標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 31470-2015 俄歇電子能譜與X射線光電子能譜測試中確定檢測信號對應(yīng)樣品區(qū)域的通則》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),旨在規(guī)范在使用俄歇電子能譜(AES)和X射線光電子能譜(XPS)技術(shù)進(jìn)行材料表面分析時,如何準(zhǔn)確地識別出所獲得數(shù)據(jù)對應(yīng)的樣品表面的具體位置。該標(biāo)準(zhǔn)適用于需要精確定位表征信息來源的應(yīng)用場景,比如微區(qū)分析、薄膜成分分析等。
根據(jù)文檔內(nèi)容,其主要涵蓋了以下幾個方面:
- 定義了術(shù)語和定義部分,明確了如“分析區(qū)域”、“空間分辨率”等關(guān)鍵概念的確切含義。
- 描述了實(shí)驗(yàn)裝置的基本要求,包括對儀器設(shè)備性能指標(biāo)的要求,以及為保證測量結(jié)果準(zhǔn)確性所需采取的措施。
- 提出了用于確定檢測信號對應(yīng)樣品區(qū)域的方法論框架,包括但不限于通過調(diào)整入射角度、改變探測器位置等方式來優(yōu)化空間分辨率;利用標(biāo)記點(diǎn)或已知特征作為參照物幫助定位;采用軟件工具輔助識別感興趣區(qū)域等。
- 給出了不同應(yīng)用場景下推薦使用的具體方法,并提供了相應(yīng)的示例說明,以指導(dǎo)實(shí)際操作過程中如何選擇合適的技術(shù)手段解決問題。
- 強(qiáng)調(diào)了記錄保存的重要性,建議詳細(xì)記錄實(shí)驗(yàn)條件、參數(shù)設(shè)置及處理過程,以便于后續(xù)的數(shù)據(jù)解釋與復(fù)現(xiàn)工作。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2015-05-15 頒布
- 2016-01-01 實(shí)施




下載本文檔
GB/T 31470-2015俄歇電子能譜與X射線光電子能譜測試中確定檢測信號對應(yīng)樣品區(qū)域的通則-免費(fèi)下載試讀頁文檔簡介
ICS1722020
N26..
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T31470—2015
俄歇電子能譜與X射線光電子能譜測試
中確定檢測信號對應(yīng)樣品區(qū)域的通則
Standardpracticefordeterminationofthespecimenareacontributingto
thedetectedsignalinAugerelectronspectrometersandsome
X-rayphotoelectronspectrometers
2015-05-15發(fā)布2016-01-01實(shí)施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T31470—2015
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口
(SAC/TC203)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位信息產(chǎn)業(yè)專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院蘇州晶瑞化
:、、
學(xué)有限公司天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司
、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人李雨辰何秀坤劉筠劉兵李翔
:、、、、。
Ⅰ
GB/T31470—2015
引言
俄歇電子能譜和射線光電子能譜廣泛地應(yīng)用于材料的表面分析本標(biāo)準(zhǔn)總結(jié)了對于具有聚焦
X。
電子束或聚焦射線束功能的儀器當(dāng)可掃描區(qū)域大于樣品被分析器檢測到的區(qū)域使得通過選擇電
X,,
子能量分析器的運(yùn)行條件來確定觀察到的樣品區(qū)域的方法樣品被觀察到的區(qū)域依賴于電子在能量分
。
析之前是否被減速分析器的通過能或者減速比如果電子在能量分析之前被減速所選擇的狹縫或孔
、,,
徑及電子能量值可以被測出被觀察到的區(qū)域依賴電子能量分析器運(yùn)行條件的選擇也可能與樣品的適
。
當(dāng)?shù)恼{(diào)整有關(guān)
。
本標(biāo)準(zhǔn)可以給出電子能量分析器在特定的運(yùn)行條件下成像特性的信息這個信息對將分析器性能
。
與廠商說明書中所描述的進(jìn)行比較具有一定幫助
。
Ⅱ
GB/T31470—2015
俄歇電子能譜與X射線光電子能譜測試
中確定檢測信號對應(yīng)樣品區(qū)域的通則
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了俄歇電子能譜和部分類型的射線光電子能譜檢測信號對應(yīng)樣品區(qū)域的確定方法
X。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于俄歇電子能譜儀和具有以下條件的射線光電子能譜入射光束激發(fā)的樣品區(qū)域
X:X
大于分析器可檢測到的樣品區(qū)域光電子從樣品到分析器入口的過程中經(jīng)過自由空間裝配有輔助電子
;;
槍可以產(chǎn)生一束可變能量的電子束照射到樣品上
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
表面化學(xué)分析詞匯
GB/T22461—2008(ISO18115:2001,IDT)
俄歇電子能譜術(shù)和射線光電子能譜術(shù)的樣品處理標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)則
SJ/T10458—1993X
3術(shù)語和定義
界定的術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T22461—2008。
4縮略語
下列縮略語適用于本文件
。
俄歇電子能譜
AES:(Augerelectronspectrometer)
射線光電子能譜
XPS:X(X-rayphotoelectronspectrometer)
半高峰寬
FWHM:(fullwidthathalfmaximum)
5儀器
51試樣
.
建議被測樣品是金屬箔一類的導(dǎo)體橫向的尺寸大于電子能量分析器檢測區(qū)域的尺寸試樣晶粒
,。
尺寸應(yīng)小于分析器預(yù)期的空間分辨率或者入射電子束的直徑以避免溝道效應(yīng)或衍射效應(yīng)造成的假象
,。
樣品表面應(yīng)光滑沒有刮痕以及憑肉眼可以觀察到的類似缺陷使用離子濺射或其他方法來清除
,,。
樣品表面沾污例如氧化物吸附的碳?xì)浠衔锏缺砻鏉崈舳瓤梢杂没驕y量進(jìn)行驗(yàn)證
(,、),AESXPS。
52電子
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