1、轉(zhuǎn)載電磁爐檢修方法2008-12-05 11:51:14|分類(lèi)： 維修資料查閱|標(biāo)簽：|字號(hào)大中小訂閱防止損壞電磁爐IGBT的方法電磁爐里的IGBT實(shí)在是“嬌氣”.弄不好幾十塊錢(qián)就沒(méi)啦.!在檢修時(shí)先去掉加熱線(xiàn) 圈，.測(cè)IGBT的柵級(jí)（也就是G點(diǎn)）對(duì)地電壓.在待機(jī)狀態(tài)下應(yīng)小于等于 0.5V.在開(kāi) 機(jī)時(shí)應(yīng)在12.5V之間為正常，.前不久修理一個(gè)雅樂(lè)思電磁爐,G點(diǎn)電壓為3,5V, 結(jié)果加上線(xiàn)圈后,3,4分鐘，就爆啦，原因是一個(gè)三極管NPN型的擊穿，更換后，測(cè)G 點(diǎn)電壓間隔出現(xiàn)1.9V電壓，后又接上100W燈泡,也是間隔閃亮，最后通電試機(jī)，一切OK壓敏電阻短路從外表就可以看出來(lái)，使用市電不穩(wěn)的地方壓敏

2、損壞率大些。電磁燒igbt原因很多，這里建議修理電磁爐最好可以有臺(tái)示波器.這樣可以方面準(zhǔn) 確判斷故障.這里提供電磁爐爆igbt幾大隱患問(wèn)題.一;同步電路異常（在線(xiàn)圈盤(pán)兩端的有35個(gè)的300k680k/2瓦的電阻，接到339的其中的一組的比較器）兩端的電壓相差應(yīng)在0.2v之內(nèi).待機(jī)時(shí)電壓在3v5v左右，工作時(shí)在1.7v左右.二;激勵(lì)電路的脈寬過(guò)寬，尖峰，雜波等（脈寬過(guò)寬用示波器，在放上鍋時(shí)，移走鍋時(shí) 示波器波形瞬間的波形變化不能超過(guò) 0.2mv（示波器上兩格）三;散熱不良四;電路板自身設(shè)計(jì)存在問(wèn)題（主要問(wèn)題：地線(xiàn)不合理,線(xiàn)圈盤(pán)電感與電容匹配不良） 此類(lèi)很難解決五;使用早期仙童fga25n120,

3、fga15n120 系列的igbt（igbt的后綴編號(hào)an和and）電磁爐，特別用此igbt用大功率的電磁爐上，電路設(shè)計(jì)稍微匹配不良，就很容易引起igbt過(guò)熱而燒毀.六；一般電容壞的比較多，特別是整流濾波電容"5UF/275VX2（400VDC）",逆程, 諧振電容1200V0.3UF,兩者都會(huì)威脅功率開(kāi)關(guān)管，好一點(diǎn)的爐對(duì)前者會(huì)有保護(hù) 功能，對(duì)后者，一般都會(huì)燒功率開(kāi)關(guān)，所以碰到燒管的爐，一定先檢查該電容有無(wú)開(kāi)路，因?yàn)樵搩蓚€(gè)電容經(jīng)常工作在高溫環(huán)境里，容易容量變小或開(kāi)路，漏電很多的朋友可能碰到過(guò)不少電磁爐間斷加熱的問(wèn)題，有的是工作一秒鐘就停掉 了，冉工作一秒，或者有的是幾秒，就

4、停掉，再工作幾秒，如此反復(fù)，還有一種 問(wèn)題，跟這種情況差不多，就是正常放鍋的時(shí)候就總是在檢鍋狀態(tài)，而你把鍋拿 高一點(diǎn)就可以正常加熱，這種問(wèn)題，往往你檢查的時(shí)候，卻查不到什么問(wèn)題，什 么都換了卻問(wèn)題依舊，對(duì)付這種故障，經(jīng)過(guò)本人的多次維修案例和研究，發(fā)現(xiàn)問(wèn) 題的根源是走線(xiàn)干擾，一般來(lái)說(shuō)，從高壓反饋回來(lái)的可能有2到4路，其中同步電路就占了兩路，還有一路作浪涌監(jiān)測(cè)，還有一路作高壓檢測(cè)，根據(jù)機(jī)型不同 也許路數(shù)就不同，問(wèn)題的根源呢就在這幾條線(xiàn)，解決的方法呢，就是把從反饋電 阻到339之間這幾路的線(xiàn)路斷開(kāi)，要兩邊都斷，然后再用導(dǎo)線(xiàn)連起來(lái)就可以了， 也就是說(shuō)中間的這一截線(xiàn)路不要，從反饋電阻的腳到339的腳完全

5、用線(xiàn)連，這樣呢這幾條線(xiàn)就沒(méi)有了干擾，電磁爐也就 OK 了。這些只是個(gè)人的維修經(jīng)驗(yàn)， 有不對(duì)的地方請(qǐng)大家批評(píng)指正電磁爐的分類(lèi)及修理事項(xiàng)在修理中常見(jiàn)的電磁爐大致分為兩類(lèi)：由LM339 （四電壓比較器）輸出脈沖信號(hào)。1 ： 觸發(fā)部分由正負(fù)兩組電源，管子用PNPNPN 組成，類(lèi)似這種電路，后級(jí)大多是用大功率管多個(gè)復(fù)合而成，組成高壓開(kāi)關(guān)部分，在代換中，前一個(gè)用帶阻尼的行管替代即可。后幾個(gè)則很難找到特性一致的管子，解決的辦法是在散熱器安裝孔允許的情況下改用大電流的管子以減少數(shù)量，金屬封裝得如：BUS13A等，塑封的如：BU2525/BU2527/BU2532/D3998 一類(lèi)，用兩個(gè)就可以。2：功控管用I

6、GBT 絕緣柵開(kāi)關(guān)器件；這些機(jī)器特征是不用雙電源觸發(fā)，只有+5V 和 +12V,LM339 通過(guò)觸發(fā)集成塊TA8316 帶動(dòng) IGBT這種情況下只能用此一類(lèi)的管子代替， 損壞程度大致為， 只有管子壞， 換上即可。其次是整流橋同時(shí)損壞，（一般是燒半壁），在其次是觸發(fā)集成塊TA8316 壞，連帶 LM339N 一起損壞的很少見(jiàn)。對(duì)于高壓模塊，由于這方面的參數(shù)手冊(cè)很少，希望大家搜集轉(zhuǎn)貼，以便代換時(shí)參考。不能貿(mào)然更換,最好有示波器先測(cè)其G 極波形及幅值（沒(méi)有的話(huà)用萬(wàn)用表測(cè)此點(diǎn)直流電壓應(yīng)在1-2.5 伏之間變化）.接上線(xiàn)盤(pán)前要確定其它幾路小電源供電正常.2.1.2 IGBT絕緣柵雙極晶體管（Iusula

7、ted Gate Bipolar Transistor） 簡(jiǎn)稱(chēng) IGBT, 是一種集BJT的大電流密度和MOSFET 等電壓激勵(lì)場(chǎng)控型器件優(yōu)點(diǎn)于一體的高壓、高速大功率器件。目前有用不同材料及工藝制作的IGBT, 但它們均可被看作是一個(gè)MOSFET 輸入跟隨一個(gè)雙極型晶體管放大的復(fù)合結(jié)構(gòu)。IGBT有三個(gè)電極（見(jiàn)上圖），分別稱(chēng)為柵極G（也叫控制極或門(mén)極卜集電極C（亦稱(chēng) 漏極）及發(fā)射極E（也稱(chēng)源極）。從 IGBT 的下述特點(diǎn)中可看出, 它克服了功率MOSFET 的一個(gè)致命缺陷, 就是于高壓大電流工作時(shí), 導(dǎo)通電阻大, 器件發(fā)熱嚴(yán)重, 輸出效率下降。IGBT 的特點(diǎn) :1 . 電流密度大, 是 MOS

8、FET 的數(shù)十倍。2 .輸入阻抗高, 柵驅(qū)動(dòng)功率極小, 驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。3 .低導(dǎo)通電阻。在給定芯片尺寸和BVceo 下 , 其導(dǎo)通電阻Rce（on） 不大于MOSFET 的 Rds（on） 的 10%。4. 擊穿電壓高, 安全工作區(qū)大, 在瞬態(tài)功率較高時(shí)不會(huì)受損壞。5.開(kāi)關(guān)速度快, 關(guān)斷時(shí)間短,耐壓1kV1.8kV 的約 1.2us、 600V 級(jí)的約 0.2us, 約為 GTR 的 10%, 接近于功率MOSFET, 開(kāi)關(guān)頻率直達(dá)100KHz, 開(kāi)關(guān)損耗僅為GTR 的 30%。IGBT 將場(chǎng)控型器件的優(yōu)點(diǎn)與GTR 的大電流低導(dǎo)通電阻特性集于一體, 是極佳的高速高壓半導(dǎo)體功率器件。目前 458

9、 系列因應(yīng)不同機(jī)種采了不同規(guī)格的IGBT, 它們的參數(shù)如下:（1） SGW25N120 西門(mén)子公司出品,耐壓1200V, 電流容量25時(shí) 46A,100 時(shí)25A,內(nèi)部不帶阻尼二極管，所以應(yīng)用時(shí)須配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管（D11）使用，該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管（D11）后可代用SKW25N120 。（2） SKW25N120 西門(mén)子公司出品,耐壓 1200V, 電流容量25時(shí)46A,100 時(shí)25A, 內(nèi)部帶阻尼二極管,該 IGBT 可代用 SGW25N120, 代用時(shí)將原配套SGW25N120 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。（3） GT40Q3

10、21 東芝公司出品,耐壓 1200V, 電流容量25時(shí)42A,100 時(shí)23A, 內(nèi)部帶阻尼二極管, 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用SGW25N120 時(shí)請(qǐng)將原配套該IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。（4） GT40T101 東芝公司出品,耐壓 1500V, 電流容量25時(shí)80A,100 時(shí) 40A,內(nèi)部不帶阻尼二極管, 所以應(yīng)用時(shí)須配套15A/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管（D11）使用，該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管（D11）后可代用SGW25N120 、 SKW25N120 、 GT40Q321, 配套 15A/

11、1500V 以上的快速恢復(fù)二極管（D11）后可代用GT40T301。（5） GT40T301 東芝公司出品,耐壓1500V, 電流容量25時(shí) 80A,100 時(shí)40A, 內(nèi)部帶阻尼二極管, 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120 、GT40Q321 、 GT40T101, 代用 SGW25N120 和 GT40T101 時(shí)請(qǐng)將原配套該IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。（6） GT60M303 -東芝公司出品，耐壓900V,電流容量25 c時(shí)120A,100 C時(shí)60A, 內(nèi)部帶阻尼二極管。請(qǐng)玉版評(píng)說(shuō).GT40T101-東芝公司出品，耐壓1500V,電流容量

12、25 c時(shí)80A,100 C時(shí)40A,內(nèi)部不帶阻尼二極管,所以應(yīng)用時(shí)須配套15A/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管（D11）使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管（D11）后可代用SGW25N120 、 SKW25N120 、 GT40Q321, 配套 15A/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管（D11）后可代用GT40T301?！盙T40T101 內(nèi)部不帶阻尼二極管，為何我買(mǎi)的帶阻尼二極管，是假的嗎？可裝機(jī)用1 個(gè)多月沒(méi)壞呀（25 元呢順便說(shuō)明:我說(shuō)的用G25N120 代換加阻尼管,不是說(shuō)此管內(nèi)部不帶阻尼管,（實(shí)際上它內(nèi)部已附帶阻尼管,）只是我在維修時(shí)先加上試機(jī)正常后再去掉,

13、為的是防止機(jī)子還有其它問(wèn)題而引起燒了它從而避免過(guò)大的損失, 裝上此管再并是一支阻尼后要是還有其它問(wèn)題一般只會(huì)燒外加阻尼而不會(huì)燒功率管.電磁爐維修經(jīng)驗(yàn)（一）1、 PD16F/16Y/13J 老版（大單機(jī)68H1908 ）1 、現(xiàn)象：上電長(zhǎng)鳴，指示燈全亮方法：更換R53： 1/6W-10K 為 1/6W-4.7K 或 1/4W-4.7K2、 PD16F/16Y/16J-2002 （小單片機(jī)1202）1 、現(xiàn)象：正常電壓開(kāi)機(jī)長(zhǎng)鳴方法：更換R15： 1W-330K± 1%2 、不檢鍋方法 ：撥掉排線(xiàn)（功率板到控制板）， 測(cè)量R16： 1W-330K± 1%； R17、 R18：1W

14、-240K± 1% 是否正常，更換不正常電阻。如無(wú)法測(cè)，則直接更換R16： 1W-330K± 1%，不正常再更換R17、 R18：1W-240K± 1% 。3 、上電無(wú)反應(yīng)：測(cè)量功率板橋堆、保險(xiǎn)管是否損壞，如橋堆損壞而IGBT 未短路則更換橋堆保險(xiǎn)管。3、 PSD18C/D/E1 、出現(xiàn) E07、 E08方法：更換R310： 1W-330K± 1%2 、不檢鍋方法：撥掉排線(xiàn)測(cè)量R300： 1W-330K± 1%； R305、 R304： 1W-240K± 1%，更換不正常電阻，如無(wú)法測(cè)量則直接更換R300： 1W-330K±

15、 1%；還不正常，則更換 R304、 R305： 1W-240K± 1%3 、上電無(wú)反應(yīng)方法：同第二大點(diǎn)中第3 小點(diǎn)電磁爐維修經(jīng)驗(yàn)（二 ）1. 電磁爐無(wú)論有什么故障,在更換元件后, 一定不要急于接上線(xiàn)盤(pán)試機(jī), 否則會(huì)引起燒壞 IGBT 和保險(xiǎn)管,甚至整流橋。應(yīng)該在不接線(xiàn)盤(pán)的情況下，通電測(cè)試各點(diǎn)電壓，比如5V、12V、20V（有的18V、22V）,和驅(qū)動(dòng)電路輸出的波型（正常是方波 ），也可以用數(shù)字萬(wàn)用表20V 檔測(cè)試（正常電壓不斷波動(dòng)）。因?yàn)橐话汶姶艩t都有鍋具檢測(cè)，大概30 秒左右,要測(cè)驅(qū)動(dòng)輸出要在開(kāi)機(jī)的30 秒內(nèi)，看不清楚可關(guān)機(jī)再開(kāi)，檢測(cè)正常后再接上線(xiàn)盤(pán)即可。2. 電磁爐壞之后，檢測(cè)

16、電路不要一開(kāi)始就懷疑芯片有問(wèn)題（95% 以上芯片不會(huì)的故障）,就算芯片有問(wèn)題都要到生產(chǎn)該電磁爐的廠(chǎng)家才有,市場(chǎng)買(mǎi)不到,市場(chǎng)上的型號(hào)相同都不能代換。3. 通電后報(bào)警關(guān)機(jī)，這類(lèi)問(wèn)題比較多。有的廠(chǎng)家設(shè)有故障代碼,參照使用說(shuō)明可逐一解決。如果沒(méi)故障代碼顯示,應(yīng)檢查鍋底溫度、鍋具、IGBT 溫度檢測(cè)電路。電磁爐常用整流橋型號(hào)及參數(shù)RBV-2006/20A/600VRBV2506/25A/600VK15T120 此管是帶阻的，可用H20T120 代，或用其它帶阻的IGBT 代均可。比如 40N150 ， 25G120 等都可使用G40N150D 就可以看看這些如何：SGW25N120DK25T120G25

17、N120DFGA25N120MGY25N120DIRG30B120G18N120BNAFSIGC25T120CSG25N120參數(shù)如下 :（1） SGW25N120 西門(mén)子公司出品,耐壓 1200V, 電流容量25時(shí)46A,100 時(shí)25A,內(nèi)部不帶阻尼二極管，所以應(yīng)用時(shí)須配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管（D11）使用，該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管（D11）后可代用SKW25N120 。（2） SKW25N120 西門(mén)子公司出品,耐壓1200V, 電流容量25時(shí)46A,100 時(shí)25A, 內(nèi)部帶阻尼二極管,該 IGBT 可代用 SGW25N120, 代用時(shí)將原配套

18、SGW25N120 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。（3） GT40Q321 東芝公司出品,耐壓1200V, 電流容量25時(shí) 42A,100 時(shí)23A, 內(nèi)部帶阻尼二極管, 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用SGW25N120 時(shí)請(qǐng)將原配套該IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。（4） GT40T101 東芝公司出品,耐壓 1500V, 電流容量25時(shí)80A,100 時(shí) 40A,內(nèi)部不帶阻尼二極管, 所以應(yīng)用時(shí)須配套15A/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管（D11）使用，該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管（D11）后可代用SGW

19、25N120 、 SKW25N120 、 GT40Q321, 配套 15A/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管（D11）后可代用GT40T301。（5） GT40T301 東芝公司出品,耐壓1500V, 電流容量25時(shí) 80A,100 時(shí)40A, 內(nèi)部帶阻尼二極管, 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120 、GT40Q321 、 GT40T101, 代用 SGW25N120 和 GT40T101 時(shí)請(qǐng)將原配套該IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝公布一些電磁爐用功率管的型號(hào)，代換，參數(shù)GT40Q321 ， FGL40N150D ， FGL60N170D ，F(xiàn)GA

20、25N120 ，SK25N120，G40N150D ， FGA25N135 ，1MBH25D-120 ，GP20B120UD-E ，IXGH20N120BDI ，以上功率管內(nèi)部都帶阻尼管，耐壓都在1200V 以上電流在20A 以上只要電流相差不多都可以互相代換。000000000000SGW25N120 ， K15T120 。， 如果要代換一上功率管時(shí)可以在電路板上安裝2 個(gè)以上的阻尼二極管耐壓1200V 以上，電流在8A 以上我們換IGBT都用20T120的通帶（小的TGBT）大的用GT40T101就行了用快恢復(fù)二極管撒，我們換IGBT都用20T120的通帶（小的TGBT）大的用GT40T1

21、01 就行了阻尼管二極管可選用：BY459大量維修實(shí)踐表明，電磁爐（灶）內(nèi)的部分元器件因工作溫度較高，工作電流較大，電壓較高等，其故障或損壞概率也較高。其中的場(chǎng)效應(yīng)功率管損壞率最高。但由于商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈，一般都不隨機(jī)附帶圖紙，加之電磁爐所采用的場(chǎng)效應(yīng)功率管一般均為較新產(chǎn)品，這便給維修帶來(lái)不便和困難。下面筆者根據(jù)匯集來(lái)的相關(guān)資料，提供幾種常用電磁爐場(chǎng)效應(yīng)功率管及代換資料供參考。電磁爐一般均采用N型溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管，其相關(guān)參數(shù)為 BVCB® 1600V ,BVCE® 1000V , PC陣100W, ICMI> 7A, HFE> 40。常用的電磁爐用場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部帶阻尼

22、二極管的型號(hào)有 GT40N150D 、GT40T301、SEC G40N150D、ZON120ND、GT40T101、SQD35JA 等。內(nèi)部不帶阻尼二極管的型號(hào)有BT40T101 、 SGL40N150/150D 等。在維修代換時(shí)，若采用不帶阻尼二極管的功率場(chǎng)效應(yīng)管，應(yīng)在D、 S 極間加接一只阻尼二極管，該二極管必須是快恢復(fù)型阻尼二極管，其耐壓應(yīng)1500/。加接時(shí)正極接S極，負(fù)極接D極即可。參考型號(hào)如S5J53、BY4591500 等。在負(fù)載電磁線(xiàn)圈和功率管之間用一只 100W的燈泡再通電試機(jī)，可以防止燒管電磁爐原理與維修1.1電磁加熱原理電磁灶是一種利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)換為熱能的廚房電

23、器。在電磁灶內(nèi)部，由整流電路將50/60HZ的交流電壓變成直流電壓，再經(jīng)過(guò)控制電路將直流 電壓轉(zhuǎn)換成頻率為20-40KHZ的高頻電壓，高速變化的電流流過(guò)線(xiàn)圈會(huì)產(chǎn)生高速 變化的磁場(chǎng)，當(dāng)磁場(chǎng)內(nèi)的磁力線(xiàn)通過(guò)金屬器皿 （導(dǎo)磁又導(dǎo)電材料）底部金屬體內(nèi)產(chǎn) 生無(wú)數(shù)的小渦流，使器皿本身自行高速發(fā)熱，然后再加熱器皿內(nèi)的東西。1.2 458系列筒介458系列是由建安電子技術(shù)開(kāi)發(fā)制造廠(chǎng)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的新一代電磁爐，介面有LED發(fā)光二極管顯示模式、LED數(shù)碼顯示模式、LCD液晶顯示模式、VFD 瑩光顯示模式機(jī)種。操作功能有加熱火力調(diào)節(jié)、自動(dòng)恒溫設(shè)定、定時(shí)關(guān)機(jī)、預(yù)約 開(kāi)/關(guān)機(jī)、預(yù)置操作模式、自動(dòng)泡茶、自動(dòng)煮飯、自動(dòng)煲粥、自動(dòng)

24、煲湯及煎、炸、 烤、火鍋等料理功能機(jī)種。額定加熱功率有 7003000W的不同機(jī)種，功率調(diào)節(jié) 范圍為額定功率的85%,并且在全電壓范圍內(nèi)功率自動(dòng)恒定。200240V機(jī)種電 壓使用范圍為160260V, 100120V 機(jī)種電壓使用范圍為90735V。全系列機(jī) 種均適用于50、60Hz的電壓頻率。使用環(huán)境溫度為-23C45C。電控功能有鍋 具超溫保護(hù)、鍋具干燒保護(hù)、鍋具傳感器開(kāi)/短路保護(hù)、2小時(shí)不按鍵（忘記關(guān)機(jī)） 保護(hù)、IGBT溫度限制、IGBT溫度過(guò)高保護(hù)、低溫環(huán)境工作模式、IGBT測(cè)溫傳 感器開(kāi)/短路保護(hù)、高低電壓保護(hù)、浪涌電壓保護(hù)、VCE抑制、VCE過(guò)高保護(hù)、過(guò)零檢測(cè)、小物檢測(cè)、鍋具材質(zhì)檢

25、測(cè)。458系列須然機(jī)種較多，且功能復(fù)雜，但不同的機(jī)種其主控電路原理一樣，區(qū)別只是零件參數(shù)的差異及CPU程序不同而己。電路的各項(xiàng)測(cè)控主要由一塊8位4K內(nèi)存的單片機(jī)組成，外圍線(xiàn)路簡(jiǎn)單且零件極少,并設(shè)有故障報(bào)警功能，故電路可靠性高，維修容易，維修時(shí)根據(jù)故障報(bào)警指示，對(duì)應(yīng)檢修相關(guān)單元電路，大部分均可輕易解決。二、原理分析2.1特殊零件簡(jiǎn)介2.1.1 LM339集成電路LM339內(nèi)置四個(gè)翻轉(zhuǎn)電壓為6mV的電壓比較器，當(dāng)電壓比較器輸入端電壓正向時(shí)（+輸入端電壓高于-入輸端電壓），置于LM339內(nèi)部控制輸出端的三極管截止，此時(shí)輸出端相當(dāng)于開(kāi)路；當(dāng)電壓比較器輸入端電壓反向時(shí)（-輸入端電壓高于+輸入端電壓），置

26、于LM339內(nèi)部控制輸出端的三極管導(dǎo)通，將比較器外部接入輸出端的電壓拉低，此時(shí)輸出端為0V。2.1.2 IGBT絕緣柵雙極晶體管（lusulated Gate Bipolar Transistor） 簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT,是一種集 BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵(lì)場(chǎng)控型器件優(yōu)點(diǎn)于一體的高壓、高速 大功率器件。目前有用不同材料及工藝制作的IGBT,但它們均可被看作是一個(gè)MOSFET 輸入跟隨一個(gè)雙極型晶體管放大的復(fù)合結(jié)構(gòu)。IGBT 有三個(gè)電極（見(jiàn)上圖），分別稱(chēng)為柵極G（也叫控制極或門(mén)極）、集電極C（亦稱(chēng)漏極）及發(fā)射極E（也 稱(chēng)源極 ） 。 從 IGBT 的下述特點(diǎn)中可看出, 它克服了功率MOS

27、FET 的一個(gè)致命缺陷 , 就是于高壓大電流工作時(shí), 導(dǎo)通電阻大, 器件發(fā)熱嚴(yán)重, 輸出效率下降。IGBT 的特點(diǎn) :1. 電流密度大, 是 MOSFET 的數(shù)十倍 。 2.輸入阻抗高, 柵驅(qū)動(dòng)功率極小, 驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。3. 低導(dǎo)通電阻。在給定芯片尺寸和BVceo 下 , 其導(dǎo)通電阻Rce（on）不大于 MOSFET 的 Rds（on） 的 10%。 4.擊穿電壓高, 安全工作區(qū)大, 在瞬態(tài)功率較高時(shí)不會(huì)受損壞。5.開(kāi)關(guān)速度快, 關(guān)斷時(shí)間短,耐壓1kV1.8kV 的約 1.2us、600V 級(jí)的約 0.2us, 約為 GTR 的 10%,接近于功率MOSFET, 開(kāi)關(guān)頻率直達(dá)100KHz, 開(kāi)

28、關(guān)損耗僅為GTR 的 30%。 IGBT 將場(chǎng)控型器件的優(yōu)點(diǎn)與GTR 的大電流低導(dǎo)通電阻特性集于一體, 是極佳的高速高壓半導(dǎo)體功率器件。 目前 458 系列因應(yīng)不同機(jī)種采了不同規(guī)格的IGBT,它們的參數(shù)如下：（1） SGW25N120 西門(mén)子公司出品,耐壓1200V, 電流容量25時(shí) 46A,100時(shí) 25A, 內(nèi)部不帶阻尼二極管,所以應(yīng)用時(shí)須配套6A/1200V 以上的快速恢復(fù)二極管（D11）使用，該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管（D11）后可代用 SKW25N120 。 （2） SKW25N120 西門(mén)子公司出品,耐壓 1200V, 電流容量25時(shí)46A,100 c時(shí)25

29、A,內(nèi)部帶阻尼二極管，該IGBT可代用SGW25N120，代用時(shí)將 原配套 SGW25N120 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。（3） GT40Q321 東芝公司出品,耐壓 1200V, 電流容量25時(shí)42A,100 時(shí) 23A, 內(nèi)部帶阻尼二極管,該 IGBT 可代用 SGW25N120、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 時(shí)請(qǐng)將原配套 該 IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 （4） GT40T101 東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25 c時(shí)80A,100 C時(shí)40A,內(nèi)部不帶阻尼二極管，所以應(yīng)用時(shí)須 配套15A/1500V以上的快速恢復(fù)二極管（D11）

30、使用，該IGBT配套6A/1200V以 上的快速恢復(fù)二極管（D11）后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321,配套15A/1500V以上的快速恢復(fù)二極管（D11）后可代用GT40T301。（5） GT40T301 東芝公司出品,耐壓 1500V, 電流容量25時(shí) 80A,100 時(shí) 40A, 內(nèi)部帶阻尼二極管, 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120 、 GT40Q321 、GT40T101, 代用 SGW25N120 和 GT40T101 時(shí)請(qǐng)將原配套該IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。（6） GT60M303 -東芝公司出品，耐

31、壓900V,電流容量 25時(shí)120A,100 時(shí) 60A, 內(nèi)部帶阻尼二極管。2.3 主回路原理分析時(shí)間t1t2 時(shí)當(dāng)開(kāi)關(guān)脈沖加至Q1 的 G 極時(shí) ,Q1 飽和導(dǎo)通，電流i1從電源流過(guò)L1,由于線(xiàn)圈感抗不允許電流突變.所以在t1t2時(shí)間i1隨 線(xiàn)性上升,在 t2 時(shí)脈沖結(jié)束,Q1 截止 ,同樣由于感抗作用,i1 不能立即變0,于是向C3充電,產(chǎn)生充電電流i2,在t3時(shí)間,C3電荷充滿(mǎn)，電流變0,這時(shí)L1的磁場(chǎng)能量 全部轉(zhuǎn)為C3 的電場(chǎng)能量,在電容兩端出現(xiàn)左負(fù)右正,幅度達(dá)到峰值電壓,在 Q1 的CE 極間出現(xiàn)的電壓實(shí)際為逆程脈沖峰壓+電源電壓,在 t3t4 時(shí)間 ,C3 通過(guò) L1 放電完畢

32、,i3 達(dá)到最大值,電容兩端電壓消失,這時(shí)電容中的電能又全部轉(zhuǎn)為L(zhǎng)1 中的磁能 ,因感抗作用,i3 不能立即變0,于是L1 兩端電動(dòng)勢(shì)反向,即 L1 兩端電位左正右負(fù),由于阻尼管D11 的存在 ,C3 不能繼續(xù)反向充電,而是經(jīng)過(guò)C2、 D11 回流 ,形成電流i4,在t4時(shí)間,第二個(gè)脈沖開(kāi)始到來(lái)，但這時(shí)Q1的UE為正,UC為負(fù)，處于 反偏狀態(tài),所以Q1 不能導(dǎo)通,待 i4 減小到 0,L1 中的磁能放完,即到t5 時(shí) Q1 才開(kāi)始第二次導(dǎo)通,產(chǎn)生 i5 以后又重復(fù)i1i4 過(guò)程,因此在L1 上就產(chǎn)生了和開(kāi)關(guān)脈沖f(20KHz30KHz) 相同的交流電流。t4t5 的 i4 是阻尼管D11 的導(dǎo)

33、通電流,在高頻電流一個(gè)電流周期里,t2t3 的 i2 是線(xiàn)盤(pán)磁能對(duì)電容C3 的充電電流,t3t4的i3是逆程脈沖峰壓通過(guò)L1放電的電流，t4t5的i4是L1兩端電動(dòng)勢(shì)反向時(shí) , 因 D11 的存在令C3 不能繼續(xù)反向充電, 而經(jīng)過(guò)C2、 D11 回流所形成的阻尼電流,Q1 的導(dǎo)通電流實(shí)際上是i1。 Q1 的 VCE 電壓變化:在靜態(tài)時(shí),UC 為輸入電源經(jīng)過(guò)整流后的直流電源,t1t2,Q1 飽和導(dǎo)通,UC 接近地電位,t4t5, 阻尼管 D11 導(dǎo)通 ,UC 為負(fù)壓(電壓為阻尼二極管的順向壓降),t2t4, 也就是 LC 自由振蕩的半個(gè)周期,UC 上出現(xiàn)峰值電壓,在 t3 時(shí) UC 達(dá)到最大值。

34、以上分析證實(shí)兩個(gè)問(wèn)題 :一是在高頻電流的一個(gè)周期里,只有i1 是電源供給L 的能量 ,所以 i1 的大小就決定加熱功率的大小,同時(shí)脈沖寬度越大,t1t2 的時(shí)間就越長(zhǎng),i1 就越大,反之亦然 ,所以要調(diào)節(jié)加熱功率, 只需要調(diào)節(jié)脈沖的寬度;二是 LC 自由振蕩的半周期時(shí)間是出現(xiàn)峰值電壓的時(shí)間,亦是Q1 的截止時(shí)間,也是開(kāi)關(guān)脈沖沒(méi)有到達(dá)的時(shí)間,這個(gè)時(shí)間關(guān)系是不能錯(cuò)位的, 如峰值脈沖還沒(méi)有消失,而開(kāi)關(guān)脈沖己提前到來(lái),就會(huì)出現(xiàn)很大的導(dǎo)通電流使Q1 燒壞 ,因此必須使開(kāi)關(guān)脈沖的前沿與峰值脈沖后沿相同步。2.4 振蕩電路(1) 當(dāng) G 點(diǎn)有 Vi 輸入時(shí)、V7 OFF 時(shí) (V7=0V), V5 等于 D

35、12與D13的順向壓降，而當(dāng)V6<V5之后,V7由OFF轉(zhuǎn)態(tài)為ON,V5亦上升至Vi,而 V6 則由 R56、 R54 向 C5 充電 。 (2) 當(dāng) V6>V5 時(shí) ,V7 轉(zhuǎn)態(tài)為 OFF,V5 亦降至 D12 與 D13 的順向壓降, 而 V6 則由 C5 經(jīng) R54、 D29 放電。 (3) V6 放電至小于V5時(shí) , 又重復(fù) (1) 形成振蕩?！癎 點(diǎn)輸入的電壓越高, V7 處于 ON 的時(shí)間越長(zhǎng), 電磁爐的加熱功率越大,反之越小 ”。2.5 IGBT 激勵(lì)電路振蕩電路輸出幅度約4.1V 的脈沖信號(hào),此電壓不能直接控制 IGBT(Q1) 的飽和導(dǎo)通及截止,所以必須通過(guò)激勵(lì)電

36、路將信號(hào)放大才行,該電路工作過(guò)程如下:(1) V8 OFF 時(shí) (V8=0V),V8<V9,V10 為高 ,Q8 和 Q3 導(dǎo)通、 Q9 和 Q10 截 止 ,Q1 的 G 極為 0V,Q1 截止。 (2) V8 ON 時(shí) (V8=4.1V),V8>V9,V10 為低 ,Q8 和 Q3 截止、 Q9 和 Q10 導(dǎo)通 ,+22V 通過(guò) R71 、 Q10 加至 Q1 的 G 極 ,Q1 導(dǎo)通。2.6 PWM 脈寬調(diào)控電路CPU 輸出 PWM 脈沖到由R6、 C33、 R16 組成的積分電路, PWM 脈沖寬度越寬,C33 的電壓越高,C20 的電壓也跟著升高,送到振蕩電路 (G 點(diǎn)

37、 )的控制電壓隨著C20 的升高而升高, 而 G 點(diǎn)輸入的電壓越高, V7處于ON的時(shí)間越長(zhǎng)，電磁爐的加熱功率越大，反之越小?！癈PU!過(guò)才5制PWM 脈沖的寬與窄, 控制送至振蕩電路G 的加熱功率控制電壓， 控制了 IGBT 導(dǎo)通時(shí)間的長(zhǎng)短,結(jié)果控制了加熱功率的大小”。 2.7 同步電路R78、 R51 分壓產(chǎn)生V3,R74+R75 、 R52 分壓產(chǎn)生V4, 在高頻電流的一個(gè)周期里,在 t2t4 時(shí)間 (圖1),由于 C3 兩端電壓為左負(fù)右正,所以V3<V4,V5OFF(V5=0V) 振蕩電路V6>V5,V7 OFF(V7=0V), 振蕩沒(méi)有輸出,也就沒(méi)有開(kāi)關(guān)脈沖加至Q1 的

38、G 極 ,保證了 Q1 在 t2t4 時(shí)間不會(huì)導(dǎo)通, 在 t4t6 時(shí)間 ,C3 電容兩端電壓消失, V3>V4, V5上升 ,振蕩有輸出,有開(kāi)關(guān)脈沖加至Q1 的 G 極。以上動(dòng)作過(guò)程,保證了加到Q1 G極上的開(kāi)關(guān)脈沖前沿與Q1 上產(chǎn)生的VCE 脈沖后沿相同步。2.8 加熱開(kāi)關(guān)控制(1)當(dāng)不加熱時(shí),CPU 19 腳輸出低電平(同時(shí)13 腳也停止PWM 輸出 ), D18 導(dǎo)通 ,將 V8 拉低,另 V9>V8, 使 IGBT 激勵(lì)電路停止輸出,IGBT 截止,則加熱停止。(2)開(kāi)始加熱時(shí), CPU 19 腳輸出高電平,D18 截止,同時(shí)13 腳開(kāi)始間隔輸出PWM 試探信號(hào),同時(shí)CP

39、U 通過(guò)分析電流檢測(cè)電路和VAC 檢測(cè)電路反饋的電壓信息、VCE檢測(cè)電路反饋的電壓波形變化情況,判斷是否己放入適合的鍋具,如果判斷己放入適合的鍋具,CPU13 腳轉(zhuǎn)為輸出正常的PWM 信號(hào),電磁爐進(jìn)入正常加熱狀態(tài),如果電流檢測(cè)電路、VAC 及 VCE 電路反饋的信息,不符合條件,CPU 會(huì)判定為所放入的鍋具不符或無(wú)鍋, 則繼續(xù)輸出PWM 試探信號(hào) , 同時(shí)發(fā)出指示無(wú)鍋的報(bào)知信息(祥見(jiàn)故障代碼表),如 1 分鐘內(nèi)仍不符合條件,則關(guān)機(jī) 。 2.9 VAC 檢測(cè)電路AC220V由 D1 、 D2 整流的脈動(dòng)直流電壓通過(guò)R79、 R55 分壓、 C32 平滑后的直流電壓送入 CPU, 根據(jù)監(jiān)測(cè)該電壓的

40、變化,CPU 會(huì)自動(dòng)作出各種動(dòng)作指令:(1) 判別輸入的電源電壓是否在充許范圍內(nèi),否則停止加熱,并報(bào)知信息(祥見(jiàn)故障代碼表)。 (2) 配合電流檢測(cè)電路、VCE 電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令(祥見(jiàn)加熱開(kāi)關(guān)控制及試探過(guò)程一節(jié))。 (3) 配合電流檢測(cè)電路反饋的信息及方波電路監(jiān)測(cè)的電源頻率信息,調(diào)控 PWM 的脈寬 ,令輸出功率保持穩(wěn)定。 “電源輸入標(biāo)準(zhǔn)220V± 1V 電壓,不接線(xiàn)盤(pán)(L1) 測(cè)試 CPU 第 7腳電壓,標(biāo)準(zhǔn)為1.95V± 0.06V”。 2.10 電流檢測(cè)電路電流互感器CT 二次測(cè)得的AC 電壓,經(jīng) D20D23 組成的橋式整

41、流電路整流、 C31 平滑,所獲得的直流電壓送至 CPU, 該電壓越高,表示電源輸入的電流越大, CPU 根據(jù)監(jiān)測(cè)該電壓的變化,自動(dòng)作出各種動(dòng)作指令:(1) 配合 VAC 檢測(cè)電路 、 VCE 電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令(祥見(jiàn)加熱開(kāi)關(guān)控制及試探過(guò)程一節(jié))。 (2) 配合 VAC 檢測(cè)電路反饋的信息及方波電路監(jiān)測(cè)的電源頻率信息,調(diào)控 PWM 的脈寬,令輸出功率保持穩(wěn)定。2.11 VCE 檢測(cè)電路將IGBT(Q1) 集電極上的脈沖電壓通過(guò)R76+R77 、 R53分壓送至Q6 基極,在發(fā)射極上獲得其取樣電壓,此反影了Q1 VCE 電壓變化的信息送入 CPU, CP

42、U 根據(jù)監(jiān)測(cè)該電壓的變化,自動(dòng)作出各種動(dòng)作指令:(1) 配合 VAC 檢測(cè)電路、電流檢測(cè)電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具 , 作出相應(yīng)的動(dòng)作指令(祥見(jiàn)加熱開(kāi)關(guān)控制及試探過(guò)程一節(jié))。(2) 根據(jù) VCE 取樣電壓值,自動(dòng)調(diào)整PWM 脈寬 ,抑制 VCE 脈沖幅度不高于1100V(此值適用于耐壓1200V的IGBT,耐壓1500V的IGBT抑制值為1300V)。(3) 當(dāng)測(cè)得其它原因?qū)е罺CE 脈沖高于1150V 時(shí) (此值適用于耐壓1200V的 IGBT, 耐壓 1500V 的 IGBT 此值為 1400V),CPU 立即發(fā)出停止加熱指令(祥見(jiàn)故障代碼表)。2.12 浪涌電壓監(jiān)測(cè)電路電源

43、電壓正常時(shí),V14>V15,V16 ON(V16 約 4.7V),D17 截止 ,振蕩電路可以輸出振蕩脈沖信號(hào),當(dāng)電源突然有浪涌電壓輸入時(shí),此電壓通過(guò)C4 耦合,再經(jīng)過(guò)R72、 R57 分壓取樣,該取樣電壓通過(guò)D28 另 V15 升高,結(jié)果V15>V14 另 IC2C比較器翻轉(zhuǎn),V16 OFF(V16=0V),D17 瞬間導(dǎo)通,將振蕩電路輸出的振蕩脈沖電壓V7 拉低,電磁爐暫停加熱,同時(shí) ,CPU 監(jiān)測(cè)到 V16 OFF 信息,立即發(fā)出暫止加熱指令 ,待浪涌電壓過(guò)后、V16 由 OFF 轉(zhuǎn)為 ON 時(shí) ,CPU 再重新發(fā)出加熱指令。2.13 過(guò)零檢測(cè)當(dāng)正弦波電源電壓處于上下半周時(shí),

44、 由 D1 、 D2 和整流橋DB 內(nèi)部交流兩輸入端對(duì)地的兩個(gè)二極管組成的橋式整流電路產(chǎn)生的脈動(dòng)直流電壓通過(guò)R73、 R14分壓的電壓維持Q11 導(dǎo)通 ,Q11 集電極電壓變0, 當(dāng)正弦波電源電壓處于過(guò)零點(diǎn)時(shí) ,Q11 因基極電壓消失而截止,集電極電壓隨即升高,在集電極則形成了與電源過(guò)零點(diǎn)相同步的方波信號(hào),CPU 通過(guò)監(jiān)測(cè)該信號(hào)的變化,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令。2.14 鍋底溫度監(jiān)測(cè)電路加熱鍋具底部的溫度透過(guò)微晶玻璃板傳至緊貼玻璃板底的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻,該電阻阻值的變化間接反影了加熱鍋具的溫度變化（溫度/阻值祥見(jiàn)熱敏電阻溫度分度表）,熱敏電阻與R58 分壓點(diǎn)的電壓變化其實(shí)反影了熱敏電阻阻值的變化,

45、即加熱鍋具的溫度變化, CPU 通過(guò)監(jiān)測(cè)該電壓的變化,作出相2.15 IGBT 溫度監(jiān)測(cè)電路IGBT 產(chǎn)生的溫度透過(guò)散熱片傳至緊貼其上的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻TH,該電阻阻值的變化間接反影了 IGBT的溫度變化（溫度/阻值祥見(jiàn)熱敏電阻溫度分度表）,熱敏電阻與R59 分壓點(diǎn)的電壓變化其實(shí)反影了熱敏電阻阻值的變化,即 IGBT 的溫度變化, CPU 通過(guò)監(jiān)測(cè)該電壓的變化,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令 :（1） IGBT結(jié)溫高于85c時(shí)，調(diào)整PWM的輸出，令I(lǐng)GBT結(jié)溫085：。（2）當(dāng)IGBT 結(jié)溫由于某原因（例如散熱系統(tǒng)故障）而高于95時(shí), 加熱立即停止, 并報(bào)知信息（祥見(jiàn)故障代碼表）。 （3） 當(dāng)熱敏電阻T

46、H 開(kāi)路或短路時(shí), 發(fā)出不啟動(dòng)指令,并報(bào)知相關(guān)的信息（祥見(jiàn)故障代碼表）。 （4） 關(guān)機(jī)時(shí)如IGBT 溫度 >50 ,CPU 發(fā)出風(fēng)扇繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)指令,直至溫度<50 （繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)超過(guò)4分鐘如溫度仍>50 , 風(fēng)扇停轉(zhuǎn) ;風(fēng)扇延時(shí)運(yùn)轉(zhuǎn)期間,按 1 次關(guān)機(jī)鍵,可關(guān)閉風(fēng)扇）。 （5） 電磁爐剛啟動(dòng)時(shí),當(dāng)測(cè)得環(huán)境溫度<0 ,CPU 調(diào)用低溫監(jiān)測(cè)模式加熱1 分鐘 , 1 分鐘后再轉(zhuǎn)用正常監(jiān)測(cè)模式 ,防止電路零件因低溫偏離標(biāo)準(zhǔn)值造成電路參數(shù)改變而損壞電磁爐。2.16 散熱系統(tǒng)將 IGBT 及整流器DB 緊貼于散熱片上,利用風(fēng)扇運(yùn)轉(zhuǎn)通過(guò)電磁爐進(jìn)、 出風(fēng)口形成的氣流將散熱片上的熱及線(xiàn)盤(pán)L1

47、等零件工作時(shí)產(chǎn)生的熱、加熱鍋具輻射進(jìn)電磁爐內(nèi)的熱排出電磁爐外。CPU 發(fā)出風(fēng)扇運(yùn)轉(zhuǎn)指令時(shí),15 腳輸出高電平,電壓通過(guò) R5 送至 Q5 基極 ,Q5 飽和導(dǎo)通,VCC 電流流過(guò)風(fēng)扇、Q5 至地 , 風(fēng)扇運(yùn)轉(zhuǎn);CPU 發(fā)出風(fēng)扇停轉(zhuǎn)指令時(shí),15 腳輸出低電平,Q5 截止 ,風(fēng)扇因沒(méi)有電流流過(guò)而停轉(zhuǎn)。 2.17 主電源 AC220V 50/60Hz 電源經(jīng)保險(xiǎn)絲FUSE, 再通過(guò)由CY1 、 CY2、C1、共模線(xiàn)圈L1組成的濾波電路（針對(duì)EMC傳導(dǎo)問(wèn)題而設(shè)置，祥見(jiàn)注解），再通過(guò)電流互感器至橋式整流器DB, 產(chǎn)生的脈動(dòng)直流電壓通過(guò)扼流線(xiàn)圈提供給主回路使用 ;AC1 、 AC2 兩端電壓除送至輔助電源

48、使用外,另外還通過(guò)印于PCB 板上的保險(xiǎn)線(xiàn)P.F.送至D1、D2整流得到脈動(dòng)直流電壓作檢測(cè)用途。 注解：由于中國(guó) 大陸目前并未提出電磁爐須作強(qiáng)制性電磁兼容 （EMC）認(rèn)證，基于成本原因，內(nèi)銷(xiāo)產(chǎn) 品大部分沒(méi)有將CY1 、 CY2 裝上 ,L1 用跳線(xiàn)取代,但基本上不影響電磁爐使用性能。 2.18 輔助電源AC220V 50/60Hz 電壓接入變壓器初級(jí)線(xiàn)圈,次級(jí)兩繞組分別產(chǎn)生 13.5V 和 23V 交流電壓 。 13.5V 交流電壓由D3D6 組成的橋式整流電路整流 、 C37 濾波,在 C37 上獲得的直流電壓VCC 除供給散熱風(fēng)扇使用外,還經(jīng)由IC1三端穩(wěn)壓IC 穩(wěn)壓、 C38 濾波,產(chǎn)生

49、+5V 電壓供控制電路使用。23V 交流電壓由D7D10 組成的橋式整流電路整流、C34 濾波后 , 再通過(guò)由Q4、 R7、 ZD1 、C35、 C36 組成的串聯(lián)型穩(wěn)壓濾波電路,產(chǎn)生+22V 電壓供 IC2 和 IGBT 激勵(lì)電路使用。2.19報(bào)警電路電磁爐發(fā)出報(bào)知響聲時(shí)，CPU14腳輸出幅度為5V、頻率 3.8KHz的脈沖信號(hào)電壓至蜂鳴器 ZD,令ZD發(fā)出報(bào)知響聲。三、故障維修458 系列須然機(jī)種較多,且功能復(fù)雜,但不同的機(jī)種其主控電路原理一樣,區(qū)別只是零件參數(shù)的差異及CPU 程序不同而己。 電路的各項(xiàng)測(cè)控主要由一塊 8 位 4K 內(nèi)存的單片機(jī)組成,外圍線(xiàn)路簡(jiǎn)單且零件極少,并設(shè)有故障報(bào)警功

50、能 ,故電路可靠性高,維修容易,維修時(shí)根據(jù)故障報(bào)警指示,對(duì)應(yīng)檢修相關(guān)單元電路,大部分均可輕易解決。3.2 主板檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)由于電磁爐工作時(shí),主回路工作在高壓、大電流狀態(tài)中，所以對(duì)電路檢查時(shí)必須將線(xiàn)盤(pán)(L1)斷開(kāi)不接，否則極容易在測(cè) 試時(shí)因儀器接入而改變了電路參數(shù)造成燒機(jī)。接上線(xiàn)盤(pán)試機(jī)前,應(yīng)根據(jù)3.2.1<<主板檢測(cè)表>>對(duì)主板各點(diǎn)作測(cè)試后,一切符合才進(jìn)行。3.2.1 主板檢測(cè)表3.2.2 主板測(cè)試不合格對(duì)策(1)上電不發(fā)出聲-如果按開(kāi)/關(guān)鍵指示燈亮，則應(yīng)為蜂 鳴器 BZ 不良 , 如果按開(kāi)/關(guān)鍵仍沒(méi)任何反應(yīng),再測(cè) CUP 第 16 腳 +5V 是否正常,如不正常 ,按下面第

51、(4)項(xiàng)方法查之,如正常,則測(cè)晶振X1 頻率應(yīng)為4MHz 左右(沒(méi)測(cè)試儀器可換入另一個(gè)晶振試),如頻率正常,則為IC3 CPU 不良 。 (2) CN3 電壓低于305V 如果確認(rèn)輸入電源電壓高于AC220V 時(shí) ,CN3 測(cè)得電壓偏低,應(yīng)為C2 開(kāi)路或容量下降，如果該點(diǎn)無(wú)電壓，則檢查整流橋DB交流輸入兩端有否AC220V, 如有，則檢查L(zhǎng)2、DB,如沒(méi)有，則檢查互感器CT初級(jí)是否開(kāi)路、電源入端至整流 橋入端連線(xiàn)是否有斷裂開(kāi)路現(xiàn)象。(3) +22V 故障 沒(méi)有 +22V 時(shí) ,應(yīng)先測(cè)變壓器次級(jí)有否電壓輸出,如沒(méi)有 ,測(cè)初級(jí)有否AC220V 輸入 ,如有則為變壓器故障, 如果變壓器次級(jí)有電壓輸出

52、,再測(cè)C34 有否電壓,如沒(méi)有,則檢查C34 是否短路、D7D10 是否不良、Q4 和 ZD1 這兩零件是否都擊穿, 如果 C34 有電壓,而 Q4很熱 ,則為 +22V 負(fù)載短路,應(yīng)查 C36、 IC2 及 IGBT 推動(dòng)電路,如果 Q4 不是很熱,則應(yīng)為 Q4 或 R7 開(kāi)路 、 ZD1 或 C35 短路 。 +22V 偏高時(shí) ,應(yīng)檢查Q4、 ZD1。 +22V偏低時(shí)，應(yīng)檢查ZD1、C38、R7,另外，+22V負(fù)載過(guò)流也會(huì)令+22V偏低,但此時(shí)Q4會(huì)很熱。+5V故障-沒(méi)有+5V時(shí)，應(yīng)先測(cè)變壓器次級(jí)有否電壓輸出，如沒(méi)有, 測(cè)初級(jí)有否AC220V 輸入 ,如有則為變壓器故障, 如果變壓器次級(jí)有

53、電壓輸出,再測(cè) C37 有否電壓,如沒(méi)有 ,則檢查C37、 IC1 是否短路、D3D6 是否不良, 如果C37 有電壓 ,而 IC4 很熱,則為+5V 負(fù)載短路 , 應(yīng)查 C38 及 +5V 負(fù)載電路 。 +5V 偏高時(shí),應(yīng)為IC1 不良。 +5V 偏低時(shí),應(yīng)為IC1 或 +5V 負(fù)載過(guò)流,而負(fù)載過(guò)流IC1 會(huì)很熱。(5)待機(jī)時(shí)V.G點(diǎn)電壓高于0.5V-待機(jī)時(shí)測(cè)V9電壓應(yīng)高于2.9V(小于 2.9V 查 R11、 +22V),V8 電壓應(yīng)小于0.6V(CPU 19 腳待機(jī)時(shí)輸出低電平將V8 拉低 ),此時(shí) V10 電壓應(yīng)為Q8 基極與發(fā)射極的順向壓降(約為0.6V), 如果 V10 電壓為0V

54、,則查R18、Q8、IC2D,如果此時(shí)V10電壓正常，則查Q3、Q8、Q9、Q10、 D19。 (6) V16 電壓 0V測(cè) IC2C 比較器輸入電壓是否正向(V14>V15 為正向 ),如果是正向，斷開(kāi)CPU第11腳再測(cè)V16,如果V16恢復(fù)為4.7V以上，則為CPU 故障，斷開(kāi)CPU第11腳V16仍為0V,則檢查R19、IC2C。如果測(cè)IC2C比較 器輸入電壓為反向，再測(cè)V14應(yīng)為3V(低于3V查R60、C19)，再測(cè)D28正極電壓 高于負(fù)極時(shí)，應(yīng)檢查D27、C4,如果D28正極電壓低于負(fù)極，應(yīng)檢查R20、IC2C。(7) VAC 電壓過(guò)高或過(guò)低過(guò)高檢查R55, 過(guò)低查 C32、 R

55、79。 (8) V3 電壓過(guò)高或過(guò)低 過(guò)高檢查R51 、 D16, 過(guò)低查 R78、 C13。 (9) V4 電壓過(guò)高或過(guò)低過(guò)高檢查R52、 D15, 過(guò)低查 R74、 R75。 (10) Q6 基極電壓過(guò)高或過(guò)低過(guò)高檢查 R53、 D25, 過(guò)低查 R76、 R77、 C6。 (11) D24 正極電壓過(guò)高或過(guò)低過(guò)高檢查 D24 及接入的30K 電阻 , 過(guò)低查 R59、 C16。 (12) D26 正極電壓過(guò)高或過(guò)低 過(guò)高檢查D26 及接入的30K 電阻 , 過(guò)低查R58、 C18。 (13) 動(dòng)檢時(shí) Q1 G極沒(méi)有試探電壓首先確認(rèn)電路符合<<主板測(cè)試表>>中第112 測(cè)試步驟標(biāo)準(zhǔn)要求,如果不符則對(duì)應(yīng)上述方法檢查,如確認(rèn)無(wú)誤,測(cè) V8 點(diǎn)如有間隔試探信號(hào)電壓,則檢查 IGBT 推動(dòng)電路 ,如 V8 點(diǎn)沒(méi)有間隔試探信號(hào)電壓出現(xiàn),再測(cè)Q7 發(fā)射極有否間隔試探信號(hào)電壓,如有 ,則檢查振蕩電路、同步電路,如果Q7 發(fā)射極沒(méi)有間隔試探信號(hào)電壓