甲類，乙類和甲乙類功率放大器的區(qū)別電子知識(shí)甲類(Class,A)放大器的輸出晶體管(或電子管)的工作點(diǎn)在其線性部分中點(diǎn)，不論信號(hào)電平如何變化，它從電源取出的電流總是恒定不變，它是低效率的，用作聲頻放大時(shí)由于信號(hào)幅度不斷變化，其實(shí)際效率不可能超過(guò)25,，可由單管或推挽工作。甲類放大器的優(yōu)點(diǎn)是無(wú)交越失真和開(kāi)關(guān)失真，而且諧波分量中主要是偶次諧波，在聽(tīng)感上低音厚實(shí)、中音柔順溫暖、高音清晰利落、層次感好，十分討人喜歡。但一直因?yàn)楹碾姸?，效率低，容易發(fā)熱和對(duì)散熱要求高而未能在大功率的放大器中得到廣泛應(yīng)用。由于器件長(zhǎng)期工作于大電流高溫下，容易引起可靠性和壽命方面的問(wèn)題，而且整機(jī)成本高，所以制造甲類功率放大器出名的廠家，現(xiàn)在已大多停止生產(chǎn)晶體管甲類功率放大器。 乙類(Class,B)放大器的偏置使推挽工作的晶體管，或電子管，在無(wú)驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，處于低電流狀態(tài)，當(dāng)加上驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，一對(duì)管子中的一只在半周期內(nèi)電流上升，而另一只管子則趨向截止，到另一個(gè)半周時(shí)，情況相反，由于兩管輪流工作，必須采用推挽電路才能放大完整的信號(hào)波形。乙類放大器的優(yōu)點(diǎn)是效率較高，理論上可達(dá)78,，缺點(diǎn)是失真較大。 甲乙類,Class,AB,放大器在低電平驅(qū)動(dòng)時(shí)，放大器為甲類工作，當(dāng)提高驅(qū)動(dòng)電平時(shí)，轉(zhuǎn)為乙類工作。甲乙類放大器的長(zhǎng)處在于它比甲類提高了小信號(hào)輸入時(shí)的效率，隨著輸出功率的增大，效率也增高，雖然失真比甲類大，然而至今仍是應(yīng)用最廣泛的晶體管功率放大器程式，趨向是越來(lái)越多的采用高偏流的甲乙類，以減少低電平信號(hào)的失真。IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/OBUFFER快速準(zhǔn)確建模方法，是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù)，非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。IBIS本身只是一種文件格式，它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù)，但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用，這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真，需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源,獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法，提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息，提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型，同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu)，提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度，可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真?？捎肐BIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括：串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真，它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況，模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取，用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開(kāi)銷(xiāo)，兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成°IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題，而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上，所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型，并且它們都很簡(jiǎn)便易用。大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得。可以在同一個(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/OBUFFER快速準(zhǔn)確建模方法，是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù)，非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。IBIS本身只是一種文件格式，它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù)，但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用，這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真，需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源,獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法，提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息，提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型，同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu)，提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度，可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括：串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真，它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況，模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取，用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開(kāi)銷(xiāo)，兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成°IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題，而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上，所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型，并且它們都很簡(jiǎn)便易用。大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得?？梢栽谕粋€(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/OBUFFER快速準(zhǔn)確建模方法，是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù)，非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。IBIS本身只是一種文件格式，它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù)，但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用，這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真，需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源,獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法，提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息，提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型，同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu)，提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度，可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真?？捎肐BIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括：串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真，它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況，模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取，用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開(kāi)銷(xiāo)，兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成°IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題，而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上，所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型，并且它們都很簡(jiǎn)便易用。大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得。可以在同一個(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/OBUFFER快速準(zhǔn)確建模方法，是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù)，非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。IBIS本身只是一種文件格式，它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù)，但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用，這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真，需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源,獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法，提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息，提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型，同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu)，提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度，可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括：串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真，它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況，模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取，用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開(kāi)銷(xiāo)，兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成°IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題，而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上，所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型，并且它們都很簡(jiǎn)便易用。大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得?？梢栽谕粋€(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/OBUFFER快速準(zhǔn)確建模方法，是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù)，非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。IBIS本身只是一種文件格式，它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù)，但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用，這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真，需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源,獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法，提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息，提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型，同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu)，提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度，可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括：串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真，它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況，模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取，用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開(kāi)銷(xiāo)，兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成°IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題，而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上，所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型，并且它們都很簡(jiǎn)便易用。大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得?？梢栽谕粋€(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/OBUFFER快速準(zhǔn)確建模方法，是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù)，非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。IBIS本身只是一種文件格式，它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù)，但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用，這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真，需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源,獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法，提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息，提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型，同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu)，提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度，可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真?？捎肐BIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括：串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真，它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況，模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取，用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開(kāi)銷(xiāo)，兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成°IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題，而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上，所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型，并且它們都很簡(jiǎn)便易用。大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得?？梢栽谕粋€(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/OBUFFER快速準(zhǔn)確建模方法，是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù)，非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。IBIS本身只是一種文件格式，它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù)，但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用，這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真，需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源,獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法，提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息，提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型，同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu)，提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度，可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真?？捎肐BIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括：串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真，它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況，模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取，用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開(kāi)銷(xiāo)，兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成°IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題，而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上，所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型，并且它們都很簡(jiǎn)便易用。大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得。可以在同一個(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。More:數(shù)碼萬(wàn)年歷More:s2csfa2IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/OBUFFER快速準(zhǔn)確建模方法，是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù)，非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。IBIS本身只是一種文件格式，它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù)，但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用，這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真，需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源,獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法，提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息，提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型，同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu)，提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度，可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真?？捎肐BIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括：串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真，它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況，模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取，用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開(kāi)銷(xiāo)，兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成°IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題，而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上，所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型，并且它們都很簡(jiǎn)便易用。大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得?？梢栽谕粋€(gè)板上仿真幾個(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