匯報(bào)人：XX半導(dǎo)體培訓(xùn)知識課件目錄01.半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識02.半導(dǎo)體材料與制造03.半導(dǎo)體器件原理04.半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用05.半導(dǎo)體測試與分析06.半導(dǎo)體行業(yè)趨勢半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識01半導(dǎo)體的定義半導(dǎo)體是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體概念半導(dǎo)體導(dǎo)電性能可通過摻入雜質(zhì)或施加外部條件如溫度、光照等進(jìn)行調(diào)控。導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的分類硅半導(dǎo)體、鍺半導(dǎo)體等按材料分集成電路、功率器件等按功能分半導(dǎo)體物理特性導(dǎo)電性能半導(dǎo)體導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間，受溫度、光照等外界條件影響。能帶結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)特殊，價(jià)帶與導(dǎo)帶間存在禁帶，決定其電學(xué)性質(zhì)。摻雜效應(yīng)通過摻雜可改變半導(dǎo)體載流子濃度，實(shí)現(xiàn)N型或P型半導(dǎo)體，影響器件性能。半導(dǎo)體材料與制造02常用半導(dǎo)體材料穩(wěn)定性好，成本低，應(yīng)用最廣。硅材料高電子遷移率，用于制造高效率LED。氮化鎵高溫穩(wěn)定性，用于制造高功率器件。碳化硅制造工藝流程后道封裝測試切割晶圓后封裝測試前道核心工藝晶圓制造含光刻等0102關(guān)鍵設(shè)備介紹CVD/PVD，沉積多種薄膜薄膜沉積設(shè)備等離子體刻蝕機(jī)，精細(xì)結(jié)構(gòu)制造蝕刻設(shè)備光刻機(jī)，圖形高精度轉(zhuǎn)移光刻設(shè)備半導(dǎo)體器件原理03二極管工作原理將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，實(shí)現(xiàn)電流的單向流動(dòng)。整流作用從調(diào)制信號中恢復(fù)出原始信號，廣泛應(yīng)用于無線電接收設(shè)備。檢波功能晶體管結(jié)構(gòu)與功能放大與開關(guān)功能特性PN結(jié)為基礎(chǔ)晶體管結(jié)構(gòu)集成電路技術(shù)介紹集成電路從設(shè)計(jì)到制造的完整流程，包括光刻、蝕刻等關(guān)鍵步驟。芯片制造流程01探討半導(dǎo)體器件微型化的技術(shù)挑戰(zhàn)與進(jìn)展，如摩爾定律的極限與應(yīng)對策略。微型化技術(shù)02半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用04通信領(lǐng)域應(yīng)用半導(dǎo)體在智能手機(jī)、基站等設(shè)備中扮演關(guān)鍵角色，推動(dòng)5G等通信技術(shù)發(fā)展。移動(dòng)通信半導(dǎo)體激光器、探測器等是光纖通信系統(tǒng)的核心組件，提升信息傳輸效率。光纖通信計(jì)算機(jī)與存儲半導(dǎo)體是計(jì)算機(jī)芯片的核心材料，提升計(jì)算機(jī)性能。計(jì)算機(jī)芯片半導(dǎo)體材料用于固態(tài)硬盤等存儲設(shè)備，提高數(shù)據(jù)存儲速度。存儲設(shè)備消費(fèi)電子與物聯(lián)網(wǎng)01消費(fèi)電子應(yīng)用智能手機(jī)、平板等消費(fèi)電子產(chǎn)品中半導(dǎo)體的重要角色。02物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域半導(dǎo)體在智能家居、智慧城市等物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的關(guān)鍵作用。半導(dǎo)體測試與分析05器件性能測試測試參數(shù)設(shè)定根據(jù)器件類型設(shè)定測試參數(shù)，確保測試準(zhǔn)確反映器件性能。測試環(huán)境控制嚴(yán)格控制測試環(huán)境，避免外界因素干擾測試結(jié)果。失效分析方法測量參數(shù)，初步分析失效情況。電學(xué)測量法觀察顯微結(jié)構(gòu)，找出失效原因。顯微鏡檢測法質(zhì)量控制標(biāo)準(zhǔn)封裝完好無裂縫，引腳整齊無彎曲。導(dǎo)電性能、信號傳輸符合規(guī)定范圍。封裝外觀無損電氣性能達(dá)標(biāo)半導(dǎo)體行業(yè)趨勢06技術(shù)發(fā)展趨勢碳化硅功率器件在電動(dòng)汽車等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，推動(dòng)能效提升。碳化硅廣泛應(yīng)用Chiplet技術(shù)成為高性能AI芯片設(shè)計(jì)新突破口，降本增效。Chiplet技術(shù)創(chuàng)新市場發(fā)展動(dòng)態(tài)2025年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)890億美元，同比增長11%。市場規(guī)模增長8英寸硅片、拋光液等材料國產(chǎn)化率突破30%，12英寸硅片國產(chǎn)替代加速。國產(chǎn)化替代加速未來挑戰(zhàn)與機(jī)遇制程進(jìn)步面臨能耗代價(jià)，需