ICS29045

H80.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T26069—2010

硅退火片規(guī)范

Specificationforsiliconannealedwafers

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T26069—2010

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)

(SAC/TC203/SC2)

歸口

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位萬(wàn)向硅峰電子股份有限公司有研半導(dǎo)體材料股份公司寧波立立電子股份有限

:、、

公司和杭州海納半導(dǎo)體有限公司共同負(fù)責(zé)起草

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人樓春蘭孫燕朱興萍宮龍飛王飛堯黃笑容方強(qiáng)汪成生程國(guó)慶

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T26069—2010

硅退火片規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體器件和集成電路制造用硅退火拋光片的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則等

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于線寬和工藝退火硅片

180nm、130nm90nm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1557

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法

GB/T4058

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

硅拋光片表面平整度測(cè)試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法

GB/T11073

硅及其他電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法

GB/T13387

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測(cè)試方法

GB/T13388X

硅片直徑測(cè)量方法

GB/T14140

硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法

GB/T14144

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法

GB/T19921

硅片表面金屬沾污的全反射光熒光光譜測(cè)試方法

GB/T24578X

硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法

YS/T26

3術(shù)語(yǔ)和定義

中界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41產(chǎn)品分類

.

本標(biāo)準(zhǔn)將硅退火拋光片按線寬分為線寬和線寬