/考點(diǎn)1硅和二氧化硅微考點(diǎn)1硅和二氧化硅的性質(zhì)及應(yīng)用1．(2025·湖南懷化高三模擬)下列關(guān)于硅及其化合物的敘述錯(cuò)誤的是()A．硅是良好的半導(dǎo)體材料B．二氧化硅屬于酸性氧化物C．硅酸的酸性比碳酸的酸性弱D．常溫下，硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑，不與任何物質(zhì)反應(yīng)[答案]D[解析]硅是良好的半導(dǎo)體材料，故A正確；二氧化硅能與強(qiáng)堿反應(yīng)生成鹽和水，是酸性氧化物，故B正確；非金屬性：Si<C，硅酸的酸性比碳酸弱，故C正確；常溫下，硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑，但硅可與氫氧化鈉溶液和氫氟酸反應(yīng)，故D錯(cuò)誤。2．2023年5月30日，“神舟十六號(hào)”載人飛船在我國(guó)酒泉衛(wèi)星發(fā)射中心成功發(fā)射，飛船使用了我國(guó)自主研發(fā)和生產(chǎn)的航天芯片，其中芯片全為我國(guó)制造，制作芯片的刻蝕液為硝酸與氫氟酸的混合液，工藝涉及反應(yīng)為Si＋HNO3＋6HF=H2SiF6＋HNO2＋H2↑＋H2O，下列說法錯(cuò)誤的是()A．此反應(yīng)不能在玻璃容器中進(jìn)行B．由此反應(yīng)可判斷氫氟酸是強(qiáng)酸C．氧化性：HNO3>H2SiF6D．標(biāo)準(zhǔn)狀況下，生成1.12LH2時(shí)，轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為0.2mol[答案]B[解析]氫氟酸能腐蝕玻璃，此反應(yīng)不能在玻璃容器中進(jìn)行，A正確；該反應(yīng)為氧化還原反應(yīng)，不能由此反應(yīng)判斷氫氟酸是強(qiáng)酸，HF是弱酸，B錯(cuò)誤；氧化劑的氧化性大于氧化產(chǎn)物，則氧化性：HNO3>H2SiF6，C正確；據(jù)關(guān)系式Si～HNO3～H2SiF6～HNO2～H2～4e－，則標(biāo)準(zhǔn)狀況下，生成1.12LH2(0.05mol)時(shí)，轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為0.2mol，D正確。微考點(diǎn)2高純硅的制備流程及分析3．(2025·廣東廣州檢測(cè))高純度晶硅是典型的無(wú)機(jī)非金屬材料，又稱“半導(dǎo)體”材料。它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計(jì)算機(jī)的一場(chǎng)“革命”。可以按下列方法制備：SiO2eq\o(→,\s\up11(①C),\s\do4(高溫))Si(粗)eq\o(→,\s\up11(②HCl),\s\do4(300℃))SiHCl3eq\o(→,\s\up11(③過量H2),\s\do4(1000～1100℃))Si(純)下列說法不正確的是()A．步驟①的化學(xué)方程式為SiO2＋Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si＋CO2↑B．步驟①中每生成1molSi，轉(zhuǎn)移4mol電子C．高純硅是制造太陽(yáng)能電池的常用材料，二氧化硅是制造光導(dǎo)纖維的基本原料D．SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量的SiCl4(沸點(diǎn)67.6℃)，通過蒸餾(或分餾)可提純SiHCl3[答案]A[解析]二氧化硅高溫下與C反應(yīng)生成CO氣體，即步驟①的化學(xué)方程式為SiO2＋2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si＋2CO↑，A錯(cuò)誤；步驟①中Si的化合價(jià)由＋4價(jià)降低到0價(jià)，故生成1molSi時(shí)轉(zhuǎn)移電子4mol，B正確；高純硅是半導(dǎo)體，是制造集成電路、太陽(yáng)能電池的常用材料，二氧化硅是制造光導(dǎo)纖維的基本原料，C正確；SiHCl3和SiCl4的沸點(diǎn)相差30℃以上，兩種液體可以采用蒸餾的方法分離，D正確。4．(2025·山東濟(jì)南檢測(cè))科學(xué)家研制的利用氯化氫和氫氣生產(chǎn)高純硅的工藝流程如圖所示。容器①中進(jìn)行的反應(yīng)為①Si(粗)＋3HCleq\o(=,\s\up7(△))SiHCl3＋H2；容器②中進(jìn)行的反應(yīng)為②SiHCl3＋H2eq\o(=,\s\up7(高溫))Si(純)＋3HCl。下列說法不正確的是()A．該工藝流程的優(yōu)點(diǎn)是部分反應(yīng)物可循環(huán)使用B．①和②互為可逆反應(yīng)C．該流程中需要隔絕空氣D．粗硅制備不能通過SiO2eq\o(→,\s\up7(HClaq))SiCl4eq\o(→,\s\up11(H2),\s\do4(高溫))Si實(shí)現(xiàn)[答案]B[解析]反應(yīng)②中生成的HCl在反應(yīng)①中循環(huán)使用，反應(yīng)①中生成的H2在反應(yīng)②中循環(huán)使用，A正確；反應(yīng)①與反應(yīng)②的反應(yīng)溫度不一致，不是可逆反應(yīng)，B錯(cuò)誤；高溫條件下，Si、SiHCl3、H2都與O2反應(yīng)，故需隔絕空氣，C正確；SiO2不與HCl反應(yīng)，不能通過該途徑制粗硅，D正確。5．(2025·武漢模擬)多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)，是制造硅拋光片、太陽(yáng)能電池及高純硅制品的主要原料。已知多晶硅第三代工業(yè)制取流程如圖所示。已知：SiHCl3遇水劇烈水解。下列說法錯(cuò)誤的是()A．Y、Z分別為H2、Cl2B．制取粗硅過程可能發(fā)生反應(yīng)：SiO2＋3Ceq\o(=,\s\up7(高溫))SiC＋2CO↑C．提純SiHCl3可采用萃取、分液的方法D．為防止SiHCl3水解而損失及氫氣燃炸，“還原”步驟在無(wú)水、無(wú)氧條件下進(jìn)行[答案]C[解析]電解飽和NaCl溶液，反應(yīng)產(chǎn)生NaOH、H2、Cl2，X是NaOH，H2、Cl2反應(yīng)產(chǎn)生HCl，焦炭與石英在高溫下反應(yīng)產(chǎn)生粗Si，HCl與粗硅反應(yīng)生成SiHCl3和少量SiCl4，SiHCl3和SiCl4是沸點(diǎn)不同的混合物，經(jīng)分餾分離提純得到SiHCl3，SiHCl3和H2在高溫條件下反應(yīng)生成多晶硅和HCl，所以Y是H2，Z是Cl2。根據(jù)上述分析可知X是NaOH，Y是H2，Z是Cl2，A正確；焦炭與SiO2在高溫條件下發(fā)生反應(yīng)制取粗Si，反應(yīng)的化學(xué)方程式為SiO2＋2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si＋2CO↑，同時(shí)可能發(fā)生副反應(yīng)：SiO2＋3Ceq\o(=,\s\up7(高溫))SiC＋2CO↑，B正確；SiHCl3和SiCl4是沸點(diǎn)不同的互溶的液體混合物，可以采用分餾方法進(jìn)行分離，而不