化學(xué)氣相沉積試題答案

一、單項(xiàng)選擇題(每題2分,共10題)1.化學(xué)氣相沉積的英文縮寫(xiě)是(）A.CVDB.PVDC.MBE答案：A2.化學(xué)氣相沉積中氣體輸運(yùn)主要靠()A.擴(kuò)散B.對(duì)流C.兩者都有答案：C3.以下哪種氣體常作為CVD反應(yīng)的載氣()A.氧氣B.氫氣C.氮?dú)獯鸢福篊4.CVD過(guò)程中,反應(yīng)氣體在襯底表面發(fā)生()A.物理吸附B.化學(xué)吸附C.不吸附答案：B5.提高CVD反應(yīng)溫度,沉積速率通常會(huì)()A.降低B.不變C.升高答案：C6.CVD可用于制備()A.金屬薄膜B.陶瓷薄膜C.以上都可以答案：C7.哪種物質(zhì)可作為CVD反應(yīng)的前驅(qū)體()A.金屬鹵化物B.金屬單質(zhì)C.金屬氧化物答案：A8.CVD反應(yīng)體系的壓力一般()A.為常壓B.只能是高壓C.常壓或低壓答案：C9.化學(xué)氣相沉積過(guò)程中涉及()A.化學(xué)反應(yīng)B.物理變化C.兩者都有答案：C10.以下不屬于CVD優(yōu)點(diǎn)的是()A.可大面積均勻沉積B.設(shè)備簡(jiǎn)單C.可精確控制薄膜成分答案：B二、多項(xiàng)選擇題(每題2分,共10題)1.化學(xué)氣相沉積常用的反應(yīng)類(lèi)型有(）A.熱分解反應(yīng)B.氧化反應(yīng)C.還原反應(yīng)答案:ABC2.影響CVD沉積速率的因素有(）A.反應(yīng)溫度B.氣體流量C.襯底材料答案:ABC3.CVD可用于制備的薄膜材料有(）A.半導(dǎo)體薄膜B.超導(dǎo)薄膜C.磁性薄膜答案:ABC4.化學(xué)氣相沉積過(guò)程中,需要考慮的因素有（）A.反應(yīng)氣體的純度B.反應(yīng)系統(tǒng)的密封性C.沉積時(shí)間答案:ABC5.以下哪些氣體可作為CVD反應(yīng)的保護(hù)氣(）A.氬氣B.氦氣C.二氧化碳答案:AB6.CVD反應(yīng)中常用的前驅(qū)體類(lèi)型有(）A.有機(jī)金屬化合物B.氫化物C.鹵化物答案:ABC7.化學(xué)氣相沉積設(shè)備通常包括(）A.氣體輸送系統(tǒng)B.反應(yīng)腔C.加熱系統(tǒng)答案:ABC8.提高CVD薄膜質(zhì)量的方法有(）A.優(yōu)化反應(yīng)條件B.預(yù)處理襯底C.控制反應(yīng)氣氛答案:ABC9.CVD與物理氣相沉積相比,其特點(diǎn)有（）A.可在較低溫度沉積B.薄膜附著力較好C.可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜形狀表面沉積答案:ABC10.CVD過(guò)程中可能出現(xiàn)的問(wèn)題有(）A.雜質(zhì)引入B.薄膜內(nèi)應(yīng)力C.沉積不均勻答案:ABC三、判斷題(每題2分,共10題)1.化學(xué)氣相沉積只能在高溫下進(jìn)行。(）答案：錯(cuò)2.CVD反應(yīng)中,載氣不參與化學(xué)反應(yīng)。()答案：對(duì)3.沉積速率只與反應(yīng)溫度有關(guān)。()答案：錯(cuò)4.所有金屬都可以通過(guò)CVD制備薄膜。()答案：錯(cuò)5.提高反應(yīng)氣體濃度,沉積速率一定增加。()答案：錯(cuò)6.CVD可以在任意形狀的襯底上均勻沉積薄膜。()答案：錯(cuò)7.反應(yīng)前驅(qū)體的選擇對(duì)薄膜質(zhì)量沒(méi)有影響。()答案：錯(cuò)8.CVD設(shè)備的維護(hù)對(duì)沉積質(zhì)量很重要。()答案：對(duì)9.化學(xué)氣相沉積過(guò)程不會(huì)產(chǎn)生廢氣。()答案：錯(cuò)10.只要反應(yīng)條件合適,CVD可制備出完美無(wú)缺陷的薄膜。()答案：錯(cuò)四、簡(jiǎn)答題(每題5分,共4題)1.簡(jiǎn)述化學(xué)氣相沉積的基本原理。答案:利用氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物,在一定溫度及其他條件下,在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)產(chǎn)物并沉積在襯底上形成薄膜。2.化學(xué)氣相沉積對(duì)反應(yīng)前驅(qū)體有哪些要求?答案：要有合適的蒸氣壓以便氣化輸運(yùn)；在反應(yīng)溫度下能分解或反應(yīng)生成所需產(chǎn)物；反應(yīng)副產(chǎn)物易揮發(fā)除去；純度高,避免引入雜質(zhì)。3.說(shuō)明CVD過(guò)程中影響薄膜成分均勻性的因素。答案:氣體輸運(yùn)情況,如擴(kuò)散、對(duì)流是否均勻;反應(yīng)溫度分布,不均勻會(huì)導(dǎo)致反應(yīng)速率差異;前驅(qū)體在襯底表面吸附、反應(yīng)的一致性等。4.列舉CVD技術(shù)在工業(yè)中的兩個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。答案:半導(dǎo)體行業(yè),用于制備硅外延層、金屬互連等;航空航天領(lǐng)域,制備耐高溫、耐磨等功能薄膜。五、討論題(每題5分,共4題)1.討論如何進(jìn)一步提高化學(xué)氣相沉積的沉積效率。答案:優(yōu)化氣體輸送系統(tǒng),使反應(yīng)氣體快速均勻到達(dá)襯底;精確控制反應(yīng)溫度,選擇合適的溫度范圍提高反應(yīng)速率;改進(jìn)反應(yīng)腔設(shè)計(jì),減少氣體滯留和副反應(yīng);篩選高效前驅(qū)體,提高反應(yīng)活性。2.分析化學(xué)氣相沉積在納米材料制備方面的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)。答案:優(yōu)勢(shì)是可精確控制成分、尺寸和形貌,能在復(fù)雜基底沉積。挑戰(zhàn)在于前驅(qū)體選擇有限,對(duì)反應(yīng)條件要求苛刻,易引入雜質(zhì),且難以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模、低成本制備。3.探討如何解決化學(xué)氣相沉積過(guò)程中的環(huán)境污染問(wèn)題。答案:優(yōu)化反應(yīng)設(shè)計(jì),減少副產(chǎn)物生成;采用環(huán)保型前驅(qū)體和氣體;對(duì)廢氣進(jìn)行有效處理,如通過(guò)吸附、催化分解等方法去除有害成分;回收未反應(yīng)的氣體和原料,提