標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 6616-1995 半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定 非接觸渦流法》相對于《GB 6616-1986》在幾個方面進(jìn)行了更新和改進(jìn)。首先，在標(biāo)準(zhǔn)名稱上，新版本增加了“T”，表明其為推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)而非強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)。這反映了國家對于標(biāo)準(zhǔn)化管理理念的變化，即更多地鼓勵行業(yè)采用而非強(qiáng)制執(zhí)行。

內(nèi)容層面，《GB/T 6616-1995》對測量方法、適用范圍以及技術(shù)要求等方面做了更為詳細(xì)的規(guī)定。比如，它明確了非接觸渦流法適用于半導(dǎo)體單晶硅圓片電阻率的無損檢測，并且可以用于評估硅薄膜材料的薄層電阻特性。此外，還具體規(guī)定了測試設(shè)備的要求、樣品準(zhǔn)備步驟、環(huán)境條件控制等細(xì)節(jié)，使得整個測試過程更加規(guī)范統(tǒng)一。


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  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實(shí)施
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GB/T 6616-1995半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法_第1頁
GB/T 6616-1995半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法_第2頁
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GB/T 6616-1995半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法-免費(fèi)下載試讀頁

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UDC669.782-415621.317.33H21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/r6616-1995半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法Testmethodformeasuringresistivityofsemiconductorsiliconorsheetresistanceofsemiconductorfilmswithanoncontacteddy-currentgage1995-04-18發(fā)布1995-12-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層GB/T6616-1995電阻測定非接觸渦流法Testmethodformeasuringresistivityofsemiconductor代替6616-86siliconorsheetresistanceorsemiconductorfilmswithanoncontacteddy-currentgage主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片體電阻率和硅薄膜薄層電阻的非接觸渦流測量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑或邊長大于30mm.厚度為0.1～1mm的硅單晶切割片、研磨片和拋光片（簡稱硅片)的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測量薄膜薄層電阻時,襯底的有效薄層電阻至少應(yīng)為薄膜薄層電阻的1000倍。桂片體電阻率和硅薄膜薄層電阻測最范圍分別為1.0×10-～2×10°·cm和2～3×10°0/。2方法提要將硅片試樣平插人一對共軸渦流探頭(傳感器)之間的固定間隙內(nèi)，與振蕩回路相連接的兩個渦流深頭之間的交變磁場在硅片上感應(yīng)產(chǎn)生渦流。為使高頻振蕩器的電壓保持不變，需要增加激勵電流，而增加的激勵電流值是硅片電導(dǎo)的函數(shù)。通過測量澈勵電流的變化即可測得試樣的電導(dǎo)。當(dāng)試樣厚度已知時，便可計(jì)算出試樣的電阻率。式中：0-試樣的電阻率,0·cmniG-試樣的薄層電導(dǎo)，S；2試樣的薄層電阻,0；試樣中心的厚度(測薄膜時厚度取0.0508cm),cm。3測量裝置3.11電學(xué)測量裝置3.1.1渦流傳感器組件。由可供硅片插入的具有固定間隙的一對共軸線探頭，放置硅片的支架(需保證硅片與探頭軸線垂直）硅片對中裝置及激勵探頭的高頻振蕩器等組成。傳感器可提供與硅片電導(dǎo)成正比的輸

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