微電子專業(yè)英語詞匯每一個專業(yè)都有其專用的詞匯，以下是的微電子專業(yè)英語詞匯，歡迎參考閱讀!1.aeptancetesting(WAT:waferaeptancetesting)2.aeptor:受主，如B，摻入Si中需要承受電子3.ACCESS：一個EDA（EngineeringDataAnalysis）系統(tǒng)4.Acid：酸5.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非線性，可以對信號放大）6.Alignmark(key)：對位標(biāo)記7.Alloy：合金8.Aluminum：鋁9.Ammonia：氨水10.Ammoniumfluoride：NH4F11.Ammoniumhydroxide：NH4OH12.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13.Analog：模擬的14.Angstrom：A（1E-10m）埃15.Anisotropic：各向異性（如POLYETCH）16.AQL(AeptanceQualityLevel)：承受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（不同于可靠性，可靠性要求一定時間后的失效率）17.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻）18.Antimony(Sb)銻19.Argon(Ar)氬20.Arsenic(As)砷21.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷22.Arsine(AsH3)23.Asher：去膠機(jī)24.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比）25.Autodoping：自攙雜（外延時SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋訉樱?6.Backend：后段（CONTACT以后、PCM測試前）27.Baseline：標(biāo)準(zhǔn)流程28.Benchmark：基準(zhǔn)29.Bipolar：雙極30.Boat：擴(kuò)散用（石英）舟31.CD：（CriticalDimension）臨界（關(guān)鍵）尺寸。在工藝上通常指條寬，例如POLYCD為多晶條寬。32.Characterwindow：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個方形區(qū)域。33.Chemical-mechanicalpolish（CMP）：化學(xué)機(jī)械拋光法。一種去掉圓片外表某種物質(zhì)的方法。34.Chemicalvapordeposition（CVD）：化學(xué)汽相淀積。一種通過化學(xué)反響生成一層薄膜的工藝。35.Chip：碎片或芯片。36.CIM：puter-integratedmanufacturing的縮寫。用計(jì)算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。37.Circuitdesign：電路設(shè)計(jì)。一種將各種元器件連接起來實(shí)現(xiàn)一定功能的技術(shù)。38.Cleanroom：一種在溫度，濕度和干凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。39.Compensationdoping：補(bǔ)償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。40.CMOS：plementarymetaloxidesemiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個硅襯底上混合制造的工藝。41.Computer-aideddesign（CAD）：計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。42.Conductivitytype：傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。43.Contact：孔。在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔。44.Controlchart：控制圖。一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。45.Correlation：相關(guān)性。46.Cp：工藝能力，詳見processcapability。47.Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見processcapabilityindex。48.Cycletime：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時間。通常用來衡量流通速度的快慢。49.Damage：損傷。對于單晶體來說，有時晶格缺陷在外表處理后形成無法修復(fù)的變形也可以叫做損傷。50.Defectdensity：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。51.Depletionimplant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。）52.Depletionlayer：耗盡層。可動載流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。53.Depletionwidth：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個區(qū)域的寬度。54.Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學(xué)反響的薄膜的一種方法。55.Depthoffocus（DOF）：焦深。56.designofexperiments(DOE)：為了到達(dá)費(fèi)用最小化、降低試驗(yàn)錯誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)合理性等目的，所設(shè)計(jì)的初始工程批試驗(yàn)方案。57.develop：顯影（通過化學(xué)處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過程）58.developer：Ⅰ）顯影設(shè)備；Ⅱ）顯影液59.diborane(B2H6)：乙硼烷，一種無色、易揮發(fā)、有毒的可燃?xì)怏w，常用來作為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的硼源60.dichloromethane(CH2CL2)：二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。61.dichlorosilane(DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于硅外延或多晶硅的成長，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時的化學(xué)氣氛中。62.die：硅片中一個很小的單位，包括了設(shè)計(jì)完整的單個芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。63.dielectric：Ⅰ）介質(zhì)，一種絕緣材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封裝的外表材料，可以提供電絕緣功能。64.diffusedlayer：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在臨近硅外表的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。65.disilane(Si2H6)：乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會自燃。在生產(chǎn)光電單元時，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。66.drive-in：推阱，指運(yùn)用高溫過程使雜質(zhì)在硅片中分布擴(kuò)散。67.dryetch：干刻，指采用反響氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護(hù)區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學(xué)腐蝕的工藝過程。68.effectivelayerthickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。69.EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進(jìn)展的自擴(kuò)散過程。70.epitaxiallayer：外延層。半導(dǎo)體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長一層單晶半導(dǎo)體材料，這一單晶半導(dǎo)體層即為外延層。71.equipmentdowntime：設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預(yù)定功能的時間。72.etch：腐蝕，運(yùn)用物理或化學(xué)方法有選擇的去除不需的區(qū)域。73.exposure：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。74.fab：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠。75.featuresize：特征尺寸，指單個圖形的最小物理尺寸。76.field-effecttransistor（FET）：場效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動而工作，多子流由柵下的橫向電場控制。77.film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。78.flat：平邊79.flatbandcapacitanse：平帶電容80.flatbandvoltage：平帶電壓81.flowcoefficicent：流動系數(shù)82.flowvelocity：流速計(jì)83.flowvolume：流量計(jì)84.flux：單位時間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)85.forbiddenenergygap：禁帶86.four-pointprobe：四點(diǎn)探針臺87.functionalarea：功能區(qū)88.gateoxide：柵氧89.glasstransitiontemperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度90.gowning：凈化服91.grayarea：灰區(qū)92.grazingincidenceinterferometer：切線入射干預(yù)儀93.hardbake：后烘94.heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法95.high-currentimplanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)96.hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter：高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒97.host：主機(jī)98.hotcarriers：熱載流子99.hydrophilic：親水性100.hydrophobic：疏水性101.impurity：雜質(zhì)102.inductivecoupledplasma(ICP)：感應(yīng)等離子體103.inertgas：惰性氣體104.initialoxide：一氧105.insulator：絕緣106.isolatedline：隔離線107.implant:注入108.impurityn:摻雜109.junction:結(jié)110.junctionspikingn:鋁穿刺111.kerf:劃片槽112.landingpadnAD113.lithographyn制版114.maintainability,equipment:設(shè)備產(chǎn)能115.maintenancen:保養(yǎng)116.majoritycarriern:多數(shù)載流子117.masks,deviceseriesofn:一成套光刻版118.materialn:原料119.matrixn1:矩陣120.meann:平均值121.measuredleakraten:測得漏率122.mediann:中間值123.memoryn:記憶體124.metaln:金屬125.nanometer(nm)n：納米126.nanosecond(ns)n：納秒127.nitrideetchn：氮化物刻蝕128.nitrogen(N2)n：氮?dú)猓环N雙原子氣體129.n-typeadj：n型130.ohmspersquaren：歐姆每平方:方塊電阻131.orientationn：晶向，一組晶列所指的方向132.overlapn：交迭區(qū)133.oxidationn：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進(jìn)展的化學(xué)反響134.phosphorus(P)n：磷，一種有毒的非金屬元素135.photomaskn：光刻版，用于光刻的版136.photomask,negativen：反刻137.images：去掉圖形區(qū)域的版138.photomask,positiven：正刻139.pilotn：先行批，用以驗(yàn)證該工藝是否符合規(guī)格的片子140.plasman：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體141.plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)n：等離子體化學(xué)氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝142.plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝143.pnjunctionn：pn結(jié)144.pockedbeadn：麻點(diǎn)，在20X下觀察到的吸附在低壓外表的水珠145.polarizationn：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語146.polyciden：多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復(fù)合柵構(gòu)造147.polycrystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高濃度摻雜（>5E19）的硅，能導(dǎo)電。148.polymorphismn：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象149.probern:探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測設(shè)備。150.processcontroln:過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對設(shè)備或產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的控制能力。151.proximityX-rayn:近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩膜版，從而使對應(yīng)的光刻膠暴光。152.purewatern:純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。153.quantumdevicen