ICS25.220.01DB50L51重慶市地方標準DB50/T930—2019二維碼激光蝕刻本體標識技術(shù)應用導則Applicationguidelinesfortwodimensionalcodelaseretchingontologyidentificationtechnology重慶市市場監(jiān)督管理局發(fā)布DB50/T930—2019前言本標準按照GB/T1.1-2009給出的規(guī)則起草。本標準由重慶市質(zhì)量和標準化研究院提出。本標準由重慶市市場監(jiān)督管理局歸口。本標準起草單位：重慶市質(zhì)量和標準化研究院、中國自動識別技術(shù)協(xié)會、中電科大數(shù)據(jù)研究院有限公司、重慶電子工程職業(yè)學院、重慶聯(lián)盛建設項目管理有限公司、廈門市標準化研究院、重慶海通機電一體化有限公司、重慶力帆汽車發(fā)動機股份有限公司、上汽通用五菱汽車股份有限公司重慶分公司。本標準主要起草人：羅雪娟、陳震宇、唐成、張婧慧、王松柏、羅興宇、王旭鋼、代友文、楊品章、周磊、王莉、王婷、易嘯、陳曉榮。本標準為首次發(fā)布。IDB50/T930—2019二維碼激光蝕刻本體標識技術(shù)應用導則1范圍本標準規(guī)定了二維碼本體標識技術(shù)的術(shù)語和定義、環(huán)境要求，以及聚碳酸酯、聚乙烯、鋁合金、碳素鋼、不銹鋼、鑄鐵、紙、PCB等材質(zhì)的激光蝕刻本體標識技術(shù)要求。本標準適用于聚碳酸酯、聚乙烯、鋁合金、碳素鋼、不銹鋼、鑄鐵、紙、PCB的二維碼激光本體標識的操作和應用。2規(guī)范性引用文件下列文件對于本文件的應用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T15313-2008激光術(shù)語GB/T23704二維條碼符號印制質(zhì)量的檢驗GB/T32007-2015汽車零部件的統(tǒng)一編碼與標識GB/T35402零部件直接標記二維條碼符號的質(zhì)量檢驗術(shù)語和定義3下列術(shù)語和定義適用于本文件。一種直接在產(chǎn)品表面上做標識的制作技術(shù)，不需要紙張、標簽一類的標識載體，也可稱之為直接零注：術(shù)語DPM是“DirectPartMark”的縮寫。[改寫：GB/T32007-2015，定義3.8]能產(chǎn)生受激輻射波長直到1mm的相干輻射的設備。1DB50/T930—20194基本要求4.1環(huán)境要求激光蝕刻二維碼時，室內(nèi)溫度0℃～35℃，相對濕度≤85％。4.24.3材質(zhì)要求蝕刻二維碼的材質(zhì)表面應整潔，無明顯污垢、皺褶、殘損、穿孔。標識要求4.3.14.3.24.3.34.3.44.3.5本體標識可采用漢信碼、QR碼或DataMatrix碼。本體標識內(nèi)容包括二維碼本體標識和提示性文字。本體標識的二維碼能夠通過二維碼掃描器進行識讀。蝕刻二維碼的位置位于非工作面，且便于識讀。二維碼符號標識完整、清晰，無二意性。4.3.6二維碼符號邊緣整齊，無明顯彎曲變形。5激光器技術(shù)參數(shù)選擇聚碳酸酯類材質(zhì)5.15.1.15.1.25.1.35.1.45.1.5本體標識宜采用半導體激光器。激光設置功率為6W。脈沖頻率為20KHz。5.2.1本體標識宜采用半導體激光器或混合型激光器。5.2.2激光設置功率為4W。5.4.1產(chǎn)品宜為切削加工或氧化發(fā)黑狀態(tài)。2DB50/T930—20195.4.25.4.35.4.45.4.5本體標識宜采用光纖激光器。激光設置功率為10W。脈沖頻率為80KHz。打標速度為500mm/s。5.4.6填充密度為0.05mm。5.5不銹鋼類材質(zhì)5.5.15.5.25.5.35.5.45.5.5本體標識宜采用半導體激光器。激光設置功率為10W。脈沖頻率為80KHz。打標速度為500mm/s。填充密度為0.05mm。5.6鑄鐵類材質(zhì)5.6.15.6.25.6.3本體標識宜采用光纖激光器。激光設置功率為4W。脈沖頻率為20KHz。5.6.4打標速度為2000mm/s。5.6.5填充密度為0.03mm。5.6.6是否反轉(zhuǎn)打?。菏?。5.7.4打標速度為500mm/s。5.8.1本體標識宜采用二氧化碳激光器或光纖激光器。5.8.2選用光纖激光器時，應滿足以下技術(shù)條件：——激光設置功率為8W；——脈沖頻率為120KHz；——打標速度為500mm