專項訓練晶胞結構與物質(zhì)的性質(zhì)（解析版）1．（2023·湖南·統(tǒng)考高考真題）科學家合成了一種高溫超導材料，其晶胞結構如圖所示，該立方晶胞參數(shù)為。阿伏加德羅常數(shù)的值為。下列說法錯誤的是

A．晶體最簡化學式為B．晶體中與最近且距離相等的有8個C．晶胞中B和C原子構成的多面體有12個面D．晶體的密度為【答案】C【詳解】A．根據(jù)晶胞結構可知，其中K個數(shù)：8×=1，其中Ca個數(shù)：1，其中B個數(shù)：12×=6，其中C個數(shù)：12×=6，故其最簡化學式為，A正確；B．根據(jù)晶胞結構可知，位于晶胞體心，Ca位于定點，則晶體中與最近且距離相等的有8個，B正確；C．根據(jù)晶胞結構可知，晶胞中B和C原子構成的多面體有14個面，C錯誤；D．根據(jù)選項A分析可知，該晶胞最簡化學式為，則1個晶胞質(zhì)量為：，晶胞體積為a3×10-30cm3，則其密度為，D正確；故選C。2．（2023·湖北·統(tǒng)考高考真題）鑭La和H可以形成一系列晶體材料，在儲氫和超導等領域具有重要應用。，屬于立方晶系，晶胞結構和參數(shù)如圖所示。高壓下，中的每個H結合4個H形成類似的結構，即得到晶體。下列說法錯誤的是A．晶體中La的配位數(shù)為8B．晶體中H和H的最短距離：C．在晶胞中，H形成一個頂點數(shù)為40的閉合多面體籠D．單位體積中含氫質(zhì)量的計算式為【答案】C【詳解】A．由的晶胞結構可知，La位于頂點和面心，晶胞內(nèi)8個小立方體的中心各有1個H原子，若以頂點La研究，與之最近的H原子有8個，則La的配位數(shù)為8，故A正確；B．由晶胞結構可知，每個H結合4個H形成類似的結構，H和H之間的最短距離變小，則晶體中H和H的最短距離：，故B正確；C．由題干信息可知，在晶胞中，每個H結合4個H形成類似的結構，這樣的結構有8個，頂點數(shù)為48=32，且不是閉合的結構，故C錯誤；D．1個晶胞中含有58=40個H原子，含H質(zhì)量為g，晶胞的體積為(484.010-10cm)3=(4.8410-8)3cm3，則單位體積中含氫質(zhì)量的計算式為，故D正確；答案選C。3．（2023·遼寧·統(tǒng)考高考真題）晶體結構的缺陷美與對稱美同樣受關注。某富鋰超離子導體的晶胞是立方體(圖1)，進行鎂離子取代及鹵素共摻雜后，可獲得高性能固體電解質(zhì)材料(圖2)。下列說法錯誤的是

A．圖1晶體密度為g?cm-3 B．圖1中O原子的配位數(shù)為6C．圖2表示的化學式為 D．取代產(chǎn)生的空位有利于傳導【答案】C【詳解】A．根據(jù)均攤法，圖1的晶胞中含Li：8×+1=3，O：2×=1，Cl：4×=1，1個晶胞的質(zhì)量為g=g，晶胞的體積為(a×10-10cm)3=a3×10-30cm3，則晶體的密度為g÷(a3×10-30cm3)=g/cm3，A項正確；B．圖1晶胞中，O位于面心，與O等距離最近的Li有6個，O原子的配位數(shù)為6，B項正確；C．根據(jù)均攤法，圖2中Li：1，Mg或空位為8×=2。O：2×=1，Cl或Br：4×=1，Mg的個數(shù)小于2，根據(jù)正負化合價的代數(shù)和為0，圖2的化學式為LiMgOClxBr1-x，C項錯誤；D．進行鎂離子取代及鹵素共摻雜后，可獲得高性能固體電解質(zhì)材料，說明Mg2+取代產(chǎn)生的空位有利于Li+的傳導，D項正確；答案選C。4．（2023·河北張家口·統(tǒng)考三模）氟元素可形成多種有工業(yè)價值和科研價值的化合物，如OF2、NF3、XeF2等。其中XeF2的四方晶胞結構如圖所示，圖中M點原子坐標參數(shù)為(，，)，Xe和F的最短距離為bnm、下列說法錯誤的是A．OF2分子中鍵角小于分子中的B．中Xe的雜化方式為spC．基態(tài)N、F原子核外電子均有5種空間運動狀態(tài)D．Q點原子坐標參數(shù)為[]【答案】B【詳解】A．OF2中原子有2對孤電子對，NF3中原子有1對孤電子對，孤電子對對成鍵電子對的排斥力大于成鍵電子對對成鍵電子對的排斥力，故OF2分子中鍵角小于NF3分子中的，A正確；B．XeF2中Xe的價層電子對數(shù)目為5，不可能為sp雜化，B錯誤；C．基態(tài)N、F原子核外電子均占據(jù)5個原子軌道，故均有5種空間運動狀態(tài)，C正確；D．由信息，Q點原子坐標參數(shù)為，D正確；故答案為：B。5．（2023·山東濟南·統(tǒng)考三模）普魯士藍結構如圖所示，所含不同價態(tài)的鐵通過氰基互相傳遞電子使得普魯士藍呈現(xiàn)藍色。已知、和均僅有一種化學環(huán)境。下列說法錯誤的是A．C、N均為sp雜化 B．C．圖示結構不是一個晶胞 D．一個晶胞中有2個【答案】D【分析】由題干可知，所含不同價態(tài)的鐵通過氰基互相傳遞電子使得普魯士藍呈現(xiàn)藍色，且、和均僅有一種化學環(huán)境，則亞鐵離子與鐵離子位于頂點且間隔排列，故【詳解】A．碳碳氮之間形成叁鍵，為直線形，C、N均為sp雜化，A正確；B．由分析可知，，B正確；C．晶胞是構成晶體的最基本的幾何單元，可以前后左右上下平移得到相同結構并能與其無隙并置；由圖可知，該結構平移不能相同結構，不是一個晶胞，C正確；D．根據(jù)“均攤法”，該結構中含個Fe，，則含有個，結合C分析可知，該結構為晶胞的，則一個晶胞中有×8=4個，D錯誤；故選D。6．（2023·山東泰安·統(tǒng)考三模）氯化銅是共價化合物，通常用作有機和無機反應催化劑、媒染劑等。溶液與乙二胺()可形成配離子(En是乙二胺的簡寫)，如圖所示，下列說法中錯誤的是A．基態(tài)的未成對電子數(shù)為1B．配離子中N原子提供孤對電子C．乙二胺和三甲胺均屬于胺，沸點更高的是三甲胺D．配離子中涉及的元素的電負性由大到小的順序為N>C>H>Cu【答案】C【詳解】A．銅元素的原子序數(shù)為29，基態(tài)銅離子的價電子排布式為3d9，離子中的未成對電子數(shù)為1，故A正確；B．由圖可知，配離子的中心離子為具有空軌道的銅離子，乙二胺分子為配體，分子中具有孤對電子的氮原子提供孤對電子，故B正確；C．乙二胺能形成分子間氫鍵，三甲胺不能形成分子間氫鍵，則乙二胺的分子間作用力大于三甲胺，沸點高于三甲胺，故C錯誤；D．金屬元素的電負性小于非金屬元素，元素的非金屬性越強，電負性越大，則配離子中四種元素的電負性由大到小的順序為N>C>H>Cu，故D正確；故選C。7．（2023·遼寧沈陽·統(tǒng)考三模）配位化合物X由配體和具有正四面體結構的組成?；衔颴晶體具有面心立方結構，其晶胞由8個結構相似的組成單元(如圖)構成。下列有關說法錯誤的是A．每個中采取雜化的C原子數(shù)目為8個B．每個中C與O之間形成鍵的數(shù)目為8個C．X晶胞中與同一配體相連的兩個的取向不同D．X晶體中的配位數(shù)為2【答案】D【詳解】A．有機物中成雙鍵的碳原子采取sp2雜化，由圖可知每個L2-中有8個雙鍵碳，因此每個中采取雜化的C原子數(shù)目為8個，A正確；B．由圖可知，每個L2-中存在6個碳氧單鍵和2個碳氧雙鍵，因此每個中C與O之間形成鍵的數(shù)目為8個，B正確；C．為正四面體結構，由X晶胞對角面示意圖可知，與同一配體相連的兩個的取向不同，C正確；D．由圖可知，1個上、下、左、右、前、后共有6個，每個與[Zn4O]6+形成2個配位鍵，1個含有4個配位鍵，則1個中形成的配位鍵數(shù)目為，1個的配位數(shù)為4，D正確；故選D。8．（2023·遼寧·校聯(lián)考三模）一種由Cu、In、Te組成的晶體屬四方晶系，晶胞參數(shù)如圖所示，晶胞棱邊夾角均為90，晶體中Te原子填充在Cu、In圍成的四面體空隙中，以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置，稱為原子的分數(shù)坐標，如A點、B點原子的分數(shù)坐標分別為(0，0，0)、(，，)，下列說法錯誤的是A．該晶體的化學式為CuInTe2B．C點原子的分數(shù)坐標為(，，)C．晶胞中四面體空隙的占有率為50%D．晶胞中C、D間距離d=pm【答案】D【詳解】A．晶胞中位于頂點、面上、和體內(nèi)的Cu原子個數(shù)=，位于面上、棱上的In原子個數(shù)=，位于體內(nèi)的Te原子個數(shù)=8×1=8，則Cu、In、Te的原子個數(shù)比為4:4:8=1:1:2，晶體的化學式為CuInTe2，A選項正確；B．由位于頂點A點和體心B點原子的分數(shù)坐標分別為(0,0,0)、(,,)可知，晶胞邊長為1，則位于體對角線處，面對角線處的C原子的分數(shù)坐標分別為(,,)，B選項正確；C．由晶胞結構可知，In原子形成的四面體空隙有8個，形成的八面體空隙也有8個，則四面體空隙的占有率為，C選項正確；D．由晶胞中C、D形成的直角三角形的邊長為pm、pm可知，C、D間距離d=，D選項錯誤；答案選D。9．（2023·河北·校聯(lián)考三模）砷化鎵(GaAs)是一種立方晶系的晶體，其晶胞結構如圖甲所示。將Mn摻雜到晶體中得到稀磁性半導體材料，其晶胞結構如圖乙所示。砷化鎵的晶胞參數(shù)為xpm。下列說法錯誤的是A．1molGaAs中配位鍵的數(shù)目是NAB．GaAs晶體中，Ga和As的最近距離是xpmC．元素的電負性：Ga＜AsD．稀磁性半導體材料中，Mn、As的原子個數(shù)比為1：2【答案】D【詳解】A．中，砷提供孤對電子，鎵提供空軌道，兩者形成配位鍵，平均1個中配位鍵數(shù)目為1，則中配位鍵的數(shù)目是，A正確；B．由砷化鎵晶胞結構可知，和的最近距離為晶胞體對角線長度的，和的最近距離是，B正確；C．元素的電負性：Ga＜As，C正確；D．由圖乙可知，摻雜之后，晶胞中的數(shù)目為，的數(shù)目為4，故稀磁性半導體材料中，、的原子個數(shù)比為，D錯誤；故選D。10．（2023·湖南岳陽·統(tǒng)考三模）由鐵及其化合物可制得FeSO4·7H2O、FeCl3、K2FeO4等化工產(chǎn)品，它們在生產(chǎn)、生活中具有廣泛應用。已知NO能被FeSO4溶液吸收生成配合物[Fe(NO)(H2O)5]SO4。高爐煉鐵的反應為Fe2O3(s)＋3CO(g)=2Fe(s)＋3CO2(g)

ΔH=-23.5kJ·mol-1。下列有關說法不正確的是

A．如圖所示γ-Fe的晶胞中，鐵原子的配位數(shù)為12B．配離子為[Fe(NO)(H2O)5]2＋，配位數(shù)為6C．基態(tài)鐵原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d74s1D．該配合物中陰離子空間結構為正四面體形【答案】C【詳解】A．根據(jù)晶胞結構圖知，該晶胞中Fe原子的配位數(shù)==12，故A正確；B．[Fe(NO)(H2O)5]2＋中NO、H2O的個數(shù)之和為Fe2+的配位數(shù)，所以該配離子中配位數(shù)是6，故B正確；C．基態(tài)鐵原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2，故C錯誤；D．該配合物的陰離子為，S原子價層電子對數(shù)=4+=4且不含孤電子對，所以該離子為正四面體形，故D正確；故選：C。11．（2023·安徽·校聯(lián)考三模）國內(nèi)某科研團隊發(fā)現(xiàn)，在紫外線作用下多孔管狀ZnS價帶失去電子產(chǎn)生空穴(h+，具有強氧化性)，Cr(VI)在導帶得電子轉(zhuǎn)化為無毒的Cr(Ⅲ)，水中的有機腐質(zhì)不斷消耗價帶產(chǎn)生的羥基自由基(·OH)促進反應不斷進行，作用機理如圖所示；

下列判斷正確的是A．ZnS晶體中Zn2+周圍與其距離最近的Zn2+個數(shù)為9B．價帶產(chǎn)生羥基自由基的反應式為H2O+h+=·OH+H+C．若消耗1mol有機腐質(zhì)(按C3H6O3計)，理論上價帶失去6mol電子D．若ZnS晶胞的參數(shù)為anm，則ZnS晶體的密度為g·cm-3【答案】B【詳解】A．距離最近的鋅離子有4個，即的配位數(shù)為4，根據(jù)ZnS的晶胞結構，以頂點的為例，與之距離最近的位于面心，一個晶胞中共有3個，根據(jù)晶體的堆積方式可知，一個被8個晶胞共用，且一個晶胞中距離最短的連線被兩個晶胞共用，故符合條件的共有個，A項錯誤；B．由圖可知價帶產(chǎn)生羥基自由基的反應式為，B項正確；C．由圖可知水中的有機腐質(zhì)不斷消耗價帶產(chǎn)生的羥基自由基促進反應不斷進行，最后轉(zhuǎn)化為，有機腐質(zhì)分子式為其中C元素的平均化合價為0價，轉(zhuǎn)化為中C元素化合價為+4價，則1mol，理論上失去12mol電子，C項錯誤；D．ZnS晶體的密度，D項錯誤；答案選B。12．（2023·湖南衡陽·校聯(lián)考三模）73號元素鉭(Ta)與砷(As)形成的晶體在室溫下?lián)碛谐叩目昭ㄟw移率和較低的電子遷移率，其長方體晶胞結構如圖所示。下列說法錯誤的是

A．基態(tài)As原子核外N層有4種空間運動狀態(tài)不同的電子B．該晶胞中As的配位數(shù)為4C．該晶體的化學式為TaAsD．TaAs的晶體密度【答案】B【詳解】A．基態(tài)As原子的價電子排布式為，一個原子軌道即為一種空間運動狀態(tài)，N層電子共4種空間運動狀態(tài)，A項正確；B．該晶胞中As的配位數(shù)為6，B項錯誤；C．由晶胞結構可知，該晶體的化學式為TaAs，C項正確；D．(晶胞)，則，D項正確；故選B。13．（2023·遼寧·校聯(lián)考三模）是一種重要的化工產(chǎn)品，實驗室可利用制取該配合物：。已知的空間結構如圖所示，其中1~6處的小圓圈表示分子，各相鄰的分子間的距離相等，中心離子位于正八面體的中心，分子到中心離子的距離相等(圖中虛線長度相等)，下列說法正確的是A．的電子式為B．、與形成配離子的穩(wěn)定性：C．1mol含有18molσ鍵D．若中兩個被替代，得到的有兩種結構【答案】D【詳解】A．是共價化合物，其電子式為，A錯誤；B．配合物向生成更穩(wěn)定的配合物轉(zhuǎn)化，CoCl2易轉(zhuǎn)化為[Co(NH3)6]3+，即NH3和H2O中與Co3+配位能力較強的是NH3，所以NH3和H2O與Co3+的配位能力：NH3>H2O，故B錯誤；C．1個[Co(NH3)6]3+離子中含有36=18條N-H鍵，還有6個配位鍵，該配離子中配位鍵屬于σ鍵，故1mol[Co(NH3)6]3+中含24molσ鍵，故C錯誤；D．若Co(NH3)6]3+中兩個NH3被Cl-替代，兩個氯離子可以相鄰或相對，所以得到的有2種結構，故D正確；故答案選D。14．（2023·重慶·統(tǒng)考三模）氮化鈦晶體的立方晶胞結構如圖所示，該晶胞中N、N之間的最近距離為apm，以晶胞邊長為單位長度建立坐標系，原子A的坐標參數(shù)為(0，0，0)，下列說法錯誤的是

A．原子B的坐標參數(shù)為 B．晶胞邊長是pmC．該物質(zhì)的化學式為TiN D．Ti的配位數(shù)為6【答案】A【詳解】A．原子B在x、y、z軸上坐標分別為1、1、，則坐標參數(shù)為，A錯誤；B．晶胞中N、N之間的最近距離為面對角線的二分之一，為apm，則N與Ti的最近距離是pm，則晶胞邊長為pm，B正確；C．該晶胞中，Ti(黑球)的個數(shù)為，N(白球)的個數(shù)為，則Ti和N的個數(shù)比為1∶1，該物質(zhì)的化學式為TiN，C正確；D．如圖所示，以體心鈦為例，與Ti距離相等且最近的N有6個，則Ti的配位數(shù)為6，D正確；答案選A。15．（2023·云南楚雄·統(tǒng)考模擬預測）銻---鉀合金可用作鉀離子電池的電極材料，圖a為其晶胞結構，圖b為晶胞的一部分，下列有關說法正確的是A．晶胞密度為g·cm-3B．Sb原子的配位數(shù)為6C．最鄰近的Sb原子構成的最小空間結構為正四面體D．從電子排布推斷，K的第一電離能比Sb大【答案】C【詳解】A．根據(jù)“均攤法”，晶胞中含個Sb、個K，則晶體密度為，A錯誤；B．以底面Sb原子為例，距其等距且最近的K原子上下層各有4個，故配位數(shù)為8，B錯誤；C．由圖b可知，最鄰近的Sb原子構成的最小空間結構為正四面體，C正確；D．同一周期隨著原子序數(shù)變大，第一電離能變大，K的第一電離能比Sb小，D錯誤；故選C。16．（2023·江蘇·校聯(lián)考模擬預測）以煉鐵廠鋅灰(主要成分為ZnO，并含少量的CuO、、等)為原料制備氧化鋅的主要工藝流程如下：下列說法不正確的是A．浸取過程中ZnO轉(zhuǎn)變?yōu)榈碾x子方程式為：B．過濾1所得濾液中大量存在的離子有：、、C．蒸氨所得用水吸收后可循環(huán)至浸取工序循環(huán)使用D．一種ZnO的晶胞結構如圖所示，該晶胞中數(shù)為2【答案】B【分析】鋅灰加入過量氨水、碳酸氫銨浸取后得到、，過濾濾液加入鋅還原得到銅單質(zhì)，過濾濾液蒸氨得到堿式碳酸鋅，加熱得到氧化鋅；【詳解】A．浸取過程中反應物ZnO、、，生成物，離子方程式為：，A正確；B．與相似，在浸取過程中轉(zhuǎn)變成，所以過濾1所得濾液中不可能有大量的，B錯誤；C．溶于水得氨水，可用于“浸取”工序，C正確；D．根據(jù)均攤法，該晶胞中數(shù)為，D正確。答案選B。17．（2023·湖北武漢·統(tǒng)考模擬預測）某儲氫材料鑭鎳合金的晶胞結構如圖所示。下列說法中錯誤的是A．該物質(zhì)的化學式為B．距離La最近且相等的Ni的數(shù)目為6C．利用原子光譜可鑒定儲氫材料中的La元素D．晶體密度：【答案】D【詳解】A．該晶胞中La原子個數(shù)為12×+2×=3，Ni原子個數(shù)為18×+6=15，則La、Ni原子個數(shù)之比為3：15=1：5，化學式為LaNi5，A正確；B．根據(jù)圖知，以底面中心La原子為例，與其距離最近且相對的Ni原子個數(shù)是6，B正確；C．原子光譜可以鑒定金屬元素，所以利用原子光譜可鑒定儲氫材料中的La元素，C正確；D．該晶胞的體積為×（a×10-10cm）2×sin60°×6×（b×10-10cm）=a2b×10-30cm3，晶體密度ρ===g/cm3=g/cm3，D錯誤；故答案為：D。18．（2023·遼寧大連·大連二十四中校考模擬預測）GaAs是一種重要的半導體材料，熔點為1238℃，密度為，其晶胞結構如圖所示。已知阿伏伽德羅常數(shù)的值為，MGaAs=l45g/mol，下列說法不正確的是A．As的配位數(shù)為4B．As在元素周期表的第15縱列，屬于p區(qū)元素C．該晶體為離子晶體，是新型無機非金屬材料D．GaAs的晶胞邊長為【答案】C【詳解】A．以面心的As分析，As的配位數(shù)為4，故A正確；B．周期表中13到18縱列是p區(qū)元素，As在元素周期表的第15縱列，屬于p區(qū)元素，故B正確；C．GaAs是一種重要的半導體材料，熔點為1238℃，熔點較高，該晶體為共價晶體，故C錯誤；D．根據(jù)GaAs晶胞分析晶胞中含有4個Ga，個As，則GaAs的晶胞密度為，邊長為，故D正確。綜上所述，答案為C。19．（2023·遼寧沈陽·沈陽二中?？寄M預測）一種可用于配制無機防銹顏料的復合氧化物的晶胞結構如圖，下列說法中不正確的是A．該復合氧化物的化學式為B．若圖中的原子坐標為，則的原子坐標為C．若該晶體密度為，鉑和氧的最近距離為，則阿佛加德羅常數(shù)D．由晶胞結構可知，與1個鈣原子等距離且最近的氧原子有8個【答案】D【詳解】A．Ca位于頂點，個數(shù)為=1，Cr位于體內(nèi)，個數(shù)為1，O位于面上，個數(shù)為=3，化學式為CaCrO3，選項A正確；B．根據(jù)晶胞圖可知，C位于面心，因此C的坐標為(0，0.5，0.5)，選項B正確；C．鈣和氧最近的距離是面對角線的一半，面對角線長為2anm，即晶胞邊長為nm，晶胞的體積為(×10-7)3cm3，根據(jù)A選項分析，晶胞的質(zhì)量為g，則晶胞密度為g/cm3，阿佛加德羅常數(shù)NA=，選項C正確；D．以頂點Ca為標準，離Ca最近的氧原子在面心，共有12個，選項D錯誤；答案選D。20．（2023·湖北荊州·統(tǒng)考模擬預測）已知γ-AgI晶體屬立方晶系，其晶胞截面如圖所示(晶胞參數(shù)為620pm，設阿伏伽德羅常數(shù)的值為NA)，則下列關于γ-AgI晶胞的描述錯誤的是

A．與的配位數(shù)均為4B．與距離最近且相等的有12個C．填充在構成的四面體空隙中，其空隙填充率為50%D．該晶體的摩爾體積【答案】D【分析】由晶胞截面圖可知，晶胞中碘離子位于頂點和面心，則碘離子個數(shù)為8×+6×=4，碘離子構成8個四面體，銀離子交替填充在碘離子構成的四面體的體心，則位于體內(nèi)的銀離子個數(shù)為4。【詳解】A．由分析可知，銀離子交替填充在碘離子構成的四面體的體心，則銀離子的配位數(shù)為4，由化學式可知，碘離子的配位數(shù)也為4，故A正確；B．由分析可知，銀離子交替填充在碘離子構成的四面體的體心，則與銀離子距離最近且相等的銀離子有12個，故B正確；C．由分析可知，碘離子構成8個四面體，銀離子交替填充在碘離子構成的四面體的體心，則空隙填充率為×100%=50%，故C正確；D．由晶胞參數(shù)可知，晶體的摩爾體積Vm==m3/mol，故D錯誤；故選D。21．（2023·湖北·校聯(lián)考模擬預測）一種新型高性能的p型太陽能電池材料的晶體結構單元(為立方體，質(zhì)量為bg)及部分原子分數(shù)坐標如圖所示，其中Ni和Mg間的最短距離為apm。下列說法正確的是

A．①處原子分數(shù)坐標為 B．晶體密度為C．該晶體不可能是離子晶體 D．該物質(zhì)的化學式為【答案】B【詳解】A．由坐標軸及已給兩個原子的分數(shù)坐標知，①處原子分數(shù)坐標為，A項錯誤；B．由圖可知，Ni和Mg間的最短距離為晶體結構單元面對角線的一半，面對角線長度為2apm，立方體邊長為pm，晶體結構單元體積為，晶體密度為，B項正確；C．該晶體由金屬與氧元素組成，很有可能是離子晶體，C項錯誤；D．1個晶體結構單元中Li的個數(shù)為，Mg的個數(shù)為，Ni的個數(shù)為，O的個數(shù)為4，因此該物質(zhì)的化學式為，D項錯誤；故選B。22．（2023·湖北·校聯(lián)考模擬預測）科學工作者發(fā)現(xiàn)了一種光解水的催化劑，其晶胞結構如圖所示，已知晶胞參數(shù)為。下列說法中錯誤的是

A．與的數(shù)目之比為 B．在晶胞中的配位數(shù)為8C．與最近的距離為 D．該晶體的摩爾體積【答案】D【詳解】A．據(jù)“均攤法”，晶胞中，Ce的個數(shù)為，O的個數(shù)為8，則晶胞中Ce與O的個數(shù)比為1:2，A正確；B．以底面面心的Ce為例，上、下層各有4個氧原子，故在晶胞中的配位數(shù)為8，B正確；C．Ce與O的最近距離為體對角線的四分之一，為，C正確；D．1個晶胞體積為a3×10-36m3，含有4個Ce和8個O，則該晶體的摩爾體積為×a3×10-36m3×NA=，D錯誤；答案選D。23．（2023·浙江·統(tǒng)考模擬預測）氯化二乙基鋁(CH3CH2)2AlCl既能形成穩(wěn)定的二聚體，也能形成三聚體。(CH3CH2)2AlCl三聚體所有原子最外層電子均達到穩(wěn)定結構，結構如圖所示，下列推測不合理的是A．(CH3CH2)2AlCl三聚體分子中含有3個配位鍵，每個Al的配位數(shù)是4B．(CH3CH2)2AlCl的三聚體為非極性分子C．(CH3CH2)2AlCl與O2完全反應生成二氧化碳，水，氧化鋁和氯化氫D．(CH3CH2)2AlCl比(CH3CH2)2AlBr更易水解【答案】D【詳解】A．由圖可知，(CH3CH2)2AlCl三聚體分子中中心離子是鋁離子，氯離子和乙基是配體，鋁離子的配位數(shù)為4，故A正確；B．由圖可知，(CH3CH2)2AlCl三聚體分子是結構對稱的非極性分子，故B正確；C．由質(zhì)量守恒定律可知，(CH3CH2)2AlCl一定條件下與氧氣完全反應生成二氧化碳，水，氧化鋁和氯化氫，故C正確；D．氯元素的電負性大于溴元素，鋁氯鍵強于鋁溴鍵，則水解時(CH3CH2)2AlCl的鋁氯鍵比(CH3CH2)2AlBr的鋁溴鍵難以斷裂，比(CH3CH2)2AlBr更難水解，故D錯誤；故選D。24．（2023·湖北·襄陽四中校考模擬預測）我國科技工作者發(fā)明了合成甲醇的高選擇性催化劑，其晶胞結構如圖所示(Zr位于元素周期表第五周期第IVB族)，晶胞參數(shù)為，，。下列說法錯誤的是A．基態(tài)Zr價電子排布式為B．在晶胞中配位數(shù)為4C．該催化劑的化學式為D．該晶胞密度為【答案】B【詳解】A．Zr位于元素周期表第五周期第IVB族，為40號元素，基態(tài)Zr價電子排布式為，A正確；B．由圖可知，以底面面心為例，其上下層各有4個氧，則在晶胞中配位數(shù)為8，B錯誤；C．據(jù)“均攤法”，晶胞中含個Zr、8個Ga，故該催化劑的化學式為，C正確；D．結合C分析可知，該晶胞密度為，D正確；故選B。25．（2023·遼寧·校聯(lián)考模擬預測）鉀、鐵、硒可以形成一種超導材料，其晶胞在xz、yz和xy平面投影分別如圖所示：已知：晶胞參數(shù)，。下列說法錯誤的是A．該超導材料的最簡化學式為B．Fe原子的配位數(shù)為4C．阿伏加德羅常數(shù)的值為，該晶體的密度的計算式為D．基態(tài)鉀離子的電子占據(jù)的最高能級共有7個原子軌道【答案】D【分析】由平面投影圖可知，鉀原子8個位于頂點，1個位于體心，其個數(shù)為：8×+1=2，硒原子8個位于棱上，2個位于晶胞內(nèi)部，其個數(shù)為8×+2=4，鐵原子8個位于面心，其個數(shù)為8×=4，由此分析解題。【詳解】A．由平面投影圖可知，晶胞中位于頂點和體心的鉀原子個數(shù)為2，位于面上的鐵原子個數(shù)為4，位于棱上和體內(nèi)的硒原子的個數(shù)為4，則超導材料最簡化學式為，A正確；B．由平面投影圖可知，位于面心上的鐵原子與位于棱上和體內(nèi)的硒原子的距離最近，所以鐵原子的配位數(shù)為4，B正確；C．設晶體的密度為，由晶胞的質(zhì)量公式可得：，，C正確；D．已知K為19號元素，故基態(tài)鉀離子的電子占據(jù)的最高能級即3p能級，共有3個原子軌道，D錯誤；故答案為：D。26．（2023·黑龍江綏化·統(tǒng)考模擬預測）某種新型儲氫材料的立方晶胞結構如圖所示，其中八面體中心為M金屬離子，頂點均為NH3配體；四面體中心為硼原子，頂點均為氫原子。已知該儲氫材料的摩爾質(zhì)量為188g·mol-1，晶胞參數(shù)為anm。下列說法正確的是

A．M為銅元素B．每個晶胞中含有12個NH3C．該儲氫材料晶胞的體積為a3×10-27cm3D．晶胞中M金屬離子與B原子數(shù)之比為1∶2【答案】D【分析】某種新型儲氫材料的立方晶胞結構如圖所示，其中八面體中心為M金屬離子，頂點均為NH3配體，八面體位于頂點和面心，八面體的個數(shù)為8×＋6×＝４，1個八面體中有1個M和6個NH3，晶胞中含4個M和24個NH3；四面體中心為硼原子，頂點均為氫原子，四面體位于體內(nèi)，四面體的個數(shù)為8，1個四面體中有1個B和4個H，晶胞中含8個B和32個H；據(jù)此作答?！驹斀狻緼．晶胞中M、NH3、B、H的個數(shù)之比為4∶24∶8∶32=1∶6∶2∶8，晶體的化學式為M(NH3)6(BH4)2，該儲氫材料的摩爾質(zhì)量為188g/mol，M的相對原子質(zhì)量為188-6×17-2×15=56，M為Fe元素，A項錯誤；B．1個八面體中有6個NH3，1個晶胞中含4個八面體，則每個晶胞中含有4×6=24個NH3，B項錯誤；C．晶胞參數(shù)為anm=a×10-7cm，該儲氫材料晶胞的體積為(a×10-7cm)3=a3×10-21cm3，C項錯誤；D．晶胞中M金屬離子與B原子數(shù)之比為4∶8=1∶2，D項正確；答案選D。27．（2023·湖南長沙·雅禮中學?？寄M預測）硒化鋅是一種重要的半導體材料，其晶胞結構如圖甲所示，乙圖為該晶胞沿z軸方向在平面的投影，已知晶胞邊長為，阿伏加德羅常數(shù)的值為，下列說法錯誤的是A．位于元素周期表的區(qū)B．基態(tài)原子核外有18種不同空間運動狀態(tài)的電子C．A點原子的坐標為，則B點原子的坐標為D．該晶體密度為【