石墨相氮化碳（g-C3N4）材料簡介2023最新整理收集do

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引言

g-C3N4的合成制備

g-C3N4的材料改性

g-C3N4的應(yīng)用領(lǐng)域展望1.引言FujishimaTiO2

光解水示意圖19671.引言常見半導(dǎo)體在pH=0時的禁帶寬度以及與標(biāo)準(zhǔn)氫電極電位、真空能級的相對位置帶隙較寬——對可見光響應(yīng)弱或無響應(yīng)（如TiO2、ZnO）帶隙較窄——部分光腐蝕現(xiàn)象嚴(yán)重（如CdS）均含有過渡金屬元素1.引言2008年王心晨NC1.引言優(yōu)點：非金屬半導(dǎo)體、原料豐富價格低、帶隙合適、化學(xué)穩(wěn)定且無毒缺點：比表面積比較低、有限的可見光吸收、光生載流子易復(fù)合2.7eVe-h+Ef2.g-C3N4的合成制備主流方法：熱聚合——簡單、快捷、大批量其他方法：CVD、溶劑熱——復(fù)雜、耗時、產(chǎn)量低2.g-C3N4的合成制備1.2.3.CyanamideDicyanamideMelamineTri-s-triazine2.g-C3N4的合成制備4.5.UreaThiourea異原子

Urea:58m2/gThiourea:18m2/gDicyanamide:10m2/g2.g-C3N4的合成制備nanoflowernanorodhollownanospheresmesoporousTemplates:

SiO2AAOCaCO3ionicliquidssurfactants3.g-C3N4材料改性增加比表面積增加可見光吸收范圍抑制光生電子-空穴的簡單復(fù)合目的：3.g-C3N4材料改性I.g-C3N4的剝離石墨石墨烯Bulkg-C3N4g-C3N4nanosheet0.9-2.1nm3-6layers3.g-C3N4材料改性II.元素?fù)诫s金屬元素：Fe、Cu、Zn、Ni等非金屬元素：O、P、S、B、I、F等P133.1eVCBVBMidgapstates2.2eV2.68eV3.g-C3N4材料改性III.有機(jī)分子共聚嘧啶噻吩吡啶3.g-C3N4材料改性IV.構(gòu)建異質(zhì)結(jié)與其他半導(dǎo)體與金屬與光敏劑4.g-C3N4的應(yīng)用領(lǐng)域I.光解水2008:100μmol/h/g2019:>10mmol/h/g4.g-C3N4的應(yīng)用領(lǐng)域NO、NO2NO3-

Cr(VI)Cr(III)BacterialDisinfection

II.光降解污染物/殺菌H+·OHPollutantsDegradationproducts·OHOH-PollutantsDegradationproducts水相中4.g-C3N4的應(yīng)用領(lǐng)域III.CO2還原目標(biāo)產(chǎn)物的選擇性取決于g-C3N4的納米結(jié)構(gòu)設(shè)計以及能帶位置的構(gòu)建5.展望開發(fā)可量產(chǎn)的剝離方法來制備單（幾）層g-C3N4納米片尋找有效的水分解及CO2還原助催化劑，尤