ICS31.080.10L41中華人民共和國國家標準GB/T6589—2002/IEC60747-3-2:19860C750005代替GB/T6589—1986半導體器件分立器件第3-2部分：信號(包括開關)和調(diào)整二極管電壓調(diào)整二極管和電壓基準二極管（不包括溫度補償精密基準二極管)空白詳細規(guī)范SemiconductorDevices-Discretedevices-Part3-2:Signal（includingswitching）andregulatordiodes-Blankdetailspecificationforvoltage-regulatordiodesandvoltage-referencediodes（excludingtemperature-compensatedprecisionreferencediodes)（IEC60747-3-2：1986,IDT）2002-12-04發(fā)布2003-05-01實施中華人民共和國發(fā)布國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

GB/T6589—2002/IEC60747-3-2：1986前GB/T6589是等同采用IEC60747-3-2:1986（QC750005）《電壓調(diào)整和電壓基準二極管（不包括溫度補償精密基準二極管)空白詳細規(guī)范》英文版）本部分代替（B/T6589—1986《電壓調(diào)整和電壓基準二極管（包括溫度補償精密基準二極管)空白詳細規(guī)范》。本部分與GB/T6589—1986的主要差別是：本部分適用范圍不包括溫度補償精密基準二極管，2在標準文本前面增加了前言。因引用的標準更改而修訂的地方有：全全文中涉及到"總規(guī)范"處由GB/T4936.1—1985《半導體分立器件總規(guī)范》,改為IEC60747-10：1991《半導體器件第10部分分立器件和集成電路總規(guī)范》：第第7章中要求的篩選順序由按GB/T4936.1—1985《半導體分立器件總規(guī)范》.改為按GB/T12560—1999《半導體器件分立器件分規(guī)范》：第8章中測試方法由按GB/T4936.1—1985《半導體分立器件總規(guī)范》.改為按GB/T12560—1999《半導體器件分立器件分規(guī)范》第8章中抽樣要求由按GB/T4936.1—1985《半導體分立器件總規(guī)范》.改為按GB/T12560—1999《半導體器件分立器件分規(guī)范》：-B8、C8分組中電耐久性由按GB/T4938—1985(半導體分立器件接收和可靠性).改為按GB/T6571一1995《半導體器件分立器件第3部分：信號(包括開關)和調(diào)整二極管》：-B3、B4、B5分組和C3、C4分組試驗由按GB/T4937—1985《半導體分立器件機械和氣候試驗方法》.改為按GB/T4937—1995《半導體器件機械和氣候試驗方法》；B5分組中交變濕熱由按GB/T2423.4—1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Db:交變濕熱試驗方法》.改為按GB/T4937—1995《半導體器件機械和氣候試驗方法》取消了4.5.1和4.5.2的符號1mm、.根據(jù)GB/T6571—1995對1個電參數(shù)名稱進行了修改：原版4.5中"最大反向恒定(直流)電流”改為“最大反向直流電流”6）5.8中"最大等效噪聲電壓"改為"最大噪聲電壓”7第7章中要求的篩選順序原為GB4936.1的3.6.2,本版為GB/T12560的3.7.第8章中測試方法原引用GB4936.1的6.1.1,本版為GB/T12560的第4章。9）第8章中抽樣要求原引用GB4936.1的3.6.2,本版為GB/T12560的3.8。10)根據(jù)原文含義將4.5.1中"Pac（T）”改為"Po”。11）B組表注中電耐久性試驗原引用GB4936.1的3.4.3.1,本版為GB/T12560的3.2.3.1。本部分與IEC60747-3-2的主要差別是：本部分第7章中條號“3.8”和“3.7"在IEC60747-3-2中為"3.7"和"3.6"。2）根據(jù)原文含義將4.3.1中"Po"改為"Pa（T)"。3）根據(jù)原文含義將4.3.2、4.5.1中"Pa"改為"Pmm”。GB/T6589是半導體器件系列國家標準之一。下面列出了這些國家標準的預計結(jié)構(gòu)及其對應的國際標準，以及將代替的國家標準：-GB/T4589.1—1989半導體器件分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T6589-2002/IEC60747-3-2:1986半導體器件GB/T12560-1999分立器件分規(guī)范（idtIEC60747-11:1985,代替GB/T12560—1990）GB/T17573—1998半導體器件分立器件和集成電路第1部分：總則(idtIEC60747-1:1983)GB/T4023-1997半導體器件分立器件和集成電路第2部分：整流二極管（eqvIEC60747-2：1983）GB/T6571-1995半導體器件分立器件第3部分：信號（包括開關)和調(diào)整二極管（idtIEC60747-3:1985）-B/T6588—2000半導體器件分立器件第3部分：信號(包括開關)和調(diào)整二極管第1篇信號二極管、開關二極管和可控雪崩二極管空白詳細規(guī)范（eqvIEC60747-3-1:1986.代替GB/T6588-—1986）-CB/T6589—2002半導體器件分立器件第3-2部分：信號(包括開關)和調(diào)整二極管電壓調(diào)整和電壓基準二極管(不包括溫度補償精密基準二極管)空白詳細規(guī)范(idtIEC60747-3-2:1986.代替GB/T6589-1986)半導體器件GB/TXXXX—××××分立器件第4部分：微波二極管和品體管（IEC60747-4:1991）GB/T15291-1994半導體器件第6部分：晶閘管（eqvIEC60747-6:1991）GB/T4587—1994半導體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管（eqvIEC60747-7：1988代替GB/T4587-1984和GB/T6801—1986）-GB/T7576—1998半導體器件分立器件第7部分：雙極型品體管第四篇高頻放大管殼額定雙極型晶體管空白詳細規(guī)范(idtIEC60747-7-4:1991,代替GB/T7576—1987）GB/T4586—1994半導體器件分立器件第8部分：場效應品體管（idtIEC60747-8:1984.代替GB/T4586-1984）GB/TXXXX×—××××半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極型品體管（IEC60747-9:1998）本部分引用的國家標準和IEC標準是：-GB/T2423.23—1995電子產(chǎn)品環(huán)境試驗試驗Q:密封(idtIEC68-2-17:1978)GB/T4937—1995半導體器件機械和氣候試驗方法（idtIEC60749:1984）GB/T6571—1995半導體器件分立器件第3部分：信號（包括開關)和調(diào)整二極管（idtIEC60747-3:1985）GGB/T12560—1999半導體器件分立器件分規(guī)范(idtIEC60747-11:1985)IEC60191-2:1966半導體器件機械標準化第2部分尺寸IEC60747-10（QC700000):1991半導體器件第10部分分立器件和集成電路總規(guī)范本部分由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出本部分由全國半導體器件分立器件標準化技術委員會歸口本部分起草部位：中國電子技術標準化研究所（CESI）本部分主要起草人：趙英。本部分首次發(fā)布時間：1986年7月24日。

GB/T6589-2002/IEC60747-3-2：1986半導體器件分立器件第3-2部分：信號(包括開關)和調(diào)整二極管電壓調(diào)整二極管和電壓基準二極管（不包括溫度補償精密基準二極管)空白詳細規(guī)范引育IEC電子元器件質(zhì)量評定體系遵循IEC章程并在IEC授權(quán)下工作。該體系的目的是確定質(zhì)量評定程序,以這種方式使一個參加國按有關規(guī)范要求放行的電子元器件無需進一步試驗而為其他所有參加國同樣接受本空白詳細規(guī)范是半導體器件的一系列空白詳細規(guī)范之一.并應與下列國家標準和IEC標準一起使用。GB/T12560-1999半導體器件分立器件分規(guī)范(idtIEC60747-11:1985)華導體器件第10部分IEC60747-10（QC700000）：1991分立器件和集成電路總規(guī)范要求的資料本頁及下頁方括號內(nèi)的數(shù)字與下列各項要求的信息相對應·這些信息應填入相應欄中。詳細規(guī)范的識別【1授權(quán)發(fā)布詳細規(guī)范的國家標準化機構(gòu)名稱【27詳細規(guī)范的IECQ編號「37總規(guī)范、分規(guī)范的編號及版本號「4詳細規(guī)范的國家編號、發(fā)布日期及國家標準體系要求的任何資料器件的識別【57器件型號?！?典型結(jié)構(gòu)和應用資料。