第三章 存儲器與I/O空間,TMS320C2000器件有4種可獨立選擇的空間，共224K字： (1) 64K字的程序存儲器空間：存放要執(zhí)行的指令及程序執(zhí)行時使用的數(shù)據(jù) (2) 64K字的局部數(shù)據(jù)存儲器空間：存放指令使用的數(shù)據(jù)。 (3) 32K字的全局數(shù)據(jù)存儲器空間：通過擴展外部存儲器得到，用來存放與其他處理器共用的數(shù)據(jù)。 (4) 64K字的I/O空間：用于與外部的設(shè)備接口和片內(nèi)外設(shè)寄存器。,這224K字空間包括 片內(nèi)存儲器、外部存儲器和I/O設(shè)備。 片內(nèi)存儲器操作的優(yōu)點：速度快，功耗小。 外部存儲器操作的優(yōu)點：可以訪問更大的地址空間。 TMS320C2000器件設(shè)計以改進的哈佛結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，存儲空間可由3組16位的并行總線訪問，即 程序地址總線(PAB)， 數(shù)據(jù)讀地址總線(DRAB)， 數(shù)據(jù)寫地址總線(DWAB)。 3組總線的操作是獨立的，因此可以同時訪問程序空間和數(shù)據(jù)空間，即在一個給定的機器周期里，中央算術(shù)邏輯單元(CALU)可執(zhí)行3種存儲器操作。, 3.1 存儲器的類型,TMS320C2000器件的片內(nèi)存儲器有4種類型： （1）片內(nèi)雙訪問存儲器(DARAM) （2）片內(nèi)單訪問程序/數(shù)據(jù)存儲器(SARAM) （3）掩模型片內(nèi)ROM存儲器 （4）閃速存儲器(Flash), 3.1 存儲器的類型,TMS320C2000器件的片內(nèi)存儲器有4種類型： （1）片內(nèi)雙訪問存儲器(DARAM) （2）片內(nèi)單訪問程序/數(shù)據(jù)存儲器(SARAM) （3）掩模型片內(nèi)ROM存儲器 （4）閃速存儲器(Flash)：,DARAM：單個機器周期可被訪問兩次的存儲器。 所有C2000器件都有片內(nèi)DARAM，分為三塊：B0，B1，B2。 可被配置為數(shù)據(jù)存儲器，也可配置為程序存儲器。 （只對 B0塊）, 3.1 存儲器的類型,TMS320C2000器件的片內(nèi)存儲器有4種類型： （1）片內(nèi)雙訪問存儲器(DARAM) （2）片內(nèi)單訪問程序/數(shù)據(jù)存儲器(SARAM) （3）掩模型片內(nèi)ROM存儲器 （4）閃速存儲器(Flash)：,SARAM：每個機器周期僅能訪問一次的存儲器。 C2000的有些器件內(nèi)含有SARAM 。 SARAM可配置為程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器。 配置為內(nèi)部程序存儲器SARAM時，程序代碼可以從片外ROM調(diào)入，并被全速執(zhí)行。, 3.1 存儲器的類型,TMS320C2000器件的片內(nèi)存儲器有4種類型： （1）片內(nèi)雙訪問存儲器(DARAM) （2）片內(nèi)單訪問程序/數(shù)據(jù)存儲器(SARAM) （3）掩模型片內(nèi)ROM存儲器 （4）閃速存儲器(Flash)：,由生產(chǎn)廠家已寫好程序的存儲器，用戶只能讀不能寫。 有些C2000器件片內(nèi)有掩模型ROM作為程序存儲器。 如果用戶需要定制掩模型片內(nèi)ROM，可按目標文件格式提供程序代碼或數(shù)據(jù)，由芯片生產(chǎn)廠家對ROM進行掩模。, 3.1 存儲器的類型,TMS320C2000器件的片內(nèi)存儲器有4種類型： （1）片內(nèi)雙訪問存儲器(DARAM) （2）片內(nèi)單訪問程序/數(shù)據(jù)存儲器(SARAM) （3）掩模型片內(nèi)ROM存儲器 （4）閃速存儲器(Flash)：,電可擦除與編程的非易失性程序存儲器。 適合系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)。, 3.2 程序存儲器,程序存儲器存放應(yīng)用程序的代碼、表格信息和固定操作數(shù) TMS320C2000器件可尋址的程序存儲器地址有64K字。 C2000器件的程序存儲器類型： 片內(nèi)DARAM (B0塊） 片內(nèi)SARAM 片內(nèi)ROM / Flash 片外ROM,1程序存儲器地址分配 （TMS320LF2407型號芯片） 0000003Fh： 中斷向量地址 00400043h： 保留地址 00447FFFh： 片內(nèi)Flash （32K字） 800087FFh： 片內(nèi)SARAM（2K字） 8800 FDFFh：片外ROM FE00FEFFh： 保留區(qū)；訪問該區(qū)與 訪問FF00FFFFh區(qū)相同。 FF00FFFFh： 片內(nèi)DARAM（B0） （256字）,2程序存儲器的配置,MP/MC引腳： MP/MC = 0（接地）： 微控制器方式， 配置為片內(nèi)ROM/Flash MP/MC = 1（接高電平）： 微處理器方式， 配置為片外ROM,2程序存儲器的配置,2）CNF位： 決定片內(nèi)DARAM(B0)的地址映射 CNF = 1： 256字的片內(nèi)DARAM(B0)被配置到程序存儲器空間(FF00FFFFh) CNF = 0： 不可訪問的片內(nèi)程序DARAM （B0被配置到數(shù)據(jù)存儲器空間） 注意：B0 無論是被配置到程序空間，還是被配置到數(shù)據(jù)存儲器空間，都是同一物理存儲器塊,2程序存儲器的配置,3）PON位（SCSR2-D0） PON = 1 ： SARAM被映射到片內(nèi)程序空間（800087FFh）； PON = 0 ： SARAM不被映射到片內(nèi)程序空間。 （SARAM可能被映射到片內(nèi)數(shù)據(jù)空間）, 3.3 局部數(shù)據(jù)存儲器,1C2000器件片內(nèi)都有3個DARAM塊：B0、B1、B2。 B0塊有256個字，可配置為數(shù)據(jù)存儲器或程序存儲器。 B1塊有256個字，只能作為數(shù)據(jù)存儲器。 B2塊有32個字，只能作為數(shù)據(jù)存儲器。 2有些C2000器件還有片內(nèi)SARAM塊，它們可用做程序和或數(shù)據(jù)存儲器。 3訪問數(shù)據(jù)存儲器有直接尋址模式和間接尋址模式。 使用直接尋址時，將數(shù)據(jù)有儲器按地址分塊，每塊128個字為一頁。64K數(shù)據(jù)存儲器可分為512個數(shù)據(jù)頁，記為0511頁。頁地址由頁地址指針DP決定。,4數(shù)據(jù)存儲器空間配置（TMS320LF2407型號芯片）,4數(shù)據(jù)存儲器空間配置（TMS320LF2407型號芯片）,2） DARAM(B0) 由CNF位決定片內(nèi)DARAM(B0)的地址映射 CNF = 0： DARAM(B0)被配置到數(shù)據(jù)存儲器空間 （地址：0200h02FFh，256字） 占兩頁地址指針: 000000100b 000000101b LDP #04h ;頁內(nèi)地址 ，0200 027Fh LDP #05h ;頁內(nèi)地址, 0280 02FFh CNF = 1：無可訪問的片內(nèi)數(shù)據(jù)DARAM （被配置到程序存儲器空間）,4數(shù)據(jù)存儲器空間配置（TMS320LF2407型號芯片）,3）DARAM(B1) (地址030003FFh，256字) 占兩頁地址指針: 000000110b 000000111b LDP #06h ;頁內(nèi)地址 ，0300 037Fh LDP #07h ;頁內(nèi)地址, 0380 03FFh,4數(shù)據(jù)存儲器空間配置（TMS320LF2407型號芯片）,4） SARAM DON位（SCSR2-D1）： DON = 1 SARAM被映射到片內(nèi)數(shù)據(jù)空間 （地址：08000FFFh）； DON = 0 SARAM不被映射到片內(nèi)數(shù)據(jù)空間。,4數(shù)據(jù)存儲器空間配置（TMS320LF2407型號芯片）,5） 片外數(shù)據(jù)存儲器 （地址：8000hFFFFh）,4數(shù)據(jù)存儲器空間配置（TMS320LF2407型號芯片）,6） 片內(nèi)外設(shè)寄存器地址： 70007FFFh,片內(nèi)外設(shè)的存儲器映射配置圖, 3.4 全局數(shù)據(jù)存儲器,用來存放與其他處理器共用的數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)存儲器， 通過外部擴展得到。 數(shù)據(jù)存儲器可作為局部(或本地)數(shù)據(jù)存儲器和全局數(shù)據(jù)存儲器使用。 數(shù)據(jù)存儲器的低32K字(00007FFFh)總是用做局部數(shù)據(jù)存儲器， 數(shù)據(jù)存儲器的高32K字(8000FFFFh)可用做全局數(shù)據(jù)存儲器，其分布由全局存儲器分配寄存器(GREG)確定，范圍在25632K字之間。 GREG低8位有效，高8位為任意值。,全局數(shù)據(jù)存儲器的配置,例： 需要配置一個8K的全局存儲器， 可向GREG的低8位寫入11100000， 這樣就把E000FFFFh指定為全局數(shù)據(jù)地址。, 3.5 I/O空間,I/O空間可尋址64K 訪問I/O空間的指令： 讀：IN dma， PA 例： IN 05h, 0C000h 寫：OUT dma， PA 例： OUT 05h, 0E000h, 3.6 外部存儲器和I/O空間的擴展,C2000對四個獨立空間的外部訪問采用相同的16位地址空間，即采用相同的數(shù)據(jù)總線和地址總線。因此，必須通過控制線來加以區(qū)分。 外部擴展所需的信號線有三類： 1. 外部數(shù)據(jù)/地址總線：四個空間共用 數(shù)據(jù)總線 D0D15 地址總線：A0A15 2. 讀/寫信號線： - 外部讀信號線 - 外部寫信號線,3.片選信號線： 訪問外部器件時，利用信號線來區(qū)分:內(nèi)部/外部訪問 程序/數(shù)據(jù)空間 局部/全局數(shù)據(jù)空間 I/O空間,-數(shù)據(jù)存儲器選擇信號：當執(zhí)行訪問外部（局部/全局）數(shù)據(jù)存儲器指令時，該引腳信號低電平有效。 -總線請求信號：當執(zhí)行訪問外部全局數(shù)據(jù)存儲器指令時，該引腳信號低電平有效。 -程序存儲器選擇信號：當從外部程序存儲器全取指令代碼時，該引腳信號低電平有效。 - I/O空間選擇信號：當執(zhí)行I/O指令時，該引腳信號低電平有效。 -外部訪問有效選通信號：當訪問外部程序、數(shù)據(jù)或I/O空間時，該引腳信號低電平有效,擴展外部存儲器和I/O空間的接口：,1）與外部程序存儲器的接口,由兩塊8K8的RAM組成8K16的 程序存儲器,2）與外部數(shù)據(jù)存儲器的接口,(1)用兩組RAM(32K X 16)， 一組作為局部數(shù)據(jù)存儲器， 一組作為全局數(shù)據(jù)存儲器 (每組可由兩塊32K8的RAM組成)， 地址均為8000hFFFFh。,2）與外部數(shù)據(jù)存儲器的接口,(2)用GREG作為控制切換信號： 當GREG= xx00h時， 8000hFFFFh地址區(qū)域被配置為局部數(shù)據(jù)存儲器， RAM2禁止， RAM1兩個使能信號或門打開，選中RAM1。 指令舉例： LDP #0 SPLK #0000h, GREG LDP #100h SACL 0000h ;ACCL -8000h SACH 0001h ; ACCH- 8001h,2）與外部數(shù)據(jù)存儲器的接口,(2)用GREG作為控制切換信號： 當GREG