標準解讀

《GB/T 6621-2009 硅片表面平整度測試方法》與《GB/T 6621-1995 硅拋光片表面平整度測試方法》相比，在內容上有以下變更：

首先，適用范圍有所擴展。2009版標準不僅適用于硅拋光片，還涵蓋了更廣泛的硅片類型，包括但不限于單晶硅、多晶硅等材料制成的硅片。

其次，對于測試設備的要求更加具體化了。新版本中詳細規(guī)定了測試儀器的技術參數要求，比如平面度測量儀或干涉儀的分辨率、重復性誤差等指標，確保了不同實驗室之間測試結果的一致性和可比性。

再者，關于樣品準備及處理過程也進行了修訂。例如，明確了試樣清洗的具體步驟以及如何避免在制備過程中引入額外的表面損傷；增加了對環(huán)境條件（如溫度、濕度）控制的規(guī)定，以減少外界因素對測試結果的影響。

此外，數據處理方法得到了改進。新版標準引入了更為先進的數據分析技術，用于從原始數據中提取出有效信息，并提供了具體的計算公式和評價標準，使得最終得到的平整度數值更加準確可靠。

最后，附錄部分新增了一些輔助性資料，包括典型缺陷圖像示例及其對應的特征描述，有助于使用者更好地理解和識別實際檢測過程中可能出現的各種情況。


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  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實施
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文檔簡介

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜６６２１—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６２１—１９９５

硅片表面平整度測試方法

犜犲狊狋犻狀犵犿犲狋犺狅犱狊犳狅狉狊狌狉犳犪犮犲犳犾犪狋狀犲狊狊狅犳狊犻犾犻犮狅狀狊犾犻犮犲狊

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜６６２１—２００９

前言

本標準代替ＧＢ／Ｔ６６２１—１９９５《硅拋光片表面平整度測試方法》。

本標準與ＧＢ／Ｔ６６２１—１９９５相比，主要變動如下：

———將名稱修改為“硅片表面平整度測試方法”；

———去掉了目前較少采用的干涉法，只保留了目前常用的電容法；

———增加“引用標準”；

———對“方法提要”、“儀器裝置”、“測量程序”、“計算”進行了全面修改；

———經實驗重新確定了精密度；

———在第一章增加本標準適用的試樣范圍；

———在“試樣”一章中說明對所測試樣的要求。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準主要起草單位：上海合晶硅材料有限公司。

本標準主要起草人：徐新華、嚴世權、王珍。

本標準所替代標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ６６２１—１９８６、ＧＢ／Ｔ６６２１—１９９５。

Ⅰ

書

犌犅／犜６６２１—２００９

硅片表面平整度測試方法

１范圍

本標準規(guī)定了用電容位移傳感器測定硅拋光片平整度的方法，切割片、研磨片、腐蝕片也可參考此

方法。

本標準適用于測量標準直徑７６ｍｍ、１００ｍｍ、１２５ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍ，電阻率不大于２００Ω·ｃｍ

厚度不大于１０００μｍ的硅拋光片的表面平整度和直觀描述硅片表面的輪廓形貌。

２方法概述

２．１將硅片平放入一對同軸對置的電容位移傳感器（簡稱探頭）之間，對探頭施加一高頻電壓，硅片與

探頭之間便形成了高頻電場，其間各形成了一個電容。探頭中電路測量其間電流變化量，便可測得該電

容值犆。如圖１所示。犆由式（１）給出：

犇———Ａ，Ｂ探頭間距離；

犪———Ａ探頭與上表面距離；

犫———Ｂ探頭與下表面距離；

狋———硅片厚度。

圖１電容位移傳感器測量方法示意圖

犓·犃

犆＝＋犆０…………（１）

犪＋犫

式中：

犆———在上、下探頭和硅片表面之間所測得總電容值，單位為法拉（Ｆ）；

犓———自由空間介電常數，單位為法拉每米Ｆ／ｍ；

犃———探頭表面積，單位為平方米（ｍ２）；

犪———Ａ探頭與上表面距離，單位為米（ｍ）；

犫———Ｂ探頭與下表面距離，單位為米（ｍ）；

犆０———主要由探頭結構而產生的寄生電容，單位為法拉（Ｆ）。

２．２由于在測量時，兩探頭之間的距離

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