ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T25076—2018

代替

GB/T25076—2010

太陽(yáng)能電池用硅單晶

Monocrystallinesiliconforsolarcell

2018-09-17發(fā)布2019-06-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T25076—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替太陽(yáng)電池用硅單晶與相比主要技術(shù)變化如下

GB/T25076—2010《》,GB/T25076—2010:

將標(biāo)準(zhǔn)名稱太陽(yáng)電池用硅單晶修改為太陽(yáng)能電池用硅單晶

———《》《》;

修改了適用范圍將適用于直拉摻雜制備的地面空間太陽(yáng)電池用硅單晶改為適用于直拉摻

———,“”“

雜制備的圓形硅單晶經(jīng)加工成的準(zhǔn)方形或方形硅單晶產(chǎn)品用于切割成硅片后進(jìn)一步制作地

。

面太陽(yáng)能電池見(jiàn)第章年版的第章

”(1,20101);

增加了引用文件及刪

———GB/T1551、GB/T14844、GB/T26068、GB/T32651YS/T28、YS/T679,

除了見(jiàn)第章

GB/T1552、GB/T1553、SEMIMF1535(2);

增加了牌號(hào)的規(guī)定見(jiàn)

———(4.1);

將年版中第章技術(shù)分類中的分類和規(guī)格單獨(dú)列為一章即增加了第章牌號(hào)

———201044.14.2,“4

及分類將按外形分類由原來(lái)的圓形和準(zhǔn)方形年版的改為準(zhǔn)方形和方形刪除了

”;(20104.1);

圓形硅單晶規(guī)格增加了方形硅單晶的規(guī)格見(jiàn)

,(4.1、4.2);

刪除了圓形硅單晶的尺寸要求見(jiàn)年版的修改了準(zhǔn)方形硅單晶的端面尺寸要求

———(20104.3.1),

見(jiàn)圖和表年版的圖和表增加了方形硅單晶的端面尺寸要求見(jiàn)圖和表

(11,201012),(22);

將垂直度單列為一條并增加了準(zhǔn)方形或方形硅單晶的端面垂直度應(yīng)不大于的要求

———,“1mm”

見(jiàn)

(5.1.3);

電阻率范圍下限由改為型型見(jiàn)表年版的表

———0.5Ω·cmP0.2Ω·cm、N0.1Ω·cm(3,20103);

修改了硅單晶的間隙氧含量要求由小于183改為型應(yīng)不大于

———,1.3×10atoms/cmP1.1×

183型應(yīng)不大于183或由供需雙方協(xié)商確定見(jiàn)年版的

10atoms/cm,N1.0×10atoms/cm,(5.4,2010

4.6);

修改了硅單晶的代位碳含量要求由不大于173改為型應(yīng)不大于

———,1.0×10atoms/cmP1.0×

173型應(yīng)不大于163或由供需雙方協(xié)商確定見(jiàn)年

10atoms/cm,N5.0×10atoms/cm,(5.5,2010

版的

4.7);

晶體完整性中增加了無(wú)滑移位錯(cuò)的要求見(jiàn)

———(5.6);

增加了硅單晶的體金屬含量的要求見(jiàn)

———(5.7);

增加了表面質(zhì)量的要求見(jiàn)

———(5.8);

增加了體金屬和表面質(zhì)量的試驗(yàn)方法檢驗(yàn)項(xiàng)目及檢驗(yàn)結(jié)果判定的內(nèi)容見(jiàn)

———、(6.10、6.11、7.3、

7.4、7.5.3);

將取樣和抽樣合并改為表格的形式見(jiàn)表年版的和

———(4,20106.46.5)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料有限公司浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心隆基綠能科技股份有限

:、、

公司內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司蘇州協(xié)鑫光伏科技有限公司泰州隆基樂(lè)葉光伏科技有限公司洛

、、、、

陽(yáng)鴻泰半導(dǎo)體有限公司宜昌南玻硅材料有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫燕張果虎樓春蘭楊素心劉培東宮龍飛鄧浩李建弘李洋蔣建國(guó)

:、、、、、、、、、、

張鵬

。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T25076—2010。

Ⅰ

GB/T25076—2018

太陽(yáng)能電池用硅單晶

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅單晶簡(jiǎn)稱硅單晶的牌號(hào)分類要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)

()、、、、

志包裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書(shū)和訂貨單或合同內(nèi)容

、、、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直拉摻雜制備的圓形硅單晶經(jīng)加工制成的準(zhǔn)方形或方形硅單晶產(chǎn)品經(jīng)切割成硅片

。

后進(jìn)一步制作太陽(yáng)能電池

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1558

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法

GB/