在基站射頻功率放大器上硅電容器解決方案-技術(shù)方案_第1頁
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文檔簡介

精品文檔-下載后可編輯在基站射頻功率放大器上硅電容器解決方案-技術(shù)方案伴隨高速大容量5G通信技術(shù)而來的信號寬帶化及挑戰(zhàn)

為了達到相當(dāng)于現(xiàn)行網(wǎng)速100倍的10Gbps，如何利用比現(xiàn)行帶寬寬數(shù)倍至數(shù)十倍的帶寬已成為一大研究課題。但眾所周知，若以大功率輸出寬帶信號，功率放大器模塊（PAM）內(nèi)將會出現(xiàn)互調(diào)失真（IMD）問題，降低信號完整性。IMD的頻率與帶寬成正比例關(guān)系，2階IMD中造成問題的頻率在Sub6GHz中達到400MHz，在毫米波中則達到數(shù)GHz。

應(yīng)用對象：基站的射頻功率放大器模塊

去耦解決方案

利用硅電容器的解決方案

以下將介紹消除二階IMD的方法。IMD的低頻段可通過與場效應(yīng)管的漏極相連的偏置電路消除，但是IMD的高頻段因為受到用于RF-Blocking的微帶線等的影響，難以在功率放大器模塊外消除。在此要介紹的方法就是，將硅電容器（Si-Cap）直接用于功率放大器模塊內(nèi)的金屬基板上，通過打線方式將硅電容與FET連接。

通過這種方法，利用在實際使用條件下能夠保持大容量的小型硅電容器，可以在功率放大器模塊的有限空間內(nèi)消除IMD。

硅電容器的特點

讓小型×大容量在實際使用條件（外施電壓時及高溫環(huán)境）下得到實現(xiàn)

硅電容器采用村田技術(shù)通過深溝槽及三角架支柱的結(jié)構(gòu)，獲得了比平面結(jié)構(gòu)大100倍的電極表面積，實現(xiàn)了緊湊封裝。另外，因為硅電容器的電介質(zhì)使用了溫度補償類材料，所以在實際使用條件下容量不會減少，達到了上下電極式小型產(chǎn)品領(lǐng)域中的級別靜電容量密度。

單芯片中實現(xiàn)各功率放大器模塊所需的合適的靜電容量和阻值

村田除了提供標(biāo)準(zhǔn)類硅電容器產(chǎn)品外，還可根據(jù)客戶需求定制IPD（集成無源器件）。IPD方案可以在單個芯片中根據(jù)期望的個數(shù)集成想要的容量和阻值。因此，我們有能力制作標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)

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