盛世華研·2008-2010年鋼行業(yè)調(diào)研報(bào)告PAGE2服務(wù)熱線圳市盛世華研企業(yè)管理有限公司2028年薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)2023-2028年薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)現(xiàn)狀與前景調(diào)研報(bào)告報(bào)告目錄TOC\o"1-3"\u第1章薄膜沉積設(shè)備行業(yè)監(jiān)管情況及主要政策法規(guī) 51.1薄膜沉積設(shè)備所處行業(yè)分類(lèi) 51.2行業(yè)主管部門(mén)及監(jiān)管體制 51.3行業(yè)政策法規(guī) 61.4行業(yè)主要法律法規(guī)政策的影響 7第2章我國(guó)薄膜沉積設(shè)備行業(yè)主要發(fā)展特征 72.1半導(dǎo)體行業(yè)的基礎(chǔ)支撐 72.2驗(yàn)證壁壘高 82.3投資占比高 82.4技術(shù)更新快 8第3章2022-2023年中國(guó)薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況分析 93.1全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況及特點(diǎn) 93.2中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況 9（1）已成為全球最大市場(chǎng) 9（2）全行業(yè)景氣度提高 10（3）國(guó)產(chǎn)設(shè)備自給率較低 10（4）市場(chǎng)空間巨大 10（5）下游產(chǎn)業(yè)友好度提升 113.3薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)概況 11（1）薄膜沉積設(shè)備分類(lèi) 11（2）化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備 12（3）原子層沉積設(shè)備（ALD） 133.4薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展情況 14（1）薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模 14（2）薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)需求穩(wěn)步增長(zhǎng) 15（3）芯片工藝進(jìn)步及結(jié)構(gòu)復(fù)雜化提高薄膜設(shè)備需求 15（4）先進(jìn)產(chǎn)線對(duì)薄膜設(shè)備需求量陡增 16第4章2022-2023年我國(guó)薄膜沉積設(shè)備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局分析 174.1行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局 174.2行業(yè)內(nèi)主要企業(yè) 17（1）應(yīng)用材料（AMAT）情況 17（2）泛林半導(dǎo)體（Lam）情況 18（3）東京電子（TEL）情況 18（4）先晶半導(dǎo)體（ASMI）情況 19第5章企業(yè)案例分析：拓荊科技 195.1公司產(chǎn)品或服務(wù)的市場(chǎng)地位 195.2拓荊科技的技術(shù)水平及特點(diǎn) 205.3拓荊科技技術(shù)成果與產(chǎn)業(yè)深度融合 215.4公司的核心競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì) 225.5公司競(jìng)爭(zhēng)劣勢(shì) 24第6章2023-2028年半導(dǎo)體整體行業(yè)發(fā)展分析及趨勢(shì)預(yù)測(cè) 256.1半導(dǎo)體行業(yè)基本情況 256.2全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況及特點(diǎn) 26（1）市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng) 26（2）一超三強(qiáng)格局 276.3中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況 27（1）行業(yè)整體蓬勃發(fā)展 27（2）部分環(huán)節(jié)進(jìn)口依賴(lài) 286.4半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢(shì) 28（1）下游應(yīng)用需求持續(xù)增長(zhǎng) 28（2）芯片產(chǎn)能全球短缺 28（3）晶圓廠擴(kuò)產(chǎn) 29（4）中國(guó)大陸成為晶圓制造產(chǎn)業(yè)重心 29第7章2023-2028年我國(guó)薄膜沉積設(shè)備行業(yè)面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn) 297.1行業(yè)面臨的機(jī)遇 29（1）下游應(yīng)用高速發(fā)展，市場(chǎng)需求持續(xù)旺盛 29（2）集成電路工藝進(jìn)步，設(shè)備需求穩(wěn)步增加 30（3）中國(guó)成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)能重心，推動(dòng)國(guó)內(nèi)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng) 30（4）國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，國(guó)家政策大力支持 317.2行業(yè)面臨的挑戰(zhàn) 31（1）高端技術(shù)人才的缺乏 32（2）國(guó)際市場(chǎng)認(rèn)可度仍需積累 32第1章薄膜沉積設(shè)備行業(yè)監(jiān)管情況及主要政策法規(guī)1.1薄膜沉積設(shè)備所處行業(yè)分類(lèi)根據(jù)證監(jiān)會(huì)《上市公司行業(yè)分類(lèi)指引》（2012年修訂），薄膜沉積設(shè)備隸屬于專(zhuān)用設(shè)備制造業(yè)（行業(yè)代碼：C35）。根據(jù)《國(guó)民經(jīng)濟(jì)行業(yè)分類(lèi)》（GB/T4754-2017），薄膜沉積設(shè)備隸屬于專(zhuān)用設(shè)備制造業(yè)下的半導(dǎo)體器件專(zhuān)用設(shè)備制造（行業(yè)代碼：C3562）。根據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局頒布的《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)分類(lèi)（2018）》，薄膜沉積設(shè)備隸屬于新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)下的集成電路制造行業(yè)。1.2行業(yè)主管部門(mén)及監(jiān)管體制薄膜沉積設(shè)備所處的半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)政府主管部門(mén)為工信部、科技部，行業(yè)自律組織為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)和中國(guó)電子專(zhuān)用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)。工信部主要負(fù)責(zé)擬訂實(shí)施行業(yè)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)政策和標(biāo)準(zhǔn)，監(jiān)測(cè)工業(yè)行業(yè)日常運(yùn)行，推動(dòng)重大技術(shù)裝備發(fā)展和自主創(chuàng)新，管理通信業(yè)，指導(dǎo)推進(jìn)信息化建設(shè)，協(xié)調(diào)維護(hù)國(guó)家信息安全等?？萍疾恐饕?fù)責(zé)擬訂國(guó)家創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略方針以及科技發(fā)展、引進(jìn)國(guó)外智力規(guī)劃和政策并組織實(shí)施，牽頭科研項(xiàng)目資金協(xié)調(diào)、評(píng)估、監(jiān)管機(jī)制，擬訂國(guó)家基礎(chǔ)研究規(guī)劃、政策和標(biāo)準(zhǔn)并組織實(shí)施，編制國(guó)家重大科技項(xiàng)目規(guī)劃并監(jiān)督實(shí)施等。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)和中國(guó)電子專(zhuān)用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)主要負(fù)責(zé)貫徹落實(shí)政府產(chǎn)業(yè)政策；開(kāi)展產(chǎn)業(yè)及市場(chǎng)研究，向會(huì)員單位和政府主管部門(mén)提供咨詢服務(wù)；行業(yè)自律管理；代表會(huì)員單位向政府部門(mén)提出產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議和意見(jiàn)等。1.3行業(yè)政策法規(guī)為推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，我國(guó)近年來(lái)推出了一系列鼓勵(lì)和支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?fàn)I造了良好的政策環(huán)境。主要的行業(yè)政策法規(guī)如下：政策名稱(chēng)頒布時(shí)間頒布部門(mén)主要相關(guān)內(nèi)容《國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》2021年全國(guó)人大制定實(shí)施戰(zhàn)略性科學(xué)計(jì)劃和科學(xué)工程，瞄準(zhǔn)前沿領(lǐng)域。其中，在集成電路領(lǐng)域，關(guān)注集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)、集成電路先進(jìn)工藝和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝突破，先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí)，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展?！蛾P(guān)于促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展企業(yè)所得稅政策的公告》2020年財(cái)政部、稅務(wù)總局發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部國(guó)家鼓勵(lì)的集成電路線寬小于28納米（含），且經(jīng)營(yíng)期在15年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項(xiàng)目，第一年至第十年免征企業(yè)所得稅；國(guó)家鼓勵(lì)的集成電路線寬小于65納米（含），且經(jīng)營(yíng)期在15年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項(xiàng)目，第一年至第五年免征企業(yè)所得稅，第六年至第十年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅；國(guó)家鼓勵(lì)的集成電路線寬小于130納米（含），且經(jīng)營(yíng)期在10年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項(xiàng)目，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅?！蛾P(guān)于集成電力生產(chǎn)企業(yè)有關(guān)企業(yè)所得稅政策問(wèn)題的通知》2018年財(cái)政部、稅務(wù)總局、國(guó)家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部2018年1月1日后投資新設(shè)的集成電路線寬小于130納米，且經(jīng)營(yíng)期在10年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項(xiàng)目，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅，并享受至期滿為止。2018年1月1日后投資新設(shè)的集成電路線寬小于65納米或投資額超過(guò)150億元，且經(jīng)營(yíng)期在15年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項(xiàng)目，第一年至第五年免征企業(yè)所得稅，第六年至第十年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅，并享受至期滿為止。簡(jiǎn)稱(chēng)“五免五減半”。《國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)“十三五”發(fā)展規(guī)劃》2017年科技部?jī)?yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，推進(jìn)集成電路及專(zhuān)用裝備關(guān)鍵核心技術(shù)突破和應(yīng)用。1.4行業(yè)主要法律法規(guī)政策的影響近年來(lái)，國(guó)家推出一系列財(cái)政、稅收等多方面的利好政策，為包括設(shè)備在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?fàn)I造了良好的政策環(huán)境，為公司增強(qiáng)技術(shù)實(shí)力、擴(kuò)大經(jīng)營(yíng)規(guī)模、提高市場(chǎng)占有率提供了有利支持。第2章我國(guó)薄膜沉積設(shè)備行業(yè)主要發(fā)展特征2.1半導(dǎo)體行業(yè)的基礎(chǔ)支撐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出巨大的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，主要包括光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、離子注入機(jī)、測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、探針臺(tái)等設(shè)備，屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)先導(dǎo)者。應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的設(shè)備通?？煞譃榍暗拦に囋O(shè)備（晶圓制造）和后道工藝設(shè)備（封裝測(cè)試）兩大類(lèi)。其中，晶圓制造設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模占集成電路設(shè)備整體市場(chǎng)規(guī)模的80%以上。在前道晶圓制造中，共有七大工藝步驟，分別為氧化/擴(kuò)散、光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、離子注入、清洗與拋光、金屬化，所對(duì)應(yīng)的設(shè)備主要包括氧化/擴(kuò)散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、離子注入設(shè)備、清洗設(shè)備、機(jī)械拋光設(shè)備等，其中光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中的三大核心設(shè)備。?2.2驗(yàn)證壁壘高半導(dǎo)體行業(yè)客戶對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的質(zhì)量、技術(shù)參數(shù)、運(yùn)行穩(wěn)定性等有嚴(yán)苛的要求，對(duì)新設(shè)備供應(yīng)商的選擇也較為慎重。因此，半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)在客戶驗(yàn)證、開(kāi)拓市場(chǎng)方面周期長(zhǎng)、難度大，使得該行業(yè)具有高驗(yàn)證壁壘的特點(diǎn)。2.3投資占比高半導(dǎo)體設(shè)備系晶圓廠建設(shè)中的重要投資方向，晶圓廠80%的投資用于購(gòu)買(mǎi)晶圓制造相關(guān)設(shè)備。2.4技術(shù)更新快半導(dǎo)體行業(yè)通常是“一代產(chǎn)品、一代工藝、一代設(shè)備”，晶圓制造要超前下游應(yīng)用開(kāi)發(fā)新一代工藝，而半導(dǎo)體設(shè)備要超前晶圓制造開(kāi)發(fā)新一代設(shè)備。半導(dǎo)體行業(yè)同時(shí)也遵循著摩爾定律。因此，半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商必須每隔18-24個(gè)月推出更先進(jìn)的制造工藝，不斷追求技術(shù)革新，也推動(dòng)了半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)快速發(fā)展。第3章2022-2023年中國(guó)薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況分析3.1全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況及特點(diǎn)①增速明顯據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2014年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售規(guī)模為375億美元，2020年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額達(dá)712億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)11.28%。2020年，行業(yè)同比增長(zhǎng)達(dá)19%。②高壁壘及寡頭格局全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)目前主要由國(guó)外廠商主導(dǎo)。以美國(guó)的應(yīng)用材料（AMAT）和泛林半導(dǎo)體（Lam），日本的東京電子（TEL）和迪恩仕（DNS），荷蘭的ASML（ASMLHoldingN.V）和先晶半導(dǎo)體（ASMI）等為代表的國(guó)際知名企業(yè)經(jīng)過(guò)幾十年發(fā)展，憑借資金、技術(shù)、客戶資源、品牌等方面的優(yōu)勢(shì)，占據(jù)了全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的大部分份額。3.2中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況（1）已成為全球最大市場(chǎng)我國(guó)已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模最大的地區(qū)，約占全球35%的市場(chǎng)份額。半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)在下游快速發(fā)展的推動(dòng)下，保持快速增長(zhǎng)。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì),2020年中國(guó)大陸地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售規(guī)模達(dá)187.2億美元，同比增長(zhǎng)39%，首次超過(guò)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)，成為全球第一大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。（2）全行業(yè)景氣度提高伴隨著國(guó)家近年對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷的政策扶持、加大投入力度及部分民營(yíng)企業(yè)的興起，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備實(shí)現(xiàn)了從無(wú)到有、從弱到強(qiáng)的巨大轉(zhuǎn)變，使我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)和制造體系得以不斷完善。中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)等晶圓廠已在28nm工藝節(jié)點(diǎn)上成功取得量產(chǎn)逐步發(fā)展14nm及以下制程工藝，逐漸拉近與國(guó)際制造巨頭的技術(shù)差距；長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等IDM模式存儲(chǔ)芯片廠商已完成產(chǎn)線建設(shè)和晶圓投產(chǎn)，進(jìn)入產(chǎn)能擴(kuò)張期。較為完備的產(chǎn)業(yè)生態(tài)和行業(yè)下游的快速發(fā)展，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)技術(shù)水平和產(chǎn)業(yè)規(guī)模提高奠定基礎(chǔ)。（3）國(guó)產(chǎn)設(shè)備自給率較低目前，我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備整體仍依賴(lài)進(jìn)口。根據(jù)中國(guó)電子專(zhuān)用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2020年國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額約為213億元，自給率約為17.5%。如僅考慮集成電路設(shè)備，國(guó)內(nèi)自給率僅有5%左右，在全球市場(chǎng)僅占1-2%,技術(shù)含量最高的集成電路前道設(shè)備則自給率更低。半導(dǎo)體設(shè)備嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口不僅影響我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，更對(duì)我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)安全造成重大隱患。半導(dǎo)體制造國(guó)產(chǎn)化勢(shì)必帶動(dòng)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化，國(guó)產(chǎn)設(shè)備進(jìn)口替代趨勢(shì)明顯，替代空間巨大。（4）市場(chǎng)空間巨大中國(guó)大陸晶圓廠新建產(chǎn)能進(jìn)程加快，2019年以來(lái)，華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）項(xiàng)目、廣州粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目均正式投產(chǎn)。2020年以來(lái)，國(guó)內(nèi)包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、廣州粵芯、上海積塔、中芯南方、士蘭微（廈門(mén)）、廣東海芯項(xiàng)目等產(chǎn)線也取得新進(jìn)展。半導(dǎo)體行業(yè)整體快速增長(zhǎng)，終端半導(dǎo)體產(chǎn)品的不斷迭代推動(dòng)晶圓廠開(kāi)發(fā)新的工藝，為設(shè)備行業(yè)提供廣闊的市場(chǎng)空間。目前我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)仍嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口，因此能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)口替代的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商市場(chǎng)空間較大，并迎來(lái)巨大的成長(zhǎng)機(jī)遇。（5）下游產(chǎn)業(yè)友好度提升下游晶圓廠對(duì)于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的友好度日漸提升。近年來(lái)，由于國(guó)際形勢(shì)日漸復(fù)雜，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈出現(xiàn)非商業(yè)因素的干擾，國(guó)內(nèi)晶圓廠采購(gòu)半導(dǎo)體設(shè)備受到一定程度限制，影響企業(yè)正常的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。此外，國(guó)家通過(guò)政策支持、重大科技項(xiàng)目引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)基金投資等多種方式，鼓勵(lì)半導(dǎo)體設(shè)備廠商與晶圓廠協(xié)同發(fā)展，共同構(gòu)建本地產(chǎn)業(yè)鏈合作。半導(dǎo)體設(shè)備廠商逐步獲得進(jìn)入下游晶圓廠產(chǎn)線進(jìn)行設(shè)備驗(yàn)證的機(jī)會(huì)，及時(shí)掌握晶圓廠的技術(shù)需求，有針對(duì)性的對(duì)設(shè)備進(jìn)行研發(fā)、升級(jí)，產(chǎn)品技術(shù)性能及市場(chǎng)占有率均得到大幅提高。3.3薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)概況（1）薄膜沉積設(shè)備分類(lèi)薄膜沉積是指在硅片襯底上沉積一層待處理的薄膜材料。所沉積薄膜材料可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬。薄膜沉積設(shè)備主要負(fù)責(zé)各個(gè)步驟當(dāng)中的介質(zhì)層與金屬層的沉積，包括CVD（化學(xué)氣相沉積）設(shè)備、PVD（物理氣相沉積）設(shè)備/電鍍?cè)O(shè)備和ALD（原子層沉積）設(shè)備。（2）化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備化學(xué)氣相沉積是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)，是一種通過(guò)氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積薄膜的工藝，可應(yīng)用于絕緣薄膜、硬掩模層以及金屬膜層的沉積。CVD設(shè)備由氣相反應(yīng)室（進(jìn)氣方向與樣品表面成水平或垂直），能量系統(tǒng)（加熱或射頻），反應(yīng)氣體控制系統(tǒng)，真空系統(tǒng)及廢氣處理裝置等組成。硅片的表面及鄰近區(qū)域被加熱來(lái)向反應(yīng)系統(tǒng)提供附加的能量。常用CVD設(shè)備包括PECVD、SACVD、APCVD、LPCVD等，適用于不同工藝節(jié)點(diǎn)對(duì)膜質(zhì)量、厚度以及孔隙溝槽填充能力等的不同要求。常壓化學(xué)氣相沉積（APCVD）是最早的CVD設(shè)備，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、沉積速率高,至今仍廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)中。低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）是在APCVD的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，由于其工作壓力大大降低，薄膜的均勻性和溝槽覆蓋填充能力有所改善，相比APCVD的應(yīng)用更為廣泛。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD）在從亞微米發(fā)展到90nm的IC制造技術(shù)過(guò)程中，扮演了重要的角色,由于等離子體的作用，化學(xué)反應(yīng)溫度明顯降低，薄膜純度得到提高，致密度得以加強(qiáng)，不傷害芯片已完成的電路。次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）主要應(yīng)用于溝槽填充工藝。集成電路結(jié)構(gòu)中，溝槽孔洞的深寬比越來(lái)越大，SACVD反應(yīng)腔環(huán)境具有特有的高溫（400-550°C）、高壓（30-600Torr）環(huán)境，具有快速填空（Gapfil1）能力。（3）原子層沉積設(shè)備（ALD）原子層沉積可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層地鍍?cè)诨妆砻娴姆椒ā脑砩险f(shuō)，ALD是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)得到生成物，但在沉積反應(yīng)原理、沉積反應(yīng)條件的要求和沉積層的質(zhì)量上都與傳統(tǒng)的CVD不同。相對(duì)于傳統(tǒng)的沉積工藝而言,ALD工藝具有自限制生長(zhǎng)的特點(diǎn)，可精確控制薄膜的厚度，制備的薄膜具有均勻的厚度和優(yōu)異的一致性，臺(tái)階覆蓋率高，特別適合深槽結(jié)構(gòu)中的薄膜生長(zhǎng)。ALD設(shè)備沉積的薄膜具有非常精確的膜厚控制和非常優(yōu)越的臺(tái)階覆蓋率，在28nm以下關(guān)鍵尺寸縮小的雙曝光工藝方面取得了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。目前，28nm以下先進(jìn)制程的FinFET制造工藝中，難點(diǎn)在于形成Fin的形狀，F(xiàn)in的有源區(qū)并不是通過(guò)光刻直接形成的，而是通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)雙重成像技術(shù)（SADP，Self-AlignedDoublePatterning）工藝形成。除此之外，ALD設(shè)備在高k材料、金屬柵、STI、BSI等工藝中均存在大量應(yīng)用，廣泛應(yīng)用于CMOS器件、存儲(chǔ)芯片、TSV封裝等半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。3.4薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展情況（1）薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模根據(jù)MaximizeMarketResearch數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2017-2019年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模分別為125億美元、145億美元和155億美元，2020年擴(kuò)大至約172億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為11.2%。新建晶圓廠設(shè)備投資中，晶圓制造相關(guān)設(shè)備投資額占比約為總體設(shè)備投資的80%，薄膜沉積設(shè)備作為晶圓制造的三大主設(shè)備之一，其投資規(guī)模占晶圓制造設(shè)備總投資的25%。薄膜沉積工藝的不斷發(fā)展，形成了較為固定的工藝流程，同時(shí)也根據(jù)不同的應(yīng)用演化出了PECVD、濺射PVD、ALD、LPCVD等不同的設(shè)備用于晶圓制造的不同工藝。其中，PECVD是薄膜設(shè)備中占比最高的設(shè)備類(lèi)型，占整體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)的33%；ALD設(shè)備目前占據(jù)薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)的11%；SACVD是新興的設(shè)備類(lèi)型，屬于其他薄膜沉積設(shè)備類(lèi)目下的產(chǎn)品，占比較小。在整個(gè)薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)，屬于PVD的濺射PVD和電鍍ECD合計(jì)占有整體市場(chǎng)的23%。近年來(lái)全球ALD設(shè)備市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Acumenresearchandcondulting預(yù)測(cè)，由于半導(dǎo)體先進(jìn)制程產(chǎn)線數(shù)量增加，2026年全球ALD設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約為32億美元。根據(jù)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)占全球市場(chǎng)26.29%的比例和2020年全球薄膜沉積設(shè)備172億美元市場(chǎng)規(guī)模測(cè)算，2020年國(guó)內(nèi)薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約為45.22億美元。PECVD和ALD分別占薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)比例為33%和11%，2020年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)PECVD市場(chǎng)規(guī)模約為14.92億美元，ALD市場(chǎng)規(guī)模約為4.97億美元。（2）薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)需求穩(wěn)步增長(zhǎng)隨著半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣度的提升，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，拉動(dòng)市場(chǎng)對(duì)薄膜沉積設(shè)備需求的增加。MaximizeMarketResearch預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模在2025年將從2020年的172億美元擴(kuò)大至340億美元，保持年復(fù)合13.3%的增長(zhǎng)速度。根據(jù)中國(guó)國(guó)際招投標(biāo)網(wǎng)公布的信息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、上海華力、華虹無(wú)錫、上海積塔、中芯紹興、合肥晶合等中國(guó)本土晶圓廠正在加大設(shè)備采購(gòu)力度。中國(guó)本土晶圓廠建廠的熱潮將一同引領(lǐng)中國(guó)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的需求增長(zhǎng)。（3）芯片工藝進(jìn)步及結(jié)構(gòu)復(fù)雜化提高薄膜設(shè)備需求在晶圓制造過(guò)程中，薄膜起到產(chǎn)生導(dǎo)電層或絕緣層、阻擋污染物和雜質(zhì)滲透、提高吸光率、臨時(shí)阻擋刻蝕等重要作用。隨著集成電路的持續(xù)發(fā)展，晶圓制造工藝不斷走向精密化，芯片結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度也不斷提高，需要在更微小的線寬上制造,制造商要求制備的薄膜品種隨之增加，最終用戶對(duì)薄膜性能的要求也日益提高。這一趨勢(shì)對(duì)薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)生了更高的技術(shù)要求，市場(chǎng)對(duì)于高性能薄膜設(shè)備的依賴(lài)逐漸增加。（4）先進(jìn)產(chǎn)線對(duì)薄膜設(shè)備需求量陡增隨著產(chǎn)線的逐漸升級(jí)，晶圓廠對(duì)薄膜沉積設(shè)備數(shù)量和性能的需求將繼續(xù)隨之提升，在實(shí)現(xiàn)相同芯片制造產(chǎn)能的情況下，對(duì)薄膜沉積設(shè)備的需求量也將相應(yīng)增加。對(duì)比兩種產(chǎn)線的設(shè)備需求數(shù)量，總體上看，越先進(jìn)制程產(chǎn)線所需的薄膜沉積設(shè)備數(shù)量越多。先進(jìn)制程使得晶圓制造的復(fù)雜度和工序量都大大提升，為保證產(chǎn)能，產(chǎn)線上需要更多的設(shè)備。在FLASH存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，隨著主流制造工藝已由2DNAND發(fā)展為3DNAND結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化導(dǎo)致對(duì)于薄膜沉積設(shè)備的需求量逐步增加。根據(jù)東京電子披露，薄膜沉積設(shè)備占FLASH芯片產(chǎn)線資本開(kāi)支比例從2D時(shí)代的18%增長(zhǎng)至3D時(shí)代的26%。隨著3DNANDFLASH芯片的內(nèi)部層數(shù)不斷增高，對(duì)于薄膜沉積設(shè)備的需求提升的趨勢(shì)亦將延續(xù)。盡管全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)有較強(qiáng)的周期性，但中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨前所未有的發(fā)展機(jī)遇，國(guó)家戰(zhàn)略聚焦，巨大市場(chǎng)支撐，產(chǎn)業(yè)鏈良性互動(dòng)，產(chǎn)業(yè)資本日漸發(fā)力，大陸及國(guó)際資本投資的晶圓廠數(shù)量不斷增加，制程更加先進(jìn)，中國(guó)薄膜沉積設(shè)備行業(yè)將保持高成長(zhǎng)性，未來(lái)中國(guó)市場(chǎng)的重要性將進(jìn)一步提高。第4章2022-2023年我國(guó)薄膜沉積設(shè)備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局分析4.1行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局從全球市場(chǎng)份額來(lái)看，薄膜沉積設(shè)備行業(yè)呈現(xiàn)出高度壟斷的競(jìng)爭(zhēng)局面，行業(yè)基本由應(yīng)用材料（AMAT）、ASMI、泛林半導(dǎo)體（Lam）、東京電子（TEL）等國(guó)際巨頭壟斷。2019年，ALD設(shè)備龍頭東京電子（TEL）和先晶半導(dǎo)體（ASMI）分別占據(jù)了31%和29%的市場(chǎng)份額，乘。下40%的份額由其他廠商占據(jù)；而應(yīng)用材料（AMAT）則基本壟斷了PVD市場(chǎng)，占85%的比重，處于絕對(duì)龍頭地位；在CVD市場(chǎng)中，應(yīng)用材料（AMAT）全球占比約為30%，連同泛林半導(dǎo)體（Lam）的21%和TEL的19%,三大廠商占據(jù)了全球70%的市場(chǎng)份額。4.2行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，目前主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手為美國(guó)的應(yīng)用材料（AMAT）、美國(guó)的泛林半導(dǎo)體（Lam）、日本的東京電子（TEL）、荷蘭的先晶半導(dǎo)體（ASMI）。（1）應(yīng)用材料（AMAT）情況該公司成立于1967年，系美國(guó)納斯達(dá)克證券交易所上市公司（股票代碼：AMAT），主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，主要產(chǎn)品包括原子層沉積設(shè)備、化學(xué)薄膜沉積設(shè)備、電化學(xué)沉積設(shè)備、物理薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、快速熱處理設(shè)備、離子注入機(jī)、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備等。應(yīng)用材料（AMAT）是世界上最大的半導(dǎo)體裝備供應(yīng)商，提供泛半導(dǎo)體裝備包含半導(dǎo)體及封裝，太陽(yáng)能，和LED等領(lǐng)域，基本在全部的前道工藝上除光刻機(jī)以外都有全系列的專(zhuān)用裝備提供。在全球有超過(guò)15,700多名員工。（2）泛林半導(dǎo)體（Lam）情況該公司成立于1980年，系美國(guó)納斯達(dá)克證券交易所上市公司（股票代碼：LRCX），主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，主要產(chǎn)品包括刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、晶圓清洗設(shè)備、光致抗蝕設(shè)備等。泛林半導(dǎo)體（Lam）為世界上第三大半導(dǎo)體裝備供應(yīng)商，僅次于應(yīng)用材料（AMAT）及專(zhuān)供光刻機(jī)的ASML（ASMLHoldingN.V），產(chǎn)品著重在薄膜沉積、等離子刻蝕、光阻去除、晶片清洗等半導(dǎo)體前道工藝和封裝應(yīng)用，現(xiàn)有8,200名員工。（3）東京電子（TEL）情況該公司成立于1963年，系東京證券交易所上市公司（股票代碼：8035.TYO）,主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，其主要產(chǎn)品包括顯像設(shè)備、熱處理成膜設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備、濕法清洗設(shè)備及測(cè)試設(shè)備及平板液晶顯示設(shè)備等。東京電子（TEL）是全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備、液晶顯示器制造設(shè)備制造商之一。國(guó)內(nèi)的集成電路制造前道晶圓加工環(huán)節(jié)用涂膠顯影設(shè)備主要被該公司壟斷。東京電子（TEL）在全球約有11,000名員工。（4）先晶半導(dǎo)體（ASMI）情況該公司成立于1968年，是一家荷蘭晶圓制造半導(dǎo)體工藝設(shè)備的供應(yīng)商，阿姆斯特丹泛歐交易所上市公司（股票代碼：ASM）。公司產(chǎn)品涵蓋了晶圓加工技術(shù)的重要方面，包括光刻、沉積、離子注入和單晶圓外延。近年來(lái)，公司將原子層沉積（ALD）和等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）引入先進(jìn)制造商的主流生產(chǎn)。先晶半導(dǎo)體（ASMI）是全球十大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商之一，占半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)份額的3%。該公司在原子層沉積領(lǐng)域較為突出，占有原子層沉積領(lǐng)域全球市場(chǎng)份額的29%，僅次于東京電子（TEL）占有的31%。先晶半導(dǎo)體（ASMI）在全球有2,500余名員工。第5章企業(yè)案例分析：拓荊科技5.1公司產(chǎn)品或服務(wù)的市場(chǎng)地位拓荊科技是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)重要的領(lǐng)軍企業(yè)之一，公司三次（2016年、2017年.2019年）獲得中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)頒發(fā)的“中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備五強(qiáng)企業(yè)”稱(chēng)號(hào)。公司專(zhuān)注的薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域系半導(dǎo)體晶圓制造三大核心設(shè)備種類(lèi)之一。公司是國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路PECVD、SACVD設(shè)備廠商，拓荊科技產(chǎn)品已成功應(yīng)用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、廈門(mén)聯(lián)芯、燕東微電子等行業(yè)領(lǐng)先集成電路制造企業(yè)產(chǎn)線，產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)已達(dá)到國(guó)際同類(lèi)設(shè)備水平。目前，全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)由應(yīng)用材料（AMAT）、泛林半導(dǎo)體（Lam）、東京電子（TEL）、先晶半導(dǎo)體（ASMI）等海外公司占據(jù)主導(dǎo)地位。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，拓荊科技與海外行業(yè)巨頭正面競(jìng)爭(zhēng)，根據(jù)公開(kāi)招標(biāo)信息披露，2019-2020年拓荊科技PECVD設(shè)備中標(biāo)機(jī)臺(tái)數(shù)量占長(zhǎng)江存儲(chǔ)、上海華力、無(wú)錫華虹和上海積塔四家招標(biāo)總量的16.65%。公司采用優(yōu)先攻克重點(diǎn)行業(yè)、重點(diǎn)客戶需求的市場(chǎng)策略，獲評(píng)中芯國(guó)際2020年度最佳合作廠商稱(chēng)號(hào)、華虹宏力2020年度優(yōu)秀供應(yīng)商稱(chēng)號(hào)等。在國(guó)外市場(chǎng)，拓荊科技面臨行業(yè)巨頭已形成的競(jìng)爭(zhēng)壁壘，目前拓荊科技全球整體市場(chǎng)份額占比較低。5.2拓荊科技的技術(shù)水平及特點(diǎn)公司自成立以來(lái)，始終專(zhuān)注于半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)。公司先后承擔(dān)“90-65nm等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用”、“l(fā)xnm3DNANDPECVD研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”等四項(xiàng)國(guó)家重大科技專(zhuān)項(xiàng)/課題。公司的先進(jìn)薄膜工藝設(shè)備設(shè)計(jì)技術(shù)、反應(yīng)模塊架構(gòu)布局技術(shù)、半導(dǎo)體制造系統(tǒng)高產(chǎn)能平臺(tái)技術(shù)、等離子體穩(wěn)定控制技術(shù)、反應(yīng)腔腔內(nèi)關(guān)鍵件設(shè)計(jì)技術(shù)、半導(dǎo)體沉積設(shè)備氣體輸運(yùn)控制系統(tǒng)、氣體高速轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)、反應(yīng)腔溫度控制技術(shù)等核心技術(shù)，解決了半導(dǎo)體制造中納米級(jí)厚度薄膜均勻一致性、薄膜表面顆粒數(shù)量少、快速成膜、設(shè)備產(chǎn)能穩(wěn)定高速等關(guān)鍵難題，在保證實(shí)現(xiàn)薄膜工藝性能的同時(shí)，提升客戶產(chǎn)線的產(chǎn)能,減少客戶產(chǎn)線的生產(chǎn)成本。5.3拓荊科技技術(shù)成果與產(chǎn)業(yè)深度融合公司研發(fā)的PECVD、ALD及SACVD設(shè)備系列化產(chǎn)品已累計(jì)發(fā)貨超150臺(tái)，在集成電路制造及相關(guān)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)業(yè)深度融合。拓荊科技系列設(shè)備與產(chǎn)業(yè)深度融合的具體情況如下：(1)PECVD設(shè)備PECVD設(shè)備系集成電路制造的核心設(shè)備，一顆芯片的制造過(guò)程中，涉及十余種不同材料的薄膜，各類(lèi)電性能、機(jī)械性能不同的薄膜構(gòu)成了芯片3D結(jié)構(gòu)體中不同的功能。拓荊科技針對(duì)下游對(duì)于不同材料薄膜PECVD設(shè)備的需求，已研發(fā)并生產(chǎn)16種不同工藝型號(hào)的PECVD設(shè)備。（2）ALD設(shè)備ALD設(shè)備具備優(yōu)秀的多面體表面成膜能力，可以滿足復(fù)雜結(jié)構(gòu)體的鍍膜需求，在先進(jìn)制程集成電路制造工序中應(yīng)用廣泛。拓荊科技已量產(chǎn)了PE-ALD，正在研發(fā)Thermal-ALD設(shè)備。（3）SACVD設(shè)備SACVD設(shè)備具有能夠填平溝槽孔洞結(jié)構(gòu)至平整的能力和沉積速度快的特點(diǎn)，系集成電路制造中的重要設(shè)備。拓荊科技研發(fā)生產(chǎn)了多種不同工藝的SACVD設(shè)備。5.4公司的核心競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)（1）優(yōu)秀的研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢(shì)拓荊科技已經(jīng)建成了一支國(guó)際化、專(zhuān)業(yè)化的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊(duì)。公司創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)以歸國(guó)海外專(zhuān)家為核心，立足核心技術(shù)研發(fā)，積極引進(jìn)海外高層次人才、自主培養(yǎng)本土科研團(tuán)隊(duì)。公司國(guó)際化專(zhuān)業(yè)化的高級(jí)管理團(tuán)隊(duì)、全員持股的激勵(lì)制度，吸引了大量具有豐富經(jīng)驗(yàn)的國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)專(zhuān)家加入公司，在整機(jī)設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)等方面做出突出貢獻(xiàn)。公司自設(shè)立以來(lái)，自主培養(yǎng)本土科研團(tuán)隊(duì)，隨著多項(xiàng)產(chǎn)品的研發(fā)成功，公司本土科研團(tuán)隊(duì)已成長(zhǎng)為公司技術(shù)研發(fā)的中堅(jiān)力量。截至報(bào)告期末，公司研發(fā)人員共有189名，占公司員工總數(shù)的44.06%。公司的研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)構(gòu)合理，分工明確，專(zhuān)業(yè)知識(shí)儲(chǔ)備深厚，產(chǎn)線驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)豐富，是奠定公司技術(shù)實(shí)力的基石，保障了公司產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。（2）技術(shù)積累及研發(fā)平臺(tái)優(yōu)勢(shì)拓荊科技自設(shè)立以來(lái)，堅(jiān)持自主創(chuàng)新，形成了一系列獨(dú)創(chuàng)性的設(shè)計(jì)，構(gòu)建了完善的知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系。截至2022年3月8日，拓荊科技累計(jì)已獲授權(quán)的專(zhuān)利174項(xiàng)（境內(nèi)153項(xiàng)，其他國(guó)家或地區(qū)21項(xiàng)），其中發(fā)明專(zhuān)利共計(jì)98項(xiàng)（境內(nèi)77項(xiàng)，其他國(guó)家或地區(qū)21項(xiàng)）。公司先后承擔(dān)了“90-65nm等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用”和“1xnm3DNANDPECVD研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”等4項(xiàng)國(guó)家重大科技專(zhuān)項(xiàng)/課題，已研發(fā)了支持不同工藝型號(hào)的PECVD、ALD和SACVD設(shè)備，在半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域積累了多項(xiàng)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的核心技術(shù)，構(gòu)建了具有設(shè)備種類(lèi)、工藝型號(hào)外延開(kāi)發(fā)能力的研發(fā)平臺(tái)。（3）行業(yè)地位及客戶資源優(yōu)勢(shì)拓荊科技以建立“世界領(lǐng)先的薄膜設(shè)備公司”為愿景，通過(guò)在薄膜沉積設(shè)備這一半導(dǎo)體核心設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域的積累和快速發(fā)展，已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。公司分別于2016、2017、2019年獲得中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)頒發(fā)的“中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備五強(qiáng)企業(yè)”稱(chēng)號(hào)。公司的主要產(chǎn)品PECVD、ALD及SACVD設(shè)備已批量發(fā)往國(guó)內(nèi)主要集成電路晶圓廠產(chǎn)線。此外，公司積極開(kāi)拓國(guó)際市場(chǎng)機(jī)會(huì)，公司已與某國(guó)際領(lǐng)先晶圓廠建立業(yè)務(wù)聯(lián)系，發(fā)貨兩臺(tái)設(shè)備至客戶先進(jìn)制程研發(fā)產(chǎn)線，為打開(kāi)國(guó)際市場(chǎng)奠定了基礎(chǔ)。（4）客戶需求快速響應(yīng)優(yōu)勢(shì)公司針對(duì)客戶提出的特定工藝材料、特定制造工序薄膜性能的快速響應(yīng)能力可以及時(shí)滿足客戶產(chǎn)線的客制化設(shè)備需求。這對(duì)于中國(guó)本土客戶近年來(lái)能夠快速擴(kuò)充產(chǎn)能極其重要，由此建立和鞏固與客戶穩(wěn)定的合作關(guān)系。公司主要客戶的生產(chǎn)基地位于中國(guó)大陸，相較于國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，公司最高層管理和技術(shù)團(tuán)隊(duì)更貼近主要客戶，能夠提供更快捷、更經(jīng)濟(jì)的技術(shù)支持，及時(shí)保障和滿足客戶需求。（5）運(yùn)營(yíng)成本優(yōu)勢(shì)公司的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手均位于美國(guó)和日本，服務(wù)中國(guó)大陸客戶的成本較高。公司的研發(fā)和生產(chǎn)主要位于中國(guó)大陸，擁有區(qū)位優(yōu)勢(shì)。公司建立了全球化的采購(gòu)體系，隨著本土供應(yīng)鏈的不斷成熟，給予了公司更多的采購(gòu)選擇。在產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面,公司通過(guò)與供應(yīng)商密切合作，使產(chǎn)品具有模塊化、易維護(hù)的特點(diǎn)，從而降低公司原材料采購(gòu)成本。因此，拓荊科技相比其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在運(yùn)營(yíng)成本方面具有一定優(yōu)勢(shì)，隨著產(chǎn)能的不斷提升，降本優(yōu)勢(shì)將更加明顯。5.5公司競(jìng)爭(zhēng)劣勢(shì)（1）融資渠道相對(duì)受限，研發(fā)經(jīng)費(fèi)相對(duì)不足目前公司正處于快速成長(zhǎng)階段，在研發(fā)投入、人才引進(jìn)、廠房建設(shè)、購(gòu)置設(shè)備、市場(chǎng)拓展等方面均迫切需要大量資金的支持，但是公司資金目前仍主要依靠股東投資，資金來(lái)源有限，不利于公司進(jìn)一步驗(yàn)證技術(shù)、研發(fā)新品、擴(kuò)大產(chǎn)能、快速響應(yīng)市場(chǎng)需求變化。公司未來(lái)迫切需要拓寬融資渠道，尋求更多的資金支持,為產(chǎn)品創(chuàng)新提供持續(xù)穩(wěn)定的推動(dòng)力。（2）相對(duì)國(guó)外知名企業(yè)的認(rèn)知度不足，面臨一定的市場(chǎng)進(jìn)入壁壘半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)具有較高的產(chǎn)品認(rèn)證壁壘。近年來(lái)，公司的設(shè)備憑借質(zhì)量穩(wěn)定可靠、性價(jià)比高等優(yōu)勢(shì)，已逐步進(jìn)入多家國(guó)內(nèi)外先進(jìn)企業(yè)的生產(chǎn)線應(yīng)用或驗(yàn)證中。隨著公司持續(xù)的研發(fā)創(chuàng)新投入及市場(chǎng)開(kāi)拓，未來(lái)公司的客戶認(rèn)知度將逐步提升。但國(guó)外知名薄膜沉積設(shè)備企業(yè)具有規(guī)模大、進(jìn)入市場(chǎng)時(shí)間長(zhǎng)、壟斷地位突出及國(guó)際化布局完備等優(yōu)勢(shì)，公司目前規(guī)模有限，與國(guó)外知名的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比在認(rèn)知度上還存在一定劣勢(shì)。第6章2023-2028年半導(dǎo)體整體行業(yè)發(fā)展分析及趨勢(shì)預(yù)測(cè)6.1半導(dǎo)體行業(yè)基本情況半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展水平和國(guó)家科技水平息息相關(guān)，其發(fā)展情況已成為全球各國(guó)經(jīng)濟(jì)、社會(huì)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)，是衡量一個(gè)國(guó)家或地區(qū)現(xiàn)代化程度和綜合實(shí)力的重要標(biāo)志。半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。按產(chǎn)品來(lái)劃分，半導(dǎo)體產(chǎn)品可分為集成電路、分立器件、光電器件和傳感器，其中集成電路（integratedcircuit）占80%以上的份額，是絕大多數(shù)電子設(shè)備的核心組成部分，也是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，下游應(yīng)用最為廣泛。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈可按照主要生產(chǎn)過(guò)程進(jìn)行劃分，整體可分為上游半導(dǎo)體支撐產(chǎn)業(yè)、中游晶圓制造產(chǎn)業(yè)、下游半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)業(yè)。上游半導(dǎo)體材料、設(shè)備產(chǎn)業(yè)為中游晶圓制造產(chǎn)業(yè)提供必要的原材料與生產(chǎn)設(shè)備。半導(dǎo)體產(chǎn)品下游應(yīng)用廣泛，涉及通訊技術(shù)、消費(fèi)電子、工業(yè)電子、汽車(chē)電子、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療、新能源、大數(shù)據(jù)等多個(gè)領(lǐng)域。下游應(yīng)用行業(yè)的需求增長(zhǎng)是中游晶圓制造產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的核心動(dòng)力。一般是在單晶硅晶圓表面采用一系列氧化/擴(kuò)散、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、CMP及金屬化等晶圓制造工藝流程，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連在一起，制作在半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。集成電路產(chǎn)業(yè)上游包括集成電路材料、集成電路設(shè)備、EDA、IP核，中游包括設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三大環(huán)節(jié)，下游主要為終端產(chǎn)品的應(yīng)用。6.2全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況及特點(diǎn)（1）市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)根據(jù)Gartner的統(tǒng)計(jì)結(jié)果，全球半導(dǎo)體行業(yè)銷(xiāo)售收入2016年至2018年一直保持增長(zhǎng)趨勢(shì)，復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)17.34%。2019年受全球宏觀經(jīng)濟(jì)低迷影響，半導(dǎo)體行業(yè)景氣度有所下降。2020年全球半導(dǎo)體收入恢復(fù)增長(zhǎng)至4,498.0億美元，比2019年增長(zhǎng)7.3%。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)的數(shù)據(jù)顯示，2021年第一季度，全球半導(dǎo)體營(yíng)收達(dá)到1,231億美元，超過(guò)了2018年第三季度的1,227億美元，創(chuàng)下單季度歷史新高。?從地區(qū)發(fā)展來(lái)看，根據(jù)SIA2020年數(shù)據(jù)顯示，亞太地區(qū)是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，2019年銷(xiāo)售額占比62.50%，其中中國(guó)大陸市場(chǎng)占據(jù)全球35.00%市場(chǎng)；美國(guó)為全球半導(dǎo)體消費(fèi)第二大市場(chǎng)，占比約為19.10%；歐洲及日本市場(chǎng)份額分列為9.70%和8.70%。（2）一超三強(qiáng)格局目前集成電路產(chǎn)業(yè)世界格局呈現(xiàn)出一超三強(qiáng)的狀態(tài)。其中，美國(guó)產(chǎn)業(yè)鏈完善度、企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力全面領(lǐng)先，其先進(jìn)工藝、設(shè)計(jì)、設(shè)備和EDA工具最為突出；日本依靠半導(dǎo)體材料占據(jù)一強(qiáng)席位，不過(guò)總體競(jìng)爭(zhēng)力呈下降態(tài)勢(shì)；韓國(guó)通過(guò)存儲(chǔ)器的發(fā)展，拉動(dòng)了技術(shù)水平的突飛猛進(jìn)，并拓展到代工領(lǐng)域，提高其全產(chǎn)業(yè)鏈的競(jìng)爭(zhēng)力；中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)在集成電路制造及封裝領(lǐng)域居于世界前列，“專(zhuān)業(yè)代工模式”成為其在芯片領(lǐng)域中的核心競(jìng)爭(zhēng)力。中國(guó)大陸處于美國(guó)和日本、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣之后的第三層級(jí)。6.3中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況（1）行業(yè)整體蓬勃發(fā)展2010-2020年，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)銷(xiāo)售額持續(xù)增長(zhǎng)，十年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)19.91%。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2020年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額為8,848億元，同比增長(zhǎng)17%。中國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，同時(shí)也是全球最大的半導(dǎo)體進(jìn)口國(guó)，龐大的市場(chǎng)需求為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了前提。2010年以來(lái)，中國(guó)逐步承接了半導(dǎo)體封測(cè)和晶圓制造業(yè)務(wù)并建立起初具規(guī)模的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)行業(yè)生態(tài)，完成了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的原始積累，初步完成產(chǎn)業(yè)鏈布局。（2）部分環(huán)節(jié)進(jìn)口依賴(lài)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平與國(guó)際頂尖水平存在差距。在半導(dǎo)體設(shè)備方面，中國(guó)本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商只占全球份額的1一2%；關(guān)鍵領(lǐng)域如光刻、薄膜沉積、刻蝕、離子注入等，仍與海外廠商存在差距；半導(dǎo)體設(shè)備自給率低，需求缺口較大,先進(jìn)制程和先進(jìn)工藝設(shè)備仍需攻克。6.4半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)（1）下游應(yīng)用需求持續(xù)增長(zhǎng)半導(dǎo)體行業(yè)每一次進(jìn)入上升周期都是由下游需求驅(qū)動(dòng)。近年來(lái)，下游產(chǎn)業(yè)新技術(shù)、新產(chǎn)品快速發(fā)展，正迎來(lái)市場(chǎng)快速增長(zhǎng)期。5G手機(jī)、新能源汽車(chē)、工業(yè)電子等包含的半導(dǎo)體產(chǎn)品數(shù)量較傳統(tǒng)產(chǎn)品大比例提高；人工智能、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)等新業(yè)態(tài)的出現(xiàn)，對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)生了新需求。據(jù)Gartner預(yù)測(cè)，2022年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到5,426.40億美元。（2）芯片產(chǎn)能全球短缺2020年以來(lái)，受到居家經(jīng)濟(jì)的影響，全球范圍內(nèi)人們工作生活線上化比例逐步提高，催生對(duì)于各類(lèi)電子產(chǎn)品需求大幅增長(zhǎng)。此外，受到海外疫情影響，國(guó)際半導(dǎo)體晶圓制造、封裝廠商產(chǎn)能水平較不穩(wěn)定，進(jìn)一步加劇了芯片產(chǎn)品的供需矛盾。根據(jù)StrategyAnalytics報(bào)告，目前全球芯片短缺情況將會(huì)持續(xù)至2022年到2023年。（3）晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)為應(yīng)對(duì)芯片短缺的市場(chǎng)需求，全球多個(gè)晶圓廠計(jì)劃漲價(jià)或擴(kuò)產(chǎn)。晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)張將帶動(dòng)半導(dǎo)體材料、設(shè)備以及芯片制造整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的收入增長(zhǎng)。全球主要晶圓廠資本開(kāi)支及產(chǎn)能建設(shè)大幅增長(zhǎng)。（4）中國(guó)大陸成為晶圓制造產(chǎn)業(yè)重