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晶向晶面及晶帶第1頁(yè),共46頁(yè)。目錄2晶體及其基本性質(zhì)晶向、晶面及晶帶晶體的間隙晶體的缺陷晶體的投影
倒易點(diǎn)陣第2頁(yè),共46頁(yè)。2.2晶向、晶面及晶帶1、晶向與晶向指數(shù)2、晶面與晶面指數(shù)3、面間距、晶面夾角和晶帶理論4、間隙2025/7/3011:583第3頁(yè),共46頁(yè)。一、晶向及晶向指數(shù)41.晶向:
通過(guò)晶格中任意兩個(gè)格點(diǎn)連一條直線稱為晶列,晶列的取向稱為晶向,描寫晶向的一組數(shù)稱為晶向指數(shù)(或晶列指數(shù)millerindices)。過(guò)一格點(diǎn)可以有無(wú)數(shù)晶列。第4頁(yè),共46頁(yè)。5晶列的特點(diǎn):(1)平行晶列組成晶列族,晶列族包含所有的格點(diǎn);(2)晶列上格點(diǎn)分布是周期性的;(3)晶列族中的每一晶列上,格點(diǎn)分布都是相同的;(4)在同一平面內(nèi),相鄰晶列間的距離相等。第5頁(yè),共46頁(yè)。62.晶向指數(shù)[uvw]確定步驟:建立一個(gè)右手空間直角坐標(biāo)系,在待測(cè)晶向上確定兩個(gè)點(diǎn)的坐標(biāo)。用終點(diǎn)的坐標(biāo)減去起點(diǎn)的坐標(biāo),得到沿各坐標(biāo)軸方向上的數(shù)值。將其按比例化為最小的整數(shù)。將此整數(shù)放在一個(gè)方括號(hào)[uvw]中。若有負(fù)號(hào),將負(fù)號(hào)標(biāo)在該數(shù)字的上方。如[121]表示
Coordinatesofselectedpointsintheunitcell.Thenumberreferstothedistancefromtheoriginintermsoflatticeparameters.第6頁(yè),共46頁(yè)。例題:確定圖1-18中A,B和C方向的晶向指數(shù)第7頁(yè),共46頁(yè)。晶向
A1.兩點(diǎn)坐標(biāo)分別為(1,0,0)and(0,0,0)2.(1,0,0)-(0,0,0)=(
1,0,0)3.已為最小的整數(shù),記作
[100]晶向B1.兩點(diǎn)坐標(biāo)分別為(1,1,1)
and(0,0,0)2.(1,1,1)-(0,0,0)
=(1,1,1)3.已為最小的整數(shù),記作
[111]晶向C1.兩點(diǎn)坐標(biāo)分別為(0,0,1)
and(1/2,1,0)2.(0,0,1)-(1/2,1,0)
=(-1/2,-1,1)3.2(-1/2,-1,1)=-1,-2,2,記作第8頁(yè),共46頁(yè)。練習(xí)1:確定圖中AB,BC和AD的晶向指數(shù)ABCDXYZA(100)B(001)C(110)D(011/2)OAB:[101]BC:[111]AD:[221]___2025/7/3011:589第9頁(yè),共46頁(yè)。XYZ[0l2]O0,1/2,1[0l2]2025/7/3011:5810給出晶向指數(shù),如何畫出該晶向?例:在立方晶格中畫出[012]和[123]晶向?第10頁(yè),共46頁(yè)。[123]
-
1/3,2/3,-1XYZOO1P2025/7/3011:5811第11頁(yè),共46頁(yè)。
注意:晶向是一個(gè)矢量,有方向的區(qū)別;一個(gè)晶向跟它的倍數(shù)是相同的;對(duì)于高對(duì)稱性的晶體來(lái)說(shuō),晶體學(xué)上等價(jià)的晶向具有相似的晶向指數(shù)。這些等價(jià)的晶向構(gòu)成的集合,稱為晶向族。也就是互相不平行而原子排列規(guī)律相同的晶向的集合;在立方體中有,沿立方邊的晶列一共有6個(gè)不同的晶向,由于晶格的對(duì)稱性,這6個(gè)晶向并沒(méi)有什么區(qū)別,晶體在這些方向上的性質(zhì)是完全相同的,統(tǒng)稱這些方向?yàn)榈刃Ь颍瑢懗?lt;100>;同一晶向族中的指數(shù)相同,只是排列順序或符號(hào)不同;立方晶系中的一些重要的晶向族有6種軸向<100>、12種面對(duì)角線方向<110>、8種體對(duì)角線方向<111>和頂點(diǎn)到面心的方向<112>。第12頁(yè),共46頁(yè)。2025/7/3011:5813[100][001][010][100][010][001]第13頁(yè),共46頁(yè)。143.
陣點(diǎn)間距、線密度和堆垛密度陣點(diǎn)間距(repeatdistance):沿晶向方向陣點(diǎn)之間的距離。線密度(linerdensity):沿一個(gè)方向單位長(zhǎng)度上相同陣點(diǎn)的數(shù)目。線堆垛密度(線致密度):某個(gè)晶向上的原子所占的長(zhǎng)度的比例。Determiningtherepeatdistance,lineardensity,andpackingfractionfor[110]directioninFCCcopper.第14頁(yè),共46頁(yè)。15例:已知Cu是FCC晶胞結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)a=0.36451nm,計(jì)算晶胞中[110]晶向的陣點(diǎn)距離、線密度和線致密度?對(duì)于FCC晶胞中[110]晶向,起點(diǎn)設(shè)在0,0,0位置,下一個(gè)陣點(diǎn)在面心,即1/2,1/2,0的位置。因此,陣點(diǎn)間的距離是面對(duì)角線的一半,等于。銅的晶格常數(shù)為0.36151nm,可以算出陣點(diǎn)間距為0.2556nm。銅的面心立方晶胞[110]晶向有2個(gè)重復(fù)距離,為線密度==3.91陣點(diǎn)/nm因此,線密度也可以看成是陣點(diǎn)間距的倒數(shù)。線致密度=線密度×2r。線致密度=線密度×2r=3.91×2×0.12781=1說(shuō)明原子沿[110]晶向相互接觸(面心立方晶胞的最密排方向)。第15頁(yè),共46頁(yè)。二、晶面及晶面指數(shù)161.晶面在晶格中,通過(guò)任意三個(gè)不在同一直線上的格點(diǎn)作一平面,稱為晶面,描寫晶面方位的一組數(shù)稱為晶面指數(shù)。(1)平行的晶面組成晶面族,晶面族包含所有格點(diǎn);(2)晶面上格點(diǎn)分布具有周期性;(3)同一晶面族中的每一晶面上,格點(diǎn)分布(情況)相同;(4)同一晶面族中相鄰晶面間距相等。第16頁(yè),共46頁(yè)。172.晶面指數(shù)(hkl)確定步驟:以晶胞的某一陣點(diǎn)為原點(diǎn),以過(guò)原點(diǎn)的晶軸為坐標(biāo)軸,以點(diǎn)陣常數(shù)a,b,c為三個(gè)坐標(biāo)軸的長(zhǎng)度單位,建立一個(gè)空間直角坐標(biāo)系。但原點(diǎn)應(yīng)位于待定晶面之外,以避免出現(xiàn)零截距。找出待定晶面在三軸的截距,如果該晶面與某軸平行,則截距為無(wú)窮大。求出晶面在三個(gè)坐標(biāo)軸上的截距x,y,z,對(duì)所求截距取倒數(shù)得1/x,1/y,1/z;將它們按比例化成三個(gè)最小的整數(shù)h,k,l;再將它們放在一個(gè)圓括號(hào)中即得該晶面的晶面指數(shù)(hkl)。如果有存在負(fù)號(hào),將負(fù)號(hào)標(biāo)在該數(shù)字的上方。第17頁(yè),共46頁(yè)。確定圖中A,B和C晶面的晶面指數(shù)FigureCrystallographicplanesandintercepts第18頁(yè),共46頁(yè)。PlaneA1.x=1,y=1,z=12.1/x=1,1/y=1,1/z=13.已為最小的整數(shù),記為
(111)PlaneB1.晶面和z軸平行,所以x=1,y=2,andz=∞2.1/x=1,1/y=1/2,1/z=03.化為最小的整數(shù):1/x
=2,1/y=1,1/z=0,記作
(210)PlaneC1.因?yàn)榫娼?jīng)過(guò)了原點(diǎn),所以要把原點(diǎn)沿y軸方向移動(dòng)一個(gè)晶格常數(shù)的距離,所以,
x=∞
,y=-1,andz=
∞2.1/x=0,1/y=1,1/z=03.已為最小的整數(shù),記作第19頁(yè),共46頁(yè)。練習(xí)XYZABCDEFGEFB晶面
(111)BFGD晶面(110)___ACD晶面(112)_EFB晶面BFGD晶面ACD晶面2025/7/3011:5820第20頁(yè),共46頁(yè)。XYZO21例:在下圖中畫出(012)和(123)晶面XYZ(123)-O第21頁(yè),共46頁(yè)。22一個(gè)晶面和其負(fù)晶面是相同的(這和晶向不同)晶面指數(shù)和該指數(shù)的倍數(shù)是平行的,但不是等同的(這也和前面講的晶向不同)。晶面指數(shù)代表的不僅是某一晶面,而是代表一組互相平行的晶面;在晶體內(nèi)部凡晶面間距和晶面上原子的分布完全相同,只是空間位相不同的晶面歸為同一晶面族,用{hkl}表示,它代表由對(duì)稱性相聯(lián)系的若干組等效晶面的總和;在一個(gè)晶胞中同屬于某一晶面族的等效晶面數(shù)目,稱為多重性因子;立方晶系中,具有相同指數(shù)的晶向和與晶面必定是互相垂直的,即晶向的方向?yàn)樵撓嗤笖?shù)晶面的法線方向。[111]⊥(111)第22頁(yè),共46頁(yè)。23對(duì)于高對(duì)稱性的晶體來(lái)說(shuō),結(jié)晶學(xué)上等價(jià)的面具有相同的指數(shù),這些結(jié)晶學(xué)上的等價(jià)面就構(gòu)成一個(gè)晶面族(planesofaform)
,也就是互相不平行而原子排列規(guī)律相同的晶面的集合。立方晶系中:12個(gè)對(duì)角面
(110),
(101),
(011),
(110),(101),
(011),(110),(101),(011),(110),(101),(011)構(gòu)成{110}晶面族;6個(gè)表面
(100),(010),(001),(100),(010),(001)構(gòu)成{100}晶面族;同一晶面族的各晶面指數(shù)數(shù)字相同,只是排列順序和符號(hào)不同第23頁(yè),共46頁(yè)。立方晶格的幾種主要晶面標(biāo)記
第24頁(yè),共46頁(yè)。25寫出立方晶系的{123}晶面族和<112>晶向族中的全部等價(jià)晶面和晶向的具體指數(shù)。第25頁(yè),共46頁(yè)。26面密度(plannardensity)單位面積上的原子數(shù);面致密度為晶面上原子實(shí)際覆蓋的面積分?jǐn)?shù)。計(jì)算簡(jiǎn)單立方釙Po(010)和
(020)晶面的面密度和面致密度,釙的晶格常數(shù)為0.334nm。第26頁(yè),共46頁(yè)。27兩個(gè)晶面見(jiàn)圖1-21,在(010)晶面,原子中心位于立方面的角上,實(shí)際上,每個(gè)原子的只有1/4在晶胞的這個(gè)面上。因此,每個(gè)面上總的原子數(shù)是1個(gè)。(020)晶面上沒(méi)有任何原子,因此它的面密度和面致密度均為0。可以看出,(010)和(020)晶面不是等同的。第27頁(yè),共46頁(yè)。28例:在立方晶胞中畫出(a)晶向和(b)
晶面。晶胞中畫出(a)晶向和(b)晶面第28頁(yè),共46頁(yè)。29要把晶向畫在晶胞內(nèi),需要把原點(diǎn)移動(dòng)到0,+1,0,起點(diǎn)設(shè)在原點(diǎn)上,則終點(diǎn)的坐標(biāo)為:要畫出晶面,首先需要確定它的截距:由于x軸上的截距為負(fù)值,要把晶面畫在晶胞內(nèi),需要把原點(diǎn)移動(dòng)到1,0,0。第29頁(yè),共46頁(yè)。六方晶系指數(shù):六方晶系的晶向和晶面通常采用密勒-布拉菲(Miller-Bravais)指數(shù)表示。晶面指數(shù)的標(biāo)定方法與三軸坐標(biāo)系相同,但需用(hkil)四個(gè)數(shù)來(lái)表示。位于同一平面上的三個(gè)坐標(biāo)數(shù)中必定有一個(gè)是不獨(dú)立的,可以證明它們之間存在下列關(guān)系:i=-(h+k)在四軸坐標(biāo)系中晶向指數(shù)的確定方法也和三軸坐標(biāo)系相同、但需要用[uvtw]四個(gè)數(shù)來(lái)表示。并且u、v、t中也只能有兩個(gè)是獨(dú)立的,它們之間存在下列關(guān)系:t=-(u+v)30六方晶系密勒-布拉菲指數(shù)(a)四坐標(biāo)法確定晶面指數(shù)(b)三坐標(biāo)法和四坐標(biāo)法確定晶面指數(shù).第30頁(yè),共46頁(yè)。31晶向指數(shù)的標(biāo)定步驟如下:從原點(diǎn)出發(fā),沿著平行于四個(gè)晶軸的方向依次移動(dòng),使之最后達(dá)到待定晶向上的某一結(jié)點(diǎn);移動(dòng)時(shí)必須選擇適當(dāng)?shù)穆肪€,使沿a3
軸移動(dòng)的距離等于沿a1、a2兩軸移動(dòng)的距離之和的負(fù)值;將各方向移動(dòng)距離化為最小整數(shù)值,加上方括號(hào),即為此晶向的晶向指數(shù)。先用三軸坐標(biāo)系標(biāo)出待定晶向的晶向指數(shù),然后再按下式換算成四軸坐標(biāo)系的晶向指數(shù)[uvtw]。u=(2U-V)/3,v=(2V-U)/3,t=-(U+V)/3,w=W第31頁(yè),共46頁(yè)。32確定圖中A,B晶面的晶面指數(shù)和C,D晶向的晶向指數(shù)晶面
A1.a1=a2=a3
=∞
,c=12.1/a1=1/a2=1/a3=0,1/c=13.已為最小的整數(shù),記為
(0001)晶面
B1.a1=1,a2=1,a3=-1/2,c=12.1/a1=1,1/a2=1,1/a3=-2,1/c=13.已為最小的整數(shù),記為晶向
C兩點(diǎn)坐標(biāo)分別為(0,0,1)and(1,0,0).2.(0,0,1)–(1,0,0)=1,0,13.已為最小的整數(shù),記為
晶向
D1.兩點(diǎn)坐標(biāo)分別為(0,1,0)and(1,0,0).2.(0,1,0)-(1,0,0)=-1,1,03.已為最小的整數(shù),記為第32頁(yè),共46頁(yè)。33密排面、密排方向和堆垛方式在鋼球模型的基礎(chǔ)上,晶體可以看成是由某些晶面(或?qū)樱┰诳臻g按一定次序一個(gè)挨一個(gè)堆垛而成。該次序就稱為堆垛方式或堆垛次序(stackingaequence)。HCP晶體按密排面(0001)的堆垛次序是ABAB……。FCC晶體按照(111)面的堆垛次序是ABCABC……。FCC和HCP結(jié)構(gòu)的堆垛方式雖不同,但都是最緊密的排列都具有相同的配位數(shù)12和致密度0.74。第33頁(yè),共46頁(yè)。2025/7/3011:5834HCP結(jié)構(gòu)中ABABAB
堆垛次序第34頁(yè),共46頁(yè)。2025/7/3011:5835FCC結(jié)構(gòu)中的ABCABCABC堆垛次序第35頁(yè),共46頁(yè)。三、面間距、晶面夾角和晶帶理論361.晶面間距:晶面指數(shù)為(hkl)的一組平面點(diǎn)陣中相鄰的兩平面點(diǎn)陣面間的垂直距離,記作d(hkl)第36頁(yè),共46頁(yè)。晶面間距的意義:每一種晶體物質(zhì)都有一套特征d(hkl),是晶體物相分析的重要依據(jù)。晶面指數(shù)確定,晶面的位向和晶面間距確定。晶面的位向用晶面法線的位相表示??臻g任一直線的位向可用它的余弦表示。對(duì)于立方晶系而言,晶面位向可從以下關(guān)系求得:h:k:l=cosα:cosβ
:cosγcos2
α+cos2β+cos2γ=1h、k、l的數(shù)值越小,晶面間距離越大,實(shí)際晶體外形中這個(gè)晶面出現(xiàn)的機(jī)會(huì)也越大。(晶體的x射線衍射中容易出現(xiàn),衍射峰強(qiáng))晶面間距越大,該晶面上原子排布越密集;2025/7/3011:5837第37頁(yè),共46頁(yè)。前述每一種晶體物質(zhì),都具有無(wú)數(shù)多組面網(wǎng)間距不同的面網(wǎng),但在實(shí)際測(cè)試中,我們只能測(cè)得有限的一部分,即介于最大和最小面網(wǎng)間距之間的面網(wǎng)間距。
a)最大面網(wǎng)間距:不能超出晶胞的大小和尺寸;
b)最小面網(wǎng)間距:等于我們所使用的光源的單色光波長(zhǎng)的一半,具體原因后面章節(jié)要講述。例如鉆石(diamond)等軸晶系,a=3.5667nm。用CuKα射線測(cè)量時(shí),我們能測(cè)得的面網(wǎng)間距只有:
d100=2.060?;d220=1.261?;d311=1.0754?;d400=0.8916?;d331=0.8182?2025/7/3011:5838第38頁(yè),共46頁(yè)。不同晶系的獨(dú)立面網(wǎng)間距數(shù)量不同對(duì)稱越高的晶體,所具有的獨(dú)立面網(wǎng)間距數(shù)量越少;對(duì)稱越低的晶體,則獨(dú)立面網(wǎng)間距數(shù)量越多。原因如下:如等軸晶系:d010=d001=d100=a;
而斜方晶系:d010=b;d001=c;d100=a2025/7/3011:5839第39頁(yè),共46頁(yè)。面網(wǎng)間距與晶胞參數(shù)之間有一定的對(duì)應(yīng)關(guān)系。當(dāng)α=β==90°時(shí),d010=b;d020=b/2;d030=b/3。下面根據(jù)晶系的不同分別列出其面網(wǎng)間距的計(jì)算公式。對(duì)于立方晶系:正交晶系:三方和六方晶系:2025/7/3011:5840第40頁(yè),共46頁(yè)。41對(duì)于立方晶系中的BCC和FCC結(jié)構(gòu)BCC:h+k+l等于偶數(shù)時(shí),n=1;h+k+l等于奇數(shù)時(shí),n=1/2FCC:h,k,l全為奇數(shù)或偶數(shù)時(shí),n=1,h,k,l奇偶均有時(shí),n=1/2(0視為偶數(shù))。例如,對(duì)BCC結(jié)構(gòu):面間距越大,晶面上原子的排列就越密集,晶面間距最大的晶面通常是原子最密排
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