內(nèi)容摘要薄膜太陽(yáng)能電池發(fā)展背景、技術(shù)發(fā)展、發(fā)電原理…2,3,4薄膜太陽(yáng)能電池的種類(lèi)…5,6矽薄膜太陽(yáng)能電池與化合物薄膜太陽(yáng)能電池之差異…8,9薄膜太陽(yáng)能電池之缺點(diǎn)…10,11薄膜太陽(yáng)能電池產(chǎn)量成長(zhǎng)概況…12臺(tái)灣

CIGS太陽(yáng)能電池概況…13,14,15,16,17結(jié)論及參考資料…18,1911

薄膜太陽(yáng)能電池發(fā)展背景受到地球暖化衍生的環(huán)保問(wèn)題，以及化石燃料（石油、煤炭及天然氣等）資源有限的危機(jī)所影響，利用太陽(yáng)能發(fā)電成為近年來(lái)倍受各界矚目的焦點(diǎn)之一。22

太陽(yáng)能電池技術(shù)發(fā)展第一代結(jié)晶矽（Waferbase）第二代薄膜（ThinFilmbase）第三代染料敏化太陽(yáng)能電池(DyeSensitizedSolarCell，DSSC)33圖片來(lái)源:中華太陽(yáng)能聯(lián)誼會(huì)44

薄膜太陽(yáng)能電池的種類(lèi)矽薄膜太陽(yáng)能電池非晶矽太陽(yáng)能電池微晶矽太陽(yáng)能電池低溫多晶矽太陽(yáng)能電池55

薄膜太陽(yáng)能電池的種類(lèi)化合物薄膜太陽(yáng)能電池銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池CIGS碲化鎘太陽(yáng)能電池CdTe66177資料來(lái)源:GlobalSolar資料來(lái)源：工研院太電中心資料來(lái)源：UnitedSolar7.5

矽薄膜與化合物半導(dǎo)體薄膜之差異

資料來(lái)源：資策會(huì)MIC，2009年1月矽薄膜主要材料矽光吸收層厚度0.2~0.5μm光吸收能力吸光範(fàn)圍為1.1~1.7eV發(fā)電穩(wěn)定性穩(wěn)定較差，有光衰竭現(xiàn)象商用轉(zhuǎn)換效率5~8%成膜技術(shù)

1.化學(xué)氣相沉積(CVD)2.濺鍍(sputtering)98

矽薄膜與化合物薄膜之差異

資料來(lái)源：資策會(huì)MIC，2009年1月CIGSCdTe

主要材料銅、銦、鎵、硒化合物碲、鎘化合物光吸收層厚度<1μm1μm光吸收能力吸光範(fàn)圍為1.02~1.68eV吸光範(fàn)圍為1.45eV發(fā)電穩(wěn)定性穩(wěn)定性高，且無(wú)光衰竭現(xiàn)象穩(wěn)定性高，且無(wú)光衰竭現(xiàn)象商用轉(zhuǎn)換效率10~12%8.5~10.5%成膜技術(shù)濺鍍(sputtering)蒸鍍(Evaporating)109

薄膜太陽(yáng)能電池之優(yōu)點(diǎn)非具有雄厚資金能力者無(wú)法進(jìn)入，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者較少矽用料少或是不用矽原料，不受非晶矽價(jià)格影響製程數(shù)少，製程管理相對(duì)容易轉(zhuǎn)換效率提升空間大，新技術(shù)研發(fā)活動(dòng)頻繁可用透明、可撓曲的基板及客製化大面積生產(chǎn)，應(yīng)用範(fàn)圍廣1110

薄膜太陽(yáng)能電池之缺點(diǎn)投資成本昂貴，是矽晶電池模組的5~10倍硒、銦、碲等為稀有金屬，無(wú)法支應(yīng)全面性量產(chǎn)所需轉(zhuǎn)換效率較低，所需裝置面積大大面積產(chǎn)品之良率及穩(wěn)定性控制不易市場(chǎng)對(duì)碲/鎘有毒物質(zhì)回收處理的可能要求1211

薄膜太陽(yáng)能電池產(chǎn)量成長(zhǎng)概況資料來(lái)源：PhotonInternational工研院IEK12

臺(tái)灣CIGS太陽(yáng)能電池概況2010年4月6日臺(tái)灣

CIGS產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟正式成立，成員包含臺(tái)積電、友達(dá)、均豪、光洋、旺能、正峰新能源..等數(shù)十家上中下游廠商，涵蓋整個(gè)產(chǎn)業(yè)從材料端、製程端、設(shè)備端及系統(tǒng)端。1413151416

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圖片來(lái)源:GlobalSolar

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圖片來(lái)源:工研院材料所17

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圖片來(lái)源:工研院材料所18結(jié)論薄膜太陽(yáng)能電池未來(lái)的明星CIGSCdTe發(fā)展困難1918參考資料黃建福,中央大學(xué),表面