半導(dǎo)體入廠考試題及答案

單項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.半導(dǎo)體的導(dǎo)電性介于？A.導(dǎo)體和絕緣體之間B.超導(dǎo)體和導(dǎo)體之間C.絕緣體和超導(dǎo)體之間2.以下哪種是常見的半導(dǎo)體材料？A.銅B.硅C.鐵3.N型半導(dǎo)體中多子是？A.電子B.空穴C.離子4.半導(dǎo)體二極管具有？A.單向?qū)щ娦訠.雙向?qū)щ娦訡.無導(dǎo)電性5.三極管有幾個(gè)電極？A.2個(gè)B.3個(gè)C.4個(gè)6.集成電路是把許多什么集成在一個(gè)芯片上？A.電子元件B.電阻C.電容7.半導(dǎo)體制造中光刻的作用是？A.確定電路圖案B.清洗芯片C.摻雜8.以下哪種工藝可改變半導(dǎo)體導(dǎo)電類型？A.氧化B.光刻C.摻雜9.半導(dǎo)體芯片封裝的目的不包括？A.保護(hù)芯片B.提高散熱C.增加功耗10.半導(dǎo)體行業(yè)常用的測(cè)量工具是？A.萬用表B.示波器C.兩者都是答案：1.A2.B3.A4.A5.B6.A7.A8.C9.C10.C多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.半導(dǎo)體的特性包括？A.熱敏性B.光敏性C.摻雜性2.常見的半導(dǎo)體器件有？A.二極管B.三極管C.電阻3.半導(dǎo)體制造流程包含？A.光刻B.蝕刻C.摻雜4.影響半導(dǎo)體性能的因素有？A.溫度B.光照C.雜質(zhì)含量5.以下屬于半導(dǎo)體封裝形式的是？A.DIPB.QFPC.BGA6.半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)有？A.更小尺寸B.更高性能C.更低功耗7.半導(dǎo)體材料的優(yōu)點(diǎn)有？A.可控制導(dǎo)電性B.集成度高C.成本低8.半導(dǎo)體制造中用到的氣體有？A.氧氣B.氮?dú)釩.氫氣9.半導(dǎo)體測(cè)試項(xiàng)目包括？A.電學(xué)性能測(cè)試B.外觀檢查C.化學(xué)分析10.半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈包括？A.設(shè)計(jì)B.制造C.封裝測(cè)試答案：1.ABC2.AB3.ABC4.ABC5.ABC6.ABC7.AB8.ABC9.AB10.ABC判斷題（每題2分，共10題）1.半導(dǎo)體一定不導(dǎo)電。（）2.硅是目前應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料。（）3.P型半導(dǎo)體中多子是空穴。（）4.二極管正向偏置時(shí)導(dǎo)通。（）5.三極管可以放大電流。（）6.集成電路只能實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單功能。（）7.光刻精度越高芯片性能越好。（）8.摻雜會(huì)降低半導(dǎo)體導(dǎo)電性。（）9.芯片封裝后就不能再測(cè)試了。（）10.半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)不激烈。（）答案：1.×2.√3.√4.√5.√6.×7.√8.×9.×10.×簡(jiǎn)答題（總4題，每題5分）1.簡(jiǎn)述半導(dǎo)體的熱敏性。溫度變化會(huì)顯著影響半導(dǎo)體導(dǎo)電性，溫度升高，半導(dǎo)體電阻減小，導(dǎo)電性增強(qiáng)。2.說明二極管單向?qū)щ娦栽?。正向偏置時(shí)，二極管內(nèi)部電場(chǎng)削弱，多數(shù)載流子擴(kuò)散形成電流，導(dǎo)通；反向偏置時(shí)，電場(chǎng)增強(qiáng)，多數(shù)載流子漂移受阻，電流極小，截止。3.簡(jiǎn)述光刻的基本步驟。包括涂膠、曝光、顯影等步驟，通過光刻將設(shè)計(jì)圖案轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體表面。4.半導(dǎo)體封裝的作用是什么？保護(hù)芯片免受外界物理、化學(xué)損傷，實(shí)現(xiàn)芯片與外界電氣連接，便于散熱等。討論題（總4題，每題5分）1.如何提高半導(dǎo)體芯片的集成度？可通過縮小芯片尺寸、改進(jìn)光刻技術(shù)、優(yōu)化電路設(shè)計(jì)等提高集成度。2.半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)環(huán)境有哪些影響？制造過程可能產(chǎn)生廢水、廢氣、廢渣等污染，需重視環(huán)保處理。3.怎樣保證半導(dǎo)體