標準解讀
《GB/T 29055-2012 太陽電池用多晶硅片》是中國國家標準之一,主要針對用于制造太陽電池的多晶硅片制定了詳細的技術要求和測試方法。該標準適用于通過鑄錠法制備并經過切割加工成特定尺寸的多晶硅片。
在技術要求方面,標準規(guī)定了多晶硅片應達到的各項物理性能指標,包括但不限于外觀質量、幾何尺寸及其偏差范圍、電學性質等。其中,外觀上不允許存在裂紋、孔洞等影響使用性能的缺陷;對于幾何尺寸,則明確了長度、寬度以及厚度的具體數(shù)值,并給出了允許的最大誤差值;此外,還對電阻率、少數(shù)載流子壽命等關鍵電學參數(shù)設定了限定條件。
測試方法部分則提供了驗證上述各項技術指標是否符合規(guī)定的具體實驗步驟與操作規(guī)范。例如,采用光學顯微鏡檢查硅片表面是否存在微觀瑕疵;利用游標卡尺或更精確的測量工具來測定實際尺寸;而電阻率及少子壽命等內部特性,則需要借助專門設備如四探針測試儀、光致發(fā)光譜分析系統(tǒng)等進行測定。
整個文檔還包括了抽樣規(guī)則、包裝運輸指導等內容,確保從生產到交付過程中能夠有效保證產品質量的一致性和穩(wěn)定性。通過遵循這一系列標準化流程,有助于提高我國太陽能光伏產業(yè)的整體技術水平與國際競爭力。
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文檔簡介
ICS29045
H82.
中華人民共和國國家標準
GB/T29055—2012
太陽電池用多晶硅片
Multi-crystallinesiliconwaferforsolarcell
2012-12-31發(fā)布2013-10-01實施
中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
中華人民共和國
國家標準
太陽電池用多晶硅片
GB/T29055—2012
*
中國標準出版社出版發(fā)行
北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號
2(100013)
北京市西城區(qū)三里河北街號
16(100045)
網址
:
服務熱線
/p>
年月第一版
20134
*
書號
:155066·1-46637
版權專有侵權必究
GB/T29055—2012
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本標準起草單位江西賽維太陽能高科技有限公司寧波晶元太陽能有限公司無錫尚德太
:LDK、、
陽能電力有限公司
。
本標準主要起草人萬躍鵬唐駿孫世龍游達朱華英劉林艷段育紅
:、、、、、、。
Ⅰ
GB/T29055—2012
太陽電池用多晶硅片
1范圍
本標準規(guī)定了太陽電池用多晶硅片的術語定義符號及縮略語產品分類技術要求試驗方法檢
、、、、、
測規(guī)則以及標志包裝運輸貯存等
、、、。
本標準適用于鑄錠多晶切片垂直于長晶方向生產的太陽電池用多晶硅片
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
非本征半導體材料導電類型測試方法
GB/T1550
硅單晶電阻率測定方法
GB/T1551
計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃
GB/T2828.11:(AQL)
半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法
GB/T6616
硅片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T6618
硅片彎曲度測試方法
GB/T6619
半導體材料術語
GB/T14264
太陽能級鑄造多晶硅塊
GB/T29054
用微波反射非接觸光電導衰減方法測試硅晶片載流子復合壽命的方法
SEMIMF1535
3術語和定義
界定的以及下列術語和定義適用于本文件
GB/T14264。
31
.
密集線痕densesawmark
硅塊切割時在硅片表面留下的密集型劃痕
,。
4外形尺寸分類
太陽電池用多晶硅片的規(guī)格系列見表在表中未列出的尺寸規(guī)格要求由供需雙方協(xié)商
1,1。
表1太陽電池用多晶硅片規(guī)格系列
外形尺寸
/mm125×125156×156
160
硅片厚度180
/μm
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