平面結(jié)構(gòu)管芯封裝的注意事項(xiàng)_第1頁
平面結(jié)構(gòu)管芯封裝的注意事項(xiàng)_第2頁
平面結(jié)構(gòu)管芯封裝的注意事項(xiàng)_第3頁
平面結(jié)構(gòu)管芯封裝的注意事項(xiàng)_第4頁
平面結(jié)構(gòu)管芯封裝的注意事項(xiàng)_第5頁
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文檔簡介

所謂的“直通”：所謂的“直通”：真正的直通（黑線）：平面結(jié)構(gòu)管芯封裝的注意事項(xiàng)案例：封裝晶新芯片13005D共100只，8月14日測：78只OK,CB710V以上，CE420V以上；1只開路；2只低軟（幾十伏，嚴(yán)重軟）；8只“直通”，其實(shí)是CE、CB、EB嚴(yán)重低軟且有mA級的溝道；（解剖圖1、2）1只CB520V，CE480V（解剖圖3）；10只CE480V，CB600?700V。8月17日測,這10只產(chǎn)品全部呈現(xiàn)正常電參數(shù)（理解為高溫貯存未做，常溫貯存后恢復(fù)？）。臺(tái)面芯片臺(tái)面槽損傷不超過槽底中心線，無影響.小可控不適用！!見另圖損傷超過槽底中心線！X鋁條劃傷只要不造成EB短路，無影響。平面芯片溝道：玻璃鈍化層PN-平面芯片PN-N+1/4,x損傷超過環(huán)間距的體現(xiàn)擊穿電壓的關(guān)鍵部位玻璃鈍化層PN-平面芯片PN-N+1/4,x損傷超過環(huán)間距的體現(xiàn)擊穿電壓的關(guān)鍵部位剖面圖：DK臺(tái)面芯片:損傷不超過槽底中心線,無影響

解剖圖1,CE、CB、EB嚴(yán)重低軟且有mA級的溝道yyyyyr?>1亍解剖圖2,CE、CB、EB嚴(yán)重低軟且有mA級的溝道鋁條劃傷且有殘鋁覆蓋到增壓環(huán)上玻璃鈍化層?1'■■玻璃鈍化層?1'■■>11:::::解剖圖3，CB520V，CE480V產(chǎn)品工程師解釋為何CB下降較多而CE卻不下降？臺(tái)面單向可控硅剖面圖損傷雖未超過槽底中心線，已破壞了背面PN結(jié)，電壓X!存在問題：損傷是如何造成的？粘片？壓焊？（不涂膠）檢驗(yàn)？塑封？有哪些習(xí)慣是可能造成損傷的？近期應(yīng)做哪些工作？根本解決應(yīng)做哪些工作？為了有經(jīng)濟(jì)效益，至少應(yīng)達(dá)到什么成品率？部

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