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文檔簡(jiǎn)介
1+X集成電路理論試題庫含答案
一、單選題(共39題,每題1分,共39分)
1.芯片外觀檢查前為了防止靜電擊穿損壞,工作人員必須佩戴()0
A、防靜電護(hù)腕
B、絕緣服
C、無紡布手套
D、絕緣手套
正確答案:A
2.在原理圖編輯器內(nèi),用鼠標(biāo)左鍵選擇每一個(gè)元件,當(dāng)選中一個(gè)元
件時(shí),在對(duì)話框的右邊的封裝管理編輯框內(nèi)設(shè)計(jì)者可以()當(dāng)前選
中元件的封裝。
A、添加、刪除、復(fù)制
B、添加、刪除
C、添加、刪除、復(fù)制、編輯
D、添加、刪除、編輯
正確答案:D
3.若遇到需要編帶的芯片,在測(cè)試完成后的操作是()。
A、測(cè)試
B、上料
C、編帶
D、外觀檢查
正確答案:C
答案解析:轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的操作步驟一般為:上料-?測(cè)試T編帶-?外觀
檢查-?真空包裝。
4.單晶爐中籽晶軸的作用是()。
A、保證爐內(nèi)溫度均勻分布及散熱
B、帶動(dòng)籽晶上下移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)
C、起支撐作用
D、提供一個(gè)原子重新排列標(biāo)準(zhǔn)
正確答案:B
答案解析:籽晶軸的作用是帶動(dòng)籽晶上下移動(dòng)和旋轉(zhuǎn);籽晶的作用是提
供一個(gè)原子重新排列的標(biāo)準(zhǔn);培期外的高純石墨培蝸托起支撐作用;爐
腔可以保證爐內(nèi)溫度均勻分布及散熱。
5.薄膜淀積完成后,需要進(jìn)行質(zhì)量評(píng)估。其中()是檢測(cè)薄膜質(zhì)量、
組分及純度的有效參數(shù),可以用橢偏儀測(cè)量。
A、厚度
B、折射率
C、臺(tái)階覆蓋率
D、均勻性
正確答案:B
6.用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)的第二個(gè)環(huán)節(jié)是()。
A、編帶
B、上料
C、測(cè)試
D、外觀檢查
正確答案:C
答案解析:轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的操作步驟一般為:上料T
測(cè)試-?編帶T外觀檢查T真空包裝。
7.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)常見故障不包括()0
A、真空吸嘴無芯片
B、測(cè)試卡與測(cè)試機(jī)調(diào)用的測(cè)試程序錯(cuò)誤
C、料軌堵塞
D、IC定位錯(cuò)誤
正確答案:D
8.芯片檢測(cè)工藝中,管裝裝內(nèi)盒時(shí),在內(nèi)盒上貼有()種類型的標(biāo)
簽。
A、1
B、3
C、2
D、4
正確答案:C
9.下列說法錯(cuò)誤的是()。
A、在cadence軟件界面上,單擊Tools菜單,選擇Library
Manager命令,出現(xiàn)“庫文件管理器”
B、用戶可以在庫文件里新建單元,但不能在新建的單元下新建視圖
C、選擇Tool選項(xiàng)中的Composer-Schematic選項(xiàng),表示在單元下建
立電路圖視圖
D、在電路編輯窗口中,利用圖標(biāo)欄可以快速建立、編輯電路圖
正確答案:B
10.下列選項(xiàng)中,()是封裝工藝中不涉及的工序。
A、第一道光檢
B、第二道光檢
C、第三道光檢
D、第四道光檢
正確答案:A
答案解析:封裝工藝中,第二道光檢主要是針對(duì)晶圓切割之后的外觀檢
查,是否有出現(xiàn)廢品(崩邊等情況)。引線鍵合完成后要進(jìn)行第三道光檢,
主要是為了檢查芯片粘接和引線鍵合過程中有沒有產(chǎn)生廢品。切筋成型
之后需要進(jìn)行第四道光檢,針對(duì)后段工藝的產(chǎn)品進(jìn)行檢查、剔除。
11.關(guān)于全自動(dòng)探針臺(tái)扎針調(diào)試的步驟,下列說法正確的是:()。
A、輸入晶圓信息一調(diào)出檢測(cè)MAP圖一自動(dòng)對(duì)焦一扎針調(diào)試
B、輸入晶圓信息一自動(dòng)對(duì)焦一調(diào)出檢測(cè)MAP圖一扎針調(diào)試
C、輸入晶圓信息一自動(dòng)對(duì)焦一扎針調(diào)試一調(diào)出檢測(cè)MAP圖
D、輸入晶圓信息一調(diào)出檢測(cè)MAP圖一扎針調(diào)試一自動(dòng)對(duì)焦
正確答案:B
答案解析:全自動(dòng)探針臺(tái)扎針調(diào)試步驟:輸入晶圓信息-?自動(dòng)對(duì)焦-?調(diào)
出檢測(cè)MAP圖-?扎針調(diào)試。
12.晶圓進(jìn)行扎針測(cè)試時(shí),完成晶圓信息的輸入后,需要核對(duì)()上
的信息,確保三者的信息一致。
A、MAP圖、測(cè)試機(jī)操作界面、晶圓測(cè)試隨件單
B、MAP圖、探針臺(tái)界面、晶圓測(cè)試隨件單
C、MAP圖、軟件檢測(cè)程序、晶圓測(cè)試隨件單
D、MAP圖、軟件版本、晶圓測(cè)試隨件單
正確答案:A
13.料盤外觀全部檢查完后,對(duì)合格的料盤需要進(jìn)行臨時(shí)捆扎,臨時(shí)
捆扎時(shí)將()盒料盤(不含空料盤)捆扎在一起。
A、9
B、10
C、11
D、12
正確答案:B
答案解析:料盤外觀全部檢查完后,對(duì)合格的料盤需要進(jìn)行臨時(shí)捆扎,
臨時(shí)捆扎時(shí)將10盒料盤(不含空料盤)捆扎在一起。
14.風(fēng)淋的作用是()。
A、清除進(jìn)入車間的人或物體表面的灰塵
B、檢測(cè)進(jìn)入車間人員的體重與生態(tài)狀況
C、降低人體衣物表面的溫度
D、使衣物保持潔凈、平整
正確答案:A
答案解析:風(fēng)淋的操作是針對(duì)芯片處于裸露狀態(tài)工藝的車間設(shè)計(jì)的,其
目的是為了清除進(jìn)入車間的人或物體表面的灰塵,保證車間內(nèi)的無塵環(huán)
境不被破壞。
15.平移式分選機(jī)設(shè)備分選環(huán)節(jié)的流程是:()。
A、分選一吸嘴吸取芯片一收料
B、吸嘴吸取芯片一分選一收料
C、吸嘴吸取芯片一收料一分選
D、分選一收料一吸嘴吸取芯片
正確答案:B
答案解析:平移式分選機(jī)設(shè)備測(cè)試環(huán)節(jié)的流程是:吸嘴吸取芯片-?分選
—?收料。
16.在使用J-link驅(qū)動(dòng)連接單片機(jī)是需在魔法棒按鈕的()中設(shè)置
()。
A、Debug;地址范圍
B、Debug;工作頻率
C、Output;地址范圍
D、Output;工作頻率
正確答案:A
17.該圖是()的版圖。
A、D觸發(fā)器
B、一位全加器
C、傳輸門
D、與非門
正確答案:A
18.使用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí),完成上料后需要進(jìn)行的環(huán)
節(jié)是()。
A、外觀檢查
B、分選
C、測(cè)試
D、真空包裝
正確答案:C
19.封裝工藝中,在完成芯片粘接后需要進(jìn)行銀漿固化,該環(huán)節(jié)在烘
干箱中進(jìn)行,一般在()°C的環(huán)境下烘烤1小時(shí)。
A、175
B、225
C、200
D、150
正確答案:A
20.使用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí),第一環(huán)節(jié)需進(jìn)行()操
作。
A、上料
B、分選
C、編帶
D、外檢
正確答案:A
答案解析:重力式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝流程:上料-?測(cè)試-?分選T
編帶(SOP)T外觀檢查-?真空包裝。
21.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備的上料步驟正確的是:()。
A、待測(cè)芯片上料一芯片篩選一芯片吸取
B、芯片篩選一待測(cè)芯片上料一芯片吸取
C、待測(cè)芯片上料一芯片吸取一芯片篩選
D、芯片篩選一芯片吸取一待測(cè)芯片上料
正確答案:A
答案解析:轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備的上料步驟為:待測(cè)芯片上料■?芯片篩選
-?芯片吸取。
22.切割完的晶圓取出后先用氣槍將晶圓表面的()和硅粉塵進(jìn)行初
步的清理。
A、切割時(shí)產(chǎn)生的火花
B、晶圓碎片
C、去離子水
D、不良晶粒
正確答案:C
23.用編帶機(jī)進(jìn)行編帶前預(yù)留空載帶的原因是()。
A、比較美觀
B、防止芯片散落
C、確認(rèn)編帶機(jī)正常運(yùn)行
D、節(jié)省人工檢查時(shí)間
正確答案:B
答案解析:空余載帶預(yù)留設(shè)置是為了防止卷盤上編帶的兩端在操作過程
中可能會(huì)出現(xiàn)封口分離的情況,導(dǎo)致端口的芯片散落。
24.正常工作時(shí)風(fēng)淋室內(nèi)無人時(shí),外部的()指示燈亮起。
A、紅色
B、黃色
C、綠色
D、藍(lán)色
正確答案:C
答案解析:風(fēng)淋室內(nèi)無人時(shí),外部的綠色指示燈亮起,進(jìn)入風(fēng)淋室后關(guān)
門,風(fēng)淋室自動(dòng)落鎖,外部指示燈變?yōu)榧t色,風(fēng)淋開始。
25.平移式設(shè)備芯片檢測(cè)工藝流程中,上料之后的環(huán)節(jié)是()。
A、測(cè)試
B、分選
C、真空包裝
D、外觀檢查
正確答案:A
答案解析:平移式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的操作步驟一般為:上料T
測(cè)試T分選T外觀檢查T真空包裝。
26.先進(jìn)的平坦化技術(shù)有()。
A、反刻法
B、高溫回流法
C、旋涂玻璃法
D、化學(xué)機(jī)械拋光法
正確答案:D
答案解析:反刻法、高溫回流法、旋涂玻璃法屬于傳統(tǒng)平坦化技術(shù),化學(xué)
機(jī)械拋光法屬于先進(jìn)平坦化技術(shù)。
27.在晶圓盒內(nèi)壁放一圈海綿的目的是()。
A、防止晶圓包裝盒和晶圓直接接觸
B、防止晶圓之間的接觸
C、防止晶圓在搬運(yùn)過程中發(fā)生移動(dòng)
D、美觀
正確答案:A
答案解析:在晶圓盒內(nèi)壁放一圈海綿是為了防止晶圓盒和晶圓接觸。
28.封裝工藝中,芯片粘接工序中,完成點(diǎn)銀漿以后進(jìn)入()步驟。
A、框架收料
B、銀漿固化
C、芯片拾取
D、框架上料
正確答案:C
29.()包裝形式在入庫及之后的工藝中操作方便,比較省時(shí)。
A、晶圓盒包裝
B、花籃內(nèi)盒包裝
C、防靜電鋁箔袋包裝
D、花籃外盒包裝
正確答案:D
答案解析:花籃外盒包裝形式在入庫及之后的工藝中操作方便,比較省
時(shí)。
30.對(duì)晶向?yàn)?英寸N型半導(dǎo)體材料來說,()是作為放置第
一步的光刻圖形的掩膜版的依據(jù)。
A、主平面
B、次平面
C、兩個(gè)平面均可
D、定位槽
正確答案:A
答案解析:晶向?yàn)椋?11>、6英寸N型半導(dǎo)體材料在定位時(shí)有兩個(gè)基準(zhǔn)面,
主平面主要用于硅片上芯片圖形的定位和機(jī)械加工的定位,即作為放置
第一步的光刻圖形的掩膜版的依據(jù)。
31.料盤外觀檢查前期,將料盤從中轉(zhuǎn)箱中取出后,將測(cè)試合格的料
盤放在()。
A、已檢品區(qū)
B、待檢品區(qū)
C、不合格品區(qū)
D、工作臺(tái)任意位置
正確答案:B
答案解析:料盤外觀檢查前期,將料盤從中轉(zhuǎn)箱中取出后,根據(jù)隨件單
核對(duì)合格品、不合格品的數(shù)量一致后,將合格品和隨件單放在工作臺(tái)的
右邊,其中不合格品放在工作臺(tái)下方的不合格品箱中,合格品放在待檢
區(qū),并且不能超過黃線,這是為了防止檢查時(shí)進(jìn)行混合。
32.對(duì)準(zhǔn)和曝光過程中,套準(zhǔn)精度是指形成的圖形層與前層的最大相
對(duì)位移大約是關(guān)鍵尺寸的()。
A、二分之一
B、三分之一
C、四分之一
D、五分之一
正確答案:B
答案解析:版圖套準(zhǔn)過程有了對(duì)準(zhǔn)規(guī)范,也就是常說的套準(zhǔn)容差或套準(zhǔn)
精度。具體是指要形成的圖形層與前層的最大相對(duì)位移。一般而言大約
是關(guān)鍵尺寸的三分之一。
33.重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí),如果出現(xiàn)上料槽無料管,應(yīng)采取
()的處理方式。
A、人工加待測(cè)料管
B、人工換料管
C、人工加空料管
D、人工將卡料取出
正確答案:A
答案解析:重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí),如果出現(xiàn)上料槽無料,需要
人工加待測(cè)料管。
34.下列選項(xiàng)中不屬于“5s”管理要求的是()。
A、培訓(xùn)
B、清掃
C、整理
D、素養(yǎng)
正確答案:A
答案解析:"5S管理起源于日本,是指在生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)對(duì)人員、機(jī)器、材料、
方法等生產(chǎn)要素進(jìn)行有效管理的一種管理方式。5S即整理(SEIRI)、整
頓(SEITON)、清掃(SEISO)、清潔(SEIKETSU)、素養(yǎng)(SHITSUKE),因
為這5個(gè)詞日語中羅馬拼音的第一個(gè)字母都是"S",所以簡(jiǎn)稱為"5S"。"
35.()是使硅片上的局部區(qū)域達(dá)到平坦化。
A、平滑處理
B、部分平坦化
C、局部平坦化
D、全局平坦化
正確答案:C
答案解析:局部平坦化是將硅片表面局部進(jìn)行平坦化處理,使其達(dá)到較
高的平整度。
36.“對(duì)刀”操作時(shí),點(diǎn)擊顯示屏上主菜單的()按鈕,使承載盤真
空從關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)為開啟狀態(tài)。
A、。角度調(diào)整
B、開始
C、WorkSet
D、ManualAlign
正確答案:C
答案解析:點(diǎn)擊顯示屏上主菜單的“WorkSet"(設(shè)置)按鈕,使承載
盤真空從關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)為開啟狀態(tài)。點(diǎn)擊顯示屏上的“ManualAlign”
(手動(dòng)對(duì)位)按鈕,界面跳轉(zhuǎn)到“切割道調(diào)整界面”。點(diǎn)擊“
37.進(jìn)行芯片檢測(cè)工藝中的編帶外觀檢查時(shí),其步驟正確的是()。
A、檢查外觀一歸納放置一固定卷盤一編帶回料一編帶固定
B、固定卷盤一歸納放置一檢查外觀一編帶回料一編帶固定
C、編帶固定一固定卷盤一歸納放置一檢查外觀一編帶回料
D、歸納放置一固定卷盤一檢查外觀一編帶回料一編帶固定
正確答案:D
38.晶圓檢測(cè)工藝中,在進(jìn)行上片之前需要進(jìn)行()操作。
A、導(dǎo)片
B、加溫、扎針調(diào)試
C、扎針測(cè)試
D、打點(diǎn)
正確答案:A
答案解析:晶圓檢測(cè)工藝流程:導(dǎo)片-?上片T加溫、扎針調(diào)試T扎針測(cè)
試T打點(diǎn)-?烘烤T外檢T真空入庫。
39.平移式分選機(jī)進(jìn)行料盤上料時(shí),在上料架旁的紅色指示燈亮的含
義是()。
A、上料機(jī)構(gòu)故障
B、上料架上有料盤
C、上料架上有空料盤
D、上料架上沒有料盤
正確答案:B
答案解析:平移式分選機(jī)進(jìn)行料盤上料時(shí),上料架上是否有料盤可以通
過上料架旁的傳感器進(jìn)行檢測(cè)。當(dāng)傳感器指示燈為紅色時(shí),表明上料架
上還有料盤,可以繼續(xù)進(jìn)行上料,當(dāng)傳感器指示燈為綠色時(shí),表明上料
架上無料盤,停止上料。
二、多選題(共26題,每題1分,共26分)
1.有些文件用于提供給PCB制造商,生產(chǎn)PCB板用,如()。
A、PCB文件
B、PCB規(guī)格書
C、Gerber文件
D、ICT文件
正確答案:ABC
2.典型芯片包裝形式有()三種。
A、料盤包裝
B、編帶包裝
C、塑封包裝
D、管裝包裝
正確答案:ABD
3.晶圓測(cè)試過程中,探針會(huì)對(duì)晶圓PAD施加一定的壓力,若壓力超
出一定范圍,會(huì)導(dǎo)致()。
A、剝層后PAD中間絕緣層裂紋
B、探針卡出現(xiàn)損耗
C、扎透鋁層
D、針痕發(fā)生偏移
正確答案:AC
4.晶圓切割完成后需要先經(jīng)過()和()工序,方可進(jìn)入芯片粘接
工序。
A、晶圓清洗
B、晶圓拋光
C、第一道光檢
D、第二道光檢
正確答案:AD
答案解析:晶圓切割之后需先經(jīng)過晶圓清洗將切割過程中產(chǎn)生的硅粉塵
清除,以及第二道光檢將切割過程產(chǎn)生的不良品剔除,方可進(jìn)入芯片粘
接工序
5.下列對(duì)平移式分選機(jī)描述錯(cuò)誤的是()0
A、收料架,用來存放待測(cè)芯片
B、料盤,用來存放芯片
C、出料梭,負(fù)責(zé)測(cè)試完成后芯片的分檔
D、吸嘴,負(fù)責(zé)吸取并轉(zhuǎn)移芯片
正確答案:AC
6.重力式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)由()組成。
A、料斗
B、上料夾具
C、氣軌
D、上料槽
E收料架
F、送料軌
正確答案:BDF
答案解析:重力式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由上料槽、上料夾具和送料軌
組成。
7.防靜電鋁箔袋的作用是()。
A、防靜電
B、防電磁干擾
C、防潮
D、防水
正確答案:ABCD
答案解析:防靜電鋁箔袋具有防靜電、防電磁干擾、防潮三大功能,具
有良好的防水、阻氧、避光等特點(diǎn),可以最大程度地保護(hù)靜電敏感元器
件免受潛在靜電危害。
8.以下屬于導(dǎo)片步驟的是()。
A、從氮?dú)夤裰腥〕龌ɑ@
B、核對(duì)晶圓數(shù)量
C、核對(duì)晶圓批號(hào)
D、核對(duì)晶圓片號(hào)
E、將花籃放入氮?dú)夤裰?/p>
正確答案:ABCD
答案解析:導(dǎo)片步驟是:從氮?dú)夤裰腥〕鲅b有晶圓的花籃和對(duì)應(yīng)的晶圓
測(cè)試隨件單-?核對(duì)晶圓數(shù)量-?核對(duì)印章批號(hào)-?核對(duì)片號(hào),根據(jù)晶圓片號(hào)
將晶圓放在相應(yīng)的花籃編號(hào)中。導(dǎo)片完成后進(jìn)行上片,不需要再放入氮
氣柜中。
9.高溫回流一般用于()。
A、平滑處理
B、部分平坦化
C、局部平坦化
D、全局平坦化
正確答案:AB
答案解析:高溫回流一般用于平滑處理或部分平坦化O
10.版圖設(shè)計(jì)過程中,需要注意()。
A、襯底接觸與M0S管的距離應(yīng)盡量小
B、寬長(zhǎng)比大的管子最好拆分
C、連線布置可以采用并聯(lián)走線,線的寬度應(yīng)盡量窄
D、數(shù)字電源地和模擬電源地要分開
正確答案:ABD
11.以下對(duì)重力式分選設(shè)備進(jìn)行并行測(cè)試的描述正確的是()。
A、單項(xiàng)測(cè)試且連接一個(gè)測(cè)試卡
B、可選擇多SITES進(jìn)行測(cè)試
C、只能是2SITES進(jìn)行測(cè)試
D、多項(xiàng)測(cè)試且連接多個(gè)測(cè)試卡
正確答案:AB
12.抑制通道效應(yīng)的方法有()。
A、破壞表面硅原子的排列(預(yù)先淺注入)
B、將晶圓傾斜一定的角度
C、表面鋪一層非結(jié)晶材質(zhì)Si02
D、進(jìn)行快速熱退火
正確答案:ABC
答案解析:快速熱退火使為了消除晶格損傷。
13.單晶硅生長(zhǎng)是將電子級(jí)純的多晶硅轉(zhuǎn)化為單晶硅錠,要實(shí)現(xiàn)這一
條件需滿足三個(gè)條件:
A、原子具有一定的動(dòng)能
B、要有一個(gè)排列標(biāo)準(zhǔn)
C、排列好的原子能穩(wěn)定下來
D、不能含有任何雜質(zhì)
正確答案:ABC
答案解析:?jiǎn)尉Ч枭L(zhǎng)是把電子級(jí)純的多晶硅轉(zhuǎn)化成單晶硅錠,要實(shí)現(xiàn)
這一條件必須滿足:①原子具有一定的動(dòng)能,以便重新排列;②要有一
個(gè)排列標(biāo)準(zhǔn);③排列好的原子能穩(wěn)定下來。
14.襯底接觸的設(shè)計(jì)要盡量保證包圍住整個(gè)差分對(duì)管,這樣做的目的
是()。
A、減小柵極上的寄生電阻
B、保證差分對(duì)管的對(duì)稱性
C、提高差分的匹配度
D、避免閂鎖效應(yīng)
正確答案:BD
15.電子產(chǎn)品性能測(cè)試的測(cè)試環(huán)境包括()。
A、模擬使用時(shí)的環(huán)境
B、軟件環(huán)境
C、硬件環(huán)境
D、組裝電子產(chǎn)品的環(huán)境
正確答案:ABC
16.表征光刻膠的性能指標(biāo)包括()。
A、靈敏度
B、分辨率
C、黏附性
D、留膜率
正確答案:ABCD
答案解析:表征光刻膠性能指標(biāo)包括靈敏度、分辨率、黏附性、抗蝕性、
留膜率等。
17.以下屬于技術(shù)文件的是()。
A、各個(gè)層的定義
B、符號(hào)化層的定義
C、層、物理和電學(xué)規(guī)則等的定義
D、版圖轉(zhuǎn)換成GDSII時(shí)所用到的層號(hào)和定義
正確答案:ABCD
18.以下LED流水燈程序少了一部分代碼,燒入到單片機(jī)之后可能會(huì)
出現(xiàn)什么()情況。
A、沒有現(xiàn)象,單片機(jī)不工作
B、8個(gè)LED燈全亮
C、只有第一個(gè)LED燈亮
D、8個(gè)LED燈以非??斓乃俣乳W爍
正確答案:BD
19.在AltiumDesigner中,當(dāng)項(xiàng)目被編譯后,將顯示那些面板()。
A、Messages面板
B、Navigator面板
C、Design面板
D、Project面板
正確答案:AB
20.塑封體上激光打字時(shí),打印的內(nèi)容可以有()等。
A、產(chǎn)品名稱
B、生產(chǎn)日期
C、生產(chǎn)批次
D、商標(biāo)
E、注意事項(xiàng)
F、適用范圍
正確答案:ABCD
答案解析:D選項(xiàng)“商標(biāo)”屬于制造商信息,所以有時(shí)會(huì)打印在產(chǎn)品上。
21.離子注入過程中,常用的退火方法有()。
A、高溫退火
B、快速熱退火
C、氧化退火
D、電阻絲退火
正確答案:AB
答案解析:離子注入過程中,常用的退火方法有高溫退火和快速熱退火。
22.當(dāng)花籃的卡槽與承重臺(tái)的上片槽密貼時(shí),()。
A、下降指示燈亮
B、前后移動(dòng)花籃,花籃固定不動(dòng)
C、下降指示燈滅
D、位置指示燈亮
正確答案:BD
答案解析:當(dāng)花籃的卡槽與承重臺(tái)的上片槽密貼時(shí),即花籃位置放置正
確時(shí),承重臺(tái)上的位置指示燈亮,此時(shí)前后移動(dòng)花籃,花籃不會(huì)發(fā)生移
動(dòng)。
23.一般情況下,30miI的墨管適用于直徑是()的晶圓。
A、120mm
B、125mm
C、200mm
D、300mm
正確答案:CD
答案解析:30miI的墨管常用于8英寸、12英寸的晶圓。其中直徑為
125mm的是5英寸,直徑為150mm的是6英寸,直徑為200mm的是8英寸,
直徑為300mm的是12英寸。
24.封裝工藝中,晶圓劃片機(jī)顯示區(qū)可以進(jìn)行()、()等操作。
A、給其他操作人員發(fā)送消息
B、設(shè)置參數(shù)
C、切割道對(duì)位
D、操作過程中做筆記
正確答案:BC
25.LK32T102單片機(jī)編寫程序并燒錄的過程中可能會(huì)用到的軟件有
()。
A、Keil-mdk
B、VC++
C、串口助手
D、Matlab
正確答案:AC
26.切片是拋光片制備中一道重要的工序,因?yàn)檫@一工序基本上決定
了硅片的四個(gè)重要參數(shù),即晶向、()、()、()o
A、平行度
B、直徑
C、翹度
D、厚度
正確答案:ACD
答案解析:切片是拋光片制備中一道重要的工序,因?yàn)檫@一工序基本上
決定了硅片的四個(gè)重要參數(shù),即晶向、厚度、平行度、翹度。直徑是在
外形整理中的徑向研磨環(huán)節(jié)確定的。
三、判斷題(共35題,每題1分,共35分)
1.將花籃放在承重臺(tái)上后,可以直接按確認(rèn)鍵開始下降。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:B
答案解析:將花籃放在承重臺(tái)上后,需要前后移動(dòng)花籃,確?;ɑ@卡槽
與承重臺(tái)密貼,然后再按下確認(rèn)鍵使花籃和承重臺(tái)下降到指定位置。
2.墨管需要冷藏存放。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:A
3.粘塵墊的作用是粘除進(jìn)入車間員工鞋底的灰塵,防止將灰塵帶入
車間。風(fēng)淋室的出口和人口都需要布置粘塵墊。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:A
答案解析:粘塵墊又名粘塵地板膠,主要適用于貼放在潔凈空間的出入
口處及緩沖區(qū)間,它能有效地粘除鞋底和車輪上的灰塵,最大限度的減
少塵埃對(duì)潔凈環(huán)境質(zhì)量的影響,從而達(dá)到簡(jiǎn)易除塵的效果。
4.在管裝外觀檢查中,如果發(fā)現(xiàn)芯片的方向不一致,要用零頭盒中
合格的芯片進(jìn)行替換。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:B
答案解析:芯片方向不一致時(shí),可以將芯片方向進(jìn)行調(diào)整,不需要替換
芯片。
5.料盤外觀檢查進(jìn)行電路拼零前,需要對(duì)從零頭柜中取出的芯片外
觀進(jìn)行檢查。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:A
6.在刻蝕上料的過程中,需要對(duì)待刻蝕的硅片進(jìn)行檢查,如果遇到
缺角、對(duì)角裂紋、中間裂紋等問題需要進(jìn)行報(bào)廢處理。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:A
7.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向是順時(shí)針。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:B
答案解析:轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向?yàn)槟鏁r(shí)針。
8.整批芯片編帶完成后,由于編帶是4000顆芯片為一盤,所以不需
要再核對(duì)芯片的數(shù)量。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:B
答案解析:整批芯片全部編帶完成后,需要核對(duì)編帶的數(shù)量是否與顯示
屏上的數(shù)量一致。核對(duì)一致后,在隨件單上記錄相關(guān)信息。
9.經(jīng)轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)測(cè)試的芯片都需要進(jìn)行編帶。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:B
答案解析:T0封裝的芯片不需要進(jìn)行編帶。
10.P型半導(dǎo)體又空穴型半導(dǎo)體。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:A
答案解析:P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體,是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的
半導(dǎo)體。
11.晶圓檢測(cè)工藝中,利用全自動(dòng)探針臺(tái)進(jìn)行扎針深度調(diào)節(jié)時(shí),界面
的初始值為Oo
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:A
12.在外檢過程中,使用油墨筆進(jìn)行剔除時(shí),直接用桌上的油墨筆在
晶圓臟污的位置進(jìn)行標(biāo)記。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:B
答案解析:使用油墨筆進(jìn)行剔除時(shí),需要在白紙上劃幾筆,去除筆尖上
的油墨,防止沾污。
13.平移式分選機(jī)進(jìn)行檢測(cè)時(shí),是通過出料梭將待測(cè)芯片從待測(cè)區(qū)轉(zhuǎn)
移到測(cè)試區(qū)的。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:B
答案解析:平移式分選機(jī)進(jìn)行檢測(cè)時(shí),是通過入料梭將待測(cè)芯片從待測(cè)
區(qū)轉(zhuǎn)移到測(cè)試區(qū)的。
14.在芯片檢測(cè)工藝中,要根據(jù)封裝形式選擇對(duì)應(yīng)的測(cè)試夾具,并進(jìn)
行調(diào)試,使測(cè)試夾具能夠和芯片引腳——對(duì)應(yīng)。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:A
15.在LK32T102單片機(jī)上,“PB->OUTEN=0x0000;”將PB0~PB7
引腳配置設(shè)置為輸出。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:B
16.放置晶圓時(shí)晶圓需正面朝上放入切割機(jī)承載臺(tái)的吸盤上,調(diào)整晶
圓貼片環(huán)位置,使定位缺口與定位釘位置一致,保證晶圓能夠平整、
穩(wěn)固的吸附在吸盤上。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:A
17.編帶盤真空包裝時(shí)會(huì)放干燥劑。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:A
18.選擇什么樣的元器件時(shí),首先應(yīng)考慮價(jià)格、貨源和元器件體積等
方面的考慮,其次是考慮滿足單元電路對(duì)元器件性能指標(biāo)的要求。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:B
19.在“管理技術(shù)庫”對(duì)話框中,單擊Attach按鈕,表明將設(shè)計(jì)庫
與技術(shù)庫相關(guān)聯(lián)。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:A
20.抽真空操作時(shí),可以不用踩真空包裝機(jī)的踏板。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:B
答案解析:抽真空時(shí),腳踩踏板進(jìn)行抽真空操作。
21.開短路測(cè)試通常被稱為continuitytest或者open/shorttest,
是對(duì)芯片管腳內(nèi)部對(duì)地或?qū)CC是否出現(xiàn)開路或短路的一種測(cè)試方
法。()
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:A
22.和待測(cè)芯片并行測(cè)試一樣,串行測(cè)試也是由測(cè)試夾具(金手指)
夾持固定后再進(jìn)行測(cè)試,不同點(diǎn)在于串行測(cè)試區(qū)有A/B/C三個(gè)測(cè)試
軌道,每個(gè)測(cè)試軌道各連接一塊測(cè)試卡,測(cè)試卡之間互不干擾,模
塊電路依次進(jìn)行不同電特性參數(shù)的測(cè)試。()
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:A
23.拋光終點(diǎn)檢測(cè)過程中,電動(dòng)機(jī)電流CMP終點(diǎn)檢測(cè)不適合進(jìn)行層間
介質(zhì)檢測(cè)。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:A
答案解析:電流CMP不適合進(jìn)行層間介質(zhì)CMP檢測(cè),這是因?yàn)橐A纛A(yù)
定的氧化層厚度,沒有能弓|起電流變化的材料露出來。
24.平移式分選機(jī)的分選區(qū)的合格料盤和不合格料盤的區(qū)分方式只有
標(biāo)簽。
A、正確
B、錯(cuò)誤
正確答案:B
答案解析:平移式分選機(jī)的分選區(qū)的合格料盤和不合格料盤的區(qū)分除了
標(biāo)簽以外,不合格料盤的外觀為紅色,合
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