ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標準

GB/T41751—2022

氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法

TestmethodforradiusofcurvatureofcrystalplaneinGaNsingle

crystalsubstratewafers

2022-10-12發(fā)布2023-02-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T41751—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司中國電子

:、、

科技集團公司第四十六研究所哈爾濱奧瑞德光電技術有限公司廈門柯譽爾科技有限公司山西華晶

、、、

恒基新材料有限公司福建兆元光電有限公司

、。

本文件主要起草人邱永鑫徐科王建峰任國強李騰坤左洪波鄭樹楠劉立娜楊鑫宏

:、、、、、、、、、

鄺光寧丁崇燈陳友勇

、、。

Ⅰ

GB/T41751—2022

氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法

1范圍

本文件規(guī)定了利用高分辨射線衍射儀測試氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的方法

X。

本文件適用于化學氣相沉積及其他方法制備的氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的測試氮化鎵外

,

延片晶面曲率半徑的測試可參照本文件進行

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

衍射平面diffractionplane

射線入射束衍射束構成的平面

X、。

32

.

晶面曲率半徑curvatureradiusofcrystalplane

R

襯底片名義晶面與通過襯底片中心點垂面的交線可近似的看作一段圓弧該圓弧對應的半徑

,。

注1在本文件中晶面曲率半徑帶有符號正號表示樣品名義晶面相對于測試表面為凸起狀負號表示樣品名義

:,,,

晶面相對于測試表面為凹狀

。

注2晶面曲率是晶面曲率半徑的倒數(shù)

:。

33

.

入射角incidentangle

ω角ω

angle

射線衍射儀入射射線與樣品臺表面的夾角

XX。

34

.

搖擺曲線rockingcurve

固定衍射儀探測器位置連續(xù)改變ω角并記錄衍射強度得到的測量曲線

,。

4方法原理

41單晶的原子以三維周期性結構排列其晶體可以看作是由垂直距離為d的一系列平行原子平面所

.,

構成當一束平行的單色射線射入該平面上若入射光與原子平面間的