 86-pin TSOP-II。為7，規(guī)律不詳。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估計(jì)與封裝外型有關(guān):"NF"例如：uPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8 位，4 個(gè) Bank，在 CL=3時(shí)可工作在125MHZ 下，在

7、100MHZ 時(shí)CL可設(shè)為2。3.T0SHIBA 東芝。TOSHIBA的芯片上的標(biāo)識(shí)為以下格式:TC59S XX XX X FT X-XXTC代表是東芝的產(chǎn)品。59代表是SDRAM系列。其后的S為普通SDRAM ,R為Rambus SDRAM ，W 為 DDR SDRAM。第1、2個(gè)X代表容量。64為64Mbit，M7為128Mbit。第3、4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬，04、08、16、32分別代表4位、8位、16 位和32位。第5個(gè)X估計(jì)是用來(lái)表示內(nèi)核的版本。目前常見(jiàn)的為"B"。FT為T(mén)SOPII封裝。FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白則為普通。最后的XX

8、是代表速度:75 : 7.5ns 133MHz :80 : 8ns 125MHz :10 : 10ns 100MHz CL=3例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit ，8位，可正常工作在125MHz，且 為低功耗型號(hào)。韓國(guó)產(chǎn)系列:韓國(guó)現(xiàn)在的SEC三星和HY（現(xiàn)代，它還將LGS給兼并了）占據(jù)了世界內(nèi)存產(chǎn)量的多半份額，韓國(guó)產(chǎn)晶圓的特點(diǎn)是質(zhì)量比較穩(wěn)定，價(jià)格也較合理。1.SEC Samsung Electronics 三星。三星的SDRAM芯片的標(biāo)識(shí)為以下格式:KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FXKM代表是三星的產(chǎn)品。三星的SDRAM產(chǎn)品KM后均為4，后面的"S&

9、quot;代表普通的SDRAM，如為"H"，貝U為 DDR SDRAM。"S"前兩個(gè)XX表示數(shù)據(jù)位寬,4、8、16、32分別代表4位、8位、16位7: 7ns 143MHz :和32位。三星的容量需要自己計(jì)算一下。方法是用"S"后的X乘S前的數(shù)字，得到的結(jié)果即為容量。"0"后的第一個(gè)X代表由幾個(gè)Bank構(gòu)成。2為2個(gè)Bank，3為難個(gè)Bank。"0"后的第 2 個(gè) X,代表 in terface，1 為 SSTL，0 為 LVTTL。"0"后的第3個(gè)X與版本有關(guān)，如B、C等，

10、但每個(gè)字母下又有各個(gè)版本,在表面上并不能看得出來(lái)。"T"為T(mén)SOP封裝。速度前的"G"和"F"的區(qū)別在自刷新時(shí)的電流，"F"需要的電流較"G"小，相當(dāng) 于一般的低功耗版。"G/F"后的X代表速度:8 : 8ns 125MHz :H : 10ns PC100 CL2 或 3:L: 10ns PC100 CL3 :10 : 10ns 100MHz :例如：KM416S4031BT-GH ，是 64Mbit 16*4 : , 16 , 4 個(gè) Bank，在100MHZ 時(shí) CL=2

11、 。三星公布的標(biāo)準(zhǔn)PC133芯片:Un buffered 型:KMM3 XX s xxxx BT/BTS/ATS-GARegistered 型:KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA2.HYUNDAI 現(xiàn)代現(xiàn)在國(guó)內(nèi)常見(jiàn)的有 HY57V65XXXXATC 10 和 HY57V651XXXXXATC10 ?，F(xiàn)代的HY PC 100 SDRAM 的編號(hào)應(yīng)是 ATC 10或BTC，沒(méi)有A的或B的，就不是PC 100內(nèi)存。經(jīng)測(cè)試，發(fā)現(xiàn) HY編號(hào)為ATC10的SDRAM上133MHz時(shí)相當(dāng)困難。而編號(hào) ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。編號(hào)BTC 的 SDRAM 上 133

12、MHz 很穩(wěn)定。66841XT75 為 PC133 的，66841ET7K為PC100的。現(xiàn)代的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)為以下格式:HY 5X X XXX XX X X X X XX -XXHY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品。5X表示芯片類(lèi)型，57為一般的SDRAM，5D為DDR SDRAM。第2個(gè)X代表工作電壓，空白為 5V，"V"為3.3V, "U"為2.5V。第3-5個(gè)X代表容量和刷新速度，分別如下:64 : 64Mbits，8K Ref。16 : 16Mbits，4K Ref。65: 64Mbits ,4K Ref。128 :128Mbits,8K Ref。12

13、9 :128Mbits,4K Ref。256 :256Mbits,16K Ref。257 :256Mbits,8K Ref。第& 7個(gè)X代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬，40、80、16、32分別代表4位、 8位、16位和32位。第8個(gè)X代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成，1、2、3分別代表2個(gè)、4 個(gè)和8個(gè)Bank。是2的幕次關(guān)系。第 9 個(gè) X 一般為 0，代表 LVTTL Low Voltage TTL 接口。第10個(gè)X可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新。第11個(gè)X如為"L"則代表低功耗的芯片，如為空白則為普通芯片。第12、13個(gè)X代表封裝形式，分別如

14、下:JC:400mil SOJTC:400mil TSOP-IITD :13mm TSOP-IITG :16mm TSOP-II8 : 8ns 125MHz :10p : 10ns PC-100 CL2 或 3:最后幾位為速度:7: 7ns 143MHz :10s : 10ns PC-100 CL3 :10 : 10ns 100MHz :12 : 12ns 83MHz :15 : 15ns 66MHz :例如：常見(jiàn)的 HY57V658010CTC-10S,HY是現(xiàn)代的芯片，57說(shuō)明是SDRAM , 65 是 64Mhbit 和 4K refreshcycles/64ms ,下來(lái)的8是8位輸出,

15、10是2個(gè)Bank , C是第4個(gè)版本的內(nèi)核,TC 是 400mil TSOP-U封裝，10S-7J和-7K也LG現(xiàn)有的內(nèi)代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的產(chǎn)品,不是PC133的產(chǎn)品。-8的性能要好于-7K和-7J 。3.LGS LG Semicon LGs早已被HY現(xiàn)代納入麾下，但還是有必要單獨(dú)介紹下它。存條編號(hào)后綴為7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100規(guī)格的，速度極慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM , 7J和7K工作模式的速度參數(shù)不同，LGs 7J編號(hào)在1073222 , LGs 7K編號(hào)是1072222，兩者的主要區(qū)別是第三個(gè)反應(yīng)速度的

16、參數(shù)上。而8才是真正的8ns PC 100內(nèi)存，但國(guó)內(nèi)沒(méi)有出現(xiàn)。現(xiàn)在市面上還有很多10K的LGs內(nèi)存，速度比7J和7K差很遠(yuǎn)，但因外型相差不大，所以不少*商把10K冒充7J或7K的來(lái)賣(mài)。而7J和7K經(jīng)過(guò)測(cè)試比較，7K比7J的更優(yōu)秀，上133MHz時(shí)7K比7J更穩(wěn)定，但7K的市面上不多見(jiàn)。LGS的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)為以下格式:GM72V XX XX X 1 X X T XXGM代表為L(zhǎng)GS的產(chǎn)品。72 代表 SDRAM。第1、2個(gè)X代表容量，類(lèi)似現(xiàn)代，16為16Mbits , 66為64Mbits。第3、4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬，一般為4、8、16等，不補(bǔ)0。第5個(gè)X代表Bank , 2對(duì)應(yīng)2個(gè)B

17、ank , 4對(duì)應(yīng)4個(gè)Bank ,和現(xiàn)代的不一 樣，屬于直接對(duì)應(yīng)。第6個(gè)X表示是第幾人版本的內(nèi)核，現(xiàn)在至少已經(jīng)排到 "E"了。第7個(gè)X如果是字母"L"，就是低功耗，空白則為普通。"T"為常見(jiàn)的TSOPn封裝，現(xiàn)在還有一種 BLP封裝出現(xiàn)，為"I"。最后的XX自然是代表速度:7.5 : 7.5ns 133MHz :8 : 8ns 125MHz :7K: 10ns PC-100 CL2 或 3:7J: 10ns 100MHz :10K: 10ns 100MHz :12 : 12ns 83MHz :15 : 15ns 6

18、6MHz :例如：GM72V661641CT7K，這是 64Mbit，16 位輸出，4 個(gè) Bank，剛達(dá)至U PC-100 的要求（CL=3 ） SDRAM。三.歐美生產(chǎn)系列及其它:在歐美內(nèi)存廠商中Micron，IBM，SIEMENS西門(mén)子等都較有名氣。另外中 國(guó)臺(tái)灣省的廠家這幾年來(lái)進(jìn)步也很神速，如茂矽、臺(tái)晶、華邦、臺(tái)積電和聯(lián)華等 廠家在生產(chǎn)規(guī)模和技術(shù)上已經(jīng)趕韓超美了， 國(guó)產(chǎn)的晶圓的質(zhì)量不錯(cuò)，價(jià)格也很便 宜。1.Micron 。Micron的SDRAM芯片上標(biāo)識(shí)為以下格式:MT48 XX XX M XX AX TG-XX XMT代表是Micron的產(chǎn)品。48代表是SDRAM系列。其后的XX如

19、為L(zhǎng)C則為普通SDRAM。46V為DDR SDRAM。Mricron的容量需要自己計(jì)算一下。方法是將 XX M XX中的M前后的數(shù)字相乘，得到的結(jié)果即為容量。M后的XX表示數(shù)據(jù)位寬，4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和 32位。AX 代表 Write Recovery Twr ，女口 A2 表示 Twr=2clk 。TG為T(mén)SOPII封裝。LG為T(mén)GFP封裝。最后的XX是代表速度:7: 7ns 143MHz :75 : 7.5ns 133MHz :8X : 8ns 125MHz :其中X為AE ,字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法AE分別為：3-3-3、3-2-3、

20、3-2-2、2-2-2、2-2-2。10 : 10ns 100MHz CL3 :速度后如有L則為低耗。2.IBM。PC電腦的開(kāi)山鼻祖實(shí)力當(dāng)然不俗。IBM的PC100內(nèi)存有XXXXXXXCT3B260。IBM的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)為以下格式:IBM03 XX XX X XT3X -XXXIBM 代表為IBM的產(chǎn)品。IBM 的SDRAM 產(chǎn)品均為03。第1、2個(gè)X代表容量。第3、4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬，為40、80、16等。一般的封裝形式為T(mén)SOP。對(duì)4位數(shù)據(jù)位寬的型號(hào)，如第4個(gè)X不為0而 為B,則為T(mén)SOJ封裝。第5個(gè)X意義不詳，16Mbit上多為9，64Mbit上多為4。第6個(gè)X為P為低功耗，C

21、為普通。第7個(gè)X表示內(nèi)核的版本。最后的XXX代表速度:68 :6.8ns 147MHz :75A: 7.5NS 133MHz :260360或 222 : 10ns PC100 CL2 或 3:或 322 : 10ns PC100 CL3 在 B 版的 64Mbit 芯片中，260 和 360在 CL=3時(shí)的標(biāo)定速度為：135MHZ。10 :10NS 100MHz :例如：IBM0316809CT3D-10，16Mbit，8 位，不符合 PC-100 規(guī)范。3.SIEMENS 西門(mén)子芯片標(biāo)識(shí)：HYB39S XX xx0 x T x -xx前兩個(gè)XX為容量，最后兩位XX是速度:6 166MHz7

22、 143MHz7.5 133MHz8 125MHz8B 100MHz CL3:10 100MHz PC66 規(guī)格教你看懂內(nèi)存編碼!內(nèi)存大小識(shí)別方法（詳）內(nèi)存芯片如按廠家所屬地域來(lái)分主要有日，韓廠家，歐美及中國(guó)（含臺(tái)灣?。S 家等等?？淳幪?hào)識(shí)內(nèi)存芯片是了解內(nèi)存的一個(gè)好方法，下面就是內(nèi)存識(shí)別資料, 供大家參考:主要的內(nèi)存芯片廠商的名稱(chēng)既芯片代號(hào)如下:現(xiàn)代電子HYUNDAI : HY 注：代號(hào)三星 SAMSUNG : KM 或 MNBM : AAA 西門(mén)子 SIEMENS : HYB富士通 FUJITSU :高士達(dá) LG-SEMICON : GM HITSUBISHI : M5MMB摩托羅拉MOTO

23、ROLA : MCMMATSUSHITA :MNOKI: MSM美凱龍MICRON : MT德州儀器TMS : TI東芝 TOSHIBA : TD或TC70 : PC133 :日立 HITACHI : HM STI: TM 日電 NEC: uPDIBM : BMNPNX : NN日本產(chǎn)系列:主要廠家有 Hitachi 日立Toshiba 東芝,NEC 日電Mitsubishi三菱等等，日產(chǎn)晶圓的特點(diǎn)是品質(zhì)不錯(cuò)，價(jià)格稍高。1.HITACHI 日立。1日立內(nèi)存質(zhì)量不錯(cuò)，許多PC100的皆可穩(wěn)上133MHz。它的穩(wěn)定性好，做工精細(xì)，日立內(nèi)存芯片的編號(hào)有HITACHIHM521XXXXXCTTA60

24、或 B60,區(qū)別是 A60 的 CL 是 2 , B60 的 CL 是 3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外頻,HITACHI的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)為以下格式:HM 52 XX XX 5 X X TT-XXHM 代表是日立的產(chǎn)品，52是SDRAM，如為51則為EDO DRAM。第1、2個(gè)X代表容量。第3、4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬，40、80、16分別代表4位、8位、16位。第5個(gè)X表示是第幾個(gè)版本的內(nèi)核，現(xiàn)在至少已經(jīng)排到 "F" 了。第6個(gè)X如果是字母"L"就是低功耗?？瞻讋t為普通。TT為T(mén)SOII封裝。最后XX代表速度:75 : 7.5ns 13

25、3MHz :例如：HM5264805F-B60 ，是 64Mbit，8 位輸出，100MHZ 時(shí) CL 是 3。2.NEC。NEC的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)通常為以下格式:疔 D45 XX X X XG5-AXX X-XXXuPD4代表是NEC的產(chǎn)品。"5"代表是SDRAM。第1、2個(gè)X代表容量。第3或4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬，4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位。當(dāng)數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時(shí)，使用兩位，即占用第4個(gè)X。由于NEC的標(biāo)識(shí)的長(zhǎng)度固定，這會(huì)對(duì)下面的數(shù)字造成影響。第4或5個(gè)X代表Bank。"3"或"4"代表4個(gè)Ban

26、k，在16位和32位時(shí)代 表2個(gè)Bank ； "2"代表2個(gè)Bank。第5個(gè)X，如為"1"代表LVTTL。如為16位和32位的芯片，第5個(gè)X已被 占用，則第5個(gè)X有雙重含義，如"1"代表2個(gè)Bank和LVTTL，"3"代表4個(gè)Bank 和 LVTTL。G5為T(mén)SOPII封裝。-A后的XX是代表速度:80 : 8ns 125MHz :10 : 10ns PC100 CL 3 :10B : 10ns較10慢，Tac為7 ,不完全符合PC100規(guī)范。12 : 12ns75 : PC133 :速度后的X如果是字母"

27、;L"就是低功耗，空白則為普通。-XXX :第一人X通常為數(shù)字，如64Mbit芯片上常為準(zhǔn)，16Mbit芯片上常"NF"為7，規(guī)律不詳。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估計(jì)與封裝外型有關(guān): 對(duì)應(yīng)：44-pin TSO P-ll ； "JF"對(duì)應(yīng) 54-pin TSOPII ； "JH"對(duì)應(yīng) 86-pin TSOP-II 。例如：uPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8 位，4 個(gè) Bank，在 CL=3時(shí)可工作在125MHZ 下，在10

28、0MHZ 時(shí)CL可設(shè)為2。3.TOSHIBA 東芝。TOSHIBA的芯片上的標(biāo)識(shí)為以下格式:TC59S XX XX X FT X-XXTC代表是東芝的產(chǎn)品。59代表是SDRAM系列。其后的S為普通SDRAM ,R為Rambus SDRAM ，W 為 DDR SDRAM。第1、2個(gè)X代表容量。64為64Mbit，M7為128Mbit。第3、4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬，04、08、16、32分別代表4位、8位、16 位和32位。第5個(gè)X估計(jì)是用來(lái)表示內(nèi)核的版本。目前常見(jiàn)的為"B"。FT為T(mén)SOPII封裝。FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白則為普通。最后的XX是代

29、表速度:75 : 7.5ns 133MHz :80 : 8ns 125MHz :10 : 10ns 100MHz CL=3:例如：TC59S6408BFTL-80,64Mbit , 8位，可正常工作在125MHz，且為低功耗型號(hào)。二.韓國(guó)產(chǎn)系列:韓國(guó)現(xiàn)在的SEC三星和HY（現(xiàn)代，它還將LGS給兼并了）占據(jù)了世界內(nèi)存產(chǎn)量的多半份額，韓國(guó)產(chǎn)晶圓的特點(diǎn)是質(zhì)量比較穩(wěn)定，價(jià)格也較合理。1.SEC Samsung Electronics 三星。三星的SDRAM芯片的標(biāo)識(shí)為以下格式:KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FXKM代表是三星的產(chǎn)品。三星的SDRAM產(chǎn)品KM后均為4，后面的"S

30、"代表普通的SDRAM，如為"H"，貝U為 DDR SDRAM。"S"前兩個(gè)XX表示數(shù)據(jù)位寬，4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。三星的容量需要自己計(jì)算一下。方法是用"S"后的X乘S前的數(shù)字，得到的 結(jié)果即為容量。"0"后的第一個(gè)X代表由幾個(gè)Bank構(gòu)成。2為2個(gè)Bank，3為難個(gè)Bank。"0"后的第 2 個(gè) X,代表 in terface，1 為 SSTL，0 為 LVTTL。"0"后的第3個(gè)X與版本有關(guān)，如B、C等，但每個(gè)字母下又有各個(gè)版本,

31、在表面上并不能看得出來(lái)。"T"為T(mén)SOP封裝。速度前的"G"和"F"的區(qū)別在自刷新時(shí)的電流，"F"需要的電流較"G"小，相當(dāng)于一般的低功耗版。"G/F"后的X代表速度:7ns 143MHz :8ns 125MHz :10ns PC100 CL2 或 3: 10ns PC100 CL3 :10 : 10ns 100MHz :例如：KM416S4031BT-GH ，是 64Mbit 16*4 : , 16 , 4 個(gè) Bank，在100MHZ 時(shí) CL=2。三星公布的標(biāo)準(zhǔn)PC13

32、3芯片:HY 5X X XXX XX X X X X XX -XXUn buffered 型:Registered 型:KMM3 XX s xxxx BT/BTS/ATS-GAKMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA2.HYUNDAI 現(xiàn)代現(xiàn)在國(guó)內(nèi)常見(jiàn)的有 HY57V65XXXXATC 10 和 HY57V651XXXXXATC10 ?，F(xiàn)代的HY PC 100 SDRAM 的編號(hào)應(yīng)是ATC 10或BTC，沒(méi)有A的或B的，就不是PC 100內(nèi)存。經(jīng)測(cè)試，發(fā)現(xiàn) HY編號(hào)為ATC10的SDRAM上133MHz時(shí)相當(dāng)困難。而編號(hào) ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。編號(hào)BT

33、C 的 SDRAM 上 133MHz 很穩(wěn)定。66841XT75 為 PC133 的，66841ET7K 為PC100的?，F(xiàn)代的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)為以下格式:HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品。5X表示芯片類(lèi)型，57為一般的SDRAM , 5D為DDR SDRAM 。第2個(gè)X代表工作電壓，空白為 5V , "V"為3.3V, "U"為2.5V。第3-5個(gè)X代表容量和刷新速度，分別如下:16: 16Mbits，4K Ref。64: 64Mbits ，8K Ref。65: 64Mbits，4K Ref。128 : 128Mbits，8K Ref。129 : 128Mb

34、its，4K Ref。256 : 256Mbits，16K Ref。257 : 256Mbits，8K Ref。第& 7個(gè)X代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬，40、80、16、32分別代表4位、 8位、16位和32位。第8個(gè)X代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成，1、2、3分別代表2個(gè)、4 個(gè)和8個(gè)Bank。是2的幕次關(guān)系。第 9 個(gè) X 一般為 0，代表 LVTTL Low Voltage TTL 接口。第10個(gè)X可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新。第11個(gè)X如為"L"則代表低功耗的芯片，如為空白則為普通芯片。第12、13個(gè)X代表封裝形式，分別如下:JC:4

35、00mil SOJTD :13mm TSOP-IITG :16mm TSOP-IITC:400mil TSOP-II最后幾位為速度:7: 7ns 143MHz :8 : 8ns 125MHz :10p : 10ns PC-100 CL2 或 3:10s : 10ns PC-100 CL3 :10 : 10ns 100MHz :12 : 12ns 83MHz :15 : 15ns 66MHz :例如：常見(jiàn)的 HY57V658010CTC-10S,HY是現(xiàn)代的芯片，57說(shuō)明是SDRAM，65 是 64Mhbit 和 4K refreshcycles/64ms ，下來(lái)的8是8位輸出,10是2個(gè)Ban

36、k，C是第4個(gè)版本的內(nèi)核,TC 是 400mil TSOP-U封裝，10S不少*商把10K冒充7J或7K的來(lái)賣(mài)。而7J和7K經(jīng)過(guò)測(cè)試比較，7K比7J的更-7J和-7K也LG現(xiàn)有的內(nèi)代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的產(chǎn)品,不是PC133的產(chǎn)品。-8的性能要好于-7K和-7J 。3.LGS LG Semicon LGs早已被HY現(xiàn)代納入麾下，但還是有必要單獨(dú)介紹下它。存條編號(hào)后綴為7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100規(guī)格的，速度極慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度參數(shù)不同，LGs 7J編號(hào)在1073222，LGs 7K編號(hào)

37、是1072222，兩者的主要區(qū)別是第三個(gè)反應(yīng)速度的參數(shù)上。而8才是真正的8ns PC 100內(nèi)存，但國(guó)內(nèi)沒(méi)有出現(xiàn)。現(xiàn)在市面上還有很多10K的LGs內(nèi)存，速度比7J和7K差很遠(yuǎn)，但因外型相差不大，所以?xún)?yōu)秀，上133MHz時(shí)7K比7J更穩(wěn)定，但7K的市面上不多見(jiàn)。LGS的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)為以下格式:GM72V XX XX X 1 X X T XXGM代表為L(zhǎng)GS的產(chǎn)品。72 代表 SDRAM 。第1、2個(gè)X代表容量，類(lèi)似現(xiàn)代，16為16Mbits，66為64Mbits。第3、4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬，一般為4、8、16等，不補(bǔ)0。第5個(gè)X代表Bank，2對(duì)應(yīng)2個(gè)Bank，4對(duì)應(yīng)4個(gè)Bank ,和現(xiàn)代的不一 樣，屬于直接對(duì)應(yīng)。第6個(gè)X表示是第幾人版本的內(nèi)核，現(xiàn)在至少已經(jīng)排到 "E"了。第7個(gè)X如果是字母"L"，就是低功耗，空白則為普通。"T"為常見(jiàn)的TSOPn封裝，現(xiàn)在還有一種 BLP封裝出現(xiàn)，為"I"。最后的XX自然是代表速度:7.5 : 7.5ns 133MHz :8 : 8ns 125MHz :7K: 10ns PC-100 CL2 或 3:7J: 10ns 100MHz :10K: 10ns 100MHz :12 : 12ns 83MHz :15 : 15ns