冷凍電鏡技術(shù)課程學(xué)習(xí)報(bào)告 所講根底學(xué)問(wèn)回憶1、電子顯微鏡成像技術(shù)的進(jìn)展歷史0〔m：H因樣品需要脫水處理，會(huì)造成構(gòu)造失真。60接近真實(shí)。60T470使衍射譜重構(gòu)成顯微圖像。70180〔0.2nm〕．率高。2、冷凍電鏡技術(shù)介紹關(guān)于玻璃態(tài)冰：假設(shè)要形成玻璃態(tài)〔即無(wú)定形態(tài)〕104此時(shí)，冰的構(gòu)造呈現(xiàn)各向同性，不會(huì)因成像角度不同導(dǎo)致圖像產(chǎn)生偏差。操作步驟概要：冷凍包埋——轉(zhuǎn)移至液氮或液氦中——觀測(cè)，圖像采集——三維重構(gòu)圖像采集的質(zhì)量要求：10e/A，明顯超過(guò)最適劑2成圖像采集不成功。因此，必需承受低劑量技術(shù)〔≤Ak品不被損壞。二、課外補(bǔ)充學(xué)習(xí)：冷凍電鏡技術(shù)難點(diǎn)的擴(kuò)展閱讀1、冰晶污染在每個(gè)步驟中，冰晶污染的形成的主要緣由不同。．在冷凍制樣階段，冰晶污染形成的緣由主要有三點(diǎn)：冷凍速率不夠；冷卻劑的溫度未接近凝點(diǎn)；中的水分子分散在樣品外表。2、電子輻射損傷4璃態(tài)的冰晶化形成立方晶相，失去各向同性。離樣品外表的幾率。起泡——對(duì)于較厚的含水樣品。非彈性散射將造成能量沉積，大局部發(fā)生子劑量的增加，起泡的范圍和形態(tài)也會(huì)有所不同。電子在樣品內(nèi)的沉積，對(duì)電子束的偏轉(zhuǎn)方向產(chǎn)生影響。損傷的最正確方法。．3、圖像去噪號(hào)類型，假設(shè)為噪點(diǎn)則予以除去。但受到了噪點(diǎn)干擾〔稱為退化〕的樣品信號(hào)，將它們的構(gòu)造性信息予以恢復(fù)。標(biāo)準(zhǔn)之一。三、我國(guó)冷凍電鏡技術(shù)的應(yīng)用20111電鏡圖像獲得的生物大分子復(fù)合體的全原子模型。該爭(zhēng)論確認(rèn)了呼腸孤病毒mRNAmRNA在論文《Atomicmodelofacypovirusbuiltfromcryo-EMstructure．providesinsightintothemechanismofmRNAcapping》中，爭(zhēng)論人員通〔1〕VVP3turretmRNA〔3〕CPVVP5RNA7P50四、冷凍電鏡技術(shù)的應(yīng)用前景進(jìn)展。參考資料：尹長(zhǎng)城教師《現(xiàn)代生物醫(yī)學(xué)成像技術(shù)》選修課內(nèi)容冷凍電鏡技術(shù)與冷凍電鏡圖像去噪爭(zhēng)論[D].中山大學(xué).2005李鯤鵬Atomicmodelofacypovirusbuiltfromcryo-EMstructureChengL,SunJ.etal.stoemechanismfmRNAcldi．2011Jan25;108(4):1373-8.電子