ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國國家標準

GB/T42974—2023

半導體集成電路

快閃存儲器FLASH

()

Semiconductorintegratedcircuits—

FlashmemorFLASH

y()

2023-09-07發(fā)布2024-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T42974—2023

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國電子技術標準化研究院兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司合肥美菱物聯(lián)科

:、、

技有限公司存心科技北京有限公司芯天下技術股份有限公司三旗惠州電子科技有限公司

、()、、()。

本文件主要起草人羅曉羽何衛(wèi)辛鈞胡洪蘇志強李東琦韓旭龍冬慶張靜李柏泉王如松

:、、、、、、、、、、、

李敬李海龍

、。

Ⅰ

GB/T42974—2023

半導體集成電路

快閃存儲器FLASH

()

1范圍

本文件規(guī)定了快閃存儲器的分類技術要求電測試方法和檢驗規(guī)則

(FLASH)、、。

本文件適用于的設計制造采購驗收

FLASH、、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

包裝儲運圖示標志

GB/T191

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分外部目檢

GB/T4937.33:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗

GB/T4937.44:(HAST)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分快速溫度變化雙液槽法

GB/T4937.1111:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分鹽霧

GB/T4937.1313:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分引出端強度引線牢固性

GB/T4937.1414:()

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

GB/T4937.1515:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分可焊性

GB/T4937.2121:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分高溫工作壽命

GB/T4937.2323:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分靜電放電敏感度測試人

GB/T4937.2626:(ESD)

體模型

(HBM)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分靜電放電敏感度測試機

GB/T4937.2727:(ESD)

器模型

(MM)

集成電路術語

GB/T9178

半導體器件集成電路第部分半導體集成電路分規(guī)范不包括混合電路

GB/T1275011:()

半導體器件集成電路第部分數(shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

非易失性存儲器耐久和數(shù)據(jù)保持試驗方法

GB/T35003

半導體集成電路快閃存儲器測試方法

GB/T36477—2018

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分高溫貯存

IEC60749-66:(Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分密封

IEC60749-88:(Semiconductordevices—Me-

chanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分標志耐久性

IEC60749-99:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part9:Permanenceofmarking)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分加速耐濕無偏置強加速