80+頁PPT全方位解讀半導(dǎo)體行業(yè)新材料在線

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xincailiaoSource：中國產(chǎn)業(yè)信息但與需求不斷上漲相對的是，中國目前半導(dǎo)體產(chǎn)能僅占全球27%，自給率不到3成。我國目前半導(dǎo)體技術(shù)還處在起步階段，與歐美日韓以及臺灣地區(qū)相比還有這巨大差距，每年半導(dǎo)體進口總額達千億美元。隨著2015年半導(dǎo)體行業(yè)并購超級浪潮的掀起，中國半導(dǎo)體行業(yè)迎來的新的發(fā)展機會。為此，小編決定帶大家了解一下這個風險與機遇并半導(dǎo)體在全球科技和經(jīng)濟的發(fā)展中具有著無可替代的地位，半導(dǎo)體行業(yè)可以說是現(xiàn)代科技的象征。與此同時，我國已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體主要市場，2014年我國半導(dǎo)體市場需求已占全球比重59%，說中國半導(dǎo)體市場已成為全球增長引擎。54.10%47.70%引言50.00%40.00%30.00%

20.00%

10.00%

0.00%

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xincailiao存的行業(yè)。20122010201120132014一、半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識簡介二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析三、單晶硅市場研究報告四、砷化鎵市場研究報告五、碳化硅市場研究報告六、氮化鎵市場研究報告七、半導(dǎo)體企業(yè)分析八、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

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xincailiao

半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、某著名企業(yè)電話或是數(shù)字錄音機當中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。

常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。

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xincailiao半導(dǎo)體（semiconductor）

，指常電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。什么是半導(dǎo)體材料？半導(dǎo)體存在的意義01?

化合物半導(dǎo)體即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原

子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結(jié)構(gòu)等半導(dǎo)體性質(zhì)。?

包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）

,以及由Ⅲ

-

Ⅴ族化合物和Ⅱ

-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。半導(dǎo)體材料如何分類？?

常用的半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體。?

元素半導(dǎo)體是由單一元素制成的半導(dǎo)體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應(yīng)用最廣。磷化鎵硫化鋅

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xincailiao02主要材料：碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、硒化鋅（ZnSe）、金剛石、氮化鋁（AlN）等寬禁帶半導(dǎo)體材料為主技術(shù)標志水平：禁帶寬度更高主要產(chǎn)品形式：制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件主要材料：砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等Ⅲ

-

Ⅴ砷化物和磷化物技術(shù)標志水平：使通訊速度、

信息容量、存儲密度大幅提高主要產(chǎn)品形式：以光發(fā)射器件為基礎(chǔ)的光顯示、光通訊和光儲存等光電子系統(tǒng)半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程主要材料：Si

Ge技術(shù)標志水平：大的晶片尺寸，窄的線條寬度（如12英寸/0.15微米技術(shù)）主要產(chǎn)品形式：以大規(guī)模集成電路為主要技術(shù)的計算機等電子產(chǎn)品第一代

半導(dǎo)體第三代

半導(dǎo)體第二代

半導(dǎo)體03半導(dǎo)體材料制備方法S-R技術(shù)外延生長片狀晶生長汽相外延液相外延分子束外延直拉法懸浮區(qū)熔法垂直梯度凝固法垂直生長水平生長水平布里奇曼法化學(xué)汽相沉淀物理汽相沉淀D-Web技術(shù)EFG技術(shù)

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xincailiao04工藝優(yōu)勢劣勢對象直拉法完整性很高，生長率

和晶體尺寸好高英容器會污染熔體，造成晶體的純度降低；不能生產(chǎn)出電阻率均勻的單晶體硅磁控直

拉法氧含量可控、雜質(zhì)條紋輕、微缺陷密度低、壽命長質(zhì)量數(shù)據(jù)少，磁體體積

耗電量大硅，化

合物半

導(dǎo)體液封直

拉法適合制作高離解壓的磷化物等單晶，簡便可靠無法制作II-VI族化合物單晶GaAs、InP、GaP等區(qū)熔法純度高，質(zhì)量好；沒

有沾污工藝煩瑣，生產(chǎn)成本較

高；產(chǎn)量低鍺、硅、GaAs等垂直梯

度凝固設(shè)備簡單，度

小、錯密度較低不便實時觀察，要多次

實驗，成品率低GaAs、InP、GaP等垂直布

里奇曼受熱均勻，設(shè)備簡單，

表面不解離工藝重復(fù)性較差，成品

率低GaAs、InP、GaP等水平布

里奇曼設(shè)備較簡單，度較小，可生長低EPD單晶難生長非摻雜半絕緣

GaAs，加工會損失GaAs等半導(dǎo)體材料制備方法>體單晶生長05工藝優(yōu)勢劣勢對象外

延

生

長液相外延設(shè)備簡單，生長快，摻雜劑廣，完整性

好，純度高方向上控制摻雜和多元化合物組

合均勻性困難Si、GaAs、GaAlAs、GaP等氣相外延可制造較厚外延層，可任意改變雜質(zhì)濃

度導(dǎo)電類型，生長時間長Si、

GaAs等分子束外延，完全清潔，可隨意調(diào)整生長速度極慢超晶格工藝優(yōu)勢劣勢對象片

狀

晶

生

長D-Web晶體質(zhì)量好，可得到單晶工藝穩(wěn)定性差，生產(chǎn)效率很低主要是太陽能硅晶體S-R工藝穩(wěn)定性好，質(zhì)量穩(wěn)定只能制備多晶主要是太陽能硅晶體EFG生產(chǎn)效率極高晶體質(zhì)量差，只能制備多晶主要是太陽能硅晶體>片狀晶生長>外延生長

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xincailiao一、半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識簡介二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析三、單晶硅市場研究報告四、砷化鎵市場研究報告五、碳化硅市場研究報告六、氮化鎵市場研究報告七、半導(dǎo)體企業(yè)分析八、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

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xincailiao半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

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xincailiaoIC設(shè)計晶圓制造封裝測試材料06下游光伏某著名企業(yè)……LED4C上游游中各國半導(dǎo)體設(shè)備銷量12

4

2

臺灣南韓

日本北美中國大陸歐洲其余

2014

2015Source：SEMI.

來源：

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xincailiao

半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)，也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)價值鏈頂端的“皇冠”。

從全球范圍看，亞洲是目前半導(dǎo)體設(shè)備銷售量最高的地區(qū)，整體銷量緩慢上升，總銷量臺灣地區(qū)排名第一。北美地區(qū)2015年半導(dǎo)體設(shè)備銷售量大幅下滑37%，歐洲地區(qū)銷售量下滑19%。半導(dǎo)體上游分析——半導(dǎo)體設(shè)備1

9.491

.47

8.16

6

4.1

.49

5.12

4.374.9

856.8.64800

2.3

.94

2.1.97銷量（十億美元）07

相較于半導(dǎo)體設(shè)備，半導(dǎo)體材料所受到的關(guān)注通常較小。不過在過去的8年中，半導(dǎo)體材料的市場一直要比半導(dǎo)體設(shè)備的市場要更大。

半導(dǎo)體材料的技術(shù)壁壘較高，生產(chǎn)主要集中在臺灣、日韓及北美地區(qū)等少數(shù)大型企業(yè)上。臺灣地區(qū)維持了6年頭把交椅，中國大陸市場規(guī)模增速遠高于其他地區(qū)，全球占

比上升至13%。半導(dǎo)體上游分析——半導(dǎo)體材料Source：SEMI.

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xincailiao7.016.575

5.04各國半導(dǎo)體材料銷量銷量（十億美元）086.396.058649.69.417.037.166.016.123.013.05北美其余南韓臺灣歐洲中國日本20142015101202

Foundry與Fabless應(yīng)運而生的就是Foundry（代工廠）了。這類公司自身并不設(shè)計芯片，而是通過與Fabless合作，為其代理加工制造晶圓。臺積電就屬于Foundry中的佼佼者，在晶圓代工市場中擁有超過了50%的占有率。

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xincailiao在半導(dǎo)體芯片行業(yè)企業(yè)的模式分為三種:

IDM（Integrated

Designand

Manufacture）IDM公司指的是從芯片設(shè)計到晶圓制造再到封測投入市場等所有的項目都由自己一手包辦。全球最大的兩家半導(dǎo)體

企業(yè)英特爾和三星就是IDM公司。

FablessFabless公司是指該公司只負責設(shè)計，公司并沒有自己的半導(dǎo)體Fab（制造工廠）。高通、AMD等企業(yè)就屬于此類公半導(dǎo)體中游分析09司。

全球前十大廠商中，總部位于美國的有4家，來自韓國與臺灣的分別有2家，日本與歐洲各1家。

三星(Samsung)

是以安裝晶圓產(chǎn)能最高的半導(dǎo)體廠商，每月產(chǎn)能為250萬片8寸晶圓，占全球總產(chǎn)能的15.5%；臺積電以11.6%的市占率排名第二，相比2014年其產(chǎn)能增長了14%。

2012年至2014年連續(xù)三年，全球晶圓代工市場保持兩位數(shù)的成長趨勢。

2015年因設(shè)備市場成長趨緩，讓半導(dǎo)體

制造商在決定晶圓代工訂單時趨于保守。

2015年全球半

導(dǎo)體代工市場成長4.4%，為488億美元。

2015在半導(dǎo)體市場零成長的情況下，晶圓產(chǎn)能依舊在持續(xù)上升。

2015年全球半導(dǎo)體廠月產(chǎn)能達1,635.0萬片8英半導(dǎo)體中游分析10

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xincailiao寸約當晶圓。

近年來，隨著消費者要求的不斷提高，電子產(chǎn)品不僅在性能和速度方面需要進步，在產(chǎn)品外觀，功能，上市時間

及成本正在成為關(guān)鍵因素，封裝測試因此顯得尤為重要。

2014年全球半導(dǎo)體封裝產(chǎn)值達525億美元。近兩年由于IC產(chǎn)業(yè)需求趨于平緩，預(yù)估2016年封測產(chǎn)值將略微下滑，達506億美元。Source：拓墣產(chǎn)業(yè)研究所

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xincailiao50.8

50.649.8半導(dǎo)體中游分析11全球半導(dǎo)體封測產(chǎn)值52504846產(chǎn)值（十億美元）2016（預(yù)測）20132012201420154447.452.554

在經(jīng)歷了2013年6.4%和2014年8.3%的增長后，2015年全球半導(dǎo)體銷售額2015年下降了2%，主要是受到日本經(jīng)濟

萎縮和歐洲危機影響，無線通信和消費類電子等下游市場的需求不足阻礙了半導(dǎo)體市場增長。

2015年計算機和通信領(lǐng)域占集成電路應(yīng)用占比高達73%。2015年世界電子產(chǎn)品集成電路應(yīng)用占比12半導(dǎo)體下游分析

計算機

通信消費電子

汽車工業(yè)/醫(yī)療軍事/政府

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xincailiao5.90%

0.70%35.20%7.90%

12.20%38.10%一、半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識簡介二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析三、單晶硅市場研究報告四、砷化鎵市場研究報告五、碳化硅市場研究報告六、氮化鎵市場研究報告七、半導(dǎo)體企業(yè)分析八、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

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xincailiao

電阻率特性：導(dǎo)電性明顯受光、電、磁、因素的影響。

p-n結(jié)特性：n型和p型半導(dǎo)體材料相連，組成p-n結(jié)，具有單向?qū)щ娦浴?/p>

光電特性：p-n結(jié)在光的左右下能產(chǎn)生電流，如太陽電硅的單晶體，具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu)。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達到

99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽能電池等。單晶硅片

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xincailiao單晶硅定義與特點什么是單晶硅？13形態(tài)單晶硅棒單晶方棒池。項目直拉法區(qū)熔法爐子直拉爐區(qū)熔爐工藝有坩堝，電阻加熱無坩堝，高頻加熱直徑能生長Φ450mm單晶能生長Φ200mm單晶純度氧、碳含量高、純度受坩

堝污染純度較高少子壽命低高電阻率中低電阻，軸向電阻率分

布不均勻能生產(chǎn)電阻率超過104的單晶應(yīng)用晶體管、二極管、

集成電路高壓整流器、可控硅、探測器、也可制作晶體管、集成電路投資投資較小是直拉法的數(shù)倍優(yōu)點工藝成熟，設(shè)備簡單；可

大規(guī)模生產(chǎn)。純度很高，電學(xué)性能均勻缺點純度低、電阻率不均勻工藝煩瑣，生產(chǎn)成本較高；直徑很小，機械加工性差工藝流程多晶硅的裝料→熔化→種

晶→縮頸→放肩→收尾多晶硅棒料打磨、清洗→裝爐→高頻電力加熱→籽晶熔接→縮頸→放肩→結(jié)束單晶硅的制備方法有直拉法（CZ法）、

區(qū)熔法（Fz法）和外延法，其中直拉法和區(qū)熔法用于制備單晶硅棒材。區(qū)熔硅單晶的最大需求來自于功率半導(dǎo)體器件。單晶硅制備方法14直拉法和區(qū)熔法的比較

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xincailiao15單晶硅片生產(chǎn)及工藝流程

單晶硅是從大自然豐富的硅原料中提純制造出多晶硅，再通過區(qū)熔或直拉法生產(chǎn)出區(qū)熔單晶或直拉單晶硅，進一步

形成硅片、拋光片、外延片等。

工業(yè)生產(chǎn)中對硅的需求主要來自于兩個方面：半導(dǎo)體級和光伏級。光伏電池用單晶硅加工工藝流程半導(dǎo)體單晶硅片加工工藝流程單晶硅制備工藝流程光伏級單

晶硅高純多晶硅半導(dǎo)體級

單晶硅滾圓（切方塊）注：不同工藝還需要進行不同程度的化學(xué)清洗。切斷

（割斷）切斷（割斷）冶煉級

多晶硅

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xincailiao石英砂化學(xué)腐蝕化學(xué)腐蝕切片切片磨片倒角滾圓拋光單晶硅種類制作的器件應(yīng)用狀態(tài)CZ單晶二極管、晶體管、太陽能切、磨片CZ單晶雙極IC，MOS，CMOSIC（吸除）拋光片MCZ單晶CCD，高集成度IC（雙面）拋光片F(xiàn)Z單晶電力電子器件：SR、

SCR、MCT、

BCT、

LTT;GTR、

GTO、SITH、IGBT、

PIN、

PIC、SMART

Power、太陽能切、磨片、拋光片薄層硅外延片雙極IC，MOS、

CMOSIC高集成度時用高阻厚層硅外延片VDMOS、IGBT、

GTR、

SIT、BSIT新型電力電子器件用SOI片SOI

-

IC材料與器件正在高速發(fā)展單晶硅的制備工藝不同，所得到產(chǎn)品的純度和性能差異很大，其下游應(yīng)用領(lǐng)域也有所區(qū)別。單晶硅及其應(yīng)用分類單晶硅的分類及應(yīng)用

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xincailiao16功能性電

子元器件如晶體管、二/三極管、傳感器、探測器、整流器等太陽能單晶

硅電池片單晶硅晶棒單晶硅片產(chǎn)業(yè)鏈單晶硅硅片設(shè)備：直拉爐；

區(qū)熔爐清洗、分選、監(jiān)

測等其他設(shè)備17設(shè)備：單晶

硅拉晶爐機械器

件等

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xincailiao多晶硅原料氬氣等特氣集成電路光伏行業(yè)航天汽車醫(yī)療計算機其他半導(dǎo)體級砂漿光伏級線鋸

全球半導(dǎo)體前段材料的市場容量約為240億美元，其中占比最高的晶圓硅片達80億美元，有6成為12寸晶圓。

2013年晶圓在半導(dǎo)體晶圓材料中占比35%，其市場規(guī)模達79億美元。

2013年全球硅片材料市場消耗約100億平方英寸。其中12寸硅片（300mm）占約70%,月消耗量516萬片。2013年全球半導(dǎo)體晶圓材料市場規(guī)模(單位：億美元)其他/新材料,26.54晶圓,

79.326.08Gases,

31.39光隱膜,

31.36濕電子化學(xué)品,10.27半導(dǎo)體單晶硅全球市場分析Source：Semi.東C

y所right

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xincailiao研磨液&拋光墊,

14.36濺射靶材,光致抗蝕劑的輔助設(shè)備,

14.28光致抗蝕劑,12.218包括拋光片、

EPI，不包括Reclaim、非拋光片和SOI總體年增長率：2012:持平2013:

5-6%2014:

5-6%40003000200010000

300mm的硅片是主流。

國際市場70%以上是300mm的大硅片，主要應(yīng)用于65-45nm極大規(guī)模集成電路上。

提高多晶硅鑄錠尺寸可以削減成本，節(jié)省成本是驅(qū)使半導(dǎo)體業(yè)轉(zhuǎn)向更大直徑的主要原因。與200mm的硅片相比，可使每塊硅片的成本降低30%。不同尺寸單晶硅片市場分析全球硅片以尺寸分類的市場發(fā)展趨勢

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xincailiao單位：

百萬平方英寸60005000來源：semi.192010200820062004200220001998198219801996199419921990198819861984201420121978

2013年國內(nèi)300mm晶圓產(chǎn)能接近25萬片，需求量約為30萬片。

按照國務(wù)院印發(fā)的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》規(guī)劃，材料市場還將以年均20%的速度快速增

長，預(yù)計到2017年國內(nèi)對300mm硅片需求將突破60萬片，2020年超過100萬片。

目前國內(nèi)大尺寸硅材料供應(yīng)缺口較大，12寸硅片目前全部采用進口。6030大尺寸硅片市場需求分析-300mmSource：同花順

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xincailiao我國300nm硅片需求量預(yù)測（單位：萬片）12010020201720132020100402080600

目前450mm最大問題集中在研發(fā)成本及未來投資的回報率。

450mm的硅片約在2017年才能小批量生產(chǎn)，且第一批客戶可能只有美國Intel一家。1999-2014年450mm硅片市場需求（單位：10億）大尺寸硅片市場需求分析-450mmSource：semi.

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xincailiao252015105021200120102011201220132014200820002002200320042005200620072009199971%

71%

70%

69%67%

65%29%

全球晶硅光伏電站中單晶硅的使用量占比約30%。

目前國內(nèi)市場，多晶硅與單晶硅太陽能電池的比例約為4:1，國際上這一比例約為3:1；該比例差距在今后幾年有

望縮小。晶硅光伏電池市場分析國內(nèi)

國際來源：前瞻網(wǎng)

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xincailiao120%80%40%0%全球光伏級別單晶硅片產(chǎn)量份額及預(yù)測（單位：%）多晶硅與單晶硅太陽能電池對比分析（單位：%）

多晶硅片

單晶硅片

單晶硅片

多晶硅片來源：新材料在線2011

20122220162015201020142013201740%0%29%31%39%36%35%33%30%2013年，全球光伏產(chǎn)業(yè)單晶裝機約8.5-9GW，占全球光伏裝機的22-23%，相比2012年占比基本維持平穩(wěn)。

其中，日本單晶裝機2.48GW，同比增長130.43%；美國單晶裝機4.75GW，同比增長41.02%。

若不考慮中國市場，全球單晶裝機占比超過30%，相比2012年25%左右的水平明顯提升。單晶光伏電池市場分析來源：太陽能光伏網(wǎng)

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xincailiao2003-2013年全球單晶硅太陽能電池產(chǎn)量（單位：MW）2009

2010

2011

2012

20132003

2004

2005

2006232000010000150002007200850000各主要硅材料廠商的全球市場份額SiltronicOtherCovalentShin-EtsuLG-SiltronMEMCSource：新材料在線

全球有近12家區(qū)熔單晶制造商，其中德國Siltronic、

日本Shin-Etsu、

Handotai、

小松公司Komatsu（已被Sumco

收購）

，丹麥TOPSIL、、

中環(huán)股份等五家公司壟斷了全球產(chǎn)量的98%以上。

其中

中環(huán)股份約占市場份額15%，國內(nèi)市場份額超過70%，產(chǎn)量和市場

占有率已連續(xù)多年居國內(nèi)同行業(yè)首位。

全球最大的4家生產(chǎn)廠商依次為日本信越、

SUMCO、

美國MEMC和德國Siltronic

，共占有全球硅片市場的75%。

其他廠商有日本CovalentMaterials、韓國LGSiltron、芬蘭Okmetic及丹麥Topsil等。全球單晶硅制造商分析

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xincailiao24SUMCO目前國內(nèi)單晶硅片生產(chǎn)商主要有：隆基股份、中環(huán)股份、

卡姆丹克、錦州陽光、晶龍集團等。

目前這5個公司的產(chǎn)能約在5G到6G瓦，而國內(nèi)整體的單晶硅片產(chǎn)能在6G~7G瓦之間，5家大型企業(yè)占據(jù)了單晶

硅片全國產(chǎn)量的90%。

國內(nèi)單晶硅龍頭企業(yè)的毛利率近兩年維持在10%左右。注：左軸為銷售收入，右軸為毛利率，

中環(huán)股份為新能源業(yè)務(wù)。sources：Wind

，中銀國際研究

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xincailiao國內(nèi)單晶硅主要生產(chǎn)商及盈利分析25企業(yè)信越化學(xué)三菱住友SiltronicMEMCLGsiltronSAS總部日本日本德國美國韓國臺灣是否進

入PVNNNYYY尺寸

（mm）100-300100-300125-300100-300125-30075-300拋光片YYYYYY退火硅片YYYYNN外延片YYYYYYSOIYYNYNNFZYNYNNY是否開

展450YYNYYN全球半導(dǎo)體拋光片主要供應(yīng)商

?

xincailiaoSource：新材料在線26企業(yè)生產(chǎn)地

點4-6寸拋

光片8寸以上

拋光片F(xiàn)Z產(chǎn)能及其他信息有研新

材北京YYY4~6寸：270萬片/年；

8寸：24萬片/年金瑞泓浙江寧

波YY4~6寸：296萬片/年；

8寸：48萬片/年合晶/晶盟上海Y上海工廠生產(chǎn)4~5寸拋光片280（萬片/年），大尺寸生產(chǎn)在臺灣申和熱

磁上海Y4~6寸：500萬片/年昆山中

辰江蘇昆

山Y(jié)Y為SAS子公司，4~6寸:360萬片/年；8寸：40萬片/年中環(huán)環(huán)

歐天津YY4~6寸:240萬片/年洛陽麥

斯克河南洛

陽Y層位MEMC合資廠，4~6

寸:320萬片/年國內(nèi)半導(dǎo)體拋光片主要供應(yīng)商

?

xincailiaoSource：新材料在線27北京京運通

天龍光電

上海漢虹精密機械

北京京儀世紀

河北晶龍陽光

……

?

xincailiao單晶爐生產(chǎn)商國際主要供應(yīng)商28一、半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識簡介二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析三、單晶硅市場研究報告四、砷化鎵市場研究報告五、碳化硅市場研究報告六、氮化鎵市場研究報告七、半導(dǎo)體企業(yè)分析八、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

?

xincailiao材料SiGaAsGaN應(yīng)用優(yōu)勢禁帶寬度

（eV）1.11.43.4禁帶寬度直接影響器件的耐壓性質(zhì)和最高工作，寬禁帶材料擁有更高的耐

壓性質(zhì)和更高的工作飽和速率

（10-7cm/s)1.02.12.7飽和速率代表器件的工作頻率，高飽和速率材料更適合在高頻下工作熱導(dǎo)

（W/cK）1.30.62.0熱導(dǎo)反應(yīng)了物質(zhì)的熱傳導(dǎo)能力，高熱導(dǎo)材料適合在更高的工作擊穿電壓

（M/cm）0.350.45.0擊穿電壓代表了器件的極限電壓，高擊穿電壓代表材料適合高壓工作電子遷移率

（cm2/V

s子遷移率代表固定電壓下電流的通過能力，高電子遷移率的材料可以擁有更

大的電流化學(xué)穩(wěn)定性好好好化學(xué)穩(wěn)定性表示物質(zhì)在化學(xué)因素下保持原有狀態(tài)的能力，化學(xué)穩(wěn)定性好的材料

適合在各種酸、堿性條件下工作，使用

壽命更長抗輻射能力好好好器件的工作環(huán)境存在各種各樣的電磁輻射，抗輻射能力好的材料工作狀態(tài)更穩(wěn)

定，能夠應(yīng)用在各種復(fù)雜的電磁環(huán)境下GaAs是重要的化合物半導(dǎo)體材料GaAs的基本性質(zhì)>

屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體>

閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)，四面體配位

?

xincailiao29材料SiGaAsGaN光學(xué)應(yīng)用無紅外藍光/紫外高頻性能差好好高差好好發(fā)展階段成熟發(fā)展中初期制造成本低高極高應(yīng)用領(lǐng)域超大規(guī)模集成電路

與器件微薄集成電路

與器件超大功率器件GaAs半導(dǎo)體器件的應(yīng)用范圍GaAs半導(dǎo)體材料應(yīng)用范圍廣泛三代半導(dǎo)體材料的性能及應(yīng)用對比

?

xincailiao來源：長江證券，新材料在線來源：廣發(fā)證券，新材料在線30光通信中的GaAs半導(dǎo)體應(yīng)用?

激光驅(qū)動電路?

MUX?

DEMUX?

跨阻放大器?

限譜放大器。某著名企業(yè)

設(shè)備?

GSM/GPRS?

3G

CDMA3GWCDMA?

4G

LTE網(wǎng)絡(luò)

通信?

汽車雷達?

GPS?

光纖通信?

藍牙/WLAN某著名企業(yè)

基站?MESFET?PHMETGaAs半導(dǎo)體在電子器件中的應(yīng)用GaAs微波功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

?

xincailiao來源：廣發(fā)證券，互聯(lián)網(wǎng)，新材料在線整理31軍事電子中的GaAs半導(dǎo)體應(yīng)用.

機載/艦載/固定GaAs-MMIC

相控陣雷達.

電子戰(zhàn)用GaAs設(shè)備.

導(dǎo)彈制導(dǎo)GaAs

引信……GaAs半導(dǎo)體在電子器件中的應(yīng)用>

工業(yè)電子中GaAs半導(dǎo)體最主要的應(yīng)用是汽車電子>

汽車防撞雷達系統(tǒng)的開發(fā)將有效的降低車禍的概率，其中GaAs材料制

作的雷達具有極高的可靠性。來源：互聯(lián)網(wǎng)

?

xincailiao汽車防撞雷達的工作原理（工業(yè)電子應(yīng)用）來源：互聯(lián)網(wǎng)32LED行業(yè)中的GaAs半導(dǎo)體應(yīng)用激光行業(yè)中的GaAs半導(dǎo)體應(yīng)用GaAs能帶.

民用激光切割、激光打印機、大屏幕彩色顯示系統(tǒng)等.

軍用激光制導(dǎo)、激光通信、激光雷達和激光武器等GaAs半導(dǎo)體在光電器件中的應(yīng)用來源：海通證券研究所，新材料在線整理

?

xincailiao33來源：網(wǎng)絡(luò)最終產(chǎn)品產(chǎn)品交付LEC/VGF邊緣研磨刻蝕GaAs半導(dǎo)體的制備工藝>目前比較成熟的工藝主要有LEC、

HB、VGF/VB和VCZ。>

汽車防撞雷達系統(tǒng)的開發(fā)將有效的降低車禍的概率，其中GaAs材料制

作的雷達具有極高的可靠性。完整的GaAs半導(dǎo)體工藝流程GaAs單晶生長工藝左LEC右VGF來源：新材料在線整理

?

xincailiao機械切割高壓制備封裝認證線鋸切割晶體生長Ga/As34來源：BINE清洗退火研磨拋光制備VGFLEC全球GaAs半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要廠商>砷化鎵半導(dǎo)體的制造流程與硅相似，從上游材料、IC設(shè)計、晶圓代工到

封裝測試，完成砷化鎵半導(dǎo)體制造的全部產(chǎn)業(yè)鏈。>砷化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)參與者多為國外IDM廠商。

2013年砷化鎵市場，占比前5的廠商中除了穩(wěn)懋外，均為集IC設(shè)計、晶圓代工、封裝測試為一體的IDM廠商。GaAs產(chǎn)業(yè)鏈GaAs產(chǎn)業(yè)鏈35

?

xincailiao來源：廣發(fā)證券來源：廣發(fā)證券24%。>砷化鎵材料現(xiàn)在正處于發(fā)展階段，目前全球砷化鎵微波功率半導(dǎo)體領(lǐng)域參與者數(shù)量遠遠小于硅，市場分布較為均衡。IDM廠商毛利率達40%2014年砷化鎵半導(dǎo)體主要廠商毛利率2013年GaAs半導(dǎo)體制造商市場份額來源：公司公告，廣發(fā)證券

?

xincailiaoGaAs相關(guān)廠商情況>

目前全球砷化鎵半導(dǎo)體市場份額最大的Skyworks，占比36來源：strategyanalytics，廣發(fā)證券GaAs半導(dǎo)體PA元件在全球的需求量預(yù)測GaAs半導(dǎo)體PA元件在中國的需求量預(yù)測不同細分領(lǐng)域中的市場>以HBT設(shè)計的射頻功率放大器（RF

PA）和以pHEMT設(shè)計的射頻開關(guān)器

是無線射頻模組中必備的兩個GaAs半導(dǎo)體組件。>4G和5G技術(shù)的發(fā)展，智能手機需求更多的PA元件。目前我國智能手機的PA芯片大量依賴進口，實現(xiàn)芯片的國產(chǎn)化很有必要。

?

xincail來iac：

C，TrendForce，廣發(fā)證券來源：IDC，TrendForce，廣發(fā)證券37不同細分領(lǐng)域中的市場>

目前汽車雷達生產(chǎn)成本還比較高，只能配備在高端車型上，但是隨著GaAs制造技術(shù)的進步，這項技術(shù)的應(yīng)用范圍將會更加廣闊。全球主要市場汽車銷量全球光通信設(shè)備市場及元器件市場規(guī)模來源：蓋世汽車網(wǎng)、長江證券

?

xincailiao>受益于光通信市場的持續(xù)增長，GaAs半導(dǎo)體元件市場也將增長。來源：SPconsulting、長江證券38不同細分領(lǐng)域中的市場>伴隨LED產(chǎn)業(yè)的逐漸整合完畢，LED產(chǎn)業(yè)對GaAs半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動作用將會越來越強。全球激光器銷售收入全球GaAs基板的總產(chǎn)值來源：Strategies

Unlimited、長江證券

?

xincailiao>激光行業(yè)整體呈現(xiàn)上行趨勢，是GaAs半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一大推動力。來源：Strategyanalytics、長江證券39一、半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識簡介二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析三、單晶硅市場研究報告四、砷化鎵市場研究報告五、碳化硅市場研究報告六、氮化鎵市場研究報告七、半導(dǎo)體企業(yè)分析八、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

?

xincailiao晶體結(jié)構(gòu)特性及應(yīng)用3C-SiC具有最高的電子遷移率，高溫、大功率和

高速器件的首選6H-SiC具有寬的帶隙，在光電子學(xué)、高學(xué)、

抗輻射電子學(xué)和高頻大功率器件領(lǐng)域具有應(yīng)用價值4H-SiC帶隙比6H-SiC更寬，電子遷移率接近3C

–SiC。大功率器件方面最有前途的材料?元素周期表IV族元素唯一的化合物?

每種原子被4個異種原子包圍?

SP3鍵合，并有一定的極化?具有很強的離子共價鍵，性能穩(wěn)定?具有同質(zhì)多型特性，比較成熟的有：

3C-SiC、

6H-SiC和4H-SiC圖SiC不同晶體結(jié)構(gòu)的堆垛序列CopSyoruigr

:?《

ic硅ai寬lia

隙.co半m導(dǎo)體技術(shù)》

，新材料在線Source：Wu

etal./

Progress

in

MaterialsScience72

(2015)

1–6040SiC簡介

力學(xué)性質(zhì)：高硬度（克式硬度為3000kg/mm2），可以切割紅寶石；高耐磨性，僅次于金剛石。

熱學(xué)性質(zhì)：熱導(dǎo)率超過金屬銅，是Si

的3倍，是GaAs的8-10倍，散熱性能好對于大功率器件十分重要。

SiC

的熱

穩(wěn)定性較高，在常壓下不可能熔化SiC。

化學(xué)性質(zhì)：耐腐蝕性非常強，室乎可以抵抗任何已知的腐蝕劑。

SiC表面生成SiO2層，能夠防止其進一步被氧化.SiC能溶解于熔融的氧化劑物質(zhì)。

電學(xué)性質(zhì)：4H-SiC和6H-SiC的帶隙約為Si的三倍，是GaAs的兩倍，其擊穿電場強度高于Si一個數(shù)量級，飽和

電子漂移速度是Si的2.5倍。Source:YoleSiC具有很高的德拜，達到1200-1430K。這就決定了該材料對于各種外界作用的穩(wěn)定性，在物理、化學(xué)性質(zhì)方面有著優(yōu)越的技術(shù)特性。圖第三代半導(dǎo)體與Si的性能對比41

?

xincailiaoSiC

在現(xiàn)有的實驗條件所能達到的壓力條件下，SiC沒有熔點，而只是在1800℃以上是直接升華，變?yōu)闅鈶B(tài)；

在現(xiàn)有的實驗條件所能達到的件下，C在Si熔體中的溶解度非常小。所以熔融生長法不能用于SiC單晶的生

長。

SiCl4和C3H8

作為Si源和C

源在2000℃發(fā)

生反應(yīng)。

該方

法生長速率高，獲得的單

晶電子陷阱少，電學(xué)性質(zhì)

好。如今的制備方法CF-PVTHTCVD采用SiC籽晶

控制所生長晶體的構(gòu)型，克服了Lely法自

發(fā)成核生長的缺點高氣相沉積法，反應(yīng)

氣體在高

分解生成SiC并附著在襯底

材料表面，并

沿著材料表面

不斷生長。SiC單晶的制備工藝高純硅和高純碳直接注入生

長區(qū)，避免了

通常采用的SiC粉末所造成的污染?

1955年，制備了雜質(zhì)數(shù)量和種類可控的、具有足夠尺寸的SiC單晶

?

xincailia

o.

c

:興業(yè)證券，新材料在線改良Lely法Lely法HCVD無法用熔體提拉法進行單晶材料的制備42技術(shù)難點上游單晶襯底、外延晶片SiC產(chǎn)業(yè)鏈43器件制備模組生產(chǎn)

?

xincailiao下

游中

游SiC特性應(yīng)用器件寬帶隙藍光LED超低漏電流器件高擊穿電場高壓大功率開關(guān)二極管

可控電力電子器件

空間應(yīng)用的大功率器件高熱導(dǎo)率

良

件

電子遷移速率高（GaN）飽和電子漂移速率高高頻IC器件目前95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是由硅材料制作。發(fā)展至今，硅材料已經(jīng)具有一定的局限性，尤其在極端條件下，第三代半導(dǎo)體的性能遠遠優(yōu)于硅材料，這其中SiC技術(shù)被公認為最成熟的技術(shù)，有著廣泛的應(yīng)用：激光二極管抗輻射器件表SiC特性及其對應(yīng)的主要應(yīng)用器件SiC的應(yīng)用44

?

xincailiaoSource:興業(yè)證券，新材料在線SiC材料的寬禁帶和高熱導(dǎo)率使得其在高體器件方面有無可比擬的優(yōu)勢。采用SiC材料已制成了多種器件，它們的工作達650℃以上。

豐田和電裝聯(lián)合開發(fā)的SiC半導(dǎo)體應(yīng)用于功率

控制單元（PCU）的功率半導(dǎo)體器件中，降低了10%的能量損耗。

?

xincailiao.

o

rce:互聯(lián)網(wǎng)，新材料在線SiC的應(yīng)用舉例節(jié)能功率器件45高?SiC基微波器件是當今世界上最為理想的微波器件，其功率密

度是現(xiàn)有微波器件的10倍，將成為下一代雷達技術(shù)的標準，軍用市場將在未來幾年推動碳化硅基微波器件的快速發(fā)展。?通信領(lǐng)域，手機基站中的放大器已經(jīng)接近性能極限，現(xiàn)有放

大器采用的是Si器件，其效率只有10%。使用寬禁帶半導(dǎo)體器

件，將有效提高基站放大器的效率，同時減小基站設(shè)備體積。SiC電子器件不但可以在高作，而且具有很強的抗輻射特性，所以SiC

電子器件在航天器上的使用能夠減少引線和連接器的數(shù)量以及輻射防護罩的大小和質(zhì)量。在航空航天產(chǎn)業(yè)中

已經(jīng)占據(jù)了一定

oy位right

?

xincailiao目前用于LED產(chǎn)業(yè)化的襯底主要有藍寶石（Al2O3）、

SiC和Si。

具有與GaN

晶格失配小、熱導(dǎo)率高、器件尺寸小、抗

靜電能力強、可靠性高等優(yōu)點，是GaN系外延材料的理想

襯底

，效率高，能耗低。SiC的應(yīng)用舉例微波-高頻器件抗輻射器件46Source:百度Source:Yole隨時間推移SiC器件的應(yīng)用領(lǐng)域中光伏和新能源車將占主導(dǎo)地

位，進一步縮減系統(tǒng)體積與重量。圖SiC器件市場隨時間推移的占比情況100%研發(fā)等其他不間斷電源

電動機控制70%微型光伏逆變器光伏逆變器某著名企業(yè)風電40%EV/HEV逆變器功率因素校正器交通軌道10%0%2020Source:Yole，東方證券根據(jù)預(yù)測，

2015年以后SiC功率器件市場將會以較快的速度發(fā)展，以40%的年復(fù)合增長率增長，在2020年市場的總額將

達到約8億美元。圖SiC器件市場發(fā)展預(yù)測47市場情況2013201890%80%50%30%60%20%Source:Yole?

目前SiC器件的成本較普通Si基器件成本高：SiC二極管

的成本是硅基肖特基二極管的5-7倍；SiC

JFET的成本是

硅基MOSFET的4-7倍；SiC

MOSFET的成本是硅基MOSFET的10-15倍。?據(jù)預(yù)測，到2020年附近成本將有望下降到50%附近。圖SiC器件價格發(fā)展預(yù)測?雖然晶體生長爐在技術(shù)上已經(jīng)非常成熟，但是在晶體生長中

氣體輸送速率和輸送角度等技巧則有相當大的難度。?碳化硅從2英寸、4英寸到6英寸的發(fā)展過程中，擴晶技術(shù)非

常關(guān)鍵。

?

xincailiao諸多成本下降的因素中最大的限制在于SiC的

制備工藝：SiC單晶制取的難度大，成本高，大尺寸晶圓制

備技術(shù)有待突破。規(guī)模

效應(yīng)

成本48成本分析下游需求工藝突破技術(shù)壁壘Source:東方證券?Cree

占SiC

晶圓制造市場90%以上，Cree和英飛凌在SiC功

率器件市場合計占85%以上份額。?由于行業(yè)發(fā)展?jié)摿Υ?，日本Rohm、美國ST

等也在積極進軍

SiC領(lǐng)域。圖國外主導(dǎo)廠商產(chǎn)業(yè)鏈分布圖從SiC器件的發(fā)展歷史可以看出，其技術(shù)主要由海外公司壟斷，尤其是美國的Cree。國外廠商情況

?

xincailiaoSource:Yole49SiC產(chǎn)業(yè)

鏈環(huán)節(jié)相關(guān)企業(yè)主要進展單晶天科合達2、

3、4英寸SiC晶片年產(chǎn)7萬片；6英寸近期研制成功山東天岳2、

3英寸和4英寸SiC晶片，6英寸預(yù)計15年年底量產(chǎn)，計劃到2015年底產(chǎn)能35萬片碳化硅晶片，銷售收入30億元，利潤19億元。同光晶體2英寸已量產(chǎn)，4英寸SiC

晶片預(yù)計今年5月前可量產(chǎn)；4英寸晶片年產(chǎn)能為5萬片，預(yù)計年銷售約3億元，利潤約1.5億元。46所2英寸SiC

晶片神舟科技2-4英寸碳化硅晶片、外延片中科院硅酸鹽所2、

3、4英寸SiC

晶片。南車時代電氣4～6英寸SiC芯片模塊封裝及功率器件重點實驗室外延瀚天天成12年3月3、

4寸外延晶片達商業(yè)化；14年4月，6

寸外延晶片交付日本客戶天域半導(dǎo)體科技年產(chǎn)2萬-3萬片碳化硅外延晶片的產(chǎn)能，產(chǎn)品目前銷往

日本等國外市場中科院中科院半導(dǎo)體所、中科院物理所、天科合達聯(lián)合研發(fā)；年產(chǎn)能2萬片4英寸SiC晶片，30片4英寸外延片，年

產(chǎn)10萬只SiC二極管及1萬只碳化硅模塊的小批量生產(chǎn)

能力西電、

13

所、

55所N/A器件泰克天潤肖特基二極管600～1700V系列達到國際先進水平西電、

13

所、

55所碳化硅二極管和結(jié)型場效應(yīng)功率管等研究成果，未量產(chǎn)南車時代電氣SiC

IGBT研發(fā)中中國廠商情況50

?

xincailiaoSource:東方證券一、半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識簡介二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析三、單晶硅市場研究報告四、砷化鎵市場研究報告五、碳化硅市場研究報告六、氮化鎵市場研究報告七、半導(dǎo)體企業(yè)分析八、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

?

xincailiaoSource:Yole曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當今社會發(fā)展對于高頻、高溫、高功率、高能效、

耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化的新需求。以SiC和GaN為代表

的第三代半導(dǎo)體材料憑借其優(yōu)異屬性，將成為突破口，正在

迅速崛起。圖第三代半導(dǎo)體與Si的性能對比?

寬的帶隙?

強的原子鍵?

高熱導(dǎo)率?

高熔點材料，約為1700℃?

六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)?

化學(xué)穩(wěn)定性好，耐腐蝕51GaN簡介

?

xincailiao特點III族氮化物材料體系Eg(GaxIn1-xN)=Eg(GaN)*x

+

Eg(InN)*(1-x)–

b*x*(1-x)Eg(GaxAl1-xN)=Eg(GaN)*x

+

Eg(AlN)*(1-x)–

b*x*(1-x)全組分可調(diào)、全組分直接帶隙、強極化、耐高溫、抗輻照、可實現(xiàn)低維量子結(jié)構(gòu)。.

III族氮化物材料體系——帶隙調(diào)制范圍最寬.

唯一覆蓋紅外到紫外波長的半導(dǎo)體體系

?

xincailiao52GaN襯底的制備工藝GaN在高解為Ga和N2

，常壓下無法融化，只有在2200℃以上，6GPa以上的氮氣壓力下才能使GaN融化。所以傳統(tǒng)直拉法和布里奇曼法都不能用來生長GaN單晶。異質(zhì)外延生長是目前主流的GaN襯底制備技術(shù)GaN體單晶制備是一大難點

?

xincailiao53襯底材料Al2O3SiCSiZnOGaN晶格失配度差中差良優(yōu)界面特性良良良良優(yōu)化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)優(yōu)良差優(yōu)導(dǎo)熱性能差優(yōu)優(yōu)優(yōu)優(yōu)熱失配度差中差差優(yōu)導(dǎo)電性差優(yōu)優(yōu)優(yōu)優(yōu)光學(xué)性能優(yōu)優(yōu)差優(yōu)優(yōu)機械性能差差優(yōu)良中價格中高低高高尺寸中中大中小異質(zhì)外延生長容GaN缺陷密度高，限制了GaN器件性能的提升。所以研究者并沒有停止對于GaN單晶襯底的研究。目前已經(jīng)開發(fā)出氨熱法、助熔劑法、

HVPE等方法，其中商業(yè)化的產(chǎn)品都是采用HVPE的方法制備的。目前GaN自支撐襯底的高成本無疑限制了其應(yīng)用，但是GaNGaN襯底的制備工藝襯底毫無疑問擁有者光明的未來?！癎aN

substrateisan

ultimate

substrate”

?—xi—nca諾ili貝ao爾.c

m得主

中村修二用于氮化鎵生長的襯底材料的性能優(yōu)劣對比GaN自支撐襯底具有獨特的優(yōu)勢54上游GaN基LED產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延晶片55

?

xincailiao封裝、模組應(yīng)用、系統(tǒng)下

游中

游GaN（藍/綠）LED的市場份額將快速增長。

GaN基LED比傳統(tǒng)LED外形更小、功率更高，發(fā)光強度也更高。圖GaN基LED市場銷售收入

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hmNavio、長江證券研究部GaN基LED56IMS

Research預(yù)測分析，在LED電視、顯示器和普通照明領(lǐng)域，SiCGaNSiGaN基器件圖電力電子器件的耐壓分類圖電力電子器件的發(fā)展歷程57

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xincailiao微波功率器件：

工作頻段在300M~300GHz微波波段內(nèi)的電子器件，主要用以實現(xiàn)微波功率的發(fā)射和放大、控制和接收等

功能。

GaN適用于高頻大功率應(yīng)用，其功率密度是現(xiàn)有GaAs

器件的10倍。圖功率器件的應(yīng)用相控陣雷達通信基站風力發(fā)電不間斷電源電冰箱開關(guān)電源空調(diào)洗衣機寬禁帶半導(dǎo)體（SiC&GaN）可顯著降低電力損耗GaN基器件58圖電力電子器件的應(yīng)用

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xincailiao據(jù)預(yù)計，全球功率半導(dǎo)體有望在2020年達到290.1億美元的銷售額。圖全球功率半導(dǎo)體銷售額及預(yù)測Source:矢野經(jīng)濟研究院，

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insights，廣發(fā)證券圖GaN功率器件的細分市場份額預(yù)期（根據(jù)電壓區(qū)分）GaN功率器件市場

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xincailiao

Source:Yole59世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體功率器件廠家紛紛介入GaN功率器件研發(fā)和生產(chǎn)。近兩年GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域大事件GaN相關(guān)企業(yè)60

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xincailiaoSource:廣發(fā)證券中國GaN相關(guān)企業(yè)某著名企業(yè)

（600703）.

杭州士某著名企業(yè)（600460）.

蘇州某著名企業(yè).

中航某著名企業(yè)61

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xincailiao某著名企業(yè)(持續(xù)補充中）.

中稼半導(dǎo)體一、半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識簡介二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析三、單晶硅市場研究報告四、砷化鎵市場研究報告五、碳化硅市場研究報告六、氮化鎵市場研究報告七、半導(dǎo)體企業(yè)分析八、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

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xincailiao排名企業(yè)名稱所在地1應(yīng)用材料美國2艾司摩爾荷蘭3東京電子日本4科林研發(fā)美國5科磊美國6DNS日本7艾萬德日本8泰瑞達美國9日立高新技術(shù)日本10尼康日本

半導(dǎo)體設(shè)備制造業(yè)集中在美國和日本地區(qū)。其中并購發(fā)生的非常頻繁，光是在全球領(lǐng)先的幾家企業(yè)中，應(yīng)用材料

與東京電子在2014年宣布合并，科林研發(fā)在15年收購科磊。

中國半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域全球占比僅2%，與美國日本還有著巨大的差距。s

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xincailiao.半導(dǎo)體企業(yè)分析全球半導(dǎo)體設(shè)備制造企業(yè)TOP1062企業(yè)名稱所在地日月光臺灣Amkor美國矽品科技中國大陸星科金朋新加坡力成