ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T42969—2023

元器件位移損傷試驗(yàn)方法

Displacementdamagetestmethodforcomponents

2023-09-07發(fā)布2024-01-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T42969—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國(guó)空間技術(shù)研究院中國(guó)工程物理研究院核物理與化學(xué)研究所西北核技術(shù)研

:、、

究院中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所揚(yáng)州大學(xué)

、、、。

本文件主要起草人羅磊于慶奎唐民朱恒靜張洪偉鄭春陳偉丁李利汪朝敏李豫東文林

:、、、、、、、、、、、

薛玉雄

。

Ⅰ

GB/T42969—2023

元器件位移損傷試驗(yàn)方法

1范圍

本文件描述了元器件位移損傷的試驗(yàn)方法

。

本文件適用于光電集成電路和分立器件如電荷耦合器件光電耦合器圖像敏感器

,(CCD)、、(APS)、

光敏管等用質(zhì)子中子進(jìn)行位移損傷輻照試驗(yàn)其他元器件的位移損傷輻照試驗(yàn)參照進(jìn)行

,、。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

電離輻射防護(hù)與輻射源安全基本標(biāo)準(zhǔn)

GB18871

測(cè)量管理體系測(cè)量過(guò)程和測(cè)量設(shè)備的要求

GB/T19022—2003

測(cè)量不確定度評(píng)定和表示

GB/T27418—2017

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

位移損傷displacementdamage

粒子在材料中通過(guò)彈性或非彈性碰撞導(dǎo)致材料晶格結(jié)構(gòu)損傷

。

32

.

位移損傷劑量displacementdamagedoseDDD

;

單位質(zhì)量材料吸收的產(chǎn)生位移損傷的能量

。

注位移損傷劑量常用某種能量粒子的位移損傷等效注量來(lái)表征如質(zhì)子中子等效注量來(lái)描述器

:,10MeV、1MeV

件的位移損傷

。

33

.

非電離能損non-ionizingenergylossNIEL

;

入射粒子通過(guò)非電離方式在單位距離內(nèi)傳遞給晶格的能量

。

注非電離能損的常用單位為兆電子伏平方厘米每克2

:(MeV·cm/g)。

34

.

原位測(cè)試in-situtesting

不移動(dòng)器件在輻照位置對(duì)器件進(jìn)行電參數(shù)或功能性測(cè)試

,。

35

.

移位測(cè)試