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文檔簡(jiǎn)介
1.(2022廣東肇慶第三次質(zhì)檢)光電材料在能源、軍事等領(lǐng)域有重要應(yīng)用,分為無(wú)機(jī)光電
材料[如ZnS、ZnSe、GaAs、(CuGa)o.5ZnS2等]及有機(jī)光電材料(如圖1所示化合物)?;?/p>
答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)Zn原子的價(jià)層電子軌道表示式為;Ga、As、Se的第一
電離能由大到小的順序?yàn)閛
(2)圖1所示化合物中含有的化學(xué)鍵類型有(填字母),N原子的雜化方式
為。
A.共價(jià)鍵B.離子鍵
C.配位鍵D.氫鍵
圖1
金剛石晶胞
圖2
(3)在水溶液中,以H2O為電子供體,CO2在(CuGa)osZnS2光催化劑上可還原為CO,部分氧
化物的沸點(diǎn)如表所示:
氧化物H2OSO2CO2
沸點(diǎn)/C100-10-78.5
①表中氧化物之間沸點(diǎn)差異的原因?yàn)閛
②SO2的VSEPR模型為o
③H2O和H2s分子中,鍵角更大的是(填化學(xué)式)。
⑷ZnS和ZnSe晶體的立方晶胞結(jié)構(gòu)相似,均可看作將金剛石晶胞(如圖2)內(nèi)部的碳原子
用Zn代替,晶胞頂點(diǎn)與面心位置的碳原子被S或Se代替。
①ZnS晶體中.一個(gè)晶胞含有S原子數(shù)目為。
②若阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,ZnS晶體的密度為pig.cnr3,ZnSe晶體的密度為
g-cm-3,則ZnS晶體與ZnSe晶體的晶胞參數(shù)之比為。
2.(2022廣東韶關(guān)綜合測(cè)試)Fe、Mg、Co、Ni與稀土元素鈕(39Y)在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、軍事、
航空航天、能源、環(huán)境保于、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛。回答下列問(wèn)題:
(1)Y在元素周期表中的位置是,基態(tài)C。原子的價(jià)層電子排布
式為O
(2)納米Fe因其表面活性常用作有機(jī)催化劑,如圖所示:
化合物M化合物N
①化合物M的熔、沸點(diǎn)低于化合物N,其主要原因是o
②化合物N中除苯環(huán)外其他C原子的雜化類型為,元素C、N、O的
第一電離能由小到大的順序?yàn)閛
⑶Ni(C0)4常用于制備純銀,溶于乙醇、CC14、苯等有機(jī)溶劑,為晶體;與配體互為
等電子體的陰離子有(任意寫一種)。
(4)由Mg、C和Ni組成的新型超導(dǎo)材料晶體的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:
OMgoC?Ni
①該新型超導(dǎo)材料的化學(xué)式為o
②若晶胞參數(shù)為anm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則該晶體的密度為
g-cm'3o
3.(2022山東青島一模)銘是人體內(nèi)微量元素之一,是重要的血糖調(diào)節(jié)劑。
(1)銘在元素周期表中的位置為,其基態(tài)原子核外電子占據(jù)的原子軌道
數(shù)為o
⑵已知C產(chǎn)半徑小,正電場(chǎng)較強(qiáng),容易與H2O、NH3、C「等分子或離子形成多種配合
W,[Cr(H20)2(NH3)4]Cl3-2H2O是其中的一種。
①該配合物中提供孤電子對(duì)形成配位鍵的原子是O
②中心原子雜化方式為(填字母)。
a.sp2b.sp3
c.sp3dd.d2sp?
③該物質(zhì)中,N—H的鍵角比獨(dú)立存在的氣態(tài)氨氣分子中鍵角略大,其原因
是O
(3)鈦鋁合金是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,第二電離能/2(Ti)(填>”或“<")/2(Cr),原因
是O
(4)銘的一種氮化物晶體立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。A點(diǎn)分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0Q0),則B點(diǎn)分?jǐn)?shù)坐
標(biāo)為o已知r(N')=anmXCr3+)=/?nm,則AB間距離為
nnio
4.(2022福建龍巖三模)銀是一種硬而有延展性并具有鐵磁性的金屬,在許多領(lǐng)域應(yīng)用廣
泛?;卮鹣铝袉?wèn)題:
⑴基態(tài)Ni原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有種;Ni的熔點(diǎn)明顯高于Ca,其原因
是。
⑵Ni-NTA-Nangold可用于檢測(cè)或定位6x組氨酸(His)或Poly-His標(biāo)記的重組蛋白。
Ni(II)-NTA的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式如圖所示。
①與Ni2+配位的原子形成的空間結(jié)構(gòu)為________________o
②配體N(CH2co0-)3中4種元素的/|從大到小的順序?yàn)?用元素符號(hào)表
示)。
③己知N……Ni存在大兀健,其結(jié)構(gòu)中氮原子的雜化方式為o
(3)銀摻雜的稀磁半導(dǎo)體DMS的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知晶體密度為力設(shè)
NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,則Ni原子與Mg原子間的距離為cm(列出計(jì)算表
達(dá)式)。
?M
Og
ONi
Fe
5.(2022廣東汕頭二模)鍥鋅鋅三元材料
LiNiKorMniCh是一類新型鋰離子電池正極材料,具有容量高、循環(huán)穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
(1)鎰元素基態(tài)原子的電子排布式為,銀鉆鎰二種基態(tài)原子中未成對(duì)電
子數(shù)最多的是(填元素符號(hào))。
⑵鎮(zhèn)可以形成多種配合物,如Ni(CO)4、[Ni(NH3)6]SO4等。
①上述兩種配合物都存在的化學(xué)鍵是(填字母)。
&離子鍵b.配位鋌
c.極性鍵d.非極性鍵
②Ni(CO)4常溫下難溶于水,易溶于CCL中,可推知其為(填“極性分子”
或“非極性分子
③[Ni(NH3)6]SCh中陰離子的空間結(jié)構(gòu)為o
(3)鋰離子電池目前廣泛采用溶有LiPF6的碳酸酯作為電解液。
①LiPF6各元素的第一電離能從大到小的順序?yàn)?/p>
②常見溶劑碳酸乙烯酯(X力中碳原子的雜化方式是。
(4)LiCoO2的晶胞是六棱柱,其結(jié)構(gòu)如圖所示,銀鉆鎰三元材料中Ni和Mn取代了部分
Co的位置:
晶胞中含Li原子數(shù)為,若晶胞的底邊邊長(zhǎng)為anm,高為cnm,x:y:z=l:
1:1,則LiNiKovMnKh晶胞的密度為gcnR設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)
的值,列出計(jì)算式)。
6.(2022廣東韶關(guān)二模)硼、鈦、鐵、銅等元素的化合物具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值?;卮鹣?/p>
列問(wèn)題:
⑴Ti(BH4)3(硼氫化鈦)可由TiC14和LiBH4反應(yīng)制得。基態(tài)鈦原子的價(jià)層電子排布圖(軌
道表示式)為oBH4的空間結(jié)構(gòu)為,B原子的雜化軌道類型
為o電負(fù)性大小順序?yàn)镠(填“>"或“<?)B。
⑵基態(tài)鐵原子核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有種。Fe成為陽(yáng)離子時(shí)首先失去軌
道電子。FcCb的熔點(diǎn)為306℃、沸點(diǎn)315℃,FeC13的晶體類型為。
⑶元素Cu的一種氯化物立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:
?Cu
OC1仔
--------
①原子坐標(biāo)參數(shù)可用來(lái)表示晶胞內(nèi)各原子的相對(duì)位置,圖中各原子坐標(biāo)參數(shù)如NA為
(0,0,0)、B為(0,1,1)、C為(1,0,0),則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為o
②該晶體中,銅、氯的微粒個(gè)數(shù)之比為0
③若晶胞邊長(zhǎng)為。pm,銅元素微粒半徑為bpm,氯元素微粒半徑為cpm,則該晶胞的空間
利用率(即晶胞中原子體積占晶胞體積的百分率)為」列出計(jì)算式)。
7.(2022四川成都三診)某籠形包合物
Ni(CN)”(NH3)〃(C6H6)c的晶胞如圖所示?;卮鹣铝杏嘘P(guān)問(wèn)題。
(1)基態(tài)銀原子的價(jià)層電子排布式為;該物質(zhì)中非金屬元素電負(fù)性由大到小
是O
(2)NH3中N的雜化軌道類型為;從結(jié)構(gòu)角度分析C、P原子之間不易形成兀
鍵的原因是o
(3)在晶胞中,鍥離子與CM之間產(chǎn)生配位鍵,配體CN-提供的配位原子有o
(4)推測(cè)該包合物中氨與苯分子數(shù)目比,即b:c?為,其中Ni的平均化合價(jià)
為o
(5)若此晶胞體積為丫=蘇nn?,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,晶胞的摩爾質(zhì)量為M則晶體
密度為gem%列出計(jì)算表達(dá)式)。
8.(2022廣東佛山第一次質(zhì)量檢測(cè))芳香胺是多種染料產(chǎn)品的中間體,也是農(nóng)藥、除草劑
和多種橡膠防老劑的主要原料。
I.制備1■泰胺:
1-硝基蔡1-蔡胺
(1)溶劑DMF的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為,則DMF中,C原子的雜化類型
有;1molDMF中所含有的"鍵數(shù)目為
(設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值),DMF中第一電離能最大的元素
是______________________
(2)1-蔡胺的水溶性比1-硝基蔡的強(qiáng),原因是o
II.制備NiZnTi催化劑:向按比例配制的NiCb、ZnCl:>Ti(SC)4)2混合溶液中加入堿液,
調(diào)節(jié)pH至9~11,使其共沉淀。將沉淀分離出來(lái)后焙燒并進(jìn)一步還原,可得最終產(chǎn)物
NiZnTio制備過(guò)程中,會(huì)生成NiO、ZnO、TiCh等中間產(chǎn)物。
(3)Ni的基態(tài)原子價(jià)層電子排布式為
(4)SOf的空間結(jié)構(gòu)為。
(5)ZnCh的熔點(diǎn)為283℃,驗(yàn)證ZnCh晶體類型的實(shí)驗(yàn)方案
為。
(6)中間產(chǎn)物ZnO的一種晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。由圖可知,Zn原子位于0原子所圍成的_
(填“四面體,,或“八面體,,)空隙中,已知晶胞參數(shù)為a=3.25nm,c=5.21nm,阿伏加德羅常數(shù)
的值為NA,則晶體密度為g-cm-3o(列出計(jì)算式,晶胞參數(shù)用字
母4、C表示)
參考答案
大題突破練5物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題
3d4s
1.答案⑴回回也1■出illE3As>Se>Ga
(2)ACsp2
(3)①二種氧化物形成的晶體均為分子晶體,水分子問(wèn)能形戊氫鍵,SO2的相對(duì)分子質(zhì)量大于CO2
②平面三角形③H2O
⑷刨②信
3d4s
解析(l)Zn為30號(hào)元素,基態(tài)原子的價(jià)層電子軌道表示式為回亞I亞E回;元素的非金屬性
越強(qiáng),第一電離能越大,但As反常,則Se、Ga、As的第一電離能由大到小的順序?yàn)锳s>Se>Ga。
(2)由題圖1所示化合物的結(jié)構(gòu)可知,分子內(nèi)不存在離子鍵和氫鍵,N原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)目為3,
2
雜化方式為spo
(3)①由表中氧化物的組成和性質(zhì)可知,三種氧化物形成的晶體均為分子晶體,其中水分子間能形
成氫鍵,沸點(diǎn)最高,二氧化硫的相對(duì)分子質(zhì)量大于二氧化碳,故二氧化硫的沸點(diǎn)高于二氧化碳。
②SO?中S原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)目為3,VSEPR模型為平面三能形。
③H?O中O原子半徑比H2s中S原子半徑更小,電子對(duì)更靠近O原子,電子對(duì)之間排斥力更大,
鍵角更大。
(4)ZnS和ZnSe晶體的一個(gè)品胞中含有Zn的數(shù)目為46、Se的數(shù)目為8x1+6xi=4,fi'JZnS晶體
oZ
|4x97_____
與ZnSe晶體的晶胞參數(shù)之比二[會(huì)需:=)鑿2。
J礪‘I
2.答案(1)第五周期第mB族3d74s2
(2)①化合物N分子間能形成氫鍵②sp?C<O<N
(3)分子CN(或C瓢合理即可)
(4)①M(fèi)gNi3c②焉x1()21
解析(1)39號(hào)元素Y在元素周期表中的位置是第五周期第川B族;Co為27號(hào)元素,基態(tài)Co原子
的價(jià)層電子排布式為3d74s2。
(2)①化合物N分子中含有氨基(一NH2),N分子間能形成氮鍵。
②化合物N中除苯環(huán)外其他C原子為飽和C原子,其雜化類型為sp-+由于氮原子的2P軌道上的
電子處于半充滿穩(wěn)定狀態(tài),第一電離能大于同周期相鄰元素,元素C、N、O的第一也離能由小
到大的順序?yàn)镃<O<No
(3)Ni(CO)4常用于制備純鑲,溶于乙醇、CCL、苯等有機(jī)溶劑,具有分子晶體的特點(diǎn),為分子晶體;
與配體CO互為等包子體的陰離子有CN域C,等。
(4)①晶胞中Mg位于8個(gè)頂點(diǎn),個(gè)數(shù)為*8=1,C位于體心,個(gè)數(shù)為l,Ni位于6個(gè)面心,個(gè)數(shù)為
8
6x:=3,該新型超導(dǎo)材料的化學(xué)式為MgNi3Co
②若晶胞參數(shù)為。nm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,根據(jù)NM=VpN*x213=px(〃x|O,/NA,則該晶
體的密度為枝得x10"gcnT3o
3.答案(1)第四周期第VIB族15
(2)①O、N②d③獨(dú)立存在的氨氣分子中氮原子含有一對(duì)孤電子對(duì),而該物質(zhì)中的N原子的
孤電子對(duì)提供出來(lái)與C產(chǎn)形成了成鍵電子對(duì)
(3)<鈦第二電離能失去的是4s1電子,銘第二電離能失去的是半充滿的3d$電子
⑷(1,133(a+b)
解析(1)格的原子序數(shù)為24,在元素周期表中的位置為第四周期第VIB族;其基態(tài)原子的核外電
子排布式為ls22s22p63s23p63d54s',s能級(jí)1個(gè)軌道,p能級(jí)3個(gè)軌道,d能級(jí)5個(gè)軌道,結(jié)合洪特規(guī)虬
其占據(jù)的原子軌道數(shù)為l+l+3+l+3+5+l=15o
(2)①該配合物中[Cr(H2())2(NH3)4]C13?2H2O,C產(chǎn)是中心離子,內(nèi)界中HzO和N%是配位體,配位
體中的O原子和N原子有孤電子對(duì),O原子和N原子提供孤電子對(duì)與C產(chǎn)形成配位鍵。
③該物質(zhì)中,N—H的鍵角比獨(dú)立存在的氣態(tài)氯氣分子中鍵角略大,其原因是獨(dú)立存在的氮?dú)夥?/p>
子中泉原子含有一個(gè)孤電子對(duì),而該物質(zhì)中的N原子的孤電子對(duì)提供出來(lái)與C片形成了成鍵電
子對(duì),孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)之間的排斥力大于成鍵電子對(duì)之間的排斥力,故N—H的鍵角比獨(dú)
立存在的氣態(tài)氮?dú)夥肿又墟I的略大。
(3)鐵原子的核外電,子排布式為[Ar]3d24s)第二電離能失去的是4sl電子,絡(luò)第二電,離能失去的是
5
3d5電子,3d處于半充滿狀態(tài)、較為穩(wěn)定,需要較大能量才能失去,故第二電離能/2(Ti)</2(Cr)o
(4)從該晶胞圖示可知,A點(diǎn)分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0),結(jié)合B點(diǎn)在工、,,、z三個(gè)坐標(biāo)軸上的投影,則B點(diǎn)
分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1,1,;);已知r(N"戶anmjpCr")"/?nm,晶胞參數(shù)為2(。+〃)nm,則面對(duì)角線為2近(a+b)
nm,B點(diǎn)到底面的長(zhǎng)度為(a+人)nm,則AB間距離為J-2夜(a++(a+nni=3(a+加nm。
4.答案(1)28Ni與Ca同周期,Ni的原子半徑比較小且價(jià)電子數(shù)多,形成的金屬鍵比較強(qiáng),熔點(diǎn)比
較高
(2)①八面體形②N>O>H>C③sp?
(3浮忌
解析(1)鑲元素的原子序數(shù)為28,核外電子數(shù)為28,由泡利不相容原理可知,同種原子的核外沒有
運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相同的電子,則基態(tài)原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有28種;金屬晶體的金屬鍵越強(qiáng),熔
點(diǎn)越高,鍥和鈣都是金屬晶體,鍥元素與鈣元素同周期,鍥原子半徑比鈣小且價(jià)電子數(shù)比鈣多,形成
的金屬鍵比鈣強(qiáng),熔點(diǎn)比鈣高。
(2)①由配合物的結(jié)構(gòu)可知,銀禹子與具有孤電子對(duì)的氮原子和氧原子形成配位鍵,配位數(shù)為6,空
間結(jié)構(gòu)為八面體形。③由N...Ni存在大五鍵可知,結(jié)構(gòu)中氮原子的雜化方式為sp?雜化。
(3)由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中位于頂點(diǎn)的鑲原子個(gè)數(shù)為8x:=1,位于面心鎂原子個(gè)數(shù)為6x:=3,位于
oL
體內(nèi)的鐵原子個(gè)數(shù)為4,晶胞的化學(xué)式為NiMgsFeq設(shè)晶胞的邊長(zhǎng)為acm,由晶胞的質(zhì)量公式可
得:噂=“乜解得。二源由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中鍥原子與鎂原子間的距離為面對(duì)角線的;,則鍥
原子與鎂原子間的距離為當(dāng)牖cm。
5.答案⑴Is22s22P63s23P63d54s2(或[Ar]3d54s2)Mn
(2)①be②非極性分子③正四面體形
⑶①F>P>Li②sp2、sp3
//、c9x7+3x59+3x59+3x55+18x16
z21
^acNAxlO
解析⑴鎰是25號(hào)元素,則銹元素基態(tài)原子的電子排布式為Is22s22P63s23P63d54s2或者[Ar]3d54s2,
鍥、鉆、播三種基態(tài)原子的價(jià)層電子排布式分別為3ds4s2、3d74s2、3d54s5故它們基態(tài)原子中
的未成對(duì)電子數(shù)分別為2、3、5,則未成對(duì)電子數(shù)最多的是Mn。
(2)①Ni(CO)4中不存在離子鍵,a錯(cuò)誤;Ni(CO)4、[Ni(NH3)6]SC)4都存在配位鍵,b正確;Ni(CO)4中
有C和0之間的極性鍵,[Ni(NH3)6]SO4中有N-H、S-0之間的極性鍵,c正確;Ni(C0)4、
[Ni(NH3)6]SO4都不存在非極性鍵,d錯(cuò)誤。
②H2O是極性分子,CCh是非極性分子,根據(jù)“相似相溶''原理可知,Ni(CO)4常溫下難溶于水,易溶
于CCU中,可推知其為非極性分子。
③[Ni(NH3)6]SO_?中陰離子即SO,SO彳中中心原子S的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥
理論可知,其空間結(jié)構(gòu)為正四面體形。
(3)①根據(jù)第一電離能的變化規(guī)律:同一周期主族元素從左往右呈增大趨勢(shì),第IIA族與第VA族
反常,同一主族從上往下依次減小,故LiPFt,各元素的第一電離能從大到小的順序?yàn)镕>P>Lio
②常見溶劑碳酸乙烯酯小力中形成碳氧雙鍵的C原子周圍形成了3個(gè)。鍵,則該原子采用sp?
雜化,其余碳原子周圍形成了4個(gè)G鍵,采用sp3雜化。
(4)由題干晶胞圖示可知,晶胞中含Li原子數(shù)為9,若晶胞的底邊邊長(zhǎng)為anm,高為cnm,x.\y/
z=l:1:1,根據(jù)晶胞可知c+y+z=9,得x=y=z=3,即一個(gè)晶胞中含有9個(gè)Li、3個(gè)Ni、3個(gè)C。、3
9x7+3x59+3x59+3x55+18x16
個(gè)Mn和18個(gè)O,則一個(gè)晶脆的質(zhì)量為m=g,一個(gè)晶胞的體積為
V考片cxio2cm3,故其密度為若=9x7+3x59+3x59+3x554-18x16
歲Q2CNAX10-21
3d4s
6.答案(1)上」---IIH工正四面體形sp3>(2)264s分子晶體
⑶①相,》②1:1儂嚶吟<]00%
3d4s
解析(l)Ti的價(jià)層電子排布式為3d24sI軌道表示式為L(zhǎng)tLLl—I—II皿①%的中心原子B
的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4+1x(3+l-4x1)=4,其空間結(jié)構(gòu)為正四面體形.B采取sp3雜化;電負(fù)性是原子對(duì)
鍵合電子的吸引力,H的電負(fù)性大于B。
(2)鐵原子核外有26個(gè)電子,每個(gè)曲子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)都不相同,所以鐵原子核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有26
種;鐵的價(jià)層電子排布式為3d64s2Fe成為陽(yáng)離子時(shí)首先失去的是最外層4s軌道上的電子,FeCb
的熔沸點(diǎn)比較低,故FcCb是分子晶體。
(3)①D位于晶胞內(nèi)部,若把晶胞分為8個(gè)相等的小立方體,則D位于包含C的小立方體的體心。
根據(jù)A、B、C的原子坐標(biāo)參數(shù)可知,D的原子坐標(biāo)參數(shù)為。二,3。
444
②該晶體中,銅位于內(nèi)部,共4個(gè),氯位于頂點(diǎn)和面心,共8x<+6x〈=4個(gè),所以銅、氯微粒個(gè)數(shù)比為1:
lo
③晶胞中有4個(gè)銅原子、4個(gè)氯原子,占有的體積為4x,(/+/)pm)晶胞邊長(zhǎng)為apm,她晶胞體
積為a3pm3,it晶胞的空間利用率為100%。
7.答案⑴3d84s2N>C>H
⑵sp?C和P的原子半徑較大,“頭碰頭”重疊形成。鍵之后很難進(jìn)行“肩并肩”重疊形成冗鍵
(3)C
(4)1:1+2價(jià)(5)^x102,
解析(l)Ni是28號(hào)元素,故基態(tài)鎂原子的價(jià)層電子排布式為3d84s2;該物質(zhì)中非金屬元素即C、
N、H,根據(jù)電負(fù)性同一周期從左往右依次增大,同一主族從上往下依次減小可知,電負(fù)性由大到
小是N>C>H。
(2)NIL中中心原于N原千周圍的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,則N的雜化就道類型為sp3,C和P的原千半
徑較大,“頭碰頭”重疊形成。鍵之后很難進(jìn)行“肩并肩’’重疊形成兀鍵。
(3)在晶胞中,鍥離子與CN之間產(chǎn)生配位鍵,CN中C和N上均有孤電子對(duì),但由于C的電負(fù)性小,
更容易給出孤電子對(duì),則配體CN.提供的配位原子有Co
(4)由題給圖示晶胞可知』個(gè)晶胞中含有的NH3個(gè)數(shù)為2個(gè),苯分子個(gè)數(shù)為2個(gè),故該絡(luò)合物中氮
與笨分子數(shù)目比,即
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