ICS77040

CCSH.80

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29057—2023

代替GB/T29057—2012

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)

多晶硅棒的規(guī)程

Practiceforevaluationofpolocrystallinesiliconrodsbyfloat-zone

crystalgrowthandspectroscopy

2023-08-06發(fā)布2024-03-01實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T29057—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)程與

GB/T29057—2012《》,

相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

GB/T29057—2012,,:

刪除了目的見年版的第章

a)(20121);

更改了范圍見第章年版的第章

b)(1,20122);

將第章局限性改為第章干擾因素并完善了干擾因素內(nèi)容見第章年版的

c)3“”5“”,(5,2012

第章

3);

更改了方法提要見第章年版的第章

d)(4,20126);

增加了籽晶的要求見

e)(6.6);

增加了取樣方案的選擇見

f)(9.8);

更改了試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理見第章年版的第章

g)(12,201213);

更改了精密度見第章年版的第章

h)(13,201214);

刪除了關(guān)鍵詞見年版的第章

i)(201215);

增加了試驗(yàn)報(bào)告見第章

j)(14)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司新能源分公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有

:、

限責(zé)任公司亞洲硅業(yè)青海股份有限公司洛陽中硅高科技有限公司四川永祥新能源有限公司新疆

、()、、、

大全新能源股份有限公司江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司新疆新特新能材料檢測(cè)中心有限公司陜

、、、

西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司宜昌南玻硅材料有限公司

、、、

青海麗豪半導(dǎo)體材料有限公司樂山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所新疆協(xié)鑫新能源材料科技有限公司

、、。

本文件主要起草人秦榕薛心祿李素青王志強(qiáng)萬燁賀東江岳崢張孝山趙生良郭光偉

:、、、、、、、、、、

陳雪剛于生海鄧遠(yuǎn)紅王彬邱艷梅徐巖劉國霞萬首正田洪先劉文明趙小飛梁洪趙娟龍

、、、、、、、、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2012,。

Ⅰ

GB/T29057—2023

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)

多晶硅棒的規(guī)程

1范圍

本文件規(guī)定了多晶硅棒取樣將樣品區(qū)熔拉制成單晶以及通過低溫紅外光譜法或光致發(fā)光光譜法

、

對(duì)拉制好的單晶硅棒進(jìn)行分析以確定多晶硅中施主受主代位碳和間隙氧雜質(zhì)含量等的規(guī)程

、、。

本文件適用于評(píng)價(jià)硅芯上沉積生長的棒狀多晶硅

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

化學(xué)試劑氫氟酸

GB/T620

化學(xué)試劑硝酸

GB/T626

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率的測(cè)定直排四探針法和直流兩探針法

GB/T1551

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的測(cè)定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1553

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1558

氬

GB/T4842

電子級(jí)水

GB/T11446.1

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

GB/T13389

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

硅單晶中族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法

GB/T24574Ⅲ-Ⅴ

硅單晶中族雜質(zhì)含量的測(cè)定低溫傅立葉變換紅外光譜法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級(jí)