IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微電子概論》（第3版）郝躍賈新章史江一5.3.1只讀存儲器5.3半導(dǎo)體存儲器電路5.3.2隨機(jī)存取存儲器目錄1.掩膜ROM5.3.1只讀存儲器2.PROM3.EPROM目錄4.E2PROM5.FlashMemory概述存儲器是一個(gè)二維陣列結(jié)構(gòu)，根據(jù)是否可改寫分為只讀存儲器、隨機(jī)存取存儲器存儲器通過行訪問，行通過地址進(jìn)行索引存儲器結(jié)構(gòu)存儲器輸出數(shù)據(jù)位寬有列譯碼決定1.掩膜ROM通過修改接觸孔掩膜版編程，其存儲內(nèi)容在加工時(shí)寫入，用戶不能進(jìn)行再編程，適用于存儲信息固定不變場景存儲單元的數(shù)值由二極管/MOS管是否開啟決定存儲單元結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)穩(wěn)定，斷電后數(shù)據(jù)不會丟失；結(jié)構(gòu)簡單，可靠性好2.PROM具備一次用戶編程能力（OTP）。制造時(shí)，每個(gè)單元存儲內(nèi)容全部為0/1，用戶可以根據(jù)需求進(jìn)行改寫，改寫只能進(jìn)行一次存儲單元中的數(shù)值通過對熔絲編程確定，熔絲只能熔一次存儲單元結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)穩(wěn)定，斷電后數(shù)據(jù)不會丟失；結(jié)構(gòu)簡單，可靠性好3.EPROM具備多次用戶編程能力。通過紫外線或者X射線擦除，高電壓編程存儲單元中的數(shù)值通過高電壓寫入，通常擦除/寫入需要離線操作浮柵雪崩注入結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)穩(wěn)定，斷電后數(shù)據(jù)不會丟失；石英窗口需要保護(hù)結(jié)構(gòu)：控制柵和溝道間增加浮柵擦除：在紫外線照射下，浮柵中的電子吸收能量成為熱電子，穿透氧化層，注入襯底，擦除為“0”編程：漏、控制柵加高電壓，漏區(qū)pn結(jié)溝道側(cè)發(fā)生雪崩現(xiàn)象，高能電子穿過氧化層注入浮柵，寫入“1”4.E2PROM具備多次用戶編程能力。電擦除信息，利用漏和浮柵之間超薄氧化層的FN隧道效應(yīng)進(jìn)行擦/寫工作浮柵隧道氧化層MOS結(jié)構(gòu)E2PROM單元剖面圖結(jié)構(gòu)：雙層多晶硅工藝，漏與浮柵之間有一個(gè)超薄氧化層窗口擦除：控制柵加高壓脈沖，源、漏、襯底接地，電子由漏經(jīng)隧道氧化層到達(dá)浮柵，實(shí)現(xiàn)擦除，輸出“1”編程：控制柵、襯底接地，漏端加高電壓脈沖，源端浮起，電子由浮柵到達(dá)漏端，寫入“0”4.E2PROM擦除：選擇線加+21V電壓，漏極浮空，列線接地，字線接（控制柵）+21V，電子由漏極注入柵極，導(dǎo)電溝道夾斷，存儲單元數(shù)據(jù)變?yōu)椤?”FLOTOX結(jié)構(gòu)E2PROM單元編程：列線加+19V電壓，選擇線接+21V，字線（控制柵）接地，源極懸空，浮柵上的電子進(jìn)入漏極，管子導(dǎo)通，輸出“0”讀出：列線加+2V，選擇線加+5V，字線加+3.5V，當(dāng)浮柵上的電荷為負(fù)，晶體管截止，輸出“1”；當(dāng)浮柵電荷為正，晶體管導(dǎo)通，輸出“0”5.FlashMemory又稱閃存存儲器，是一種長壽命非易失存儲器數(shù)據(jù)操作以塊為單位大存儲量，低成本，高速度，可在線改寫結(jié)構(gòu)類似EPROM，采用ETOX（EPROMTunnelOxide）MOS管實(shí)現(xiàn)，控制柵與浮柵之間氧化層約25nm，浮柵與襯底間氧化層約10nm，耐高壓沖擊5.FlashMemory擦除：控制柵接地，漏極接高電壓（12~20V），源極浮空，浮柵上的電子通過F-N隧道效應(yīng)返回漏區(qū)，寫入“1”編程：控制柵CG加高電壓（12~20V），源極浮空，漏極接地，漏區(qū)電子通過F-N隧道效應(yīng)進(jìn)入浮柵，寫入“0”存儲陣列分為“或”陣列和“與”陣列，“或”陣列的存儲管并接實(shí)現(xiàn)“或”關(guān)系?！芭c”陣列存儲管串接實(shí)現(xiàn)“與”關(guān)系。5.FlashMemory分類：nandflash，nor

flash。nandflash通過源極F-N隧道效應(yīng)給浮柵充電；norflash通過硅襯底以熱電子方式給浮柵充電nandflash各單元