ICS77040

H21.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30869—2014

太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化

測(cè)試方法

Testmethodforthicknessandtotalthickness

variationofsiliconwafersforsolarcell

2014-07-24發(fā)布2015-02-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T30869—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)及材料分技術(shù)委員會(huì)

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位東方電氣集團(tuán)峨嵋半導(dǎo)體材料有限公司有研半導(dǎo)體材料股份有限公司樂山新

:、、

天源太陽能科技有限公司青洋電子材料有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人何紫軍馮地直程宇黎陽陳琳荊旭華劉卓

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30869—2014

太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化

測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用硅片以下簡(jiǎn)稱硅片厚度及總厚度變化的分立式和掃描式測(cè)量方法

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于符合規(guī)定尺寸的硅片的厚度及總厚度變化的測(cè)量分立

GB/T26071、GB/T29055,

式測(cè)量方法適用于接觸式及非接觸式測(cè)量掃描式測(cè)量方法只適用于非接觸式測(cè)量在測(cè)量?jī)x器準(zhǔn)許

,。

的情況下本標(biāo)準(zhǔn)也可用于其他規(guī)格硅片的厚度及總厚度變化的測(cè)量

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

太陽能電池用硅單晶切割片

GB/T26071

太陽電池用多晶硅片

GB/T29055

3方法提要

31分立點(diǎn)式測(cè)量

.

在硅片對(duì)角線交點(diǎn)和對(duì)角線上距兩邊的個(gè)對(duì)稱位置點(diǎn)測(cè)量硅片厚度見圖硅片中

15mm4(1)。

心點(diǎn)厚度作為硅片的標(biāo)稱厚度個(gè)厚度測(cè)量值中的最大厚度與最小厚度的差值稱作硅片的總厚度

。5

變化

。

圖1分立點(diǎn)式測(cè)量的測(cè)量點(diǎn)位置

32掃描式測(cè)量

.

硅片置于平臺(tái)上在硅片中心點(diǎn)進(jìn)行厚度測(cè)量測(cè)量值為硅片的標(biāo)稱厚度然后從點(diǎn)開始按