—PAGE—《GB/T5238-2019鍺單晶和鍺單晶片》實(shí)施指南目錄一、GB/T5238-2019標(biāo)準(zhǔn)出臺(tái)背景與行業(yè)價(jià)值：為何能成為鍺單晶領(lǐng)域質(zhì)量管控新標(biāo)桿？專家視角解析其對(duì)未來5年半導(dǎo)體材料發(fā)展的關(guān)鍵影響二、鍺單晶與鍺單晶片術(shù)語定義深度剖析：標(biāo)準(zhǔn)如何規(guī)范核心概念？這些界定對(duì)生產(chǎn)檢測(cè)環(huán)節(jié)有哪些實(shí)操指導(dǎo)意義？三、GB/T5238-2019中鍺單晶技術(shù)要求詳解：純度、電阻率等關(guān)鍵指標(biāo)為何這樣設(shè)定？專家解讀指標(biāo)背后的行業(yè)需求與質(zhì)量邏輯四、鍺單晶片技術(shù)參數(shù)重點(diǎn)解讀：尺寸偏差、平整度等要求有何變化？與舊標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比看行業(yè)工藝升級(jí)方向五、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的檢測(cè)方法與流程：如何確保檢測(cè)結(jié)果精準(zhǔn)可靠？專家視角分析各檢測(cè)環(huán)節(jié)的操作要點(diǎn)與常見誤區(qū)六、GB/T5238-2019中的檢驗(yàn)規(guī)則：批次劃分、抽樣方案有何講究？這些規(guī)則如何保障產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定性與一致性？七、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸與貯存要求：標(biāo)準(zhǔn)對(duì)產(chǎn)品全生命周期保護(hù)有何新規(guī)定？這些要求對(duì)降低物流損耗有多大作用？八、標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施過程中的常見疑點(diǎn)解答：生產(chǎn)企業(yè)易踩哪些“坑”？專家給出針對(duì)性解決方案與合規(guī)建議九、GB/T5238-2019與國際相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比：存在哪些差異與銜接點(diǎn)？未來是否會(huì)向國際標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)一步靠攏？十、標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)下鍺單晶行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)：技術(shù)創(chuàng)新方向在哪？企業(yè)如何借助標(biāo)準(zhǔn)提升核心競爭力以應(yīng)對(duì)未來市場挑戰(zhàn)？一、GB/T5238-2019標(biāo)準(zhǔn)出臺(tái)背景與行業(yè)價(jià)值：為何能成為鍺單晶領(lǐng)域質(zhì)量管控新標(biāo)桿？專家視角解析其對(duì)未來5年半導(dǎo)體材料發(fā)展的關(guān)鍵影響（一）標(biāo)準(zhǔn)出臺(tái)的行業(yè)背景：舊標(biāo)準(zhǔn)為何難以滿足當(dāng)前鍺單晶應(yīng)用需求？隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、紅外光學(xué)等領(lǐng)域的快速發(fā)展，鍺單晶及鍺單晶片的應(yīng)用場景不斷拓展，對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的要求也日益提高。舊標(biāo)準(zhǔn)在指標(biāo)設(shè)定、檢測(cè)方法等方面已存在滯后性，例如在高純度鍺單晶的純度指標(biāo)、鍺單晶片的精細(xì)尺寸公差等方面，無法適配新一代電子器件和光學(xué)元件的生產(chǎn)需求。行業(yè)內(nèi)出現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量參差不齊、檢測(cè)結(jié)果不統(tǒng)一等問題，嚴(yán)重影響了產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同發(fā)展，因此亟需出臺(tái)新的標(biāo)準(zhǔn)來規(guī)范市場秩序，滿足行業(yè)發(fā)展的新要求。（二）標(biāo)準(zhǔn)制定的核心目的：如何通過標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)鍺單晶領(lǐng)域質(zhì)量統(tǒng)一與提升？本標(biāo)準(zhǔn)制定的核心目的在于統(tǒng)一鍺單晶和鍺單晶片的質(zhì)量要求、檢測(cè)方法及檢驗(yàn)規(guī)則，為生產(chǎn)企業(yè)、檢測(cè)機(jī)構(gòu)和應(yīng)用方提供明確、權(quán)威的技術(shù)依據(jù)。通過規(guī)范術(shù)語定義，避免概念混淆導(dǎo)致的生產(chǎn)與檢測(cè)偏差；通過科學(xué)設(shè)定技術(shù)指標(biāo)，引導(dǎo)企業(yè)提升生產(chǎn)工藝水平，保障產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定性；通過明確檢測(cè)流程與檢驗(yàn)規(guī)則，確保檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性和公正性，減少貿(mào)易糾紛，最終推動(dòng)整個(gè)鍺單晶領(lǐng)域的質(zhì)量提升，促進(jìn)行業(yè)健康有序發(fā)展。（三）標(biāo)準(zhǔn)的行業(yè)價(jià)值體現(xiàn)：對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)（生產(chǎn)、檢測(cè)、應(yīng)用）有哪些具體利好？對(duì)于生產(chǎn)企業(yè)而言，標(biāo)準(zhǔn)明確了產(chǎn)品的技術(shù)要求和生產(chǎn)方向，有助于企業(yè)優(yōu)化生產(chǎn)工藝，降低因質(zhì)量不達(dá)標(biāo)導(dǎo)致的成本損耗，提升產(chǎn)品競爭力，同時(shí)便于企業(yè)參與市場競爭，拓展國內(nèi)外市場。對(duì)于檢測(cè)機(jī)構(gòu)，標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一了檢測(cè)方法和流程，提高了檢測(cè)工作的規(guī)范性和效率，確保檢測(cè)結(jié)果具有可比性和公信力，為行業(yè)質(zhì)量監(jiān)督提供可靠支撐。對(duì)于應(yīng)用方，標(biāo)準(zhǔn)為其采購合格產(chǎn)品提供了依據(jù)，降低了采購風(fēng)險(xiǎn)，保障了下游產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定性，進(jìn)而推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展。（四）專家視角：標(biāo)準(zhǔn)對(duì)未來5年半導(dǎo)體材料發(fā)展的關(guān)鍵影響與推動(dòng)作用專家認(rèn)為，在未來5年半導(dǎo)體材料向更高性能、更精細(xì)化方向發(fā)展的趨勢(shì)下，GB/T5238-2019標(biāo)準(zhǔn)將發(fā)揮關(guān)鍵作用。一方面，標(biāo)準(zhǔn)中嚴(yán)格的純度、電阻率等指標(biāo)要求，將倒逼鍺單晶生產(chǎn)企業(yè)加大技術(shù)研發(fā)投入，推動(dòng)提純工藝、晶體生長技術(shù)的創(chuàng)新升級(jí)，助力我國半導(dǎo)體材料在高純度鍺領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，減少對(duì)進(jìn)口產(chǎn)品的依賴。另一方面，標(biāo)準(zhǔn)的統(tǒng)一將促進(jìn)上下游企業(yè)的高效對(duì)接，降低產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同成本，為半導(dǎo)體器件、紅外探測(cè)器等高端產(chǎn)品的國產(chǎn)化提供有力支撐，推動(dòng)我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體競爭力的提升。二、鍺單晶與鍺單晶片術(shù)語定義深度剖析：標(biāo)準(zhǔn)如何規(guī)范核心概念？這些界定對(duì)生產(chǎn)檢測(cè)環(huán)節(jié)有哪些實(shí)操指導(dǎo)意義？（一）鍺單晶核心術(shù)語定義：“鍺單晶”“單晶取向”等概念在標(biāo)準(zhǔn)中如何精準(zhǔn)界定？在GB/T5238-2019標(biāo)準(zhǔn)中，“鍺單晶”被界定為具有完整晶體結(jié)構(gòu)、鍺元素含量極高且雜質(zhì)含量符合規(guī)定要求的單晶體，明確其需具備特定的晶體結(jié)構(gòu)特征，區(qū)別于多晶鍺等其他形態(tài)的鍺材料。“單晶取向”則被定義為鍺單晶晶體學(xué)方向與特定參考方向的關(guān)系，標(biāo)準(zhǔn)通過具體的晶體學(xué)指數(shù)（如<100>、<111>等）對(duì)常見的單晶取向進(jìn)行了明確規(guī)定，確保在生產(chǎn)和檢測(cè)過程中對(duì)單晶取向的描述和判斷具有統(tǒng)一性和準(zhǔn)確性，避免因概念模糊導(dǎo)致的取向判斷錯(cuò)誤。（二）鍺單晶片關(guān)鍵術(shù)語解讀：“鍺單晶片”“厚度偏差”“平整度”等定義有何行業(yè)針對(duì)性？“鍺單晶片”在標(biāo)準(zhǔn)中被定義為通過對(duì)鍺單晶進(jìn)行切割、研磨、拋光等加工工藝制成的具有一定尺寸、厚度和表面質(zhì)量的片狀產(chǎn)品，強(qiáng)調(diào)了其加工工藝過程和最終產(chǎn)品形態(tài)，明確了其與鍺單晶原材料的區(qū)別?！昂穸绕睢敝告N單晶片實(shí)際厚度與規(guī)定厚度的差值，標(biāo)準(zhǔn)對(duì)不同規(guī)格鍺單晶片的厚度偏差范圍進(jìn)行了限定，這是基于下游應(yīng)用中對(duì)鍺單晶片厚度一致性的嚴(yán)格需求，如在半導(dǎo)體器件制造中，厚度偏差過大會(huì)影響器件性能?！捌秸取眲t指鍺單晶片表面的平整程度，標(biāo)準(zhǔn)通過具體的參數(shù)指標(biāo)（如單位長度內(nèi)的最大起伏值）來界定，這一界定針對(duì)紅外光學(xué)等領(lǐng)域?qū)︽N單晶片表面光學(xué)性能的要求，確保其能滿足光學(xué)元件的成像質(zhì)量需求。（三）術(shù)語定義的規(guī)范性：為何要統(tǒng)一這些核心概念？避免了哪些行業(yè)亂象？統(tǒng)一鍺單晶與鍺單晶片的核心術(shù)語定義，是保障標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施效果、維護(hù)行業(yè)秩序的基礎(chǔ)。在標(biāo)準(zhǔn)出臺(tái)前，行業(yè)內(nèi)對(duì)部分術(shù)語的理解和使用存在差異，例如不同企業(yè)對(duì)“單晶取向”的表述方式不同，有的采用晶體學(xué)指數(shù)，有的采用通俗描述，導(dǎo)致在產(chǎn)品交易、檢測(cè)合作等環(huán)節(jié)出現(xiàn)溝通障礙，甚至引發(fā)貿(mào)易糾紛。同時(shí)，部分企業(yè)利用術(shù)語定義不明確的漏洞，對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量進(jìn)行模糊表述，誤導(dǎo)消費(fèi)者。標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一術(shù)語定義后，消除了這些溝通壁壘，規(guī)范了企業(yè)的產(chǎn)品宣傳和質(zhì)量描述，避免了因概念混淆導(dǎo)致的市場亂象，為行業(yè)營造了公平、透明的競爭環(huán)境。（四）對(duì)生產(chǎn)檢測(cè)環(huán)節(jié)的實(shí)操指導(dǎo)：術(shù)語界定如何幫助企業(yè)規(guī)范生產(chǎn)流程與檢測(cè)操作？在生產(chǎn)環(huán)節(jié)，明確的術(shù)語定義為企業(yè)提供了清晰的生產(chǎn)目標(biāo)。例如，“鍺單晶”的定義明確了晶體結(jié)構(gòu)和雜質(zhì)含量要求，企業(yè)在晶體生長過程中就能針對(duì)性地控制生長參數(shù)，確保生產(chǎn)出的鍺單晶符合標(biāo)準(zhǔn)定義；“鍺單晶片”的定義及相關(guān)參數(shù)（如厚度偏差、平整度）的界定，指導(dǎo)企業(yè)在切割、研磨、拋光等加工環(huán)節(jié)制定精準(zhǔn)的工藝參數(shù)，規(guī)范加工流程，減少不合格產(chǎn)品的產(chǎn)生。在檢測(cè)環(huán)節(jié)，術(shù)語定義為檢測(cè)操作提供了統(tǒng)一的判斷依據(jù)。例如，“單晶取向”的明確定義使檢測(cè)人員能準(zhǔn)確選擇檢測(cè)方法和儀器，按照標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的晶體學(xué)指數(shù)進(jìn)行取向檢測(cè)，確保檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性和一致性；“厚度偏差”的界定則讓檢測(cè)人員清楚知曉檢測(cè)的指標(biāo)范圍和判定標(biāo)準(zhǔn)，避免因理解不同導(dǎo)致的檢測(cè)誤差。三、GB/T5238-2019中鍺單晶技術(shù)要求詳解：純度、電阻率等關(guān)鍵指標(biāo)為何這樣設(shè)定？專家解讀指標(biāo)背后的行業(yè)需求與質(zhì)量邏輯（一）鍺單晶純度要求：標(biāo)準(zhǔn)對(duì)不同級(jí)別鍺單晶的純度指標(biāo)如何劃分？依據(jù)是什么？GB/T5238-2019標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)鍺單晶的應(yīng)用場景和質(zhì)量要求，將其純度劃分為不同級(jí)別，各級(jí)別對(duì)雜質(zhì)元素（如硼、鋁、鎵、銦、磷、砷、銻等）的最大允許含量作出了明確規(guī)定。例如，用于高端半導(dǎo)體器件的鍺單晶，對(duì)雜質(zhì)元素的控制極為嚴(yán)格，部分雜質(zhì)的最大允許含量甚至低于10^-9量級(jí)；而用于一些對(duì)純度要求相對(duì)較低的紅外光學(xué)元件的鍺單晶，雜質(zhì)含量要求則適當(dāng)放寬。這樣的劃分依據(jù)主要是不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)︽N單晶電學(xué)性能、光學(xué)性能的需求差異，高純度的鍺單晶能保證半導(dǎo)體器件的高導(dǎo)電性和穩(wěn)定性，而紅外光學(xué)領(lǐng)域?qū)︽N單晶純度的要求雖低于半導(dǎo)體領(lǐng)域，但仍需控制雜質(zhì)以避免影響其紅外透過率。（二）電阻率技術(shù)指標(biāo)：為何不同取向、不同規(guī)格的鍺單晶電阻率要求存在差異？標(biāo)準(zhǔn)中不同取向、不同規(guī)格的鍺單晶電阻率要求存在差異，主要源于鍺單晶的晶體結(jié)構(gòu)特性和實(shí)際應(yīng)用需求。從晶體結(jié)構(gòu)來看，不同取向的鍺單晶原子排列方式不同，導(dǎo)致其電學(xué)性能（如電阻率）存在各向異性，例如<100>取向和<111>取向的鍺單晶，在相同雜質(zhì)含量下，電阻率會(huì)有所不同，因此標(biāo)準(zhǔn)需根據(jù)取向分別設(shè)定電阻率指標(biāo)。從應(yīng)用需求來看，不同規(guī)格的鍺單晶用途不同，例如小直徑的鍺單晶可能用于制造小型半導(dǎo)體器件，對(duì)電阻率的均勻性要求較高；而大直徑的鍺單晶可能用于制造大型紅外光學(xué)鏡片，對(duì)電阻率的整體范圍要求更關(guān)注，因此標(biāo)準(zhǔn)會(huì)結(jié)合規(guī)格差異設(shè)定相應(yīng)的電阻率要求，以滿足不同應(yīng)用場景的使用需求。（三）晶體完整性要求：位錯(cuò)密度、缺陷等指標(biāo)的設(shè)定有何行業(yè)意義？標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)鍺單晶晶體完整性的要求，主要體現(xiàn)在位錯(cuò)密度、缺陷（如空位、位錯(cuò)環(huán)、包裹體等）的控制方面。位錯(cuò)密度是衡量晶體完整性的重要指標(biāo)，位錯(cuò)密度過高會(huì)導(dǎo)致鍺單晶的力學(xué)性能下降，在后續(xù)加工過程中易產(chǎn)生裂紋，同時(shí)也會(huì)影響其電學(xué)性能和光學(xué)性能，降低半導(dǎo)體器件的使用壽命和紅外光學(xué)元件的成像質(zhì)量。因此，標(biāo)準(zhǔn)對(duì)不同級(jí)別的鍺單晶設(shè)定了嚴(yán)格的位錯(cuò)密度上限。缺陷的存在同樣會(huì)對(duì)鍺單晶的性能產(chǎn)生不利影響，例如包裹體可能會(huì)導(dǎo)致鍺單晶在切割、研磨過程中出現(xiàn)崩邊現(xiàn)象，空位則可能影響其電學(xué)conductivity，所以標(biāo)準(zhǔn)明確規(guī)定了鍺單晶中不允許存在明顯的缺陷，或?qū)θ毕莸拇笮　?shù)量作出嚴(yán)格限制，這些指標(biāo)的設(shè)定旨在保障鍺單晶在后續(xù)加工和應(yīng)用過程中的穩(wěn)定性和可靠性，滿足行業(yè)對(duì)高質(zhì)量鍺單晶產(chǎn)品的需求。（四）專家解讀：指標(biāo)設(shè)定背后的行業(yè)需求與質(zhì)量邏輯，如何平衡性能與成本？專家指出，標(biāo)準(zhǔn)中鍺單晶技術(shù)指標(biāo)的設(shè)定，是在充分調(diào)研行業(yè)應(yīng)用需求、結(jié)合當(dāng)前生產(chǎn)工藝水平的基礎(chǔ)上，對(duì)性能與成本進(jìn)行平衡的結(jié)果。從行業(yè)需求來看，隨著半導(dǎo)體、紅外光學(xué)等領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)，對(duì)鍺單晶的性能要求不斷提高，例如半導(dǎo)體器件向微型化、高集成化發(fā)展，需要鍺單晶具備更高的純度和更均勻的電阻率；紅外光學(xué)元件向高分辨率、高透過率發(fā)展，需要鍺單晶具有更好的晶體完整性。但同時(shí)，過高的性能要求會(huì)大幅增加生產(chǎn)難度和成本，例如提高純度需要更先進(jìn)的提純?cè)O(shè)備和更復(fù)雜的工藝，降低位錯(cuò)密度需要更精準(zhǔn)的晶體生長控制技術(shù)，這些都會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品成本上升。因此，標(biāo)準(zhǔn)在設(shè)定指標(biāo)時(shí)，綜合考慮了不同應(yīng)用領(lǐng)域的核心需求，對(duì)關(guān)鍵性能指標(biāo)嚴(yán)格把控，對(duì)非核心指標(biāo)適當(dāng)放寬，既滿足了高端領(lǐng)域的高質(zhì)量需求，又為中低端領(lǐng)域提供了性價(jià)比合適的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)了性能與成本的平衡，推動(dòng)行業(yè)健康可持續(xù)發(fā)展。四、鍺單晶片技術(shù)參數(shù)重點(diǎn)解讀：尺寸偏差、平整度等要求有何變化？與舊標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比看行業(yè)工藝升級(jí)方向（一）鍺單晶片尺寸偏差要求：直徑、厚度偏差與舊標(biāo)準(zhǔn)相比有哪些調(diào)整？原因是什么？與舊標(biāo)準(zhǔn)相比，GB/T5238-2019標(biāo)準(zhǔn)對(duì)鍺單晶片的直徑和厚度偏差要求更為嚴(yán)格。在直徑偏差方面，舊標(biāo)準(zhǔn)中允許的直徑偏差范圍較大，而新標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)鍺單晶片的不同直徑規(guī)格，進(jìn)一步縮小了偏差范圍，例如對(duì)于直徑為50mm的鍺單晶片，舊標(biāo)準(zhǔn)允許的偏差為±0.5mm，新標(biāo)準(zhǔn)則將其調(diào)整為±0.3mm。在厚度偏差方面，新標(biāo)準(zhǔn)同樣對(duì)不同厚度規(guī)格的鍺單晶片偏差范圍進(jìn)行了壓縮，如厚度為1mm的鍺單晶片，舊標(biāo)準(zhǔn)偏差允許±0.1mm，新標(biāo)準(zhǔn)調(diào)整為±0.05mm。這些調(diào)整的原因主要是下游應(yīng)用領(lǐng)域?qū)︽N單晶片的尺寸精度要求不斷提高，例如在半導(dǎo)體芯片制造中，尺寸偏差過大會(huì)影響芯片的光刻精度和封裝效果；在紅外光學(xué)系統(tǒng)中，尺寸偏差會(huì)導(dǎo)致光學(xué)元件的裝配精度下降，影響系統(tǒng)的成像質(zhì)量。同時(shí)，隨著切割、研磨等加工工藝的進(jìn)步，企業(yè)已具備實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)格尺寸偏差的技術(shù)能力。（二）平整度與平行度要求：標(biāo)準(zhǔn)對(duì)這兩項(xiàng)參數(shù)的規(guī)定有何細(xì)化？對(duì)應(yīng)用有何影響？在平整度方面，舊標(biāo)準(zhǔn)僅對(duì)鍺單晶片的整體平整度作出了籠統(tǒng)要求，而GB/T5238-2019標(biāo)準(zhǔn)則根據(jù)鍺單晶片的尺寸和應(yīng)用場景進(jìn)行了細(xì)化。例如，對(duì)于用于半導(dǎo)體領(lǐng)域的小尺寸鍺單晶片（直徑≤100mm），標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定其局部平整度（在特定小區(qū)域內(nèi)的平整度）誤差不得超過0.5μm；對(duì)于用于紅外光學(xué)領(lǐng)域的大尺寸鍺單晶片（直徑>100mm），則對(duì)整體平整度誤差設(shè)定了更嚴(yán)格的上限，如直徑為200mm的鍺單晶片，整體平整度誤差不得超過2μm。在平行度方面，新標(biāo)準(zhǔn)明確了鍺單晶片兩個(gè)平行表面之間的夾角偏差要求，不同厚度的鍺單晶片對(duì)應(yīng)不同的平行度誤差上限，例如厚度為2mm的鍺單晶片，平行度誤差不得超過0.01mm。這些細(xì)化規(guī)定對(duì)應(yīng)用產(chǎn)生了積極影響，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，更高的平整度和平行度能確保光刻過程中光刻膠涂層均勻，提高芯片的電路精度；在紅外光學(xué)領(lǐng)域，可減少光線在鍺單晶片表面的反射和折射損失，提升光學(xué)系統(tǒng)的透光率和成像清晰度。（三）表面質(zhì)量要求：劃痕、霧度等指標(biāo)有何新規(guī)定？反映出行業(yè)對(duì)產(chǎn)品外觀的哪些新需求？GB/T5238-2019標(biāo)準(zhǔn)對(duì)鍺單晶片的表面質(zhì)量要求進(jìn)行了更新，在劃痕方面，舊標(biāo)準(zhǔn)僅規(guī)定不允許存在明顯劃痕，而新標(biāo)準(zhǔn)則根據(jù)劃痕的長度和寬度進(jìn)行了量化規(guī)定，例如不允許存在長度超過0.5mm、寬度超過0.01mm的劃痕，且每平方厘米表面上的微小劃痕（長度≤0.2mm）數(shù)量不得超過2條。在霧度方面，新標(biāo)準(zhǔn)引入了霧度值的具體檢測(cè)要求，規(guī)定用于紅外光學(xué)領(lǐng)域的鍺單晶片霧度值不得超過0.5%，用于半導(dǎo)體領(lǐng)域的不得超過0.3%。這些新規(guī)定反映出行業(yè)對(duì)鍺單晶片表面質(zhì)量的要求已從單純的“無明顯缺陷”向“高潔凈度、高光滑度”轉(zhuǎn)變。一方面，在半導(dǎo)體制造中，表面劃痕和霧度會(huì)影響后續(xù)鍍膜工藝的質(zhì)量，導(dǎo)致膜層附著力下降或膜層厚度不